JPS6032244B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS6032244B2 JPS6032244B2 JP6061077A JP6061077A JPS6032244B2 JP S6032244 B2 JPS6032244 B2 JP S6032244B2 JP 6061077 A JP6061077 A JP 6061077A JP 6061077 A JP6061077 A JP 6061077A JP S6032244 B2 JPS6032244 B2 JP S6032244B2
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に書き込まれた磁気的情報を、印
加磁界により電気抵抗が変化する、いわゆる磁気抵抗効
果を利用して読み出しを行う磁気抵抗効果素子を備えた
読み出し専用磁気ヘッドおよび読み出し書き込み磁気へ
ッド‘こ関するものである。
加磁界により電気抵抗が変化する、いわゆる磁気抵抗効
果を利用して読み出しを行う磁気抵抗効果素子を備えた
読み出し専用磁気ヘッドおよび読み出し書き込み磁気へ
ッド‘こ関するものである。
近年、磁気記録における記録密度の向上に対し強い要請
があるが、磁気抵抗効果ヘッドは高密度記録再生用ヘッ
ドとして注目されている。
があるが、磁気抵抗効果ヘッドは高密度記録再生用ヘッ
ドとして注目されている。
磁気抵抗効果ヘッドを高密度記録再生用ヘッドとして有
効に働かせるためには磁気抵抗効果素子に直流バイアス
磁界を印加する手段と、磁気抵抗効果素子を磁気的にシ
ールドする手段とが共に必要とされている。
効に働かせるためには磁気抵抗効果素子に直流バイアス
磁界を印加する手段と、磁気抵抗効果素子を磁気的にシ
ールドする手段とが共に必要とされている。
直流バイアス磁界は媒体からの信号に対して線型応答に
近づけ感度を高めるために必要なものであり、直流バイ
アス磁界発生方法としては第１図ａに示すように、パー
マロィ等の強磁性体より成る磁気抵抗効果素子１に金，
銅，あるいはアルミニウム等の導電体層２をＳｉ○，Ｓ
ｉ０２やＡＩ２０３等の絶縁体層で形成される間隔ＳＰ
を介して設け、これに流す電流ＩＢによって生じる磁界
によって磁気抵抗効果素子内の磁化Ｍを所望の方向に設
定する方法（コンダクターバイアス法）、又は第１図ｂ
に示すようにあらかじめ特定方向に磁化させた永久磁石
薄膜４を磁気抵抗効果素子１に隣接させて、この磁化か
ら生じる漏洩磁界を利用する方法（永久磁石バイアス法
）が知られている。次に磁気シールド‘ま隣接ビットか
らの漏洩磁束を遮断して、分解能の高い再生出力を得る
ために必要なものであり、磁気抵抗効果素子を高透磁率
磁性体で要求される分解能に応じて定まる大きさのギャ
ップを介して両側から挟持する方法が知られている。
近づけ感度を高めるために必要なものであり、直流バイ
アス磁界発生方法としては第１図ａに示すように、パー
マロィ等の強磁性体より成る磁気抵抗効果素子１に金，
銅，あるいはアルミニウム等の導電体層２をＳｉ○，Ｓ
ｉ０２やＡＩ２０３等の絶縁体層で形成される間隔ＳＰ
を介して設け、これに流す電流ＩＢによって生じる磁界
によって磁気抵抗効果素子内の磁化Ｍを所望の方向に設
定する方法（コンダクターバイアス法）、又は第１図ｂ
に示すようにあらかじめ特定方向に磁化させた永久磁石
薄膜４を磁気抵抗効果素子１に隣接させて、この磁化か
ら生じる漏洩磁界を利用する方法（永久磁石バイアス法
）が知られている。次に磁気シールド‘ま隣接ビットか
らの漏洩磁束を遮断して、分解能の高い再生出力を得る
ために必要なものであり、磁気抵抗効果素子を高透磁率
磁性体で要求される分解能に応じて定まる大きさのギャ
ップを介して両側から挟持する方法が知られている。
従って、従来は第２図に示すように前記のような直流バ
イアス磁界印加手段７を備えた磁気抵抗効果素子１をフ
