JPS6029315U - セラミック碍管表面に半導体（特殊金属）を塗布又は含浸させて焼結する - Google Patents

セラミック碍管表面に半導体（特殊金属）を塗布又は含浸させて焼結する

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JPS6029315U
JPS6029315U JP11979983U JP11979983U JPS6029315U JP S6029315 U JPS6029315 U JP S6029315U JP 11979983 U JP11979983 U JP 11979983U JP 11979983 U JP11979983 U JP 11979983U JP S6029315 U JPS6029315 U JP S6029315U
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JP
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semiconductor
impregnating
sintering
coating
special metal
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赤塚　耕次
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図：外略図でイ・・・半導体の焼結された部分、口
・・・絶縁のセラミックの部分 第２図二輪切にしてみた場合、イ・・・セラミックに半
導体を焼結した部分、１・・・絶縁体のセラミックの部
分。 補正　昭５９．　７．３ 実用新案登録請求の範囲、図面の簡単な説明を次のよう
に補正する。 Ｏ実用新案登録請求の範囲 セラミック碍管の未焼成素地もしくは仮焼（６０・０°
Ｃ〜８００°Ｃ）したもの１表面に半導体を塗布又は含
浸して焼結する。　　　　　　　　〜図面の簡単な説明 第１図：碍管の略図。 イ・・・半導体の焼結の部分、口・・・セラミック碍管
（絶縁層）。 第２図：セラミック碍管を輪切にしたもの。 イ・・・半導体の焼結部分、口・・・セラミック碍管（
絶縁層）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. セラミック碍管の未焼成素地もしくは仮焼（６００６Ｃ
    〜８００°Ｃ）したもの、表面に半導体（特殊金属）を
    塗布又は含浸して焼結する。
JP11979983U 1983-08-02 1983-08-02 セラミック碍管表面に半導体（特殊金属）を塗布又は含浸させて焼結する Pending JPS6029315U (ja)

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ID=30274804

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62195322U (ja) * 1986-06-03 1987-12-11

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62195322U (ja) * 1986-06-03 1987-12-11

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