JPS6031270A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPS6031270A JPS6031270A JP58140773A JP14077383A JPS6031270A JP S6031270 A JPS6031270 A JP S6031270A JP 58140773 A JP58140773 A JP 58140773A JP 14077383 A JP14077383 A JP 14077383A JP S6031270 A JPS6031270 A JP S6031270A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- layer
- silicon wafer
- receiving element
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、受光＋Ｙ−とその回Ｉ洛構成ｆ）１１をワ
ンチップ化したＩＣ等の半ｚｒＩ体装置−を製造する方
法に門する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a method for manufacturing a half-ZrI device such as an IC in which a light receiving device +Y- and its circuit configuration (f) 11 are integrated into one chip.
ロータリーエンコーダを構成する受光素子（フォトダイ
オード）とその回路構成部（ＩＣ）では、それぞれに最
適なエピタキシートル成長層の種類（タイプ、比抵抗、
厚みなど）が異なっており、これが両者を最適状態でワ
ンチップ化することの妨げとなっていた。The type of epitaxial growth layer (type, specific resistance,
(thickness, etc.) are different, and this has been an obstacle to integrating both into a single chip in an optimal state.
この発明は、このような事情に鑑のなされたものであっ
て、受光素子と回路構成部の場合などにおけるように、
最適とするエピタキシャル層の種類が異なっていてもワ
ンデツプ化するこ吉を可能とさセる半導体装置の製法を
擢供することを目的とする。This invention was made in consideration of such circumstances, and as in the case of a light receiving element and a circuit component,
The object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be fabricated into a single layer even if the types of epitaxial layers to be optimized are different.
上記目的を達成するたため、ごの発明ＩＪ、二ｍ化ケイ
素をマスクに用いてシリコンウェハー上に所望のエピタ
キシャル層を部分的に成長さ・ける、ことを繰り返し、
このようにして得られた各エピタキシャル層を用いて異
なる素子構造を構築するようにすることを特徴とする半
導体装置の製法を要旨とする。以「にこれを、その実施
例をあられす図面に基いてｎＦ ｂ ＜述べる。In order to achieve the above object, a desired epitaxial layer was repeatedly grown on a silicon wafer using the invention IJ as a mask, and
The gist of this invention is a method for manufacturing a semiconductor device characterized by constructing different device structures using each epitaxial layer obtained in this manner. Hereinafter, an example of this will be described based on the accompanying drawings.
第１図にのるように、シリコンウェー上−１表面を、所
望とするエピタキシャル層形成部のめを残して二酸化ケ
・イ素（５ｉＯ９）１１９２でマスクする。As shown in FIG. 1, the top surface of the silicon wafer is masked with silicon dioxide (5iO9) 1192, leaving the desired epitaxial layer forming area.
そして、第２図にのるように、マスクされていない部分
に第１のエピタキシートル層３を成長さセる。このエビ
クキジートル層３は、受光素子を構築するのに適した種
類のものとなっている。ずなわら、高速応答性が要求さ
れる受光素子では高比抵抗のエピタキシートル層を用い
て接合容世を小さくする必要があるので、これに通した
ものとなっている。つぎに、ＳｉＯ□エツチングを施し
てシリコンウェハー１上の５ｉＯｚｌ１９ｔ’２を除去
する。第３図は膜２が除去された状態を示し一ζいる。Then, as shown in FIG. 2, a first epitaxial layer 3 is grown on the unmasked portion. This light-emitting diode layer 3 is of a type suitable for constructing a light-receiving element. However, in a light-receiving element that requires high-speed response, it is necessary to use an epitaxial layer with a high specific resistance to reduce the junction size, so this structure has been adopted. Next, 5iOzl19t'2 on the silicon wafer 1 is removed by SiO□ etching. FIG. 3 shows the state in which the membrane 2 has been removed.
そして、再びエピタキシャル成長を行うと、第４図にの
るように、第１のエビクキジートルＪＦｉ３の（苗に第
２のＪＬピタキシャルＪＦ９４が形成される。このコ、
ピタキシャル層４は、受光率子の回路構成部を構築する
のに適した種類のものとなっている。ずなわら、回路構
成部となるトランジスター乙、１、耐圧、電流飽和特性
から一般に数Ω−ｃｍの比抵抗のエピタキシャル層を用
いる必要があるが、これに適したものとなっている。こ
のようにして、ひとつのシリコンウェハー１上に種類の
異なるエピタキシャル層３．４が形成される。Then, when epitaxial growth is performed again, as shown in Fig. 4, a second JL epitaxial JF94 is formed on the first JFi3 seedling.
