JPS6031335B2 - 帯電防止方法 - Google Patents
帯電防止方法Info
- Publication number
- JPS6031335B2 JPS6031335B2 JP53045054A JP4505478A JPS6031335B2 JP S6031335 B2 JPS6031335 B2 JP S6031335B2 JP 53045054 A JP53045054 A JP 53045054A JP 4505478 A JP4505478 A JP 4505478A JP S6031335 B2 JPS6031335 B2 JP S6031335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- epoxy compound
- epoxy
- antistatic
- diglycidyl ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフ
ィン類、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂
、ＡＢＳ樹脂等のビニル重合体、ポリエステル樹脂など
の各種の・合成樹脂材料に耐久性ある帯電防止法を賦与
する方法に関するものである。
ィン類、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂
、ＡＢＳ樹脂等のビニル重合体、ポリエステル樹脂など
の各種の・合成樹脂材料に耐久性ある帯電防止法を賦与
する方法に関するものである。
一般に、これらの高分子物質はフィルム、成形品、繊維
など広く成形材料として用いられているプラスチックで
あるが、すぐれた電気絶縁性を有する反面、静電気を帯
びやすいという欠点があり、このために種々の障害なら
びに二災害を起こす原因となっている。
など広く成形材料として用いられているプラスチックで
あるが、すぐれた電気絶縁性を有する反面、静電気を帯
びやすいという欠点があり、このために種々の障害なら
びに二災害を起こす原因となっている。
また、帯電のために汚れが生ずる場合もあり、プラスチ
ックの帯電を防止することは実用上極めて重要である。
従来、このような帯電を防止する方法としては、一般に
帯電防止法を表面に付着せしめる方法、あるいは樹脂に
練り込む手段がとられている。
ックの帯電を防止することは実用上極めて重要である。
従来、このような帯電を防止する方法としては、一般に
帯電防止法を表面に付着せしめる方法、あるいは樹脂に
練り込む手段がとられている。
成形樹脂上に帯電防止剤の溶液を塗布または噂霧する方
法では効果が一時的で摩擦、経日、洗浄などによって帯
電防止効果が低下し、消失するなどの欠点をもっている
。練り込みによる方法は高温で溶融成形を行なう場合な
どは、一般に知られている帯電防止剤は熱分解を起こし
たり、また着色するのみならず樹脂の黄変着色を促進し
、とくに透明性を特徴とする樹脂などの場合には透明性
を阻害するなどの傾向がある。一方、フィルム等に成形
した場合には、ブロッキングあるいはすべり等の表面物
性の低下、たえまないブリード‘こよる表面での白化現
象およびフィルム透明性の阻害などの問題が多い。本発
明の目的は耐久性のある帯電防止性を与え、又、ブロッ
キングを起こさず白化やフィルムの透明性を損う事のな
い帯電防止加工方法を提供する事にある。
法では効果が一時的で摩擦、経日、洗浄などによって帯
電防止効果が低下し、消失するなどの欠点をもっている
。練り込みによる方法は高温で溶融成形を行なう場合な
どは、一般に知られている帯電防止剤は熱分解を起こし
たり、また着色するのみならず樹脂の黄変着色を促進し
、とくに透明性を特徴とする樹脂などの場合には透明性
を阻害するなどの傾向がある。一方、フィルム等に成形
した場合には、ブロッキングあるいはすべり等の表面物
性の低下、たえまないブリード‘こよる表面での白化現
象およびフィルム透明性の阻害などの問題が多い。本発
明の目的は耐久性のある帯電防止性を与え、又、ブロッ
キングを起こさず白化やフィルムの透明性を損う事のな
い帯電防止加工方法を提供する事にある。
本発明の帯電防止加工方法は照射によりェポキシ化合物
の重合を開始させる活性触媒を放出する化合物を含む脂
