JPS6030934B2 - 像形成部材 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般にゼログラフイーに関し、特に新規の嫁形
成部村ならびにその使用方法に関する。

ゼログラフィー技術においては、光導電性絶縁体層を含
むゼログラフィープレートをまずその表面を一様に帯電
させることによって綾形成を行う。次に、このプレート
を光のような活性化電磁放射線のパターンに対して露光
し、光導電性絶縁体の露光領域中の電荷を選択的に消失
させ、非露光領域中に静電潜像を残す。次に、この静亀
潜像を、光導電性絶縁体表面上に微粉末状検電性トナ一
粒子を付着させることによって、現像して可視像にする
ことができる。ゼログラフィーに用いる光導電体層はガ
ラス質セレンのような単独物質の均質層であってもよく
あるいは光導電体層ともう１つの物質とから成る複合層
であってもよい。ゼログラフイーに用いられる複合光導
電体層の１つのタイプは米国特許第３，１２１，００ぴ
号中に記載されており、この特許には電気絶縁性有機樹
脂結合剤中に分散した光導電性無機化合物の微粉末粒子
から成る多数の層が記載かれている。現在市販されてい
る形では、結合剤層は樹脂結合剤中に一様に分散し且つ
紙裏打ち上に塗布した酸化亜鉛粒子を含む。上記ミドル
トンらの特許の特別な実施例中では結合剤は光導電体粒
子によって発生した注入電荷を距離的にあまり移動させ
ることができない物質から成る。

この結果、ミドルトンらの特許中に記載された特別な物
質を用いるとき、安定した循環作動に所要な電荷消失を
可能にするため、光導電体粒子は層全体にわたってほぼ
連続した粒子対粒子接触状態にはければならない。従っ
て、ミドルトンらの上記特許中に記載されている光導電
体粒子の一様な分散体では、急速な放電のために十分な
光導電体の粒子対粒子接触を得るため比較的高い容量濃
度、約５庇容量％の光導電体が通常必要である。しかし
、結合剤中の光導電体濃度が高いと樹脂の物理的連続性
がこわされ、このため結合剤層の機械的性質がかなり低
下する。光導電体濃度の高い系はいまいま可榛・性がほ
とんどまたは全くないのが特徴である。一方、光導電体
濃度を５筋容量％よりかなり低くすると、光で誘起され
る放電の速度が小さく、高速循環または反復像形成が困
※または不可能になる。米国特許第３，１２１，００７
号中にはもう１つのタイプの感光体が記載されているが
、この感光体は均質な光導電性絶縁体マトリックス中に
分散した光導電性絶縁体粒子から成る２相光導電層を含
む。

この感光体は約５〜８の重量％の量で存在すると広義に
記載されている粒状光導電性無機顔料の形である。光放
電は光導電性絶縁体マトリックス物質中に発生する電荷
と光導電性顔料から光導電性絶縁体マトリックス中へ注
入される電荷との組合わせによって起こると言われてい
る。米国特許第３，０３７，８６１号には、ポリ（ビニ
ルカルバゾール）が長波長紫外線感光性を示すことが記
載されており、このスペクトル感光性が染料増感剤の添
加により可視スペクトル中へ延ばされることが示唆され
ている。

へ‐グルらはさらに酸化亜鉛第二酸化チタンのような他
の添加物もポリ（ビニルカルバゾール）と共に使用でき
るとも述べている。ポリ（ピニルカルバゾール）を、そ
のスペクトル感光性を延ばす添加物とともにあるいは添
加物を加えずに光導電体として使用することを意図して
いる。上言己以外に、反射像成形用に特別に設計された
特殊層状構造が提案されている。

例えば、米国特許第３，１６５ ４０５号では、２層状
酸化亜鉛結合剤構造を反射像形成に利用している。上記
米国特許では特別な反射像形成シーケンスを行うためス
ペクトル感光性の異なる２つの別個の隣接光導電体層を
用いる。この装置はそれぞれの光導電体層の別々の光感
応の複合利益を得るために多重光導電体層の性質を利用
する。以上述べた通常の複合光導電体層についての記載
から明らかなように、露光した際の層状構造中における
光導電はガラス質セレン（および他の均質な層状形態）
の場合のような光導電体の内部（ｂｕｌｋ）中を通る電
荷移動によって達成される。

米国特許第３，１２１，００６号中に記載されているよ
うな不活性な電気絶縁性樹脂を‐含む光導電性結合剤構
造を用いる装置では、導電すなわち電荷移動は高濃度の
光導電性顔料および光導電性粒子の粒子−粒子援触が可
能なことによって達成される。米国特許第３，１２１，
００７号に記載されているような光導電性マトリックス
中に分散した光導電性粒子の場合には、光導電は光導電
性マトリックスと光導電体顔料粒子との両方中での電荷
の発生および移動によって起こる。以上の諸種の特許は
光導電体層全体にわたる異なる放電機構に依存してはい
るが、作動中光鶏電体表面が包囲環境に暴露されるとい
う共通の欠点があり、これら光導電体層が摩耗、薬品侵
食、熱および多数回の露光を受けやすい反復ゼログラフ
ィー循環操作の場合には特にかかる欠点がある。

これらの作用の特徴は光導電体層の電気的性質を徐々に
劣化させ、その結果表面欠陥や引掻き傷のあるプリント
、静電荷が保持できなくなる局部的な永久導電領域、高
い暗室放電が生じることである。上記の諸問題に加えて
、これらの感光体はガラス質セレン層のように光導電体
が層の１００％からなることあるいは好ましく結合剤構
造体中に高比率の光導電性物質を含むことが必要である
。