ェライトやパーマロィ等の高透磁率磁性体５，６からな
るシールド用磁性体で両側から絶縁層等で形成されるギ
ャップｇを介して侠持する構成がとられてきた。
イアス磁界印加手段７を備えた磁気抵抗効果素子１をフ
ェライトやパーマロィ等の高透磁率磁性体５，６からな
るシールド用磁性体で両側から絶縁層等で形成されるギ
ャップｇを介して侠持する構成がとられてきた。
しかしながら、この構成では直流バイアス磁界印加手段
に必要なスペースを，シールド用磁性体に挟まれたギャ
ップの中に確保することが必要となるため、シールドギ
ャップｇの大きさはある程度以下には小さくできずヘッ
ドの分解能の向上をさまたげていたｏ又、コンダクター
バイアス法の場合、コンダクターに流れる電流による発
熱で、磁気抵抗効果素子の温度が変化し、出力レベルの
変動を起したり、磁気抵抗効果素子とコンダクターを分
離する絶縁層の厚さＳＰが小さい場合にはピンホールや
研磨だれ等により磁気抵抗効果素子とショートする等の
トラブルが起りやすい欠点があった。本発明の目的は、
これらの欠点を解決し、分解能，出力レベルの安定性，
さらには電気的絶縁性共に良好なる磁気抵抗効果素子を
備えた磁気ヘッドを提供するものである。
に必要なスペースを，シールド用磁性体に挟まれたギャ
ップの中に確保することが必要となるため、シールドギ
ャップｇの大きさはある程度以下には小さくできずヘッ
ドの分解能の向上をさまたげていたｏ又、コンダクター
バイアス法の場合、コンダクターに流れる電流による発
熱で、磁気抵抗効果素子の温度が変化し、出力レベルの
変動を起したり、磁気抵抗効果素子とコンダクターを分
離する絶縁層の厚さＳＰが小さい場合にはピンホールや
研磨だれ等により磁気抵抗効果素子とショートする等の
トラブルが起りやすい欠点があった。本発明の目的は、
これらの欠点を解決し、分解能，出力レベルの安定性，
さらには電気的絶縁性共に良好なる磁気抵抗効果素子を
備えた磁気ヘッドを提供するものである。
本発明によれば、磁気抵抗効果素子にこの磁気抵抗効果
素子と絶縁されてその両面を挟むように高透磁率磁性体
から成る２つのシールドを設け、さらにこのシールドの
一方の外側に導電体層を設けて読み出し専用の磁気ヘッ
ドが構成される。
素子と絶縁されてその両面を挟むように高透磁率磁性体
から成る２つのシールドを設け、さらにこのシールドの
一方の外側に導電体層を設けて読み出し専用の磁気ヘッ
ドが構成される。
そしてこの導電体層に電流を流すことにより前記一方の
高透磁率磁性体層を磁化し、この磁化された磁性体層か
らの漏洩磁界により前記磁気抵抗効果素子に直流バイア
ス磁界を印加する。さらに本発明によれば、上記読み出
し専用の磁気ヘッドの導電体層上にさらに第２の高透磁
率磁性体層を絶縁体層を介して設けられる。
高透磁率磁性体層を磁化し、この磁化された磁性体層か
らの漏洩磁界により前記磁気抵抗効果素子に直流バイア
ス磁界を印加する。さらに本発明によれば、上記読み出
し専用の磁気ヘッドの導電体層上にさらに第２の高透磁
率磁性体層を絶縁体層を介して設けられる。
そしてこの場合にはこの導電体層は上述の如く磁気抵抗
効果素子へのバイアス磁界印加手段であるのみでなく、
導電体層を挟む高透磁率磁性体層とともに書き込みヘッ
ドを構成している。次に本発明を図面に基づいて説明す
ると、第３図に示すように高透磁率磁性体層より成る２
枚の磁気シールド板９及び１０が磁気抵抗効果素子１を
挟むように基板上に形成されている。
効果素子へのバイアス磁界印加手段であるのみでなく、
導電体層を挟む高透磁率磁性体層とともに書き込みヘッ
ドを構成している。次に本発明を図面に基づいて説明す
ると、第３図に示すように高透磁率磁性体層より成る２
枚の磁気シールド板９及び１０が磁気抵抗効果素子１を
挟むように基板上に形成されている。
ｇはこの高透磁率磁性体層９及び１０と磁気抵抗効果素
子１とを絶縁するギャップで、絶縁体で形成される。さ