The pitaxial layer 4 is of a type suitable for constructing the circuitry of the photodetector. However, it is generally necessary to use an epitaxial layer with a specific resistance of several Ω-cm in view of the withstand voltage and current saturation characteristics of the transistor B, 1, which becomes the circuit component, and this is suitable for this purpose. In this way, epitaxial layers 3.4 of different types are formed on one silicon wafer 1.
そこで、これらのエピタキシャル層３．４を用いて、第
５図にみるように、一方は受光素子５となり、他方は回
路構成部（ｉとなるよう、素子構造を構築するとともに
、受光素ｆ−５と１１旧ｍ構成部（素子）６とにアルミ
ニウム層による配線７を施すと、ワンチップ化したロー
タリコーダＩＣがｆｌられる。Therefore, by using these epitaxial layers 3.4, as shown in FIG. When wiring 7 made of an aluminum layer is applied to the components (elements) 6 of 5 and 11, a single-chip rotary recorder IC is completed.
ひとつのシリコンウェハー上に形成されるエピタキシャ
ル層の数と１ｆｆｉ Ｆｎは、上記実施例のものに限ら
ない。したがって、各エピタキシャル層上に構築される
層構造も、受光素子とそ０月１Ｊｌ路措成（Ｈ（Ｈに限
らない。The number of epitaxial layers formed on one silicon wafer and 1ffi Fn are not limited to those in the above embodiment. Therefore, the layer structure constructed on each epitaxial layer is also not limited to the light receiving element and its structure (H (H).
この発明は、二酸化ケイ素をマスクに用いてシリコンウ
ェハー上に所望のエピタキシャル層を部分的に成長させ
ることを繰り返し、このようにして得られた各エピタキ
シートル層を用いて異なる素子構造を構築するようにす
るのて、１」−クリエンコーダＩＣにお＆Ｊる受光素Ｉ
′とその回路構成部の場合のように、最適とするコ、ビ
タキシャル層が異なる場合であっても、ワンチップ化い
；゛るごとを可能とさせる。In this invention, a desired epitaxial layer is repeatedly grown partially on a silicon wafer using silicon dioxide as a mask, and each epitaxial layer thus obtained is used to construct a different device structure. 1" - Light receiving element I to be added to the clear encoder IC
Even when the optimum co-layers and bitaxial layers are different, as in the case of 1 and its circuit components, it is possible to integrate them into a single chip.
第１図ないし第４図は、この発明にかかる半導体装置の
製法における各」二程をあられず説明図、第５図はこの
製法により得られたロータリーエンコーダの説明図であ
る。
ｌ・・・シリコンウェハー ２・・・ＳｉＯ□ＢｔＡ
３，４・・・エピタキシートル層 ５・・・受光素子
６・・・回路構成部
代理人 弁理士 松 木 武 彦
第１図
１
第５図1 to 4 are explanatory diagrams of each step in the manufacturing method of a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 5 is an explanatory diagram of a rotary encoder obtained by this manufacturing method. l...Silicon wafer 2...SiO□BtA
3, 4... Epitaxial layer 5... Light receiving element
6...Circuit component agent Patent attorney Takehiko Matsuki Figure 1 Figure 5
Claims (2)
上に所望のエピタキシャル層を部分的に成長させること
を繰り返し、このようにして１ワられた各エビクキジー
トル層を用いて異なる素子構造を構築するようにするこ
とを特徴とする半導体装置の製法。(1) Using silicon dioxide as a mask, a desired epitaxial layer is repeatedly grown partially on a silicon wafer, and each layer thus grown is used to construct a different device structure. A method for manufacturing a semiconductor device characterized by:
タキシャル層を成長さ・已、そのひとつを用いて受光素
子を構築し、残るひとつを用いてこの受光素子の回路構
成り１１を構築するよ・うにする特許請求の範囲第］Ｔ
Ｒ記載の半導体装置の製法。(2) Grow two epitaxial layers on a silicon wafer, then use one of them to construct a light-receiving element, and use the remaining one to construct the circuit structure 11 of this light-receiving element. [Claim No.] T
A method for manufacturing a semiconductor device according to R.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140773A JPS6031270A (en) | 1983-07-31 | 1983-07-31 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140773A JPS6031270A (en) | 1983-07-31 | 1983-07-31 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031270A true JPS6031270A (en) | 1985-02-18 |
Family
ID=15276413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140773A Pending JPS6031270A (en) | 1983-07-31 | 1983-07-31 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031270A (en) |
-
1983
- 1983-07-31 JP JP58140773A patent/JPS6031270A/en active Pending
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