全部または大きな比率の光導電性物質を含む光導電体層
が必要だということは、可榛・性や光導電体の支持基材
への接着が主として光導電体の物理的性質で支配され、
好ましくは少量で存在する樹脂すなわちマトリックスに
は支配されないという点で最終的なプレート、ドラムま
たはベルトの物理的特性をさらに制限する。先行技術で
考えられているもう１つの形の複合感光体層は比較的厚
いプラスチック層で被覆され且つ支持基材上に塗布され
る光導電怪物質層を含む。

米国特許第３，０４１，１６６号には、支持基材上にあ
るガラス質セレン層を透明プラスチックが被覆するかか
かる構造が言己載されている。

作動の際、透明プラスチックの自由表面を静電的に所定
の極性に帯電させる。次に、この装置を光導電体中に正
孔一電子対を発生させる活性化放射線に露出する。電子
はプラスチック中を通って移動し、プラスチック層の自
由表面上の正電荷を中和して静電像を形成する。しかし
、上記米国特許ではこの方法で働く特殊なプラスチック
物質を表示しておらず且つその実施例は光導電体物質を
最上層として用いる構造に限られている。仏米特許第１
，５７７，８５５号には、偏光による反射露光に通した
特殊用複合感光装置が記載されている。

１つの実施例では、支持基材上に配向した形で配列させ
た２色性有機光導電性粒子層とこの配向２色性物質層上
に形成したポリ（ビニルカルバゾール）層を用いている
。

この配向２色層およびポリ（ピニルカルバゾール）層を
帯電させ且つ２色層の配向に対して垂直に偏光した光に
対して露出するとき、両層とも最初の照射光に対しては
ほぼ透明である。偏光が原画の白色背景に当たったとき
、光は偏光解消し、装置を通って反射して戻り、２色性
光導電性物質に吸収される。もう１つの実施例では２色
性光導電体をポリ（ビニルカルバゾール）層全体にわた
って配向した形で分散させる。米国特許第３，８３７，
８５１号には電荷発生層と別個の電荷移動層とを有する
特別なェレクトロホトグラフィー部材が開示されている
。

電荷移動層は少なくとも１種のトリアールピラゾリン化
合物から成る。これらのピラゾリン化合物は当業で公知
の樹脂のような結合剤中に分散させることができる。米
国特許第３，７９１，８２６号には、導電性基材バリャ
ー層、無機電荷発生層および少なくとも２０重量％のト
リニトロフルオレンを含む有機電荷移動層から成るェレ
クトロホトグラフィー部材が記載されている。

ベルギー国特許第７６３，５４ぴ副こは少なくとも２層
の電気的作動層を有するェレクトロホトグラフィー部材
が記載されている。

第１層は電荷キャリアを光発生し且つ光発生した正孔を
隣接活性層中へ注入することができる光導電体層から成
る。活性層は、所期使用領域ではほぼ不吸収性であるが
光発生した正孔の光導電体層からの注入を可能にし且つ
これら正孔を活性層へ移動させることができるという点
で“活性”である透明有機物質から成る。活性重合体は
不活性重合体または非重合体物質と混合してもよい。米
国特許第３，５４２，５４７号にはトリアリールメタン
ロィコ塩基のような安定な有機光導電体を含む光導電性
素子が記載されている。

特に、ウィルソンは造膜性の絶縁性樹脂結合剤中に分散
した有機光導亀体から成る光導電性絶縁体層が上に被覆
してある支持体から成るェレクトロホトグラフィー用光
導電性素子を記載している。光導電体は４，４′ーピス
（ジエチルアミノ）−２，Ｚージメチルトリフヱニルメ
タンであることができる。米国特許第３，８２０，擬す
号には絶縁性樹脂結合剤中に分散させる光導電性物質と
して使用することができるある種のトリアールメタンロ
イコベースが記載されている。米国特許第３，５３３，
７８３号には導電性支持体とその上を被覆する結合剤、
増感剤および有機光導電体から成る組成物の層とさらに
その上を被覆する結合剤および有機光導電体から成る組
成物の層とから成る光導電性素子が記載されている。

有機光導電体は４，４′ージェチルアミノ−２，２′−
ジメチルトリフエニルメタンであることができる。ギル
マン（Ｇｉｌｍａｎ）の防衛特許公開（Ｄｅｆｅｎｓｉ
ｖｅＰｕｌｊｃａｔｉｏｎ）番号Ｐ８８＆ ０１３（１
９７０年１１月２７日出願、顔番９３，４４９，１９７
０年７月２０日公開）には、ェレクトロホトグラフィー
素子中に有機光導電体を加えることにより無定形セレン
のような無機光導電体の速度を改良できることが記載さ
れている。

例えば、絶縁性樹脂結合剤はその中にＴｉ０２が分散し
ていてもよく、あるいは無定形セレン層であってもよい
。この層を４，４′ージェチルアミノー２，２−ジメチ
ルトリフエニルメタンのような有機光導電体がその中に
分散している電気絶縁性結合剤樹脂層で被覆する。‘‘
マルチ．アクテイブ ホトコンダクテイプエレメ ント
（Ｍａｌｔｉ一Ａｃｔｉｖｅ Ｐｈｏｔ○Ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｖｅＥｌｅｍｅｎｔｒ〔マーチン Ａ バーウイツ
ク（ＮＥｒｔｉｎ Ａ ＢｅＭｉｃｋ）、チヤ−ルス
Ｊ フオツクス（ＣｈａｒｌｅｓＪ．Ｆｏｘ）、ウイリ
アム Ａ ライト（Ｗｉｌｌｊａｍ Ａ Ｌｉｇｈｔ）
共著、リサーチ デイスクロージヤ（Ｒｅｓｅａｒｃｈ
Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ），Ｖｏｌ．１３３：３８−４
３ページ、１９７５年５月〕がインダストリアルオポチ
ュニテイーズ社（ｌｎｄ順ｔｒｉａｌ○ｐｐｏｒｔｕｎ
ｉｅｓＬ幻）〔米国ハンプシャー州、ハバント（Ｈａｖ
ａｎｔ）、ホームウエル（Ｈｏｍｅｗｅｌｌ）〕から出
版された。

