JPS6030039A - 螢光スクリ−ンの製造方法 - Google Patents
螢光スクリ−ンの製造方法Info
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- JPS6030039A JPS6030039A JP58136778A JP13677883A JPS6030039A JP S6030039 A JPS6030039 A JP S6030039A JP 58136778 A JP58136778 A JP 58136778A JP 13677883 A JP13677883 A JP 13677883A JP S6030039 A JPS6030039 A JP S6030039A
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- light
- fluorescent screen
- core material
- fiber plate
- layer
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-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は基板にファイバープレートを用い、その面上
に螢光体層を形成した螢光スクリーンの製造方法の改良
に関する。
に螢光体層を形成した螢光スクリーンの製造方法の改良
に関する。
〔発明の技術的背景及び問題点J
一般に螢光スクリーンを内蔵するイメージ管例えば放射
線像増強管は、医療診断用を主に工業用非破壊検査など
に広範囲に応用されている。この種の放射線像増強管は
第1図に示すように構成され、主としてガラス、一部は
金属薄板よりなる真空外囲器(1)の入力側内部に入力
面(2)が配設されている。一方、真空外囲器(1)の
出力側内部には、陽極(3)が配設されるとともに出力
面(4)が設けられ、更に真空外囲器(1)内部の側部
には集束電極(5)が配設されている。前記入力面(2
)は球面状のAl基板(6)の出力側(凹面側)にCs
I/Naの入力゛螢光体層(7)が形成され、この入力
螢光体層(7)の上に更に光電面(8)が形成されてい
る。又、出力面(4)は基板(9)に出力螢光体層α1
を形成してなっている。そして、動作時には放射線(図
示せず)は被写体(図示せ゛ず)を通過する際、被写体
の放射線透過率によって変調されて、入力螢光体層(7
)を励起する。入力螢光体層(7)の励起光は光電面(
8)に光エネルギーを与え、光電面(8)より電子を放
出させる。この電子は陽極(3)、集束電極(5)で形
成される電子レンズ作用により出力螢光体層α〔上に加
速集束し、出力螢光体層−を発光させる。このような過
程で1子の増倍が行なわれ、入力螢光体層(7)で得ら
れる光像より格段に明るい像が出力面(4)に得られ、
この光像によシ被写体の観察を容易に行なうことができ
る。
線像増強管は、医療診断用を主に工業用非破壊検査など
に広範囲に応用されている。この種の放射線像増強管は
第1図に示すように構成され、主としてガラス、一部は
金属薄板よりなる真空外囲器(1)の入力側内部に入力
面(2)が配設されている。一方、真空外囲器(1)の
出力側内部には、陽極(3)が配設されるとともに出力
面(4)が設けられ、更に真空外囲器(1)内部の側部
には集束電極(5)が配設されている。前記入力面(2
)は球面状のAl基板(6)の出力側(凹面側)にCs
I/Naの入力゛螢光体層(7)が形成され、この入力
螢光体層(7)の上に更に光電面(8)が形成されてい
る。又、出力面(4)は基板(9)に出力螢光体層α1
を形成してなっている。そして、動作時には放射線(図
示せず)は被写体(図示せ゛ず)を通過する際、被写体
の放射線透過率によって変調されて、入力螢光体層(7
)を励起する。入力螢光体層(7)の励起光は光電面(
8)に光エネルギーを与え、光電面(8)より電子を放
出させる。この電子は陽極(3)、集束電極(5)で形
成される電子レンズ作用により出力螢光体層α〔上に加
速集束し、出力螢光体層−を発光させる。このような過
程で1子の増倍が行なわれ、入力螢光体層(7)で得ら
れる光像より格段に明るい像が出力面(4)に得られ、
この光像によシ被写体の観察を容易に行なうことができ
る。
このような放射線像増強管の出力スクリーン(4)の構
成に出力螢光体層(IGの保持基板としてファイバープ
レート(光学繊維束板)を用いる例があり、これはそれ
よシ以前のガラス板上に出力螢光体1翰を形成した螢光
スクリーンに対して放射線像増強管のコントラスト特性
を改善するのに役立っている。この提案の概略を第2図
に示すが基板である7アイパープレー)(Litに出力
螢光体層αQを形成してなる出力面(4)を真空外囲器
(1)の出力側に配置したものである。この提案は、従
来良く知られているファイバープレートを真空外囲器(
1)の一部として用い、直接放射線像増強管の画像信号
を真空外囲器(1)の外へ導き出すものではなく、現在
広く用いられている光学系を必要とする反面、加速電圧
の正の高電圧印加は第1図に示す従来例と同じにできる
利点がある。
成に出力螢光体層(IGの保持基板としてファイバープ
レート(光学繊維束板)を用いる例があり、これはそれ
よシ以前のガラス板上に出力螢光体1翰を形成した螢光
スクリーンに対して放射線像増強管のコントラスト特性
を改善するのに役立っている。この提案の概略を第2図
に示すが基板である7アイパープレー)(Litに出力
螢光体層αQを形成してなる出力面(4)を真空外囲器
(1)の出力側に配置したものである。この提案は、従
来良く知られているファイバープレートを真空外囲器(
1)の一部として用い、直接放射線像増強管の画像信号
を真空外囲器(1)の外へ導き出すものではなく、現在
広く用いられている光学系を必要とする反面、加速電圧
の正の高電圧印加は第1図に示す従来例と同じにできる
利点がある。
しかし、ファイバープレートαυを用いてコントラスト
特性の改善を計ることに関しそは、単にファイバープレ
ー)Qυ上に螢光体層a1を形成しただけではファイバ
ープレートI自体の構造上の問題と出力窓ガラスB2の
影響のためコントラストを大幅に改善するには限界があ
る。
特性の改善を計ることに関しそは、単にファイバープレ
ー)Qυ上に螢光体層a1を形成しただけではファイバ
ープレートI自体の構造上の問題と出力窓ガラスB2の
影響のためコントラストを大幅に改善するには限界があ
