JPS5916700B2 - X線螢光増倍管 - Google Patents
X線螢光増倍管Info
- Publication number
- JPS5916700B2 JPS5916700B2 JP9973476A JP9973476A JPS5916700B2 JP S5916700 B2 JPS5916700 B2 JP S5916700B2 JP 9973476 A JP9973476 A JP 9973476A JP 9973476 A JP9973476 A JP 9973476A JP S5916700 B2 JPS5916700 B2 JP S5916700B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocathode
- cesium
- antimony
- phosphor layer
- multiplier tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はX@螢光増倍管の改良に関する。
イメージ管のうち、X線蛍光増倍管は、医療用を主に工
業用非破壊検査などX@工業テレビを併用して広範囲に
応用されている。
業用非破壊検査などX@工業テレビを併用して広範囲に
応用されている。
この種のX線螢光増倍管は、第1図に示すように構成さ
れ、真空容器である主としてガラスよりなる外囲器1の
入力側内部に入力螢光面2及び光電陰極3が近接して配
設されている。
れ、真空容器である主としてガラスよりなる外囲器1の
入力側内部に入力螢光面2及び光電陰極3が近接して配
設されている。
一方、外囲器1の出力側内部には陽傘4が配設されると
共に出力螢光面5が形成され、更に外囲器1の内部の側
面壁に沿って集束電極6が形成されている。
共に出力螢光面5が形成され、更に外囲器1の内部の側
面壁に沿って集束電極6が形成されている。
そして入射X線1を入力螢光面2で一旦光に変換したの
ち、その光によシ光電陰極3から光電子8を放出させ、
この光電子8を陽極4、集束電極6により加速集束して
出力螢光面5に衝突させ、螢光体を励起、発光させて輝
度増強された光学像9を観察している。
ち、その光によシ光電陰極3から光電子8を放出させ、
この光電子8を陽極4、集束電極6により加速集束して
出力螢光面5に衝突させ、螢光体を励起、発光させて輝
度増強された光学像9を観察している。
ところで上記のようなX線螢光増倍管において入力面は
従来第2図に示すように構成されていいる。
従来第2図に示すように構成されていいる。
すなわち主としてアルミニウムからなる一定の曲率を有
する基板10の凹面側に沃化セシウムを母体として、こ
れに付活剤としてナトリウム、タリウム等を加えた螢光
体層11が真空蒸着法などにより形成され、この螢光体
層11上にはアンチモノとセシウムからなる光電面12
がこれも真空蒸着法などにより形成されている。
する基板10の凹面側に沃化セシウムを母体として、こ
れに付活剤としてナトリウム、タリウム等を加えた螢光
体層11が真空蒸着法などにより形成され、この螢光体
層11上にはアンチモノとセシウムからなる光電面12
がこれも真空蒸着法などにより形成されている。
しかし沃化セシウムからなる螢光体層11は光電面を形
成する基体としてはセシウムに対して十分安定でないた
め、前記螢光体層11に形成されたアンチモンとセシウ
ムからなる光電面12は光電感度が最高でも10マイク
ロアンペア/ルーメン程度しか得られない。
成する基体としてはセシウムに対して十分安定でないた
め、前記螢光体層11に形成されたアンチモンとセシウ
ムからなる光電面12は光電感度が最高でも10マイク
ロアンペア/ルーメン程度しか得られない。
また。通常の使用状態において、基体が不安定ゆえに光
電感度が徐々に低下してゆく現象が見られる。
電感度が徐々に低下してゆく現象が見られる。
その結果、螢光体層11で発光した光が十分に光電子8
(第1図参照)に変換されないので輝度が低り、シかも
使用時間の増加と共にさらに輝度が低下してゆくという
欠点を有する。
(第1図参照)に変換されないので輝度が低り、シかも
使用時間の増加と共にさらに輝度が低下してゆくという
欠点を有する。
もう1つの欠点としてアンチモンとセシウムからなる光
電面は多量のセシウムを管内に導入してアンチモンと反
応させないと形成されないことに起因するものがある。
電面は多量のセシウムを管内に導入してアンチモンと反
応させないと形成されないことに起因するものがある。
即ち、出力面に使用されている螢光体5(第1図参照)
が光電面形成時に導入された高濃度のセシウム蒸気の一
部におかされて輝度の低下を招くことと、更に進行する
と出力面の螢光体粒子が黒変して出力画面品位を全く不
良にすることである。
が光電面形成時に導入された高濃度のセシウム蒸気の一
部におかされて輝度の低下を招くことと、更に進行する
と出力面の螢光体粒子が黒変して出力画面品位を全く不
良にすることである。
この発明は上記欠点を改良するためなされたものであり
、光電極度を向上して輝度を明るくし、さらに寿命特性
を向上させると共に、光電面形成時に出力画面品位を劣
化させないのできれいな画質のX線螢光増倍管を提供す
ることを目的とする。
、光電極度を向上して輝度を明るくし、さらに寿命特性
を向上させると共に、光電面形成時に出力画面品位を劣
化させないのできれいな画質のX線螢光増倍管を提供す
ることを目的とする。
以下第3図を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
