JPS6031247A - アルミニウム合金パッケ−ジの製法 - Google Patents
アルミニウム合金パッケ−ジの製法Info
- Publication number
- JPS6031247A JPS6031247A JP58139492A JP13949283A JPS6031247A JP S6031247 A JPS6031247 A JP S6031247A JP 58139492 A JP58139492 A JP 58139492A JP 13949283 A JP13949283 A JP 13949283A JP S6031247 A JPS6031247 A JP S6031247A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum alloy
- cover
- aluminum
- case
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/28—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 950°C
- B23K35/286—Al as the principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、アルミニウム合金パッケージの気密封止法に
関する。
関する。
従来技術と問題点
マイクロ波用アンプなどに使用する金属ノくツケージは
、従来、ステンレス鋼などの鉄系材料を使用していたが
、アンプの高出力化、軽量化の要求全満足させることが
できない欠点があった。これに対してアルミニウム系材
料は熱伝導が良好で。
、従来、ステンレス鋼などの鉄系材料を使用していたが
、アンプの高出力化、軽量化の要求全満足させることが
できない欠点があった。これに対してアルミニウム系材
料は熱伝導が良好で。
しかも軽量な利点を有するが１反面、ノ（ツケージのケ
ースとカバーとをレーザー溶接するときに。
ースとカバーとをレーザー溶接するときに。
溶接部は冷却速度が太きすぎるので、急冷されてクラッ
クを生じ易く、パッケージの気密封止金保てない欠点が
あった。
クを生じ易く、パッケージの気密封止金保てない欠点が
あった。
発明の目的
本発明の目的は上記欠点を解消したアルミニウム合金パ
ッケージの製法を提供すること一？Ｊる。
ッケージの製法を提供すること一？Ｊる。
発明の構成
本発明の上記目的は、アルミニウム合金のケースとカバ
ーとからなる半導体パッケージの製法であって、ケース
とカバーとを気密封止するために。
ーとからなる半導体パッケージの製法であって、ケース
とカバーとを気密封止するために。
ケースとカバーとの間にアルミニウムろうＨｅ挿入して
レーザー溶接することを特徴とするアルミニウム合金パ
ッケージの製法によって達成することができる。
レーザー溶接することを特徴とするアルミニウム合金パ
ッケージの製法によって達成することができる。
実施例
第１図は半導体パッケージの概略を示し、第２図はパッ
ケージのケースｌとカバー２との間にろう材３を挿入し
た溶接部を拡大して示す。この実施例では、ケースおよ
びカバーはＪ Ｉ Ｓ Ｈ４０００記載の合金番号Ａ３
０５２（２，２〜２．膚１ｙ−ｉ）およびＡｌ１００（
９９％ｉ）からそれぞれなる。
ケージのケースｌとカバー２との間にろう材３を挿入し
た溶接部を拡大して示す。この実施例では、ケースおよ
びカバーはＪ Ｉ Ｓ Ｈ４０００記載の合金番号Ａ３
０５２（２，２〜２．膚１ｙ−ｉ）およびＡｌ１００（
９９％ｉ）からそれぞれなる。
ルミ合金の使用が可能である。溶接条件は、平均出力２
５０〜３５０ＷのパルスＹＡＧレーザを使用し、パルス
幅４〜６１ｓ 、パルスレー）１５〜２０Ｐ／ｓのビー
ムを、アルゴン雰囲気中で溶接部のろう材に照射した。
５０〜３５０ＷのパルスＹＡＧレーザを使用し、パルス
幅４〜６１ｓ 、パルスレー）１５〜２０Ｐ／ｓのビー
ムを、アルゴン雰囲気中で溶接部のろう材に照射した。
まｆｃ溶接速度は４〜６ｍｍ／ｓで行った。
ろう材は、けい素含量を０〜１２．５重量係の範囲で変
化させ、かつ厚みｔ−ｏ〜１０００μｍの節用で変化さ
せ、これに、ビーム径０．３ｗφおよび０．７ｗｍφの
ビームを照射した。なお溶接肉盛りの影響を調べる目的
でろう材を溶接面より０．５調突出させ、または突出さ
せないでビーム径０．３ ｍｒｎφで溶接した。前者の
結果を第１表に、後者の結果を第２表に示す。またレー
ザビーム径ｋＯ，７祁φとし、ろう材′（ｉ−０，５ｒ
ａｎ突出させて溶接した結果を第３表に示す。これらの
表における溶接結果はクラック発生が無い場合を良（○
）、有る場合全不可（×）とした。またビーム径に対し
て厚すぎて溶接は十分に行なえるが強度的に不足する場
合金回（△）として表示した。