る。
出力面(4Jは次のような工程で形成される。ファイバ
ープレートaυを適宜な板厚にスライスし研磨する。こ
のファイバープレート〔υ上に螢光体を遠心法、沈降法
、電着法等の付着法によって5〜lOμmの厚、さに塗
布する。この際螢光体粒子(211が7アイパープレー
トαυから脱離するのを防ぐためガラス質の溶剤を用い
“て両者の付着力を強化している。この螢光体層(1G
上にNCフィルムを形成したのち、Al蒸着を行ないメ
タルバック層を形成して、NCフィルムを熱分解させて
後に出力面(4)は得られる。この工程の中で用いられ
るガラス質の溶剤によって螢光体粒子C!υとファイバ
ープレート圓とは光学的な接触度合が強くなる。
ープレートaυを適宜な板厚にスライスし研磨する。こ
のファイバープレート〔υ上に螢光体を遠心法、沈降法
、電着法等の付着法によって5〜lOμmの厚、さに塗
布する。この際螢光体粒子(211が7アイパープレー
トαυから脱離するのを防ぐためガラス質の溶剤を用い
“て両者の付着力を強化している。この螢光体層(1G
上にNCフィルムを形成したのち、Al蒸着を行ないメ
タルバック層を形成して、NCフィルムを熱分解させて
後に出力面(4)は得られる。この工程の中で用いられ
るガラス質の溶剤によって螢光体粒子C!υとファイバ
ープレート圓とは光学的な接触度合が強くなる。
一方、ファイバープレートαυ内を伝達する光は第3図
に示す如く芯材C11)、被覆材(33,吸収体(至)
からなるファイバープレートaυの機能図によって説明
される。ここで、芯材01)のガラス屈折率n、をIJ
3、被覆材0りのガラス屈折率n2を1.5とする。又
、真空の屈折率n0を1、ファイバープレートへの光の
入射角をθ。とするとθ。は次式で表わされる。
に示す如く芯材C11)、被覆材(33,吸収体(至)
からなるファイバープレートaυの機能図によって説明
される。ここで、芯材01)のガラス屈折率n、をIJ
3、被覆材0りのガラス屈折率n2を1.5とする。又
、真空の屈折率n0を1、ファイバープレートへの光の
入射角をθ。とするとθ。は次式で表わされる。
n、 sinθ、=6y;T
この式より00は90°となる。入射角90°の光は芯
材t3fJの屈折角が33.7° となる。また、芯材
0ηと被覆材曽との境界面での全反射角度θCは55.
9°となる。ところで、θ、が33.7°の光は芯材O
9と被覆材G32の境界面への入射角θCが56.3°
となり臨界角よ)大きいため全反射を繰シ返しながらフ
ァイバープレート(11)の中を伝播し光出射面(ロ)
より取り出される。
材t3fJの屈折角が33.7° となる。また、芯材
0ηと被覆材曽との境界面での全反射角度θCは55.
9°となる。ところで、θ、が33.7°の光は芯材O
9と被覆材G32の境界面への入射角θCが56.3°
となり臨界角よ)大きいため全反射を繰シ返しながらフ
ァイバープレート(11)の中を伝播し光出射面(ロ)
より取り出される。
前述の螢光体粒子Qυとファイバープレー)(11)の
光入射面外側との接触度合が強くなることによって、第
4図で示したように芯材t3υの中心軸上の出力螢光体
層(fαで発光した光のうち33.7°の角度のものが
光出射面(財)では90°の角度で出射することになる
。ファイバープレート(Lυ上に螢光体層(IGを形成
することによって、その光出射面での光出射の角度はθ
〜90°の角度の全方向の光が出射されることになる。
光入射面外側との接触度合が強くなることによって、第
4図で示したように芯材t3υの中心軸上の出力螢光体
層(fαで発光した光のうち33.7°の角度のものが
光出射面(財)では90°の角度で出射することになる
。ファイバープレート(Lυ上に螢光体層(IGを形成
することによって、その光出射面での光出射の角度はθ
〜90°の角度の全方向の光が出射されることになる。
さて、ファイバープレート圓を出射された光は、放射線
像増強管の出力窓ガラスαaに入射する際に良く知られ
ているフレネル反射によって出力窓ガラス内面((転)
から再き出力面(4)IC戻る光が存在する。
像増強管の出力窓ガラスαaに入射する際に良く知られ
ているフレネル反射によって出力窓ガラス内面((転)
から再き出力面(4)IC戻る光が存在する。
これを第4図に示して説明すると、螢光体粒子I211
からの発光はファイバープレートIより出射された光の
一部(a)が出力窓ガラスα2の両表面で反射して螢光
面(4)に戻ってくる。この光は発光した場所とは異な
る位置で散乱光となり、その位置の固有の光と重畳され
るためコントラスト特性の低下原因となる。
からの発光はファイバープレートIより出射された光の
一部(a)が出力窓ガラスα2の両表面で反射して螢光
面(4)に戻ってくる。この光は発光した場所とは異な
る位置で散乱光となり、その位置の固有の光と重畳され
るためコントラスト特性の低下原因となる。
ファイバープレー) fill内の伝達される光の進路
建ついて同ヒ<第4図にて進路(b)で示したように芯
材Cυの1つに入射した光は被覆材(3aとの境界面に
おいて全反射される隣接する他の芯材に入射し、更には
広範囲だ拡散され、螢光体層OI側へあるいは芯材Gυ
、被覆材(3つの光出射面(ロ)から出射される。
建ついて同ヒ<第4図にて進路(b)で示したように芯
材Cυの1つに入射した光は被覆材(3aとの境界面に
おいて全反射される隣接する他の芯材に入射し、更には
広範囲だ拡散され、螢光体層OI側へあるいは芯材Gυ
、被覆材(3つの光出射面(ロ)から出射される。
そして、本来光の通過があってはならない被覆材0つ、
ないし吸収体(至)内をそのまま伝達する光の進路(C
)もある。
ないし吸収体(至)内をそのまま伝達する光の進路(C
)もある。
これらの光が光出射面(ロ)から出射さルることもまた
コントラスト特性を低下させる1つの原因となっている
。
コントラスト特性を低下させる1つの原因となっている
。
以上がファイバープレートaυを用いた螢光面(4)の
光の進路に注目した屈折反射による光の散乱要因による
コントラスト特性が制約される概要である。
光の進路に注目した屈折反射による光の散乱要因による
コントラスト特性が制約される概要である。
さてファイバープレートaυはその製造上に起因する光
学的欠陥があることが知られている。この光学的欠陥は
放射線像増強管においては面欠点となシ、医療診断上の
大きな支障となる。これを防ぐには7アイパープレート
α刀の板厚を2wg以下に薄くスライスして使用すれば