る。
すなわち、本発明によるX線螢光増倍管の入力面は螢光
体層11と光電面14との間に低抵抗の中間層13が弁
配置され、光電面14は従来のアンチモンとセシウムに
代ってアンチモンとカリウムとセシウムとからなるもの
が用いられる。
体層11と光電面14との間に低抵抗の中間層13が弁
配置され、光電面14は従来のアンチモンとセシウムに
代ってアンチモンとカリウムとセシウムとからなるもの
が用いられる。
低抵抗の中間層13は螢光体層11と光電面14との間
の主としてセシウムの授受に起因する化学反応を防止し
かつ光電面の面方向の導電率を上げる作用をするもので
ある。
の主としてセシウムの授受に起因する化学反応を防止し
かつ光電面の面方向の導電率を上げる作用をするもので
ある。
即ち、アルミニウム等からなる一定の曲率を有する基板
10の凹面上に沃化セシウムを母体としてこれに付活剤
としてナトリウムまたはタリウム等を加えた螢光体層1
1が形成され、この螢光体層11上A ttAu等の金
属からなり、螢光体層11からの発光に対しほぼ透明と
なるように制御された状態で形成された金属薄層から成
る中間層13が被着されさらにこの中間層13上にアン
チモンとカリウムとセシウムからなる光電面14が形成
されている。
10の凹面上に沃化セシウムを母体としてこれに付活剤
としてナトリウムまたはタリウム等を加えた螢光体層1
1が形成され、この螢光体層11上A ttAu等の金
属からなり、螢光体層11からの発光に対しほぼ透明と
なるように制御された状態で形成された金属薄層から成
る中間層13が被着されさらにこの中間層13上にアン
チモンとカリウムとセシウムからなる光電面14が形成
されている。
なお、入力面以外は第1図と同様構成ゆえ詳細な説明を
省略する。
省略する。
このような入力螢光面の製造方法について以下に説明す
る。
る。
第1つの方法は一定の曲率を有する清浄なアルミニウム
基板10にナトリウムを付活剤として加えた沃化セシウ
ム11を真空蒸着により100〜150ミクロンの厚さ
まで堆積する。
基板10にナトリウムを付活剤として加えた沃化セシウ
ム11を真空蒸着により100〜150ミクロンの厚さ
まで堆積する。
その後で200〜400℃の温度で活性化処理を行う。
この時点で螢光体層110表面は基板10から垂直に成
長し、直径が約20ミクロンの結晶同志が作る粒界のた
め、きわめて凹凸に富む形状を呈している。
長し、直径が約20ミクロンの結晶同志が作る粒界のた
め、きわめて凹凸に富む形状を呈している。
この上に真空中でアルミニウムを透過率で制御しながら
50〜60%に下がるまで蒸着して膜厚数1000A0
の中間層13を形成する。
50〜60%に下がるまで蒸着して膜厚数1000A0
の中間層13を形成する。
中間層の抵抗値はテスターの針が感じる、つまりMΩ以
下である。
下である。
この入力面を管内にとりつけてから、排気台にとりつけ
所定のベーキングを終了する。
所定のベーキングを終了する。
次にアンチモンを光の透過率で制御しながら最初の80
%に低下するまで蒸着する。
%に低下するまで蒸着する。
その後カリウムとアンチモンを光電感度が最高になるま
で交互に加えて反応させる。
で交互に加えて反応させる。
次いでセシウムとアンチモンを交互に加えて反応させる
と光電感度はさらに向上し、最高感度に至るまで行って
アンチモンとカリウムとセシウム光電面14の反応を完
了する。
と光電感度はさらに向上し、最高感度に至るまで行って
アンチモンとカリウムとセシウム光電面14の反応を完
了する。
上記方法で形成したX線螢光増倍管の輝度は従来のもの
にくらべて40%明るく、先に述べた方法にる寿命試験
で輝度の低下はθ〜5係であった。
にくらべて40%明るく、先に述べた方法にる寿命試験
で輝度の低下はθ〜5係であった。
出力螢光面5(第1図参照)の画質は鮮明でアルカリ金
属によって殆んど被毒されなかった。
属によって殆んど被毒されなかった。
ところで他の中間層例えば酸化アルミニウム、酸化イツ
トリウム、酸化珪素等を数1000オングストロームの
厚さ形成してから上記と同じようにアンチモンとカリウ
ムとセシウムからなる光電面14を形成した場合、光電
面自身の抵抗が木きいため電荷の供給がスムーズに行か
ないことがわかった。
トリウム、酸化珪素等を数1000オングストロームの
厚さ形成してから上記と同じようにアンチモンとカリウ
ムとセシウムからなる光電面14を形成した場合、光電
面自身の抵抗が木きいため電荷の供給がスムーズに行か
ないことがわかった。
しかし上記酸化物中間層の表面にさらに導電層として例
えばアルミニウム等を形成したものは第1の方法で述べ
たような良好な結果を与えた。
えばアルミニウム等を形成したものは第1の方法で述べ
たような良好な結果を与えた。
この発明のX線螢光増倍管は上記説明及び図示のように
構成され、螢光体層11と光電面14との間に低抵抗の
中間層13が形成されているのでアンチモンとカリウム
とセシウムとからなる光電面14の使用が可能となった
。
構成され、螢光体層11と光電面14との間に低抵抗の
中間層13が形成されているのでアンチモンとカリウム
とセシウムとからなる光電面14の使用が可能となった
。
即ち、従来アンチモンとカリウムとセシウムとからなる
光電面は光電面自身の抵抗値がアンチモンとセシウムと
からなる光電面の抵抗値より高いのでX線螢光増倍管の
入力面のように大きい面積の所へ適用すると電荷の供給
が不十分となり特に明るい画像すなわち入射X線の多い
場合で光電流を多く必要とするとき電荷供給源に近い周