この開示は集合（ａｇ餅ｅ鞍ｔｅ）電荷発生層と電気的
に接触している電荷移動層を含む有機光導電体から成る
少なくとも２層を有する光導電性素子に関する。電荷発
生層と電荷移動層とは両方とも本質的に有機組成物であ
る。電荷発生層は電気絶縁性重合体連続相と｛１ー反復
単位中にアルキ１」デンジアリーレン基を有する少なく
とも１種の重合体および■少なくとも１種のピリリウム
型染料塩の微粉末粒状共結晶性（Ｃｏｃかｓｔａｌｌｉ
ｎｅ）錯体から成る不連続相とを含む。

電荷移動層は電荷発生層から注入された電荷キャリャを
受け取って移動させることができる有機物質である。こ
の層は４，４′ービス（ジェチルアミ／）一２，２ージ
メチルトリフエニルメタンがその中に分散している絶縁
性樹脂物質から成ることができる。ビス（４−ジエチル
アミノー２−メチルフエニル）フェニルメタンが中に分
散している絶縁性樹脂物質から成る電荷移動層と組合わ
せた本発明の無機電荷発生物質すなわち三方晶形セレン
の特殊な利益は上記の先行技術のどれにも記載されてい
ない。

この電気絶縁性樹脂マトリックス物質はポリカーポネー
トから成る。電荷移動物質は初期使用スペクトル領域で
ほぼ不吸収性であるが、三方晶形セレンからの光発生し
た正孔の注入を可能にし且つこれらの正孔を移動層中を
通して移動させることができる点で“活性”である。電
荷発生層は正孔を光発生し且つ発生した正孔を隣接の電
荷移動層中に注入することができる三方晶形セレンであ
る。さらに、先行技術は電気絶縁性樹脂物質すなわちポ
リカーボネート中に分散した有機光導電体すなわちピス
（４−ジェチルアミノー２−メチルフェニル）フェニル
メタンを電荷移動層として、電荷発生層としての三方晶
形セレンと合わせることができるとは教示しても示唆し
てもいない。というのは、米国特許第２，７３９，０７
計号が教示しているように三方晶形セレンは全く導電性
であり且つ特公昭第４３−１６，１９８号中で教示され
ているように発生物質として不適当であるからである。
特公昭第４３−１６，１９８号中には、高度に導電性の
光導電体層を電荷発生層とその上の電荷移動物質被覆層
とから成る多重層状装置の電荷発生物質として使用すべ
きでないと記載されている。それ故、米国特許第２，７
３９，０７計号が三方晶形セレンは高度に導電性である
と教示していることから、本発明における電荷発生物質
としての三方晶形セレンの使用は自明なことではない。
本発明の１つの目的は新規像形成方法ならびに装置を提
供することである。

本発明のもう１つの目的は上述した諸欠点のない反復像
形成用に適した新規光導電性装置を提供することである
。

本発明のさらにもう１つの目的は電荷発生層としての三
方晶形セレンと、ビス（４−ジェチルアミノ−２ーメチ
ルフェニル）フェニルメタンが中に分散している電気的
に不活性な有機物質としてのポリカーボネートから成る
電荷移動層とから成る光導電性部村を提供することであ
る。

上記目的ならびに他の目的は本発明によって少なくとも
２層の作動層を有する感光性部材を提供することによっ
て達成される。

第１層は光励起により正孔を発生し且つ発生した正孔を
隣接の電気的活性層中に注入する能力がある三方晶形セ
レン層から成る。電気的活性物質は約１５〜約７５重量
％のビス（４−ジエチルアミノー２ーメチルフヱニル）
フェニルメタンが中に分散している電気的に不活性なポ
リカーボネート樹脂から成る。活性層すなわち電荷移動
層は光導電怪物質が正孔を発生し且つ注入するスペクト
ル領域でほぼ不吸収性であるが、光導電性物質からの光
発生した正孔の注入を支持し且つこれらの正孔を電気的
活性物質中を通して移動させて活性層の自由表面上の表
面電荷を選択的に放電させることができる点で“活性”
である。活性層は使用波長領域で光導電体として働かな
いと理解すべきである。

前述したように、正孔−電子対が三方晶形セレン層中で
光発生し、次いで発生した正孔は活性層中へ注入され、
活性層中を通って正孔の移動が起こり、活性層自由表面
上の表面電荷を選択的に放電させる。本発明の典型的な
用途は層状構造部材の使用を含み、１つの実施態様では
上に三方晶形セレン層がある導体のような支持基材から
成る。

