JPS6032200A - ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御回路 - Google Patents

ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御回路

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Publication number
JPS6032200A
JPS6032200A JP58141591A JP14159183A JPS6032200A JP S6032200 A JPS6032200 A JP S6032200A JP 58141591 A JP58141591 A JP 58141591A JP 14159183 A JP14159183 A JP 14159183A JP S6032200 A JPS6032200 A JP S6032200A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
dynamic memory
row
terminal
refresh
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58141591A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Yamada
邦夫 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seikosha KK
Original Assignee
Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seikosha KK filed Critical Seikosha KK
Priority to JP58141591A priority Critical patent/JPS6032200A/ja
Publication of JPS6032200A publication Critical patent/JPS6032200A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイナミックメモリのリフレッシュ制御回路に
関するものである。
ダイナミックメモリは高集積化に有利なために広範にわ
たって使用されている。ところがこれはMO8形構造に
おける微小なコンデンサに電荷を蓄えてデータを記憶す
るため電荷が放電し、記憶内容が消失するという現象が
起こる。そのため一定時間ごとに記憶内容をリフレッシ
ュする動作が必要となシ、リフレッシュ中はダイナミッ
クメモリを使用できず処理速度が低下するものであった
そこで本発明はダイナミックメモリに通常のアクセスを
行なったときにもそのアドレスの記憶内容がリフレッシ
ュされることに着目し、上記アクセスが行なわれたアド
レスに対する次回のリフレッシュを禁止することによル
ダイナミックメモリの処理速度を向上するようにしたも
のである。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第1
図において、1はダイナミックRAMで、m行n列(r
n、n=1.2.、、)のマトリクスからなル、一定時
間ごとに1行ずつリフレッシュを行なうものである。2
はスタティックftAMで、RAMIの各行についてア
クセスが行なわれたか否かを記憶するものである。3は
カウンタで、RAM1のリフレッシュする行を指定する
ものである。
4はセレクタで、カウンタ3の出力と端子Adからの出
力のいずれかを選択するものである。端子) AdにはRAMIにアクセスする際にアドレスデータが
供給される。5はタイミングパルス発生回路、6〜8は
フリップフロップ回路、9〜12はゲート回路である。
つぎに動作について説明する。RAM2には、RAM1
の各行について、アクセスが行なわれた場合にはIol
が、行なわれなかった場合には111が(この動作につ
いては後述する。)記憶されているものとする。端子P
1にはRAMIの各行をリフレッシュするための一定周
期のパルスが供給されており、これが1パルス供給され
るとフリップフロップ回路6の出力Qが111になって
端子りから外部の処理装置(図示せず、)に対して、リ
フレッシュのためRAM1の使用を禁止する要求を出す
、これが受け入れられると、端子Pgに許可信号111
が供給されフリップフロップ回路7゜8がトリガされて
セット状態になるとともにセレクタ4によってカウンタ
3の出力が選択される。
カウンタ3の出力によってRAMIのリフレッシュすべ
き行(例えばに行)が指定されるとともに上記に行にア
クセスが行なわれたか否かのデータのアドレスがRAM
2に対して指定される。
一方、フリップフロップ回路7の出力可が8F!2図只
のようにwOwに反転することによってタイミングパル
ス発生回路5のリセットが解除され、端子fからのクロ
ックパルスによって端子Q、 −Q6からはそれぞれ第
2図Ql−wQsのようにパルスが発生する。1.ず端
子Q工からのパルスによってRAM2から上記で指定さ
れたアドレスのデータが読み出される。RAMIの上記
性にはアクセスが行なわれていなかったとすると、RA
M2からは111が読み出され、フリップフロップ回路
8はリセットされずゲート回路9は閉じられたままとな
っている。つぎに端子Q2からのパルスによってRAM
2の上記アドレスにフリップフロップ回路7の出力Q@
1mが書き込まれる。端子Q3からのパルスはゲート回
路9によって通過を阻止される。つぎに端子Q4からの
パルスによってRAM1の上記性のリフレッシュが行な