、上記欠陥発生頻度は低減して高品位な良好な画像が得
られることが確認され実用化の目途がついた。ところが
、この薄板ファイバープレーH1l)の場合、コントラ
スト特性が厚板よシは低下する欠点を有している。
学的欠陥があることが知られている。この光学的欠陥は
放射線像増強管においては面欠点となシ、医療診断上の
大きな支障となる。これを防ぐには7アイパープレート
α刀の板厚を2wg以下に薄くスライスして使用すれば
、上記欠陥発生頻度は低減して高品位な良好な画像が得
られることが確認され実用化の目途がついた。ところが
、この薄板ファイバープレーH1l)の場合、コントラ
スト特性が厚板よシは低下する欠点を有している。
この発明は、高コントラスト特性かつ高品位な性能を両
立させて放射線像増強管の螢光スクリーンを提供するた
めに為されたものである。
立させて放射線像増強管の螢光スクリーンを提供するた
めに為されたものである。
[発明の目的〕
この発明の目的は、基板にファイバープレートを用いた
螢光スクリーンの従来のものとは全く異なる構造の螢光
スクリーンの製造方法を提供しそのコントラスト特性及
び画面品位を従来のものに較べ大幅な向上をもたらすも
のである。
螢光スクリーンの従来のものとは全く異なる構造の螢光
スクリーンの製造方法を提供しそのコントラスト特性及
び画面品位を従来のものに較べ大幅な向上をもたらすも
のである。
[発明の概要〕
この発明ij、、yアイバープレートの面上に螢光面を
形成し、この上にメタルバック層を形成した螢光スクリ
ーンにおいて、その螢光スクリーンの光出射面側の少な
くとも光像有効面積より広い範囲のファイバープレート
構成部材の芯材の一部を除去する工程と、この面側に少
なくとも芯材上面部を除^て光吸収層を形成する工程を
具備することを特徴とする螢光スクリーンの製造方法に
ある。
形成し、この上にメタルバック層を形成した螢光スクリ
ーンにおいて、その螢光スクリーンの光出射面側の少な
くとも光像有効面積より広い範囲のファイバープレート
構成部材の芯材の一部を除去する工程と、この面側に少
なくとも芯材上面部を除^て光吸収層を形成する工程を
具備することを特徴とする螢光スクリーンの製造方法に
ある。
この発明による螢光スクリーンは、支持基板に芯材径が
20μm以下のファイバープレートを用い、該−面に粒
状又は板状又は層状の螢光体層を設け、かつメタルバッ
ク層を形成したものであ)、7アイパープレートの板厚
は3顛以下である。
20μm以下のファイバープレートを用い、該−面に粒
状又は板状又は層状の螢光体層を設け、かつメタルバッ
ク層を形成したものであ)、7アイパープレートの板厚
は3顛以下である。
この発明の実施例について以下、第5図および第8図を
参照して説明する。螢光スクリーンは第5図に示すよう
に構成され、従来例と同一箇所は同−符号を付すことに
する。ファイバープレートαυは所要の板厚好ましくは
0.5〜211111の範囲にスライスされ両面光学研
磨されている。その−面が光入射面t3像で、他面が光
出射面(ロ)となる。また断面形状は通常主光伝達部の
芯材01)と被覆材02、吸収体(33)よ)なる構造
である。このファイバープレートuυの光入射面(至)
上に螢光体層(IIを形成する方法は何種類かあるが、
沈降法を用いた場合、容器内にファイバープレートσυ
を置き、螢光体粒子(21)が分散する懸濁液をこの容
器内に流し込み静置する。
参照して説明する。螢光スクリーンは第5図に示すよう
に構成され、従来例と同一箇所は同−符号を付すことに
する。ファイバープレートαυは所要の板厚好ましくは
0.5〜211111の範囲にスライスされ両面光学研
磨されている。その−面が光入射面t3像で、他面が光
出射面(ロ)となる。また断面形状は通常主光伝達部の
芯材01)と被覆材02、吸収体(33)よ)なる構造
である。このファイバープレートuυの光入射面(至)
上に螢光体層(IIを形成する方法は何種類かあるが、
沈降法を用いた場合、容器内にファイバープレートσυ
を置き、螢光体粒子(21)が分散する懸濁液をこの容
器内に流し込み静置する。
螢光体粒子21)の分散量に応じて重力沈降した螢光体
粒子I211の螢光体層膜厚は決定することができ、通
常5〜10μmのものが使用されている。懸濁液中には
ガラス質の溶剤が混入しているため、容器内からファイ
バープレートを引き上げても、螢光体層α1は脱離する
ことはない。この螢光体層a[l上にNCラッカーフィ
ルムの薄膜を緊張させて貼り、螢光体層α1表面を連続
的にする。そして、この上に電子線を透過しやすい軽金
属のメタルバック層(411を真空蒸着によって−50
(1’OA程度設ける。これまでの工程が一般に用いら
れている螢光スクリーンの製造である。
粒子I211の螢光体層膜厚は決定することができ、通
常5〜10μmのものが使用されている。懸濁液中には
ガラス質の溶剤が混入しているため、容器内からファイ
バープレートを引き上げても、螢光体層α1は脱離する
ことはない。この螢光体層a[l上にNCラッカーフィ
ルムの薄膜を緊張させて貼り、螢光体層α1表面を連続
的にする。そして、この上に電子線を透過しやすい軽金
属のメタルバック層(411を真空蒸着によって−50
(1’OA程度設ける。これまでの工程が一般に用いら
れている螢光スクリーンの製造である。
光出射面(財)側のファイバープレート圓の芯材Oυの
一部を除去するには、芯材01)と被覆材03、吸収体
(至)の屈折率の相違を持たせるためにガシス材料成分
の金属イオン成分の違いがあることを利用し、両者の酸
に対するエツチング速度の大小を利用した選択エツチン
グを行なう。この工程によって芯材C31)はエツチン
グされ、四部1zが形成される。酸は一般的なものとし
ては12係硝酸を用いれば被覆材02、吸収体(至)の
形状の侵食もなく、エツチング時間を制御することによ
って任意の凹部の深さを得ることができる。ただし、加
熱エツチングや凹部の形状を例えば球面にしたい時には
他の酸の1つ又は複数を用いて連続的あるいは断続的に
エツチングする方法も可能である。参考例として12チ
硝酸を用い常温でエツチングしてファイバープレートα
υの芯材(311の凹部を形成した形状を、J6図に示
す。この工程では酸を用いるだめ螢光体層uC側の破壊
を防止するため第7図に例示する如く、酸が螢光体)g
J(11側へ廻9こまないようなエツチング用治具を用
いている。ここでは開孔部を有する容器6υ、気密用リ