肪族及び／又は脂環族のェポキシ化合物を、帯電する傾
向のある基体樹脂に塗布し、次いで照射してヱポキシ化
合物を重合せしめる事を特徴とするものである。
の重合を開始させる活性触媒を放出する化合物を含む脂
肪族及び／又は脂環族のェポキシ化合物を、帯電する傾
向のある基体樹脂に塗布し、次いで照射してヱポキシ化
合物を重合せしめる事を特徴とするものである。
本発明で用いられるェポキシ化合物としては脂肪族又は
脂嬢族のェポキシ化合物を適宜用い得るが、帯電防止効
果の大きさに着目した場合は脂肪族ェポキシ化合物、特
に炭素数２〜８程度のポリオールのグリシジルェーテル
を用いるのが好ましい。
脂嬢族のェポキシ化合物を適宜用い得るが、帯電防止効
果の大きさに着目した場合は脂肪族ェポキシ化合物、特
に炭素数２〜８程度のポリオールのグリシジルェーテル
を用いるのが好ましい。
この様な脂肪族グリシジルェーテルとしてはエチレング
リコールジグリシジルエ−テル、ジエチレングリコール
ジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエ
ーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、プロ
ピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオベンチル
グリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシ
ジルエーテル、ベンタヱリスリトールポリグリシジルエ
ーテル、ジグリセロールポリグリシジルヱーテル、ソル
ビトールポリグリシジルエーテル、などが挙げられる。
リコールジグリシジルエ−テル、ジエチレングリコール
ジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエ
ーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、プロ
ピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオベンチル
グリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシ
ジルエーテル、ベンタヱリスリトールポリグリシジルエ
ーテル、ジグリセロールポリグリシジルヱーテル、ソル
ビトールポリグリシジルエーテル、などが挙げられる。
一方、本発明ではェポキシ化合物を照射により重合する
のであるが、その際高速硬化（たとえば８０Ｗ／伽の紫
外線灯でタックフリーになるまでの時間が数秒）を望む
場合がいまいまあり、この場合には上記脂肪族ェポキシ
化合物に加えて脂環族ヱポキシ化合物を用いるのが好ま
しい。
のであるが、その際高速硬化（たとえば８０Ｗ／伽の紫
外線灯でタックフリーになるまでの時間が数秒）を望む
場合がいまいまあり、この場合には上記脂肪族ェポキシ
化合物に加えて脂環族ヱポキシ化合物を用いるのが好ま
しい。
この様な脂肪族ェポキシ化合物として好ましいものとし
ては○３，４ーエポキシー６−メチルシクロヘキシルメ
チル−３，４−エポキシ−６ーメチルシクロヘキサンカ
ルボキシレート、○ジシクロベンタジエンジオキサイド
、 ○ シクロヘキセンジエポキシド、 ○３，４−エポキシシクロヘキシルメチルー３，４−エ
ポキシシクロヘキサンカルボキシレート、○ビス（３，
４−エポキシーシクロヘキシルメチル）アジベート、○
ビス（３，４−エポキシー６−メチルシクロヘキシルメ
チル）アジべ−ト、○ ジベンテンジオキサイド、 などのエーテル基、カルポニル基の分子量に対する割合
が比較的多いものが挙げられる。
ては○３，４ーエポキシー６−メチルシクロヘキシルメ
チル−３，４−エポキシ−６ーメチルシクロヘキサンカ
ルボキシレート、○ジシクロベンタジエンジオキサイド
、 ○ シクロヘキセンジエポキシド、 ○３，４−エポキシシクロヘキシルメチルー３，４−エ
ポキシシクロヘキサンカルボキシレート、○ビス（３，
４−エポキシーシクロヘキシルメチル）アジベート、○
ビス（３，４−エポキシー６−メチルシクロヘキシルメ
チル）アジべ−ト、○ ジベンテンジオキサイド、 などのエーテル基、カルポニル基の分子量に対する割合