化させ、かつ厚みｔ−ｏ〜１０００μｍの節用で変化さ
せ、これに、ビーム径０．３ｗφおよび０．７ｗｍφの
ビームを照射した。なお溶接肉盛りの影響を調べる目的
でろう材を溶接面より０．５調突出させ、または突出さ
せないでビーム径０．３ ｍｒｎφで溶接した。前者の
結果を第１表に、後者の結果を第２表に示す。またレー
ザビーム径ｋＯ，７祁φとし、ろう材′（ｉ−０，５ｒ
ａｎ突出させて溶接した結果を第３表に示す。これらの
表における溶接結果はクラック発生が無い場合を良（○
）、有る場合全不可（×）とした。またビーム径に対し
て厚すぎて溶接は十分に行なえるが強度的に不足する場
合金回（△）として表示した。
けい素含量４．０〜１２．５重量％のアルミニウムろう
材を使用した溶接部は、Ｘ線マイクロアナライザにより
、熱間強度の高いＡＡＳ ｉ固溶合金となっていること
が判明した。
材を使用した溶接部は、Ｘ線マイクロアナライザにより
、熱間強度の高いＡＡＳ ｉ固溶合金となっていること
が判明した。
以下余白
第 １ 表
第 ２ 表
ろう材のけい素含量が４．０重量係より少ないと。
溶接部にクラックが発生し易い。これは溶接部にできる
ＡλＳｉ固溶合金中の５ｉｌｌが少なくて十分な熱間強
度をもちえないためである。また１２．５重ｆｔ％’に
超えると、ろう材自身が硬くなって脆くなるので、ろう
材の薄板を製造することが困難となシ、好ましくない。
ＡλＳｉ固溶合金中の５ｉｌｌが少なくて十分な熱間強
度をもちえないためである。また１２．５重ｆｔ％’に
超えると、ろう材自身が硬くなって脆くなるので、ろう
材の薄板を製造することが困難となシ、好ましくない。
ろう材の厚みが１０００μｍを超えると、ビーム径の０
．３ｍｍφに対して厚すぎるので、溶接時に溶融する部
分がろう材のみとなシ十分な溶接が得られない。しかし
、ビーム径を０．７μｍとすれば１表３に示す如く溶接
が良好に行なわれ、かつり２ツクの発生もない。しかし
。
．３ｍｍφに対して厚すぎるので、溶接時に溶融する部
分がろう材のみとなシ十分な溶接が得られない。しかし
、ビーム径を０．７μｍとすれば１表３に示す如く溶接
が良好に行なわれ、かつり２ツクの発生もない。しかし
。
１０００μｍ、！：カ厚い場合は、ビーム径をさらに太
きくしないと良好な結果が得られないので、実用的でな
い。
きくしないと良好な結果が得られないので、実用的でな
い。
以下余白
第３表
ビーム径’ｆ： ０．３ ａｍφとするとき、ろう拐の
厚みは２００〜６００μｍとすることが最も好ましい。
厚みは２００〜６００μｍとすることが最も好ましい。
ケースおよびカバーの材料がＪＩＳＨ４０００記載の合
金番号Ａ３０５２．Ａ６０６１．Ａｌ１００なとのアル
ミニウム合金であるとき、挿入材としてけい素含量４．
０〜１２．５１ｆｆｉ量チのろう材薄板ヶ使用し、溶接
面よ！＋０．５ｍｍ突出させて、上記の好ましい条件で
肉盛フ溶接したパッケージは、ヘリウム漏洩試験におい
て１０−１’ａｔｍ、 ｃｃ／ｓ より少ない漏洩量を
示し十分な気密性を有していた。
金番号Ａ３０５２．Ａ６０６１．Ａｌ１００なとのアル
ミニウム合金であるとき、挿入材としてけい素含量４．
０〜１２．５１ｆｆｉ量チのろう材薄板ヶ使用し、溶接
面よ！＋０．５ｍｍ突出させて、上記の好ましい条件で
肉盛フ溶接したパッケージは、ヘリウム漏洩試験におい
て１０−１’ａｔｍ、 ｃｃ／ｓ より少ない漏洩量を
示し十分な気密性を有していた。
発明の効果
本発明によって、アルミニウム合金材料のケースとカバ
ーとから、実用上まったく問題のない軽量かつ熱伝導の
良好な気密封止パッケージを安定に、信頼性よく製造す
ることができる。
ーとから、実用上まったく問題のない軽量かつ熱伝導の
良好な気密封止パッケージを安定に、信頼性よく製造す
ることができる。
第１図は半導体パッケージの略斜視図であり。
第２゛図はケースとカバーとの間の溶接部の拡大断面図
である。 １・・・ケース、２・・・カバー、３・・・ろう拐。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
である。 １・・・ケース、２・・・カバー、３・・・ろう拐。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 アルミニウム合金のケースとカバーとからなる半
導体パッケージの製法であって、ケースとカバーと全気
密封止するために、ケースとカバーとの間にアルミニウ
ムろう打金挿入してレーザー溶接すること全特徴とする
アルミニウム合金パッケージの製法。 ２ アルミニウムろう材がけい素４．０〜１２．５重量
％、不可避不純物を除く残部アルミニウムよりなる。特
許請求の範囲第１項記載の製法。 ３、アルミニウムろう材が厚み１００〜１０００μｍで