ング53.締具G■からなシ、エツチング液64)を満
たして芯材Gυの溶解除去を行なう。
一部を除去するには、芯材01)と被覆材03、吸収体
(至)の屈折率の相違を持たせるためにガシス材料成分
の金属イオン成分の違いがあることを利用し、両者の酸
に対するエツチング速度の大小を利用した選択エツチン
グを行なう。この工程によって芯材C31)はエツチン
グされ、四部1zが形成される。酸は一般的なものとし
ては12係硝酸を用いれば被覆材02、吸収体(至)の
形状の侵食もなく、エツチング時間を制御することによ
って任意の凹部の深さを得ることができる。ただし、加
熱エツチングや凹部の形状を例えば球面にしたい時には
他の酸の1つ又は複数を用いて連続的あるいは断続的に
エツチングする方法も可能である。参考例として12チ
硝酸を用い常温でエツチングしてファイバープレートα
υの芯材(311の凹部を形成した形状を、J6図に示
す。この工程では酸を用いるだめ螢光体層uC側の破壊
を防止するため第7図に例示する如く、酸が螢光体)g
J(11側へ廻9こまないようなエツチング用治具を用
いている。ここでは開孔部を有する容器6υ、気密用リ
ング53.締具G■からなシ、エツチング液64)を満
たして芯材Gυの溶解除去を行なう。
容器Gυの開孔部の直径d1がファイツク−フレー)(
Illの四部(42の形成される面積の直径ともなり、
用いたファイバープレートIの直径d2よりも小さく、
出力面(4)の光像有効面積の直径d3よりも犬き込条
件を満たさなくてはならない。すなわちd3≦d1≦d
2の関係が成夛立つ。エツチング深さすなわち凹部(4
りの深さは酸の種頷、温度等の処理条件を同一にした場
合、はぼエツチング時間に比例することが確認されたの
で任意に選ぶことができるが、この発明については凹部
の深さは20μm以下が好ましい。エツチング液cia
がファイバープレートuの光出射面(ロ)上に残留しな
いよう洗浄した後、乾燥させて容器6υから螢光スクリ
ーンを取シ出す。
Illの四部(42の形成される面積の直径ともなり、
用いたファイバープレートIの直径d2よりも小さく、
出力面(4)の光像有効面積の直径d3よりも犬き込条
件を満たさなくてはならない。すなわちd3≦d1≦d
2の関係が成夛立つ。エツチング深さすなわち凹部(4
りの深さは酸の種頷、温度等の処理条件を同一にした場
合、はぼエツチング時間に比例することが確認されたの
で任意に選ぶことができるが、この発明については凹部
の深さは20μm以下が好ましい。エツチング液cia
がファイバープレートuの光出射面(ロ)上に残留しな
いよう洗浄した後、乾燥させて容器6υから螢光スクリ
ーンを取シ出す。
以上がファイバーブノート(lI)の芯材01)の一部
を除去して凹部(4りを形成する基本的な工程である。
を除去して凹部(4りを形成する基本的な工程である。
これには、螢光体層uqの形成工程中に発生しやすい螢
光体層αQの面欠点のないもののみを用いて凹部(社)
の形成ができる経済的な利点がある。
光体層αQの面欠点のないもののみを用いて凹部(社)
の形成ができる経済的な利点がある。
次の工程は第5図に示されている光吸収1囮を凹部(a
の芯材上面部(4肴を除いた壁面(49と被覆材Oa及
び吸収体0階の面上(41)に形成するものである。光
吸収層(ハ)の材料としては材料自身が黒いカーボンが
すぐあげられるが、カーボン膜の付着力の弱さ。
の芯材上面部(4肴を除いた壁面(49と被覆材Oa及
び吸収体0階の面上(41)に形成するものである。光
吸収層(ハ)の材料としては材料自身が黒いカーボンが
すぐあげられるが、カーボン膜の付着力の弱さ。
放射像増強管内での悪影響を考慮するとより好適な材料
として金属材料の薄膜形成によってこの光吸収Nu3を
形成する。
として金属材料の薄膜形成によってこの光吸収Nu3を
形成する。
まず、凹部(6)を有する螢光スクリーンを真空蒸着装
置−内に配置し、蒸発源I擾にはアルミニウムペレット
−を装着する。この時の両者の位置関係は第8図に示す
ように蒸発源6zに対して螢光スクリーンはO〜90″
の範囲(0くα<90)に傾斜(α0)させる。傾斜角
度(α)は凹部■の深さと径によって決められるもので
あり、凹部壁面(49のほとんど全周に光吸収層(43
を形成するにはこの傾斜角度のまま螢光スクリーンを回
転(自転)させることによって得られる。真空蒸着は立
体角をもってアルミニウムが蒸着するので、同図(+)
)の螢光スクリーンの如く、自転及び公転させて光吸収
層(43を形成すれば、多数の螢光スクリーンを効率よ
く形成することができる。もちろん、自転又は公転させ
ないで、光吸収暦日を形成することも可能である。全く
回転しない場合には7アイパープレートaυの凹部(6
)の壁面(4四には部分的な光吸収層(ハ)が形成され
ることになるがこの場合でもコントラスト特性を向上さ
せる効果はあることは明らかである。このような蒸着法
による光吸収層(43の形成には凹部(ハ)だけでなく
被覆材G2及び吸収体(至)の面上(イ)も蒸発源に対
向しているので、ここにも充分な濃度の光吸収層(43
が形成されることは言うまでもない。蒸着材料としては
アルミニウムの他Ni、Cr等でも劣らぬ特性をもつ黒
褐色な込し茶褐色の光吸収層(6)謙の形成が可能であ
る。
置−内に配置し、蒸発源I擾にはアルミニウムペレット
−を装着する。この時の両者の位置関係は第8図に示す
ように蒸発源6zに対して螢光スクリーンはO〜90″
の範囲(0くα<90)に傾斜(α0)させる。傾斜角
度(α)は凹部■の深さと径によって決められるもので
あり、凹部壁面(49のほとんど全周に光吸収層(43
を形成するにはこの傾斜角度のまま螢光スクリーンを回
転(自転)させることによって得られる。真空蒸着は立
体角をもってアルミニウムが蒸着するので、同図(+)
)の螢光スクリーンの如く、自転及び公転させて光吸収
層(43を形成すれば、多数の螢光スクリーンを効率よ
く形成することができる。もちろん、自転又は公転させ
ないで、光吸収暦日を形成することも可能である。全く
回転しない場合には7アイパープレートaυの凹部(6
)の壁面(4四には部分的な光吸収層(ハ)が形成され
ることになるがこの場合でもコントラスト特性を向上さ
せる効果はあることは明らかである。このような蒸着法
による光吸収層(43の形成には凹部(ハ)だけでなく
被覆材G2及び吸収体(至)の面上(イ)も蒸発源に対
向しているので、ここにも充分な濃度の光吸収層(43
が形成されることは言うまでもない。蒸着材料としては