が比較的多いものが挙げられる。
脂肪族ェポキシ化合物と脂環族ェポキシ化合物を混合し
て用いる場合その重量割合は１：０．１〜２０、好まし
くは１：１〜５であるのが適当である。
て用いる場合その重量割合は１：０．１〜２０、好まし
くは１：１〜５であるのが適当である。
本発明に用いられる照射の下で分解しェポキシ化合物の
重合又は架橋を引起こす効果を持つ触媒を放出する化合
物としては特に限定されないが、特に好ましいものは照
射により重合開始能のあるルイス酸を放出するオニウム
塩である榎塩の一群のものである。
重合又は架橋を引起こす効果を持つ触媒を放出する化合
物としては特に限定されないが、特に好ましいものは照
射により重合開始能のあるルイス酸を放出するオニウム
塩である榎塩の一群のものである。
かかる化合物は基本的には一般式〔Ｒ１ａＲ２ｂＲ３ｃ
ＲもＺ〕机〔ＭＸｎ＋ｍ〕‐ｍ〔式中カチオンはオニウ
ムであり、ＺはＮ三Ｎ、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，船，Ｓｂ
，Ｂｉ，０、ハロゲン（たとえば１，Ｂｒ，ＣＩ）であ
り、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は同一でも異なっていても
よい有機の基である、ａ，ｂ，ｃ，ｄは０〜３の整数で
あってａ＋ｂ＋ｃ＋ｄはＺの価数に等しい。Ｍはハロゲ
ン化物鉛体の中心原子である金属又は半金属（ｍｅ側１
ｏｉｄ）であり、Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｂ
ｉ，ＡＩ，Ｇａ，ｌｎ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｃｏ等である。×はハロゲンであり、ｍはハロゲ
ン化物鎖体イオンの正味の電荷であり、ｎはハロゲン化
物鍔体イオン中のハロゲン原子の数である。〕で表わさ
れる。この、ょ 則． 体はそれ自身は公知であり、
たとえばＺがＮ弓Ｎである化合物は米国特許第３７０８
２９６号、同第３９４９１４３号、同第３７９４５７６
号等に記載されている。その他のオニウム触媒前駆体は
ベルギー特許第８２８８４１号、同第８２８６６ｙ号、
フランス特許第２２７０２６叫号等に記載されている。
上言己ジアゾニウム化合物は上記の米国特許第３７０８
２９６号、同第３９４９１４３号等に記載されている方
法で得る事が出来る。ＺがＳ，Ｓｅ，Ｔｅである化合物
はＪ．ＫｎａｐｃｚｙｋらのＪ．Ａ．Ｃ．Ｓ．，９１，
１４５，（１９６９）、Ａ．Ｌ．Ｍａｙｃｏｃｋ ら
のＪ．○ｒ袋ｎにＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，３５，Ｎｏ．８
，２５３２（１９７０）、Ｇ℃ｅｔｈａｌｓらのＢｕｌ
．Ｓｏｃ．ｃｈｉｍ旧ｅｌｇ．，７３，５４６（１９６
４）、日．Ｍ．戊ｉｃｅｓｔｅｒらのＪ．Ａ．Ｃ．Ｓ．
，５１３５８７（１９２９）等に記載された方法で製造
出来る。ＺがＰ，Ｎ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｊである代表的な
オニゥム塩はＪ．Ｇ℃ｅｒｄｅ１ｅｒのＭｅｔｈｏｄｅ
ｎｄｅｒＯｒｇａｎｉｓｈｅｎＣｈｉｍｊｅ，１１／１
２，５９１一６４０（１９５８）、Ｋ．Ｓａｓｓｅの同
１２／１，７９−１１２（１９６３）に記載された方法
で製造出来る。Ｚがハロゲンである代表的なオニウム塩
は０．Ａ．Ｐｔ船飢ａらのＤｏｋｌ．Ａｄａｄ．Ｎａｎ
ｋ．，ＳＳＳＲ，１６３，３８３（１９６５）、Ｍ．Ｄ
ｒｅｘｌｅｒらのＪ．Ａ．Ｃ．Ｓ．，７５，２７０５（
１９５３）等に記載の方法で製造出来る。ェポキサイド
の重合を開始するに用いる事の出来る他の化合物の例は
ヨードホルム、Ｑ’Ｑ −ジブロモパラキシレン、ブロ
モホルム、四臭化炭素、ヘキサクロロパラキシレン、及
び米国特許第３８９５９５４号に記載のその他の触媒、
ビス（パーフロロァルキルスルホニル）メタン塩、及び
米国特許第３５８６６１６号、独国特許第２４１９２７
４号記載の如きスルホニルメタンのジアゾニゥム塩等の
有機ハロゲン化合物である。本発明の対象となる帯電す
る傾向のある基体樹脂としては、軟質あるいは硬質の塩
化ビニル樹脂、低密度あるいは高密度のポリエチレン、
ポリプロピレン等のポリオレフイン、ポリアクリロニト