本質的に約１５〜約７５重量％のビス（４ージェチルア
ミ／−２−メチルフェニル）フェニルメタンを含む電気
的に不活性なポリカーポネート樹脂から成る透明な重合
体層を三方晶形セレン層上に被覆する。三方晶形セレン
層と基材との間には一般に薄い界面バリヤーすなわちブ
ロッキング層がサンドイッチされている。このバリャ一
層は金属酸化物や有機樹脂のような適当な電気絶縁怪物
質から成ることができる。ビス（４ージエチルアミノー
２−メチルフェニル．フェニルメタンが中に分散してい
る電気絶縁性ポリカーボネート樹脂すなわち電荷移動層
の使用は、三方晶形セレンを支持基材表面に隣接して置
くことおよび三方晶形セレン層からの光発生した正孔の
移動を可能にする上表面で三方晶形セレン層を保護する
ことに利用することができ、且つ同時に三方晶形セレン
層を環境条件から物理的に保護する作用がある。この構
造物を次に、通常、帯電、露光および現像から成る通常
のゼログラフィー方式で像形成することができる。第１
図には、上に結合剤層１２がある支持基材１１および結
合剤層１２上にある電荷移動層１５から成るプレートの
形の像形成部村が示してある。基村１「１は好ましくは
任意の適当な導電体でできている。適当な導電体にはア
ルミニウム、鋼、真鈴、黒鉛、分散した導電性塩、導電
性重合体などが含まれる。基材は剛性であっても可操性
であってもよく、またどんな通常の厚さのものでもよい
。典型的な基村には可操性ベルトまたはスリーブ、シー
ト、ウエブ、プレート、シリンダ、ドラムが含まれる。
基材すなわち支持体はまた、紙ベース上に含まれた薄い
導電性被覆層、アルミニウムまたはョゥ化鋼のような薄
い導電体層で被覆したプラスチック、あるいはクロムま
たは酸化錫の薄い導電性被覆層で被覆したガラスのよう
な複合構造物から成っていてもよい。結合剤１２は結合
剤１４中に配向せずに無秩序に分散している三方晶形セ
レン粒子１３を含む。

三方晶形セレン粒子の粒度は特に厳密にさまつてはいな
いが、０．０１〜１．０ミクロンの粒度の粒子が特に満
足な結果を与える。結合剤１４は上記ミドルトンらの米
国特許第３，１２１，００６号中に記載されているよう
な電気絶縁性樹脂から成ることができる。

電気的に不活性な樹脂すなわち電気絶縁性樹脂を用いる
場合、三方晶形セレン粒子間に粒子一粒子接触があるこ
とが不可欠である。このため、三方晶形セレンは少なく
とも結合剤層の約１鉄容量％の量で存在せねばならず、
結合剤中の三方晶形セレンの最高量には制限がない。も
しマトリックスすなわち結合剤が活性物質から成る場合
には、三方晶形セレンは結合剤層の約１容量％またはそ
れ以下の量から成るだけでよく、結合剤層中の三方晶形
セレンの最高量は制限がない。三方晶形セレン結合剤層
の厚さには厳密な規定はない。約０．０５〜２０．０ミ
クロンの層厚が満足であることがわかっており約０．２
〜５．０ミクロンの好ましい厚さで良好な結果が得られ
る。活性層１５は約１５〜約７５重量％のビス（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフエニル）フエニルメタンが
中に分散している電気的に不活性なポリカーボネート樹
脂から成る。

活性層１５は三方晶形セレン層からの光発生した正孔の
注入を支持し且つ活性層中を通してこれらの正孔を移動
させて活性層上の表面電荷を選択的に放電させる能力が
なければならない。活性層１５は、透明な電気的に不活
性なポリカーボネート樹脂とともに、少なくとも約１５
〜約７５重量％のビス（４ージェチルアミ／−２ーメチ
ルフェニル）フェニルメタンを含む。

予想外なことには、この特別なトリフェニルメタンは本
発明の電気的な不活性なポリカーボネート樹脂中への溶
解度が異常なほど良好であり、７５％以上のような極め
て高濃度まで明らかな結晶化の兆候を示さず分子状分散
体を形成する。活性層１５、例えばビス（４ージェチル
アミノ−２ーメチルフェニル）フェニルメタンが中に分
散しているポリカーボネート樹脂を定義するために用い
る“電気的に活性な”という用語はその物質が電荷発生
物質からの光発生した正孔の注入を支持する能力があり
、且つ活性層上の表面電荷を放電させるためにこれらの
正孔を活性層中を通して移動させることができることを
意味する。

一般に、活性層１５の厚さは約５一１００ミクロンであ
るべきであるが、この範囲外の厚さも使用することがで
きる。本発明のもう１つの実施例では、三方晶形セレン
粒子が確実に結合剤層１２を貫通する連鎖状になるよう
に第１図の構造物を変形する。

この実施例を第２図に示す。第２図は基本的構造および
物質は第１図と同じであるが、三方晶形セレン粒子１３
が結合剤層１２を貫通する連鎖すなわち連続通路の形で
あることが第１図と異なる。第２図の電荷発生層１４は
米国特許第３，７８７，２０８号記載の構造物から成る
ことができる。従って、ここにこの特許の全内容を参考
文献として加える。より詳しく言うと、第２図に層１４
は層の厚さを貫通する多数の相互連結した光導電性連続
通路すなわち連鎖の形の三方晶形セレンから成ることが
できる。この光導電性通路は上記層の容量に対して約１
〜約２５％の容量濃度で存在する。第２図の層１４のも
う１つの別の形は上記層の厚さを貫通する多数の相互連
結した光導電性通路の形で層中でほぼ粒子一粒子接触し
ている三方晶系セレンから成り、光導電性通路は層の容
量に対して約１〜２５％の容量濃度で存在する。別の実
施例では、三方晶形セレン層は全体がほぼ均質な三方晶
形セレンから成ることができる。第３図に示すこの変形
では、感光性部材３０は基材１１とその上にある三方晶
形セレンから成る均質な光導電体層１６とさらにその上
にある約１５〜約７５重量％のビス（４ージエチルアミ
／−２−メチルフエニル）フエニルメタンが中に分散し
ている電気的に不活性なポリカーボネート樹脂から成る
活性層１５から成る。本発明において発生層として用い
る三方晶形セレンは数種の方法で製造することができる
。１つの方法は、ガラス質セレンの薄層を基材上に真空
葵着し、次いでこのセレン層上に比較的厚い電気的活性
有機移動物質層を形成させることから成る。