アルミニウムの他Ni、Cr等でも劣らぬ特性をもつ黒
褐色な込し茶褐色の光吸収層(6)謙の形成が可能であ
る。
なお、この工程においては、螢光体層LIDm側に光こ
とか好まし匹。
とか好まし匹。
この蒸着工程は次のような条件のもとに行・使われる。
まず前述の配置にして装置−内部をI X I F’T
’orr以下の圧力に真空排気する。光吸収層(43と
なる薄膜の厚さはモニター(図示せず)によりll1l
t定し該被着面において100〜zooouの範囲に蒸
着するが、螢光スクリーンの輝度と四部(43形状を考
慮して100〜500X が好適なものになることが実
験によシ明らかとなった。光吸収層(43の付着強度は
ほぼ室温蒸着でも充分であるが、更に向上させるには螢
光スクリーン(被着面)を100〜300℃に加熱する
ことが有効である。
’orr以下の圧力に真空排気する。光吸収層(43と
なる薄膜の厚さはモニター(図示せず)によりll1l
t定し該被着面において100〜zooouの範囲に蒸
着するが、螢光スクリーンの輝度と四部(43形状を考
慮して100〜500X が好適なものになることが実
験によシ明らかとなった。光吸収層(43の付着強度は
ほぼ室温蒸着でも充分であるが、更に向上させるには螢
光スクリーン(被着面)を100〜300℃に加熱する
ことが有効である。
光吸収層G13の形成は、これら真空蒸着のAくつかの
条件を適宜に組み合わせることによって螢光スクリーン
のコントラストや輝度を選択できる。
条件を適宜に組み合わせることによって螢光スクリーン
のコントラストや輝度を選択できる。
このような真空蒸着法による光吸収層C謙の形成は清浄
な環境下で微細な面に汚れやゴミ付着を防ぎ、均一形成
も可能なかつ大量に効率良く生産できる幾多の利点を有
して込る。また、この螢光スクリーンが放射線像増強管
内に配設された時には光吸収層f43の脱落がないので
管内ゴミとはならず、他の材料よシ有利である。
な環境下で微細な面に汚れやゴミ付着を防ぎ、均一形成
も可能なかつ大量に効率良く生産できる幾多の利点を有
して込る。また、この螢光スクリーンが放射線像増強管
内に配設された時には光吸収層f43の脱落がないので
管内ゴミとはならず、他の材料よシ有利である。
さて、ファイバープレートαυの螢光体層(IQの反対
面にある芯材C311の一部を除去して凹部(6)を形
成し、この芯材上面部(旬を少なくとも除いた壁面(ハ
)と被覆材0り及び吸収体(ハ)の面上−に光吸収層0
3を形成した螢光スクリーンは次のような効果を有する
。第5図に示される如く、螢光体粒子からの光がファイ
バープレート(tD内を伝達し光出射面(財)から出射
される時に光の出射位置は芯材上面部141のみにほと
んど制限され(進路a)、ファイバープレートαυの機
能を損ね(進路b)又は機能に関与しない光(進路C)
は光吸収層(41によってとどまp、外部に出射されず
、内部に反射されない。このため、ファイバープレート
(11)内の光は1つの芯材0乃に注目するとそれが単
独の画素となシ、画素成分はファイバープレートα乃内
部の光の散乱による重畳の影響の極めて少ないコントラ
スト特性の浸れたものとなる。
面にある芯材C311の一部を除去して凹部(6)を形
成し、この芯材上面部(旬を少なくとも除いた壁面(ハ
)と被覆材0り及び吸収体(ハ)の面上−に光吸収層0
3を形成した螢光スクリーンは次のような効果を有する
。第5図に示される如く、螢光体粒子からの光がファイ
バープレート(tD内を伝達し光出射面(財)から出射
される時に光の出射位置は芯材上面部141のみにほと
んど制限され(進路a)、ファイバープレートαυの機
能を損ね(進路b)又は機能に関与しない光(進路C)
は光吸収層(41によってとどまp、外部に出射されず
、内部に反射されない。このため、ファイバープレート
(11)内の光は1つの芯材0乃に注目するとそれが単
独の画素となシ、画素成分はファイバープレートα乃内
部の光の散乱による重畳の影響の極めて少ないコントラ
スト特性の浸れたものとなる。
また、凹部(ハ)の形成によって、主たる光伝達部であ
る芯材Oυを全反射によって伝達してきた光線芯材上面
部(財)から出射されるため光出射面としての光の発光
角度分布は通常の平担なファイバープレートの場合に比
較して狭くなり、その光出射面から出力窓ガラスに伝播
する際にも従って狭くその時の入射角度が小さくなるの
でフレネル反射を起こす割合は極端に低下する。この7
レネル反射による光の戻)がコントラスト特性低下の1
つの原因であるので、凹部(6)形成による発光角度分
布の挟まりは非常に有効にコントラスト特性の向上に寄
与することがわかる。
る芯材Oυを全反射によって伝達してきた光線芯材上面
部(財)から出射されるため光出射面としての光の発光
角度分布は通常の平担なファイバープレートの場合に比
較して狭くなり、その光出射面から出力窓ガラスに伝播
する際にも従って狭くその時の入射角度が小さくなるの
でフレネル反射を起こす割合は極端に低下する。この7
レネル反射による光の戻)がコントラスト特性低下の1
つの原因であるので、凹部(6)形成による発光角度分
布の挟まりは非常に有効にコントラスト特性の向上に寄
与することがわかる。
更には、光吸収層(ハ)の形成によって出力窓ガラスの
境界面で発生するフレネル反射による戻り光は、7アイ
パープレートσυ内に向かうが光吸収層0罎の形成部に
入射した場合、これによって吸収され再び7アイパーブ
レー)ul)内に入射し、光の散乱を起こすことを防止
する効果もある。
境界面で発生するフレネル反射による戻り光は、7アイ
パープレートσυ内に向かうが光吸収層0罎の形成部に
入射した場合、これによって吸収され再び7アイパーブ
レー)ul)内に入射し、光の散乱を起こすことを防止
する効果もある。
凹部(ハ)の形成や光吸収1四の形成によって従来の難
点であつ苑7アイパープV−)αυの薄板化によるコン
ト2スト低Fを解決することができるので、21m以下
の薄板ファイバープレートが実用化できかつ高品位画像
を提供することも同時にできる。
点であつ苑7アイパープV−)αυの薄板化によるコン
ト2スト低Fを解決することができるので、21m以下
の薄板ファイバープレートが実用化できかつ高品位画像
を提供することも同時にできる。
このため、医療診断上特に要求される高精細度画像によ
〕被写体はけつきシと見極めができ、高品位画像は診断
途中の妨害要因とならない螢光スクリーン及び放射線像