辺部しか画が現れないとい5X線螢光増倍管として致命
的な欠点を有した。
光電面は光電面自身の抵抗値がアンチモンとセシウムと
からなる光電面の抵抗値より高いのでX線螢光増倍管の
入力面のように大きい面積の所へ適用すると電荷の供給
が不十分となり特に明るい画像すなわち入射X線の多い
場合で光電流を多く必要とするとき電荷供給源に近い周
辺部しか画が現れないとい5X線螢光増倍管として致命
的な欠点を有した。
特に沃化セシウム螢光体のように表面の凹凸が激しい基
体上では前記欠点が顕著に現れた。
体上では前記欠点が顕著に現れた。
一方、アンチモンとカリウムとセシウムからなる光電面
は沃化セシウム螢光体によく適合しその発光スペクトル
のピーク波長と、アンチモンとカリウムとセシウムとか
らなる光電面の最大感度波長とはよく一致し、発光スペ
クトルのピーク波長である400nmではアンチモンと
セシウムからなる従来の光電面にくらべて約2倍の感度
を有するので分光感度の点ではアンチモンとカリウムと
セシウムからなる光電面が螢光体層との組合せに於て最
適である。
は沃化セシウム螢光体によく適合しその発光スペクトル
のピーク波長と、アンチモンとカリウムとセシウムとか
らなる光電面の最大感度波長とはよく一致し、発光スペ
クトルのピーク波長である400nmではアンチモンと
セシウムからなる従来の光電面にくらべて約2倍の感度
を有するので分光感度の点ではアンチモンとカリウムと
セシウムからなる光電面が螢光体層との組合せに於て最
適である。
そこで本発明の構成によってつくられたX線螢光増倍管
は低抵抗性中間層の働きにより、螢光体層と光電面との
間の化学的隔絶が達せられるとともに光電面の面方向の
導電率も向上したので従来のものより輝度が60〜10
0%向上し、使用中における輝度の劣化は通常の使用状
態で1年間に相当する強制試験の結果、従来のものが約
20%の低下に対し、本発明のものは5係で明らかに寿
命特性の上でも改善された。
は低抵抗性中間層の働きにより、螢光体層と光電面との
間の化学的隔絶が達せられるとともに光電面の面方向の
導電率も向上したので従来のものより輝度が60〜10
0%向上し、使用中における輝度の劣化は通常の使用状
態で1年間に相当する強制試験の結果、従来のものが約
20%の低下に対し、本発明のものは5係で明らかに寿
命特性の上でも改善された。
また入射X@量の多い場合でも画面全面に亘ってほぼ均
一な特性の画像が得られるようになった。
一な特性の画像が得られるようになった。
さらにアンチモンとカリウムとセシウムからなる光電面
を使用した他の長所として光電面形成時に管内に導入し
たアルカリ金属の量が従来の半分以下に減少したため出
力螢光面がセシウムにおかされないので画質が向上し、
鮮明な画像が得られるようになった。
を使用した他の長所として光電面形成時に管内に導入し
たアルカリ金属の量が従来の半分以下に減少したため出
力螢光面がセシウムにおかされないので画質が向上し、
鮮明な画像が得られるようになった。
以上説明したようにこの発明によれば輝度及び寿命特性
が向上し、実用的価値大なるX線螢光増倍管を提供する
ことができる。
が向上し、実用的価値大なるX線螢光増倍管を提供する
ことができる。
第1図は従来及びこの発明の一実施例を説明するために
用いるX線螢光増倍管を示す概略構成図、第2図は従来
のX線螢光増倍管における入力面を拡大して示す断面図
、第3図はこの発明の一実施例に係るX線螢光増倍管の
入力面を拡大して示す断面図である。 10・・・基板、11・・・螢光体層、13・・・中間
層、14・・・光電面。
用いるX線螢光増倍管を示す概略構成図、第2図は従来
のX線螢光増倍管における入力面を拡大して示す断面図
、第3図はこの発明の一実施例に係るX線螢光増倍管の
入力面を拡大して示す断面図である。 10・・・基板、11・・・螢光体層、13・・・中間
層、14・・・光電面。
Claims (1)
- 1 曲率を有する基板と、この基板の凹面上に形成され
た沃化セシウムを母体とした螢光体層と、この螢光体層
上に形成された光電面とを備えたX線螢光増倍管におい
て、前記螢光体層と光電面との間に少なくともAA又は
Auの金属からなり螢光体層からの発光に対しほぼ透明
となるように制御された状態で形成された金属薄膜から
なる中間層を介在配設し、さらに光電面はアンチモンと
カリウムとからなることを特徴とするX線螢光増倍管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973476A JPS5916700B2 (ja) | 1976-08-23 | 1976-08-23 | X線螢光増倍管 |
| JP18685A JPS60185349A (ja) | 1976-08-23 | 1985-01-07 | X線螢光増倍管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973476A JPS5916700B2 (ja) | 1976-08-23 | 1976-08-23 | X線螢光増倍管 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18685A Division JPS60185349A (ja) | 1976-08-23 | 1985-01-07 | X線螢光増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5325349A JPS5325349A (en) | 1978-03-09 |