らに一方の例えば磁気シールド板１０‘こ絶縁層（厚さ
ＳＰ）を介して隣接するように２つの磁気シールド坂に
よって形成されるギャップの外側に導軍体層２が形成さ
れる。このように構成されたヘッドは磁気記録媒体３に
垂直に近接して置かれる。こ）で、この導電体層２に端
子１３を介してバイアス電流１８を流すことにより近接
する高透磁率磁性体１０を磁化し、この磁化により生じ
る漏洩磁界を直流バイアス磁界として磁気抵抗効果素子
を磁化する。
子１とを絶縁するギャップで、絶縁体で形成される。さ
らに一方の例えば磁気シールド板１０‘こ絶縁層（厚さ
ＳＰ）を介して隣接するように２つの磁気シールド坂に
よって形成されるギャップの外側に導軍体層２が形成さ
れる。このように構成されたヘッドは磁気記録媒体３に
垂直に近接して置かれる。こ）で、この導電体層２に端
子１３を介してバイアス電流１８を流すことにより近接
する高透磁率磁性体１０を磁化し、この磁化により生じ
る漏洩磁界を直流バイアス磁界として磁気抵抗効果素子
を磁化する。
このときの漏洩磁界及びＩＢによって生じる磁界は媒体
の磁化に影響しない程度の大きさであることは言うまで
もない。そして又、２つの磁性体層９及び１０は高透磁
率磁性体であるため、隣接ビットからの漏洩磁束を遮断
し、さらに磁気抵抗効果素子１に入ったｙ軸方向の信号
磁束の減衰を小さくする働きを併せもつ。こ）で高透磁
率磁性体層９及び１０としては、例えばパーマロィ膜（
数千Ａないし数ｒｍの厚さ）を、又磁気抵抗効果素子１
としてはパーマロィ等の強磁性体（数百Ａの厚さ）、絶
縁体としてはＳｉ０やＳｉＱあるいはＡＩ２０３等（数
千Ａの厚さ）を、導電体としては金や銅あるいはアルミ
ニウム等（数千Ａないし数ｒｍ）を薄膜技術を用いて形
成したものが適する。なお他方の磁気シールド板は基体
を兼ねたフェライト基板であってもよい。分解能は磁気
シールド板９，１０と磁気抵抗効果素子１との距離ｇで
決定されるが、このｇの調節は第２図に示した従来のヘ
ッドのようにはバイアス磁界印加手段をギャップ内に設
ける必要がないためはるかに容易になる。
の磁化に影響しない程度の大きさであることは言うまで
もない。そして又、２つの磁性体層９及び１０は高透磁
率磁性体であるため、隣接ビットからの漏洩磁束を遮断
し、さらに磁気抵抗効果素子１に入ったｙ軸方向の信号
磁束の減衰を小さくする働きを併せもつ。こ）で高透磁
率磁性体層９及び１０としては、例えばパーマロィ膜（
数千Ａないし数ｒｍの厚さ）を、又磁気抵抗効果素子１
としてはパーマロィ等の強磁性体（数百Ａの厚さ）、絶
縁体としてはＳｉ０やＳｉＱあるいはＡＩ２０３等（数
千Ａの厚さ）を、導電体としては金や銅あるいはアルミ
ニウム等（数千Ａないし数ｒｍ）を薄膜技術を用いて形
成したものが適する。なお他方の磁気シールド板は基体
を兼ねたフェライト基板であってもよい。分解能は磁気
シールド板９，１０と磁気抵抗効果素子１との距離ｇで
決定されるが、このｇの調節は第２図に示した従来のヘ
ッドのようにはバイアス磁界印加手段をギャップ内に設
ける必要がないためはるかに容易になる。
この事は高分解能へツドを得る場合に、バイアス磁界印
加手段から何らの制約を受けることなくギャップｇを小
さくできるため特に有効である。又、導電体層２と磁気
抵抗効果素子１とは離れているため、ピンホールや研磨
だれでショートすることが少なくなり良品率は向上し、
さらにバイアス用導体に流す電流ＩＢによる発熱のため
に磁気抵抗効果素子１は温度上昇することになるが、発
熱源と離れているので温度変化によって生じる出力の変
動は小さくできる。この実施例では導電体層２と磁気シ
ールド板１０とは絶縁されているが、導電体層２は磁気
シールド板１０を磁化しさえすればよいので必ずしも絶
縁は必要ではない。
加手段から何らの制約を受けることなくギャップｇを小
さくできるため特に有効である。又、導電体層２と磁気
抵抗効果素子１とは離れているため、ピンホールや研磨