次に、この装置を約１２５こ０〜２１０午０の温度に十
分な時間（例えば１〜２独特間）加熱してガラス質セレ
ンを十分に結晶性三方晶形に変える。三方晶形セレンを
得るもう１つの方法は、微粉砕したガラス質セレン粒子
を有機樹脂溶液中に分散した分散液をつくり、次にこの
分散液を基材上に塗布し且つ乾燥して有機樹脂マトリッ
クス中に含まれたガラス質セレンから成る結合剤層を形
成させることから成る。次に、この部材を高温（例えば
１１０℃〜１４０００）に十分な時間（例えば１１０ｑ
ｏ〜１４０℃）に十分な時間（例えば８〜２独特間）加
熟してガラス質セレンを結晶性三方晶形に変える。第１
，２および３図に示した層状構造物のもう１つの変形は
基村−光導電体界面におけるブロッキング層１７の使用
を含む。この構造は第４図の感光性部材４０で示される
。第４図において、基材１１と三方晶形セレン層１６と
はブロッキング層１７で隔離されている。ブロッキング
層は基材から三方晶形セレン層中への電荷キャリアの注
入を阻止する作用がある。任意の適当なブロッキング物
質を使用することができる。典型的なブロッキング物質
にはナイロン、ェポキシ、酸化アルミニウムが含まれる
。上述したように、本発明の電気的に不活性なポリカー
ポネート樹脂に少なくとも１５重量％、好ましくは約１
５〜約７５重量％のビス（４−ジヱチルアミノ−２ーメ
チルフェニル．フェニルメタンを添加すると、所要な物
理的性質すなわち可榛・性および所要な電気的性質のよ
うな所要な性質を有する活性物質が得られる。

活性層１５すなわち電荷移勤層は三方晶形セレン層すな
わち電荷発生層中でキャリャを光発生するために用いら
れる波長領域の光に対して不吸収性である。ゼログラフ
ィーに用いるのに好ましい波長範囲は約４，０００〜８
，０００オングストロームである。また、三方晶形セレ
ンはパンクロ感光性が所要であれば、４，０００〜８，
０００オングストロームの全波長に感光性であるべきで
ある。本発明の光導電体−活性物質の組合わせにより、
三方晶形セレンと活性物質との間の物理的界面を横切っ
て正孔の注入および注入後の正孔の移動が起こる。活性
層１５すなわち電荷移動層が透明であることができると
いう要求の理由は入射放射線のほとんどが三方晶形セレ
ン層すなわち電荷キャリャ発生層によって有効な光発生
に利用されるべきだということである。

本発明は電気的に不活性なポリカーボネート樹脂の選択
を全可視領域内で透明なものに限定する意図はない。

例えば、透明な基材と共に使用する場合、光を活性物質
層を通さずに基村を通して像輪郭で露光させることがで
きる。この場合、活性物質は使用波長領域で不吸収性で
なくてもよい。可視領域における活性物質の完全透明性
が要求されない他の用途には、レーザーから放射される
ような狭い帯城の放射線の記録、スペクトルパターン認
識およびカラーコード形複写のような可能な機能的カラ
ーゼログラフィーが含まれる。本発明において約１５〜
約７５重量％のビス（４−ジエチルアミノー２ーメチル
フエニル）フエニルメタンがその中に分散している電気
的に不活性なポリカーボネート樹脂から成る典型的な活
性層すなわち電荷移動層はゼログラフィーに有用な波長
すなわち４，０００〜８，０００オングストロームの光
に露出したとき、放電はあったとしても無視できるぐら
いである。

従って、層状装置を用いることによって得られる明瞭な
性能の改良は、上述したように、活性物質が光導電体を
その領域で使用すべきである領域の放射線に対してほぼ
透明である場合に最も良く実現されることができる。と
いうのは、上述したように、活性物質による所望の放射
線の吸収があると、この放射線がずっと有効に利用され
る三方晶形セレン層すなわち発生層へ到達するのを妨害
するからである。従って、三方晶形セレンが主な感光性
を示す波長、特に三方晶形セレンがその波長で使用され
るべきである波長に透明な活性物質を用いることが有利
であることになる。約１５〜約７５重量％のビス（４−
ジェチルアミノ−２−メチルフエニル）フエニルメタン
が中に分散している透明な電気的に不活性なポリカーボ
ネート樹脂から成る活性層は、光導電体層からの光発生
した正孔の注入を支持するほぼ非光導電性の物質である
。この物質はェレクトロホトグラフィーで生じる最低の
電界でもキャリャを移動させることができることをも特
徴としている。また、活性物質は装置がその領域で使用
されるべきである波長領域でほぼ透明である。本発明に
おいて三方晶形セレン層すなわち発生層とともに使用す
る活性移動層はこの活性層上に与えた静電荷が照明しな
い場合には伝導しない程度に、すなわち上記層上での静
電潜像の形成および保持を十分防止する程度に絶縁体で
ある物質である。

好ましいポリカーボネート樹脂の分子量は約２０，００
０〜約１００，０００であり、より好ましくは約５０，
０００〜約１００，０００である。

電気的に不活性なポリカーボネート樹脂として最も好ま
しい物質は、ゼネラルエレクトリック社からしクサン１
４５（Ｌｅ畑ｎ１４５）として発売されている分子量が
約３５，０００〜約４０，０００のポリ（４，４′ーイ
ソプロピリデンージフエニレンカーボネート）：ゼネル
ェレクトリック社からしクサン１４１として発売されて
いる分子量が約４０，０００〜約４５，０００のポリ（
４，４′ーイソプロピリデンージフエニレンカーボネー
ト）：フアルベン フアブリケン バィヱルＡＧ社（Ｆ
ａｒｂｅｎａｂｒｉｃｋｅｎ欧ｙｅＩＡ．Ｇ．）からマ
クロロン（Ｍａｋｒｏｌｏｎ）として発売されている分
子量が約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボ
ネート樹脂およびモベィケミカル社からマーロン（Ｍｅ
ｒｌｏｎ）として発売されている分子量が約２０，００
０〜約５０，０００のポリカーボネート樹脂である。