増強管を提供することができる。
〕被写体はけつきシと見極めができ、高品位画像は診断
途中の妨害要因とならない螢光スクリーン及び放射線像
増強管を提供することができる。
次にこの発明の他の実施例について第7図な贋し第1O
図を参照して説明する。第7図に示された如く、螢光ス
クリーンのファイバープレートaυの四部(椙の形成に
当っては、螢光体層α1をファイバープレートaυ上形
成する前にあらかじめ光出射面(財)となる面上の芯材
c11)の一部を酸で溶解除去して凹部(ハ)を形成で
きる。この工程のあと、その光入射面G[有]上に前述
の如き方法で螢光体層α1及びメタルバック層(49を
形成すれば同様な構成の螢光スクリーンを得ることがで
きる。この方法の特徴は酸による螢光体層α1の腐食を
防止できることにあるが、螢光スクリーン形成工程全般
にわたって凹部(ハ)の微細部分の汚れやゴミを特に注
意しなくてはならない。
図を参照して説明する。第7図に示された如く、螢光ス
クリーンのファイバープレートaυの四部(椙の形成に
当っては、螢光体層α1をファイバープレートaυ上形
成する前にあらかじめ光出射面(財)となる面上の芯材
c11)の一部を酸で溶解除去して凹部(ハ)を形成で
きる。この工程のあと、その光入射面G[有]上に前述
の如き方法で螢光体層α1及びメタルバック層(49を
形成すれば同様な構成の螢光スクリーンを得ることがで
きる。この方法の特徴は酸による螢光体層α1の腐食を
防止できることにあるが、螢光スクリーン形成工程全般
にわたって凹部(ハ)の微細部分の汚れやゴミを特に注
意しなくてはならない。
ファイバープレートαυの片面すなわち光出射面(財)
側に凹部を形成し、光入射面(至)側すなわち螢光体層
α1側に凹部を形成しないことは、螢光体層([1形成
がファイバープレー)+lυの平担面に為されるため従
来の技術を転用でき、螢光体層α1形成が一般に溶液中
で行なわれることから四部への液の残留や均一な膜厚の
螢光体層形成にはこの平担面であることが多りに工程能
率の向上をもたらしている。
側に凹部を形成し、光入射面(至)側すなわち螢光体層
α1側に凹部を形成しないことは、螢光体層([1形成
がファイバープレー)+lυの平担面に為されるため従
来の技術を転用でき、螢光体層α1形成が一般に溶液中
で行なわれることから四部への液の残留や均一な膜厚の
螢光体層形成にはこの平担面であることが多りに工程能
率の向上をもたらしている。
第7図ではエツチング用治具の開孔部にエツチング液6
4)を満たしたが、逆にエツチング液6aを満たした容
器の中に7アイパープレー)(Iυ又は螢光体層(1G
の形成された螢光スクリーンを浸して、前述の如き凹部
0ツ形成を行なうことができる。エツチング時間の短縮
には液の攪拌や加温を行なうことはいうまでもなく有効
である。
4)を満たしたが、逆にエツチング液6aを満たした容
器の中に7アイパープレー)(Iυ又は螢光体層(1G
の形成された螢光スクリーンを浸して、前述の如き凹部
0ツ形成を行なうことができる。エツチング時間の短縮
には液の攪拌や加温を行なうことはいうまでもなく有効
である。
凹部囮は螢光スクリーンの有効出力像径よシ広い範囲に
形成ぢれるが、凹部(6)の深さに応じてそれぞれの芯
材01)部よシ出射される光量は変化するので放射線像
増強管の種類によってはこれを利用し螢光スクリーンの
中心と周辺部の凹部0の深さを変化させて出力光像の輝
度一様性を向上させるのに役立てることができる。
形成ぢれるが、凹部(6)の深さに応じてそれぞれの芯
材01)部よシ出射される光量は変化するので放射線像
増強管の種類によってはこれを利用し螢光スクリーンの
中心と周辺部の凹部0の深さを変化させて出力光像の輝
度一様性を向上させるのに役立てることができる。
光吸収層i43は被形成面において均一濃度の形成が好
ましいがファイバープレートαυの芯材0υの径は普通
5〜20μmであ)、凹部(ハ)の深さが15μm以上
の場合、傾斜蒸着の制約から第9図に示される如く四部
(4りの壁面(機の全て知は光吸収層G3が被着形成さ
れないことがある。また、全ての凹部(42の壁面(4
最上の光吸収層(43の被着面積は均一にはならなhこ
とも発生しがちではある。このような場合、傾斜角度、
回転速度を調整し、蒸発源の数を複数にして極力これら
の問題が起こらぬように工程改善を行なう。第9図のよ
うに光吸収層03を形成した場合には第6図と同様な作
用を有していることは光の進路かられかシコントラスト
特性向上に対する効果もほぼ同程度であることが確認さ
れた。
ましいがファイバープレートαυの芯材0υの径は普通
5〜20μmであ)、凹部(ハ)の深さが15μm以上
の場合、傾斜蒸着の制約から第9図に示される如く四部
(4りの壁面(機の全て知は光吸収層G3が被着形成さ
れないことがある。また、全ての凹部(42の壁面(4
最上の光吸収層(43の被着面積は均一にはならなhこ
とも発生しがちではある。このような場合、傾斜角度、
回転速度を調整し、蒸発源の数を複数にして極力これら
の問題が起こらぬように工程改善を行なう。第9図のよ
うに光吸収層03を形成した場合には第6図と同様な作
用を有していることは光の進路かられかシコントラスト
特性向上に対する効果もほぼ同程度であることが確認さ
れた。
最も簡略な方法として、一方向からの蒸着による光吸収
層(4りの形成が可能であるので第1θ図に示すように
凹部(42の壁面を部分的て、及び被覆材0邊、吸収体
(2)の上面部(40に光吸収層(43を設けられるこ
とがわかる。この方法を断続的に又は連続的に行なえば
前記第5図又は第9図の如き光吸収1的となる。
層(4りの形成が可能であるので第1θ図に示すように
凹部(42の壁面を部分的て、及び被覆材0邊、吸収体
(2)の上面部(40に光吸収層(43を設けられるこ
とがわかる。この方法を断続的に又は連続的に行なえば
前記第5図又は第9図の如き光吸収1的となる。
被覆材ea、吸収体(ハ)の上面部(46)上に真空蒸
着による光吸収層(ハ)を形成する方法としては、前記
第8図において蒸発源@渇に対向する螢光スクリーン又
はファイバープレートIを90°の位置に配置する。こ
の時凹部(421の芯材上面部(441を被覆する低温
分解可能な樹脂を薄く埋設しておく。次いで前述の如く
金属を蒸着すれば上面部(II)−ヒには充分な濃度を
有する光吸収層(4りを形成する・ことができる。
着による光吸収層(ハ)を形成する方法としては、前記
第8図において蒸発源@渇に対向する螢光スクリーン又