ある、特許請求の範囲第１項記載の製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139492A JPS6031247A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | アルミニウム合金パッケ−ジの製法 |
| EP83307418A EP0117352A1 (en) | 1983-02-24 | 1983-12-06 | A process for welding aluminium-based elements and a welded assembly |
| US07/012,156 US4760240A (en) | 1983-02-24 | 1987-02-09 | Process for laser welding of aluminum based elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139492A JPS6031247A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | アルミニウム合金パッケ−ジの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031247A true JPS6031247A (ja) | 1985-02-18 |
| JPH0133943B2 JPH0133943B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=15246520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139492A Granted JPS6031247A (ja) | 1983-02-24 | 1983-08-01 | アルミニウム合金パッケ−ジの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132776A (en) * | 1988-10-28 | 1992-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for carrying a semiconductor device |
| US5519184A (en) * | 1994-05-20 | 1996-05-21 | Litton Systems, Inc. | Reusable laser welded hermetic enclosure and method |
| JP2010014554A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Toyota Motor Corp | 溶接溶け込み深さ評価方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161052A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-11 | Fujitsu Ltd | アルミ合金パツケ−ジの製造方法 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58139492A patent/JPS6031247A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161052A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-11 | Fujitsu Ltd | アルミ合金パツケ−ジの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132776A (en) * | 1988-10-28 | 1992-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for carrying a semiconductor device |
| US5519184A (en) * | 1994-05-20 | 1996-05-21 | Litton Systems, Inc. | Reusable laser welded hermetic enclosure and method |
| JP2010014554A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Toyota Motor Corp | 溶接溶け込み深さ評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0133943B2 (ja) | 1989-07-17 |
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