一般に、活性層の厚さは約５〜１００ミクロンであるが
、この範囲外の厚さも使用できる。

活性層すなわち電荷移動層の厚さと光導電体層すなわち
電荷発生層の厚さの比は約２：１〜２００：１に保つべ
きであり、場合によって４００：１ぐらいに大きいこと
もある。ポリカーボネート樹脂例えばピス（４−ジェチ
ルアミノー２ーメチルフエニル）フエニルメタンが中に
分散していないポリカーボネート樹脂を定義するために
用いる“電気的に不活性な”という用語はポリカーボネ
ート樹脂が発生物質からの光発生した正孔の注入を支持
する能力がなく且つこれらの正孔をポリカーボネート層
中を通して移動させる能力がないことを意味する。

次に、実施例により、三方晶形セレンすなわち電荷発生
層と、これに隣接する、活性有機層すなわち約１５〜約
７５重量％のピス（４ージェチルアミノ−２−メチルフ
エニル）フェニルメタンが中に分散している電気的に不
活性なポリカーボネート樹脂から成る電荷移動層とから
成る感光性部材の製造方法について本発明をさらに詳し
く説明する。

ビス（４ージエチルアミノー２−メチルフエニル）フェ
ニルメタンの式は次の通りである。特に断らない限り、
％はすべて重量％である。以下の実施例は本本明の種々
の好ましい実施態様を例示するためのものである。なお
、本発明の嫁形成部において用いられるビス４−ジエチ
ルアミノー２ーメチルフエニル）フェニルメタンは次の
ように製造される。

機械的燈洋機および滴下漏斗を付した１００の‘の丸底
フラスコにＮ，Ｎージェチル−ｍートルィジン８．８雛
（０．０５ミル）およびペンズアルデヒド３．０ｇ（０
．０３モル）および０．７５ｇの濃硫酸を含むｎーブタ
ノール１０地を入れる。

このフラスコを窒素でフラッシュして空気を除去し、窒
素雰囲気中で１糊時間還流させる。次に、混合物を室温
に冷却する。十分な量の炭酸水素ナトリウムを加えて酸
を中和する。１０の上のメタノールを加えて、帯黄白色
の沈殿を生成させる。

この帯黄白色沈殿生成物を炉別した後、生成物を冷メタ
ノールで洗って黄色を除く。この生成物はメタノールま
たはエタノールから再結晶することができる。これをさ
らに精製するため中性アルミナカラムを通すことができ
る。生成物をベンゼンで熔出させる。カラムからの最初
の分画は透明液である。この液を回転蒸発器に入れて溶
媒を除く。残留物は透明液または白色固体である。これ
はメタノールまたはエタノールを用いて再結晶すること
ができる。白色結晶が得られる。ペンズアルデヒド‘こ
対する収率は７０％である。生成物を真空乾燥して残留
溶媒を除去する。実施例 １ 第３図に示したものと同様な感光性層状構造物はアルミ
ニウム被覆マィラ基材と、この基材上にある１ミクロン
の無定形セレン層と、この無定形セレン層上にある、ビ
ス（４ージェチルアミノー２ーメチルフェニル）フェニ
ルメタン２５重量％およびビスフエノールＡーポリカー
ポネート（ゼネラルエレクトリック社製、レクサン１４
５）から成る厚さ２２ミクロンの電荷移動物質層とから
成る、この部材を次の方法で製造する。

米国特許第２，７５３，２７８号および第２，９７０，
９０６号記載のような通常の真空蒸着法によりアルミナ
被覆マィラ基材上に１ミクロンのガラス質セレン層を形
成させる。

電荷移動層をつくるため、塩化メチレン１３殿中に、前
述したように製造したビス（４−ジェチルアミノー２ー
メチルフエニル）フエニルメタン３．３略およびビスフ
エノールＡーポリカーボネート（レクサン１４５、ゼネ
ラルエレクトリック社製）を溶解する。

バードフィルムアプリケータ（ＢｉｒｄＦｉｌｍＡｐｐ
ｌｉｃａｔｏｒ）を用いてガラス質セレン層上に上記混
合物の被覆層を形成させる。この被覆層を次に４０ｏｏ
で１糊時間真空乾燥して厚さ２２ミクロンの乾燥した電
荷移動物質層を形成させる。次に、上記部材を約１２５
℃で１筋時間加熱してガラス質セレンを十分に結晶性三
方晶形に変える。このプレートを６０ボルト／ミク。ン
の電界に帯電させ且つこれを波長４，２００オングスト
ロームの光で２×１び２光子／地・秒で放電させること
によって電気的に試験する。このプレートは上記電界で
満足な放電を示し、可視像形成に使用することができる
。実施例 ２ 実施例１記載と同様な感光性層状構造物はアルミニウム
被覆マィラ基材と、基材上にある１ミクロンの三方晶形
セレン層と、三方晶形セレン層上を被覆する、ビス（４
−ジェチルアミノー２−〆チルフェニル）フエニルメタ
ン５の重量％およびビスフエノールＡーポリカーボネー
ト（レクサン１４１、ゼネラルエレクトリック社製）５
０重量％から成る厚さ２２ミクロンの電荷移動層とから
成る。

この部材は次の方法で製造される。米国特許第２，７５
３，２７８号および第２，９７０，９０６号中に記載さ
れている方法のような通常の真空蒸着法により、０．０
７６２側（３ミル）のアルミニウム基材上に１ミクロン
の無定形セレン層を真空蒸着させる。