リル、ポリスチレン等のビニル重合体およびＡＳ樹脂、
Ａ茂樹脂等のオレフィンとビニルモノマーとの共重合体
、ポリエステル樹脂などの各種の高分子物質があげられ
る。
ＲもＺ〕机〔ＭＸｎ＋ｍ〕‐ｍ〔式中カチオンはオニウ
ムであり、ＺはＮ三Ｎ、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，船，Ｓｂ
，Ｂｉ，０、ハロゲン（たとえば１，Ｂｒ，ＣＩ）であ
り、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は同一でも異なっていても
よい有機の基である、ａ，ｂ，ｃ，ｄは０〜３の整数で
あってａ＋ｂ＋ｃ＋ｄはＺの価数に等しい。Ｍはハロゲ
ン化物鉛体の中心原子である金属又は半金属（ｍｅ側１
ｏｉｄ）であり、Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｂ
ｉ，ＡＩ，Ｇａ，ｌｎ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｃｏ等である。×はハロゲンであり、ｍはハロゲ
ン化物鎖体イオンの正味の電荷であり、ｎはハロゲン化
物鍔体イオン中のハロゲン原子の数である。〕で表わさ
れる。この、ょ 則． 体はそれ自身は公知であり、
たとえばＺがＮ弓Ｎである化合物は米国特許第３７０８
２９６号、同第３９４９１４３号、同第３７９４５７６
号等に記載されている。その他のオニウム触媒前駆体は
ベルギー特許第８２８８４１号、同第８２８６６ｙ号、
フランス特許第２２７０２６叫号等に記載されている。
上言己ジアゾニウム化合物は上記の米国特許第３７０８
２９６号、同第３９４９１４３号等に記載されている方
法で得る事が出来る。ＺがＳ，Ｓｅ，Ｔｅである化合物
はＪ．ＫｎａｐｃｚｙｋらのＪ．Ａ．Ｃ．Ｓ．，９１，
１４５，（１９６９）、Ａ．Ｌ．Ｍａｙｃｏｃｋ ら
のＪ．○ｒ袋ｎにＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，３５，Ｎｏ．８
，２５３２（１９７０）、Ｇ℃ｅｔｈａｌｓらのＢｕｌ
．Ｓｏｃ．ｃｈｉｍ旧ｅｌｇ．，７３，５４６（１９６
４）、日．Ｍ．戊ｉｃｅｓｔｅｒらのＪ．Ａ．Ｃ．Ｓ．
，５１３５８７（１９２９）等に記載された方法で製造
出来る。ＺがＰ，Ｎ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｊである代表的な
オニゥム塩はＪ．Ｇ℃ｅｒｄｅ１ｅｒのＭｅｔｈｏｄｅ
ｎｄｅｒＯｒｇａｎｉｓｈｅｎＣｈｉｍｊｅ，１１／１
２，５９１一６４０（１９５８）、Ｋ．Ｓａｓｓｅの同
１２／１，７９−１１２（１９６３）に記載された方法
で製造出来る。Ｚがハロゲンである代表的なオニウム塩
は０．Ａ．Ｐｔ船飢ａらのＤｏｋｌ．Ａｄａｄ．Ｎａｎ
ｋ．，ＳＳＳＲ，１６３，３８３（１９６５）、Ｍ．Ｄ
ｒｅｘｌｅｒらのＪ．Ａ．Ｃ．Ｓ．，７５，２７０５（
１９５３）等に記載の方法で製造出来る。ェポキサイド
の重合を開始するに用いる事の出来る他の化合物の例は
ヨードホルム、Ｑ’Ｑ −ジブロモパラキシレン、ブロ
モホルム、四臭化炭素、ヘキサクロロパラキシレン、及
び米国特許第３８９５９５４号に記載のその他の触媒、
ビス（パーフロロァルキルスルホニル）メタン塩、及び
米国特許第３５８６６１６号、独国特許第２４１９２７
４号記載の如きスルホニルメタンのジアゾニゥム塩等の
有機ハロゲン化合物である。本発明の対象となる帯電す
る傾向のある基体樹脂としては、軟質あるいは硬質の塩
化ビニル樹脂、低密度あるいは高密度のポリエチレン、
ポリプロピレン等のポリオレフイン、ポリアクリロニト
リル、ポリスチレン等のビニル重合体およびＡＳ樹脂、
Ａ茂樹脂等のオレフィンとビニルモノマーとの共重合体
、ポリエステル樹脂などの各種の高分子物質があげられ
る。
また、本発明において有効なェポキシ化合物の基体樹脂
への塗布方法としてはロ山ルコーター、グラビャコータ
ー、スプレー塗布などの一般的な方法を挙げることがで
き、塗腰の厚さとしては０．１ないし３０仏程度、好ま
しくは１なし、し５仏程度が適当である。
への塗布方法としてはロ山ルコーター、グラビャコータ
ー、スプレー塗布などの一般的な方法を挙げることがで