はファイバープレートIを90°の位置に配置する。こ
の時凹部(421の芯材上面部(441を被覆する低温
分解可能な樹脂を薄く埋設しておく。次いで前述の如く
金属を蒸着すれば上面部(II)−ヒには充分な濃度を
有する光吸収層(4りを形成する・ことができる。
そして該螢光スクリーン又は7アイパープレートを熱処
理炉できれば酸化の促進されない真空熱処理炉にて加熱
することによって四部■に埋設された樹脂を完全に除去
できる。
理炉できれば酸化の促進されない真空熱処理炉にて加熱
することによって四部■に埋設された樹脂を完全に除去
できる。
なお、壁面(4!19には蒸発源−と螢光スクリーン又
はファイバープレートO各凹部(社)との角度が太きい
稲光吸収層(ハ)が形成されるので蒸発源のりが1個の
時、蒸発源−に対してほぼ平行移動(ある程度の傾斜角
度で)しながら真空蒸着すれば上面部■及び壁面(イ9
に同時に光吸収暦日が形成され、複雑な自転、公転用の
機構を真空槽旬に設ける必要がなか利点をこの方法は有
している。この逆に蒸発源畢を多用すれば同様なものと
なる。ここでは光吸収層(43の形成を凹部(@を有す
るファイバープレー)Qυ上に行なって匹るか真空蒸着
による金属薄膜の付着強度が大きく、螢光体層α@影形
成工程中剥離しなしため、光吸収層(43形成後に螢光
体/i#aIll及びメタルバック層(4υを形成して
所望の螢光スクリ′−7を得ることができる。
はファイバープレートO各凹部(社)との角度が太きい
稲光吸収層(ハ)が形成されるので蒸発源のりが1個の
時、蒸発源−に対してほぼ平行移動(ある程度の傾斜角
度で)しながら真空蒸着すれば上面部■及び壁面(イ9
に同時に光吸収暦日が形成され、複雑な自転、公転用の
機構を真空槽旬に設ける必要がなか利点をこの方法は有
している。この逆に蒸発源畢を多用すれば同様なものと
なる。ここでは光吸収層(43の形成を凹部(@を有す
るファイバープレー)Qυ上に行なって匹るか真空蒸着
による金属薄膜の付着強度が大きく、螢光体層α@影形
成工程中剥離しなしため、光吸収層(43形成後に螢光
体/i#aIll及びメタルバック層(4υを形成して
所望の螢光スクリ′−7を得ることができる。
以上の工程により得られたこの発明の螢光スクリーンの
具体的なコントラスト特性の改善を10%コントラスト
」り定法によって行なった。試料としては、螢光スクリ
ーンとこれを具備した放射線像増強管の2種項である。
具体的なコントラスト特性の改善を10%コントラスト
」り定法によって行なった。試料としては、螢光スクリ
ーンとこれを具備した放射線像増強管の2種項である。
コントラストの定義としては発光面積の10%に相当す
るシールド板をこれら試料の中心に配置し、発光面積の
中心線上をスポットメーターで走査した。この時得られ
る最高輝度をa%シールド板のほぼ中央の最低輝度をb
として、コントラストを(a−b)/ax100f係)
で表示した。従って、得られた値が大きい程コントラス
トは良好である。
るシールド板をこれら試料の中心に配置し、発光面積の
中心線上をスポットメーターで走査した。この時得られ
る最高輝度をa%シールド板のほぼ中央の最低輝度をb
として、コントラストを(a−b)/ax100f係)
で表示した。従って、得られた値が大きい程コントラス
トは良好である。
まず螢光スクリーンの測定結果を下表に示す。
ここで97優から98チへlチのコントラストの改善は
、放射線像増強管の10%コントラスト表示に置きかえ
ると33.1=1から50:1へと著しい。四部形成や
光吸収層形成によってコントラストは大幅に向上するこ
とがわかった。この表から四部の形成はノアイパープレ
〜トの板厚にかかわらずほぼ同程度に優れたコントラス
ト特性であるので、ファイバープレートによる面欠点を
なくす薄板ファイバープレートを用いた高品位螢光スク
リーンを実用化することが出来た。螢光スクリーンにお
けるコントラスト特性の向上によって、放射線像増強管
においても同じくコントラスト特性が優れたものとなる
。
、放射線像増強管の10%コントラスト表示に置きかえ
ると33.1=1から50:1へと著しい。四部形成や
光吸収層形成によってコントラストは大幅に向上するこ
とがわかった。この表から四部の形成はノアイパープレ
〜トの板厚にかかわらずほぼ同程度に優れたコントラス
ト特性であるので、ファイバープレートによる面欠点を
なくす薄板ファイバープレートを用いた高品位螢光スク
リーンを実用化することが出来た。螢光スクリーンにお
けるコントラスト特性の向上によって、放射線像増強管
においても同じくコントラスト特性が優れたものとなる
。
第11図に示すごとく、凹部(43の形成は前述の゛製
法を用いることによシフアイバープレートUの螢光体J
@α〔側にももちろん形成できる。更には、該面側の凹
部03底部を除き光吸収層13の形成をすることもでき
る。このような構造の螢光スクリーンも前記同様コント
ラスト特性の改善に役立つ。
法を用いることによシフアイバープレートUの螢光体J
@α〔側にももちろん形成できる。更には、該面側の凹
部03底部を除き光吸収層13の形成をすることもでき
る。このような構造の螢光スクリーンも前記同様コント
ラスト特性の改善に役立つ。
以上のように本発明によればファイバープレート内部の
光の散乱による重畳の影響を糎わめて少なくしコント2
ストを著しく向上せしめる効果を有する。
光の散乱による重畳の影響を糎わめて少なくしコント2
ストを著しく向上せしめる効果を有する。
第1図は本発明に適用される一例の放射線像増強管を示
す概略断面図、第2図は第1図の出力部を拡大して示す
断面図、第3図は従来のファイバープレートの光伝達を
示す説明図、第4図は従来のイメージ管出力部の7レネ
ル反射を示す説明図、第5図はこの発明の一実施例を示
す概略断面図、第6図はこの発明の一実施例に適用され
るファイバープレートの芯材凹部を形成した形状を示す
斜視図、第7図は第6図のファイバープレートの芯材凹
部を形成する治具を示す概略図、第8図はこの発明の一
実施例の螢光スクリーン形成に用いられる真空清白を示
す概略図、第9図ないし第11図はこの発明の他の実施
例を示す概略断面図である。 ■ ・真空外囲器 2・・入力面 3 陽極 4・出力面 5・・集束電極 6・・Aノ基板 7・・・入力螢光体ノー 8 光電面 9 出力基板 10・出力螢光体層 11・・ファイバープレート12・出力窓ガラス21・