基材上に無定形セレンを黍着させる前に、浸溝塗りによ
りアルミニウム上に０．５ミクロンのェポキシーフェノ
ール樹脂バリャ−層を形成させる。真空蒸着は蒸着中基
材を温度約５０ｑｏに保ちながら１０‐６Ｔｏｍの真空
で行う。この無定形セレン層上に、ビス（４ージェチル
アミノー２−メチルフェニル）フェニルメタン５の重量
％と分子量約４０，０００のポリ（４，４′ーイソブロ
ピリデンージフエニレンカーボネート）（ゼネラルエレ
クトリック社からしクサン１４１として発売）とから成
る２２ミクロンの電荷移動物質層を被覆する。電荷移動
層をつくるため、塩化メチレン１３５ｇに、ビス（４−
ジエチルアミノー２ーメチルフエニル）フエニルメタン
１咳とポリ（４，４′ーイソプロピリデンージフエニレ
ンカーボネート）（レクサン１４１、分子量約４０，０
００、ゼネラルエレクトリック社製）１雌とを溶解する
。バードフィルムアプリケータを用い、上述したように
、上記混合物の層を無定形セレン層上に形成させる。こ
の被覆層を次に４０こ０で１報時間乾燥して厚さ２２ミ
クロンの乾燥した電荷移動物質層にする。次に、全装置
を１２５ｏＣに加熱し、この温度に約１６時間保つこと
によって無定形セレン層を結晶性三方晶形に変える。１
鞘寺間終了後、装置を室温に冷却する。このプレートを
６０ボルト／ミクロンの電界に帯電させ且つ波長４，２
００オングストロームの光で２×１０１２光子／ｃ鰭・
秒で放電させることにより電気的に試験する。このプレ
ートは上記電界で満足な放電を示し且つ可視像形成に使
用することができる。実施例 ３ ポリ（Ｎーピニルカルバゾール）０．３２蟹と２，４，
７ートリニトロ−９ーフルオレノン０．０１０９ｇとを
ベンゼン１４のけこ落籍する。

この混合物に１ミクロン以下の三方晶形セレン粒子０．
４略を加える。全混合物をレッド・デビルベィントシェ
ー力（Ｒｅｄ−Ｄｅｖｉｌ ＰａｉｎｔＳｈａｋｅｒ）
上で直径３．１７５柳（１／８インチ）の鋼球１０雌が
入っている５６．鍵（２オンス）入りコハク色ガラスジ
ャー中で１５〜６び分間ボールミルにかける。このスラ
リーを、ブロッキング層として作用する約０．５ミクロ
ンのフレックスクラッド（ｆｌｅｘｃｌａｄ）接着剤界
面で予め被覆してあるアルミニウム被覆マィラ基材上に
厚さ約２ミクロンの層に被覆する。この都材を１００℃
で２４時間蒸発させた後、徐々に室温に冷却する。電荷
移動層をつくるため、塩化メチレン１３鴇に実施例１で
製造したビス（４−ジェチルアミノー２−メチルフエニ
ル）フエニルメタンｌｏｇとフアルベンフアブリケンバ
イエルＡ・Ｇ（ＦａｒｂｅｎｆａｂｒｉｃｈｅｎＢａｙ
ｅｒＡＧ．）から発売されているマクロロン（Ｍａｋｒ
ｏｌｏｎ）（分子量１００，０００のポリカーボネート
）１雌とを溶解する。バードアプリケータで上記混合物
の２２ミクロンの層を三方晶形セレン上に被覆する。こ
の被覆層を次に４０ｑ０で１報時間乾燥する。このプレ
ートを６０ボルト／ミクロンの電界に帯電させ且つ波長
４，２００オングストロームの光で２×１ぴ２光子／伽
秒で放電させることによって電気的に試験する。

このプレートは上記電界で満足な放電を示し、可視像形
成に使用することができる。また、所望ならば、電気絶
縁性基材を使用することができる。

この場合、当栄で公知であり且つ記載されている２重コ
ロナ帯電法により綾形成部材上に電荷を与えることがで
きる。絶縁性基材を用いるかあるいは基材を全く用いな
いその他の変形は像形成部村を導電性裏当て部材または
プレート上に置くことおよびかかる裏当て部材と接触さ
せたま）表面を帯電させることから成る。像形成後、綾
形成部材を導電性裏当て部材から剥がすことができる。
以上、本発明の好ましい実施例について特別な見解およ
び比率を述べたが、本明細書を読むことにより本発明の
他の変化や変形は当業者には明らかなことであり、これ
らの変化や変形も本発明の範囲内に包含されるべきもの
と考える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置の１つの実施例の概略図であり、
第２図は本発明の装置の第２の実施例を示し、第３図は
本発明の装置の第３の実施例を示し、第４図は本発明の
装置の第４の実施例を示す。 図面番号の説明、１０：像形成部材、１１：支持基材、
１２：結合剤層、１３：三方晶形セレン粒子、１４：結
合剤、１５：電荷移動層、１６：均質な光導電体層、１
７：ブロッキング層。 打スＧ／ 打スＧ２ りスＧ３ 万スＧ子