き、塗腰の厚さとしては０．１ないし３０仏程度、好ま
しくは１なし、し５仏程度が適当である。
以下実施例、比較例によって本発明の代表的な例につい
ての更に具体的に説明するが、それに先立ち以下で記載
の測定方法について説明する。
ての更に具体的に説明するが、それに先立ち以下で記載
の測定方法について説明する。
例中の部は全て重量部である。（アツシユ・テスト）
１５ｃｍ×１５ｃｍの試験片をガーゼで２０回摩擦した
のち、タバコ灰の吸着する高さ（単位：側）を測定した
ものである。
のち、タバコ灰の吸着する高さ（単位：側）を測定した
ものである。
４０％ＲＨ、２５００の恒温恒湿下で長時間テストサン
プルを放置した後、同条件下で測定した。
プルを放置した後、同条件下で測定した。
（表面固有抵抗値）
テストサンプルを６０％ＲＨ、２３０ｏの雰囲気におい
て２４時間以上放置した後、超絶緑計で測定した。
て２４時間以上放置した後、超絶緑計で測定した。
実施例 １
ビス（３，４−エポキシーシクロヘキシルメチル）アジ
ベート（ェポキシ当量１９０〜２０５）１００部とｐ−
クロロベンゼソジアゾニウムヘキサフルオロホスフェー
ト１部を混合し、各々の塗被プラスチックフィルムに膜
厚５山となる様に塗布し、１５ｃｍ離れた位置から高圧
水銀灯（ＩＫＷ、３８０側長さ）を２現砂・間照射し、
硬化後のプラスチック表面の表面固有抵抗の測定及び灰
付着によるアッシュテストを行なった。
ベート（ェポキシ当量１９０〜２０５）１００部とｐ−
クロロベンゼソジアゾニウムヘキサフルオロホスフェー
ト１部を混合し、各々の塗被プラスチックフィルムに膜
厚５山となる様に塗布し、１５ｃｍ離れた位置から高圧
水銀灯（ＩＫＷ、３８０側長さ）を２現砂・間照射し、
硬化後のプラスチック表面の表面固有抵抗の測定及び灰
付着によるアッシュテストを行なった。
結果を第１表に示す。実施例 ２〜３
実施例１と同様に、但しェポキシ化合物として１，４−
ブタンジオールジグリシジルエーテル（ェポキシ当量１
３６）又は、１，６ーヘキサンジオールジグリシジルェ
ーテル（ェポキシ当量１５０〜１６０）を用いて試験を
行なった。
ブタンジオールジグリシジルエーテル（ェポキシ当量１
３６）又は、１，６ーヘキサンジオールジグリシジルェ
ーテル（ェポキシ当量１５０〜１６０）を用いて試験を
行なった。
結果を第１表に示す。比較例 １，２
ェポキシ化合物としてビスフェノールＡのジグリシジル
ェーテル又はフェノールホルムアルデヒドノボラツクの
ポリグリシジルェーテルを使用して、実施例１と同様に
行なったものは第１表に示される如く表面固有抵抗値の
低下がみられず、また、アッシュテストでも帯電防止性
の効果を示さなかった。
ェーテル又はフェノールホルムアルデヒドノボラツクの
ポリグリシジルェーテルを使用して、実施例１と同様に
行なったものは第１表に示される如く表面固有抵抗値の
低下がみられず、また、アッシュテストでも帯電防止性
の効果を示さなかった。
第１表から明らかなごとく、実施例１〜３のものは比較
例１，２に比べて、表面固有抵抗が大きく低下しており
、またァッシュテストでも帯電防止性の効果を示してい
る。
例１，２に比べて、表面固有抵抗が大きく低下しており
、またァッシュテストでも帯電防止性の効果を示してい
る。
更にサンプル作成３０日後の経日変化は全く認められな
かった。実施例 ４ ビス（３，４−エポキシーシクロヘキシルメチル）アジ
ベート（ェポキシ当量１９０〜２０５）５碇邦と１，４
−ブタンジオールジグリシジルエーテル（ェポキシ当量
１３６）５の部の混合物及びｐ−クロロベンゼンジアゾ
ニウムヘキサフルオロホスフエート１部を混合して得ら
れる樹脂組成物をプラスチックシート又はフィルムに膜
厚５山となる様に塗布し、実施例１と同じＩＫＷ高圧水
銀灯から１０ｃｍ離れた位置に配置し、樹脂組成物塗装
面に１の砂間照射した。
かった。実施例 ４ ビス（３，４−エポキシーシクロヘキシルメチル）アジ
ベート（ェポキシ当量１９０〜２０５）５碇邦と１，４
−ブタンジオールジグリシジルエーテル（ェポキシ当量
１３６）５の部の混合物及びｐ−クロロベンゼンジアゾ
ニウムヘキサフルオロホスフエート１部を混合して得ら
れる樹脂組成物をプラスチックシート又はフィルムに膜
厚５山となる様に塗布し、実施例１と同じＩＫＷ高圧水