だれでショートすることが少なくなり良品率は向上し、
さらにバイアス用導体に流す電流ＩＢによる発熱のため
に磁気抵抗効果素子１は温度上昇することになるが、発
熱源と離れているので温度変化によって生じる出力の変
動は小さくできる。この実施例では導電体層２と磁気シ
ールド板１０とは絶縁されているが、導電体層２は磁気
シールド板１０を磁化しさえすればよいので必ずしも絶
縁は必要ではない。
しかしこのように絶縁した場合には渦電流による実効透
磁率の低下などが防げる。以上の発明をさらに拡張し、
第４図に示すように、第３図で示した導電体層２の上に
さらに絶縁体層より形成されるＳＰ（スペース）を介し
て高透磁率磁性体１１を設け、書き込み機能を併せもた
せることもできる。
磁率の低下などが防げる。以上の発明をさらに拡張し、
第４図に示すように、第３図で示した導電体層２の上に
さらに絶縁体層より形成されるＳＰ（スペース）を介し
て高透磁率磁性体１１を設け、書き込み機能を併せもた
せることもできる。
即ち、再生時には第３図に示した構成と全く同様に、端
子１３を介して導電体層２に直流バイアス電流ＩＢを流
し、高透磁率磁性体９，１川こよって形成されるギャッ
プ２ｇを再生ギャップとして媒体からの磁気情報を読み
出す。一方、書き込み時には高透磁率磁性体１０，１１
によって形成されるギャップＧを書き込みギャップとし
、媒体に十分書き込みが行えるようにこの磁性体１０，
１１を磁化するに十分な大きさの電流を書き込み電流と
して前記端子１３を介して導電体層２に流す。以上説明
した如く、本発明によれば、直流バイアス磁場印加用導
電体層を再生ギャップの外に設けた、読み出し分解能を
高め、良品率を高くする効果をもたらすばかりでなく書
込みヘッドをも構成し得る特徴を有する磁気ヘッドが達
成される。
子１３を介して導電体層２に直流バイアス電流ＩＢを流
し、高透磁率磁性体９，１川こよって形成されるギャッ
プ２ｇを再生ギャップとして媒体からの磁気情報を読み
出す。一方、書き込み時には高透磁率磁性体１０，１１
によって形成されるギャップＧを書き込みギャップとし
、媒体に十分書き込みが行えるようにこの磁性体１０，
１１を磁化するに十分な大きさの電流を書き込み電流と
して前記端子１３を介して導電体層２に流す。以上説明
した如く、本発明によれば、直流バイアス磁場印加用導
電体層を再生ギャップの外に設けた、読み出し分解能を
高め、良品率を高くする効果をもたらすばかりでなく書
込みヘッドをも構成し得る特徴を有する磁気ヘッドが達
成される。
第１図は磁気抵抗効果素子に直流バイアス磁界を加える
従釆の方法を示す概略斜視図で、ａはコンダクターバイ
アス法、ｂは永久磁石バイアス法、第２図は、従来の直
流バイアス磁界印加手段と、磁気シールドとを具備した
磁気抵抗効果ヘッドと磁気記録媒体を示す概略斜視図、
第３図は、本発明の第１の発明による磁気ヘッドの一実
施例と磁気記録媒体を示す概略斜視図、第４図は本発明
の第２の発明による磁気ヘッドの一実施例と磁気記録媒
体を示す概略斜視図である。 １・・・・・・磁気抵抗効果素子、２・・・・・・導電
体層、３・・・・・・磁気記録媒体、４・・・・・・永
久磁石薄膜、５，６，９，１０，１ １・・・・・・高
透磁率磁性体層、７・・・・・・直流バイアス印加手段
、８・・・・・・基体、１２・・・・・・磁気抵抗効果
ヘッド読み出し端子、１３・…・・電流供ｖ給端子。 紫′図 繁乙図 第３図 髪仏図
従釆の方法を示す概略斜視図で、ａはコンダクターバイ
アス法、ｂは永久磁石バイアス法、第２図は、従来の直
流バイアス磁界印加手段と、磁気シールドとを具備した
磁気抵抗効果ヘッドと磁気記録媒体を示す概略斜視図、
第３図は、本発明の第１の発明による磁気ヘッドの一実
施例と磁気記録媒体を示す概略斜視図、第４図は本発明
の第２の発明による磁気ヘッドの一実施例と磁気記録媒
体を示す概略斜視図である。 １・・・・・・磁気抵抗効果素子、２・・・・・・導電