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 均質な三方晶形セレンの光導電体層と、電気的活性
   物質の隣接層であつて該隣接層の全重量を基準にして１
   ５〜７５重量％のビス（４−ジエチルアミノ−２−メチ
   ルフエニル）のフエニルメタンが電気的に不活性なポリ
   カーボネート樹脂中に分散している隣接層とから成り、
   上記三方晶形セレンは光励起により正孔を発生してその
   発生した正孔を注入する能力を有し、上記電気的活性物
   質は、三方晶形セレンが正孔を発生してその発生した正
   孔を注入するスペクトル領域で実質上非吸収性であり、
   上記三方晶形セレンから発生した正孔を注入させ且つそ
   の正孔を電気的活性物質中を通して移動させる能力があ
   る像形成部材。 ２ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００〜
   約１００，００である、特許請求の範囲第１項記載の部
   材。 ３ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００〜
   約５０，０００である、特許請求の範囲第２項記載の部
   材。 ４ ポリカーボネート樹脂の分子量が約５０，０００〜
   約１００，０００である、特許請求の範囲第２項記載の
   部材。 ５ ポリカーボネート樹脂の分子量が約３５，０００〜
   約４０，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン−
   ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲第
   ２項記載の部材。 ６ ポリカーボネートが分子量約４０，０００〜約４５
   ，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン−ジフエ
   ニレンカーボネート）である、特許請求の範囲第２項記
   載の部材。 ７ 樹脂結合剤中に分散させた三方晶形セレンの光導電
   体層と、電気的活性物質の隣接層であつて該隣接層の全
   重量を基準にして１５〜７５重量％のビス（４−ジエチ
   ルアミノ−２−メチルフエニル）フエニルメタンが電気
   的に不活性なポリカーボネート樹脂中に分散している隣
   接層とから成り、上記三方晶形セレンは光励起により正
   孔を発生してその発生した正孔を注入する能力を有し、
   上記電気的活性物質は、三方晶形セレンが正孔を発生し
   てその発生した正孔を注入するスペクトル領域で実質上
   非吸収性であり、上記三方晶形セレンから発生した正孔
   を注入させ該正孔を電気的活性物質中を通して移動させ
   る能力がある像形成部材。 ８ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００〜
   約１００，０００である、特許請求の範囲第７項記載の
   部材。 ９ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００〜
   約５０，０００である、特許請求の範囲第８項記載の部
   材。 １０ ポリカーボネート樹脂の分子量が約５０，０００
   〜約１００，０００である、特許請求の範囲第８項記載
   の部材。 １１ ポリカーボネート樹脂が分子量約３５，０００〜
   約４０，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン−
   ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲第
   ８項記載の部材。 １２ ポリカーボネート樹脂が分子量約４０，０００〜
   約４５，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン−
   ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲第
   ８項記載の部材。 １３ 絶縁性有機樹脂マトリツクスと三方晶形セレンと
   から成る光導電体層であつて該光導電体層中のほとんど
   全ての三方晶形セレンが層の厚さを貫通する多数の相互
   連絡した光導電性連続通路をなし該光導電性通路が上記
   光導電体層の全容量を基準にして１〜２５％の容量濃度
   で存在する光導電体層と、電気的活性物質の隣接層であ
   つて該隣接層の全重量を基準にして１５〜７５重量％の
   ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）フエ
   ニルメタンが電気的に不活性なポリカーボネート樹脂中
   に分散している隣接層とから成り、上記光導電体層は正
   孔を光励起により発生してその発生した正孔を注入する
   能力を有し、上記電気的活性物質は、光導電体層が正孔
   を発生してその発生した正孔を注入するスペクトル領域
   で実質上非吸収性であり、上記光導電体層から発生した
   正孔を注入させ且つ該正孔を電気的活性物質中を通して
   移動させる能力がある像形成部材。 １４ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００
   〜約１００，０００である特許請求の範囲第１３項記載
   の部材。 １５ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００
   〜約５０，０００である、特許請求の範囲第１４項記載
   の部材。 １６ ポリカーボネート樹脂の分子量が約５０，０００
   〜約１００，０００である、特許請求の範囲第１４項記
   載の部材。 １７ ポリカーボネート樹脂の分子量が約３５，０００
   〜約４０，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン
   −ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲
   第１４項記載の部材。 １８ ポリカーボネート樹脂の分子量が約４０，０００
   〜約４５，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン
   −ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲
   第１４項記載の部材。 １９ 三方晶形セレン粒子をその中に含んでいる絶縁性
   有機樹脂マトリツクスから成る光導電体層であつて、該
   光導電体層中のほとんど全ての三方晶形セレン粒子が実
   質的に粒子対粒子接触して上記光導電体層の厚さを貫通
   する多数の相互連結した光導電性通路をなし、該光導電
   性通路が上記光導電体層の全容量を基準にして１〜２５
   ％の容量濃度で存在する光導電体層と、電気的活性物質
   の隣接層であつて該隣接層の全重量を基準にして１５〜
   ７５重量％のビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
   エニル）フエニルメタンが電気的に不活性なポリカーボ
   ネート樹脂中に分散している隣接層とから成り、上記光
   導電体層は光励起により正孔を発生してその発生した正
   孔を抽入する能力を有し、上記電気的活性物質は、光導
   電体層が正孔を発生してその発生した正孔を注入するス
   ペクトル領域で実質上非吸収性であり上記三方晶形セレ
   ンからの光発生した正孔を注入させ且つ該正孔を電気的
   活性物質中を通して移動させる能力がある像形成部材。 ２０ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２０，０００
   〜約１００，０００である、特許請求の範囲第１９項記
   載の部材。２１ ポリカーボネート樹脂の分子量が約２
   ０，０００〜約５０，０００である、特許請求の範囲第
   ２０項記載の部材。 ２２ ポリカーボネート樹脂の分子量が約５０，０００
   〜約１００，０００である、特許請求の範囲第２０項記
   載の部材。 ２３ ポリカーボネート樹脂の分子量が約３５，０００
   〜約４０，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン
   −ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲
   第２０項記載の部材。 ２４ ポリカーボネート樹脂の分子量が約４０，０００
   〜約４５，０００のポリ（４，４′−イソプロピリデン
   −ジフエニレンカーボネート）である、特許請求の範囲
   第２０項記載の部材。