銀灯から１０ｃｍ離れた位置に配置し、樹脂組成物塗装
面に１の砂間照射した。
硬化後のプラスチックについて実施例１と同様な試験を
行ない結果を第１表に示した。実施例 ５実施例４と同
様に、ェポキシ樹脂として、ビスー（３，４−エポキシ
ーシクロヘキシルメチル）アジベート（ェポキシ当量１
９０〜２０５）５０部と１，６ーヘキサソジオールジグ
リシジルエーテル（エポキシ当量１５０〜１６０）５脂
Ｂの混合樹脂を用いて試験を行なった。
行ない結果を第１表に示した。実施例 ５実施例４と同
様に、ェポキシ樹脂として、ビスー（３，４−エポキシ
ーシクロヘキシルメチル）アジベート（ェポキシ当量１
９０〜２０５）５０部と１，６ーヘキサソジオールジグ
リシジルエーテル（エポキシ当量１５０〜１６０）５脂
Ｂの混合樹脂を用いて試験を行なった。
結果を第１表に示す。比較例 ３
従来の溶剤系塩ビワニスであるユニーク＃１２２（荒川
塗料社製）を硬質及び軟質のポリ塩化ビニルシート、及
びテトロンフィルムに、硬化塗膜厚が５一になる様に塗
布し乾燥後、表面固有抵抗値の測定とァッシュテストを
行なった。
塗料社製）を硬質及び軟質のポリ塩化ビニルシート、及
びテトロンフィルムに、硬化塗膜厚が５一になる様に塗
布し乾燥後、表面固有抵抗値の測定とァッシュテストを
行なった。
第１表の結果から明らかなごとく全く帯電防止性能を示
ごなかつた。比較例 ４ 無塗布のポリ塩化ビニル（軟質及び硬質）シート及びテ
トロンフィルムの表面固有抵抗値とアッシュテストの結
果を第１表に示した。
ごなかつた。比較例 ４ 無塗布のポリ塩化ビニル（軟質及び硬質）シート及びテ
トロンフィルムの表面固有抵抗値とアッシュテストの結
果を第１表に示した。
第 １ 表
Claims (1)
- １ 照射によりエポキシ化合物の重合を開始させる活性
触媒を放出する化合物を含む脂肪族及び／又は脂環族の
エポキシ化合物を、帯電する傾向のある基体樹脂に塗布
し、次いで照射してエポキシ化合物を重合せしめる事を
特徴とする帯電する傾向のある樹脂の帯電防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53045054A JPS6031335B2 (ja) | 1978-04-17 | 1978-04-17 | 帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53045054A JPS6031335B2 (ja) | 1978-04-17 | 1978-04-17 | 帯電防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54137072A JPS54137072A (en) | 1979-10-24 |
| JPS6031335B2 true JPS6031335B2 (ja) | 1985-07-22 |
Family
ID=12708629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53045054A Expired JPS6031335B2 (ja) | 1978-04-17 | 1978-04-17 | 帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031335B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57165252A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Antistatic plastic film |
| JP4610056B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2011-01-12 | 株式会社Adeka | 帯電防止剤 |
-
1978
- 1978-04-17 JP JP53045054A patent/JPS6031335B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54137072A (en) | 1979-10-24 |
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