体層、３・・・・・・磁気記録媒体、４・・・・・・永
久磁石薄膜、５，６，９，１０，１ １・・・・・・高
透磁率磁性体層、７・・・・・・直流バイアス印加手段
、８・・・・・・基体、１２・・・・・・磁気抵抗効果
ヘッド読み出し端子、１３・…・・電流供ｖ給端子。 紫′図 繁乙図 第３図 髪仏図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子とは絶
縁されてその両面を挾んでいる高透磁率磁性体からなる
２つのシールドと、このシールドの一方の外側に設けた
導電体層とから成り、この導電体層と前記一方のシール
ドとで前記磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加手段を
構成していることを特徴とする磁気ヘツド。 ２ 導電体層と一方のシールドの間に絶縁体層を設けた
特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。 ３ 磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子とは絶
縁されてその両面を挾んでいる高透磁率磁性体からなる
２つのシールドと、このシールドの一方の外側に絶縁体
層を介して設けた導電体層と、この導電体層上に絶縁体
層を介して設けた第２の高透磁率磁性体層とから成り、
この導電体層は前記一方のシールドとで前記磁気抵抗効
果素子のバイアス磁界印加手段を構成するとともに前記
一方のシールドおよび前記第２の高透磁率磁性体層とで
書き込みヘツドを構成していることを特徴とする磁気ヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061077A JPS6032244B2 (ja) | 1977-05-24 | 1977-05-24 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061077A JPS6032244B2 (ja) | 1977-05-24 | 1977-05-24 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53145608A JPS53145608A (en) | 1978-12-19 |
| JPS6032244B2 true JPS6032244B2 (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=13147191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6061077A Expired JPS6032244B2 (ja) | 1977-05-24 | 1977-05-24 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032244B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LU84210A1 (fr) * | 1982-06-17 | 1984-03-07 | Oreal | Composition a base de polymeres cationiques,de polymeres anioniques et de cires destinee a etre utilisee en cosmetique |
-
1977
- 1977-05-24 JP JP6061077A patent/JPS6032244B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53145608A (en) | 1978-12-19 |
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