| JPS5916700B2 true JPS5916700B2 (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=14255266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9973476A Expired JPS5916700B2 (ja) | 1976-08-23 | 1976-08-23 | X線螢光増倍管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916700B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641650A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-18 | Toshiba Corp | Input surface for picture multiplier tube |
| JPS59158057A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Toshiba Corp | 放射線像増強管用入力面及びその製造方法 |
| JPH01197499A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-09 | Hidemasa Sawashi | タンパク質のガラス化 |
-
1976
- 1976-08-23 JP JP9973476A patent/JPS5916700B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5325349A (en) | 1978-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3693018A (en) | X-ray image intensifier tubes having the photo-cathode formed directly on the pick-up screen | |
| US5336966A (en) | 4-layer structure reflection type photocathode and photomultiplier using the same | |
| US3254253A (en) | Photo-electrically sensitive devices | |
| US3660668A (en) | Image intensifier employing channel multiplier plate | |
| JP4562844B2 (ja) | 光電陰極及び電子管 | |
| US4236077A (en) | Image intensifier | |
| JPS5841622B2 (ja) | 電子放電管 | |
| US4100445A (en) | Image output screen comprising juxtaposed doped alkali-halide crystalline rods | |
| JPH0766758B2 (ja) | 放射線イメ−ジインテンシフアイヤ | |
| JPH0322014B2 (ja) | ||
| US5256870A (en) | Input screen of a radiographic image intensifying tube having a radially variable thickness intermediary layer | |
| US2689189A (en) | X-ray fluorescent screen | |
| US4002938A (en) | X-ray or γ-ray image tube | |
| JP2651329B2 (ja) | 光電子または2次電子放射用陰極 | |
| JPS60185349A (ja) | X線螢光増倍管 | |
| JPH07260940A (ja) | 輝度増倍管 | |
| US3870921A (en) | Image intensifier tube with improved photoemitter surface | |
| US3961182A (en) | Pick up screens for X-ray image intensifier tubes employing evaporated activated scintillator layer | |
| JPS5871536A (ja) | X線像増倍管の入力面及びその製造方法 | |
| JP3768658B2 (ja) | 二次電子放出装置、製造方法及びそれを用いた電子管 | |
| US4568567A (en) | Method of removing trace quantities of alkali metal impurities from a bialkali-antimonide photoemissive cathode | |
| CN222867621U (zh) | 改善量子效率的半导体光电阴极结构、微光像增强器 | |
| RU2780041C1 (ru) | Микроканальная пластина | |
| JPH0883561A (ja) | 二次電子増倍電極および光電子増倍管 | |
| JP2575359B2 (ja) | X線イメ−ジインテンシフアイア |