螢光体粒子 31 芯材 32・・被覆材 33・・吸収体 34 光出射面 35・・光入射面 36・・出力窓ガラス内面 41 メタルバック層42
凹部 43・光吸収層 44・芯材上面部 45・・壁面 46・面上 51・・容器 52・リング 53・締具 54 エツチング液 61・・真空槽 62・蒸発源 63 ペレット 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第 1
図 第2図 jI3図 3.5−( \C 第 6 図 第 7 図 第 8 図 θ′ 第 9 図 第1O図 第11図
す概略断面図、第2図は第1図の出力部を拡大して示す
断面図、第3図は従来のファイバープレートの光伝達を
示す説明図、第4図は従来のイメージ管出力部の7レネ
ル反射を示す説明図、第5図はこの発明の一実施例を示
す概略断面図、第6図はこの発明の一実施例に適用され
るファイバープレートの芯材凹部を形成した形状を示す
斜視図、第7図は第6図のファイバープレートの芯材凹
部を形成する治具を示す概略図、第8図はこの発明の一
実施例の螢光スクリーン形成に用いられる真空清白を示
す概略図、第9図ないし第11図はこの発明の他の実施
例を示す概略断面図である。 ■ ・真空外囲器 2・・入力面 3 陽極 4・出力面 5・・集束電極 6・・Aノ基板 7・・・入力螢光体ノー 8 光電面 9 出力基板 10・出力螢光体層 11・・ファイバープレート12・出力窓ガラス21・
螢光体粒子 31 芯材 32・・被覆材 33・・吸収体 34 光出射面 35・・光入射面 36・・出力窓ガラス内面 41 メタルバック層42
凹部 43・光吸収層 44・芯材上面部 45・・壁面 46・面上 51・・容器 52・リング 53・締具 54 エツチング液 61・・真空槽 62・蒸発源 63 ペレット 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第 1
図 第2図 jI3図 3.5−( \C 第 6 図 第 7 図 第 8 図 θ′ 第 9 図 第1O図 第11図
Claims (7)
- (1)7アイパープレートの面上に螢光面を形成し、こ
の上にメタルバック層を形成した螢光スクリーンにおい
て、その螢光スクリーンの光出射面側の少なくとも光像
有効面積よ)広い範囲のファイバープレート構成部材の
芯材の一部を除去する工程と、この面側に少なくとも芯
材上面部を除いて光吸収層を形成する工程を具備するこ
とを特徴とする螢光スクリーンの製造方法。 - (2) ファイバープレートの光入射面上に螢光体層及
びメタルバック層を形成し、この反対面上の光像有効面
積を含みかつファイバープレート面以内に位置するファ
イバープレートの芯材を芯材溶解液によって除去するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の螢光スクリ
ーンの製造方法。 - (3)芯材溶解液は約12チの硝酸を代表とする1種又
は混合式れた酸類を使用することを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第2項記載の螢光スクリーンの製造
方法。 - (4)光吸収層はA7.Ni、Cr等の金属材料の1つ
又は複数を用い、真空蒸着法によシ形成することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の螢光スクリーンの製
造方法。 - (5)光出射面側の芯材部が凹みを有するファイバープ
レートの螢光スクリーンを真空蒸着装置内に配置して、
蒸発源に対する螢光スクリーンの傾きは、蒸発源を中心
とした放射線上の位置から垂直な面となる角度を含まな
い範囲にて傾斜蒸着をし、少なくとも芯材の凹部上面部
を除いて光吸収層を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第4項記載の螢光スクリーンの製造
方法。 - (6) 光吸収層が螢光スクリーンの螢光体層側の面上
に被着しないようシールド部材を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第5項記載の螢光スクリーンの製造方
法。 - (7)光吸収層の形成の際に、螢光スクリーンは蒸発源
に対して傾斜配置し、螢光スクリーンを自転又は公転も
しくは両方の回転をさせながら光吸収層を形成すること
を特徴とする特許請求の範囲第5項記載の螢光スクリー
ンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58136778A JPS6030039A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 螢光スクリ−ンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58136778A JPS6030039A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 螢光スクリ−ンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030039A true JPS6030039A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0531256B2 JPH0531256B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=15183293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58136778A Granted JPS6030039A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 螢光スクリ−ンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030039A (ja) |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58136778A patent/JPS6030039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0531256B2 (ja) | 1993-05-12 |
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