われる。そして端子Qsからのパルスによってフリップ
フロップ回路6.7がリセットされ、RAMIが使用可
能状態になる。
つぎにRAMIに書き込み、読出しのいずれかが行なわ
れた場合について説明する。RAMIにアクセスが行な
われる場合には、端子cEがl1gになるとともに端子
RDあるいはWRのいずれがが111になり、端子Ad
からのアドレスデータがセレクタ4によって選択されて
アクセスが行なわれる。このアクセスによってゲート回
路12の出力が918になj)RAM2に書込み命令が
供給される。このとき上記アドレスデータのうちRAM
Iの行を指定するビットがRAM2に供給され、上記書
込み命令によってこのアドレスにフリップフロップ回路
7の出力Q101が書き込まれる。これが、flAMl
のに行にアクセスが行なわれたことを表わすデータとな
る。このアクセスによって、このアドレスはリフレッシ
ュが行なわれたことになるので、このアドレスについて
は次回の定時間ごとのリフレッシュは不要となる。
そこで次回のに行に対するリフレッシュ動作につhて説
明する。端子Plからのパルスによってカウンタ3かに
行のアドレスをカウントするとともにフリップフロップ
回路6〜8が上記と同様にセット状態になる。そしてタ
イミングパルス発生回路5の端子Q1からパルスが生じ
るとRAM2からデータI01が読み出されフリップフ
ロップ回路8がリセットされてゲート回路9が開く。つ
ぎに端子Q2からパルスが発生するとフリップフロップ
回路7の出力Q111がRAM2に書き込まれる。(こ
れによってこの次にはに行にリフレッシュが行なわれる
ことになる。〕そして端子Q3からパルスが生じるとこ
れがゲート回路9.10を通過しフリップフロップ回路
6,7がリセットされる。したがってフレッシュ動作は
行なわれず、RAMIが使用可能状態になる。
なお記憶回路としてのRAM2はダイナミックRAMを
周込てもよい。
以上のように本発明によれば、ダイナミックメモリの不
要なリフレッシュを禁止できるので、従来よシリフレッ
シュに要する時間を短くできダイナミックメモリの処理
速度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示した論理回路図、第2図
は動作説明のためのタイムチャートである。 l・・ダイナミックRAM 2・・RAM3・・カウン
タ 4・・セレクタ 5・・タイミングパルス発生回路 7.8−・フリップフロップ回路 9・・ゲート回路 以 上 出願人 株式会社 精 工 舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. データを記憶するダイナミックメモリと、このダイナミ
    ックメモリの記憶内容を順次一定時間ごとにリフレッシ
    ュするリフレッシュ回路と、上記ダイナミックメモリに
    アクセスが行なわれたときどのアドレスにアクセスが行
    なわれたが、を記憶する記憶回路と、この記憶回路の出
    力に上って上記アクセスが行なわれたアドレスに対する
    次回のリフレッシュを禁止する制御回路とからなるダイ
    ナミックメモリのリフレッシュ制御回路。
JP58141591A 1983-08-02 1983-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御回路 Pending JPS6032200A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58141591A JPS6032200A (ja) 1983-08-02 1983-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御回路

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58141591A JPS6032200A (ja) 1983-08-02 1983-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6032200A true JPS6032200A (ja) 1985-02-19

Family

ID=15295566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58141591A Pending JPS6032200A (ja) 1983-08-02 1983-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御回路

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JP (1) JPS6032200A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6433793A (en) * 1987-07-30 1989-02-03 Toshiba Corp Refresh controller

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5589986A (en) * 1978-12-27 1980-07-08 Fujitsu Ltd Refresh control system
JPS5753296B2 (ja) * 1981-02-23 1982-11-12
JPS58125294A (ja) * 1982-01-19 1983-07-26 Toshiba Corp ダイナミツク型メモリのリフレツシユ回路

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