JPS6020801B2 - 狭トラツク磁気ヘツドのバイアス方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基体上に積層された平板型磁気ヘッドであって
磁路内に磁気抵抗効果素子を含む構造の狭トラック磁気
ヘッドのバイアス方法に関する。

磁気ヘッドのトラック中は現在最も多く用いられている
フェライトヘッドでは主として大きい寸法の材料から精
密研摩によって所定のトラック中を得る方法が探られ、
一方薄膜ヘッドでは基板上に析出された磁性体をフオト
マスクを使って所定の中にエッチングし、得られた磁性
体の中をトラック中とする方法が探らげている。最も安
定に、従って比較的再現性よくトラック中が決められる
のは、研摩法では１００ミクロン以上であり、薄膜ヘッ
ドのエッチング法では２０ミクロン以上である。２０ミ
クロン以下のトラック中を決める有効な手段の１つは析
出された磁性体の厚さによって決める方法である。

トラック中を磁路を形成する磁性体の厚さによって決め
、検出信号を大きくする磁気ヘッドの１構成例として第
１図の如く滋路を形成する磁性体を分割し、分割された
磁路の層間に信号検出用に磁気抵抗効果素子を挿んだ構
造が考えられる。

第１図において、４は基本、５は磁気空隙、６は励磁用
導体、７は磁気抵抗効果素子により信号を検出すべき信
号用導体である。周知の様に磁気抵抗効果素子（以下Ｍ
Ｒ素子と称する。）を再生ヘッドとした磁気ヘッドは再
生信号が大きく、従来の誘導型磁気ヘッドが単位巻線当
りｌｒｖ／ｒｍ程度の再生信号なのに対し、ＭＲ素子を
使った磁気ヘッドでは２０〜４０ｒｖ／ムｍと１桁以上
大きな再生信号を得る能力がある。さて第１図に示した
構造の磁気ヘッドが有効に機能する為には、付加すべき
１つの条件がある。

それは何らかの方法で前記ＭＲ素子の磁化の向きを磁路
の長さ方向から預けておかねばならないことである。即
ちＭＲ素子においては検知すべき磁気記録媒体からの漏
洩磁界によるＭＲ素子の磁化状態の変化を電気抵抗の変
化として検知するのであるが、第１図の如きＭＲ素の形
状では明らかに中方向の寸法が磁路の長さ方向に沿った
寸法に比して小さく検知すべき漏洩磁界が印加されない
状態でも、ＭＲ素子の磁化は磁路に沿った長さ方向に向
いており、検知すべき漏洩磁界が印加した状態でもＭＲ
素子内の磁化は磁路の長さ方向に沿った方向を向く為、
ＭＲ素子の亀気抵抗は検知すべき漏洩磁界の印加前後に
おいて変化を生ぜず、再生ヘッドとして機能しない。磁
路の長さ方向からＭＲ素子の磁化を懐ける周知の１方法
として高抗磁力磁性体による方法が考えられる。

しかしながらかかる方法は第１図の礎造の磁気ヘッドに
おいては、即ち磁路の殆ど全長にわたってＭＲ素子が存
在する構造においては、Ｍ旧素子の全長にわたってＭＲ
素子の磁化を滋略の長さ方向から一定の角度を煩ける様
に高抗磁力磁性体の残留磁化を設定することは必ずしも
容易ではない。本発明の目的はかかる欠点を改善した優
れたバイアス方法を提供することである。

即ち本発明に成るバイアス方法においては、基体上に、
基体表面に平行に滋路を形成すべき高透磁率磁性体を例
えば２層に分割し、分割された高透磁率磁性体の少くと
も１層を導鰭性の高透磁率磁性体で形成し、この導電性
高透磁率磁性体に電流を流すことによって、前記２層に
分割された高透磁率磁性体間にはさまれたＭＲ素子にバ
イアス磁界を加える様に構成される。以下本発明を図面
を用いて説明する。

第２図は本発明に成るバイアス方法の１実施例である。

第２図においては基体１１の上に磁路を形成すべき高透
磁率磁性体１２，１３が積層これ、１２，１３の間にＭ
Ｒ素子１４、絶縁体１５がはざまつている。本実施例に
おいては高透磁率磁性体１２，１３の中、１２は導鰭性
であり、１３は絶縁性である。

端子１６，１７はＭＲ素子１４の出力を検知すべき導体
の端子、端子１８，１９は導電性高透磁率磁性体１２に
バイアス電流を流すべき導体の端子である。第２図の構
造において導電性高透磁率磁性体に流す電流による磁界
は磁路の中方向を向いており、この磁場によってＭＲ素
子１４の磁化Ｍは磁路の長さ方向から角度０だけ懐き、
かかる磁化状態でのＭＲ素子１４の電気抵抗と、検知す
べき磁界によってＭの懐き角８が変った状態でのＭＲ素
子１４の電気抵抗の差が当該ＭＲ素子の出力として電圧
に変換されて検知される。第２図の構成においては、端
子１８，１９間に流す電流の大きさによってＭＲ素子１
４の磁化Ｍの懐き角８は異なる。もし０が略９０度であ
れば、磁気記録媒体に記録された情報が２方向性の情報
であっても得られる再生信号は同一符号を持った１方向
性の波形としてしか現われないが、ａが略４５度であれ
ば、記録媒体の２方向性情報に対応して、得られる再生
信号は異なる符号をもつ２方向性の出力波形として現わ
れる。本発明に成るバイアス方法の他の利点の１つは、
信号を検知する為にＭＲ素子に流す信号用電流自体をバ
イアス電流として使用でき、従って端子は最低限の本数
で済む点にある。

例えば第２図においては、端子１６と１８を互いに結合
させることにより端子は１７，１９の２本で済む。本発
明のバイアス方法の他の実施例は第３図の如く、分割さ
れた滋路を形成すべき高透磁率磁性体のＭＲ素子２４を
はさむ両側の高透磁率磁性体２２，２３をともに導母性
高透磁率磁性体として、これら導電性高透磁率磁性体２
２，２３にバイアス電流を流す構造のものである。この
場合もちろんＭＲ素子２４の両側に絶縁体２５，２６が
必要である。第３図において、２１は基体、２７，２８
，２９，３０は各々電流用端子である。第３図において
、導電性高透磁率磁性体２２及び２３に別々にバイアス
電流を流しても良いが、その場合は端子が余分に必要で
あり、図の如く、直列に結合した方が端子が少〈て済む
。更に第２図に関連して述べた如く、第３図において、
端子２８，２９を互いに結合して、ＭＲ素子２４の信号
用鰭流を以つててバイアス電流とする方法により、端子
は２７と３０の２本のみで済む。即ち第２図、第３図何
れの構成においても端子は最少の２本で済む利点が明ら
かである。なお、第２図と第３図においては、磁路の形
成すべき高透磁率磁性体の分割数は２の場合を図示した
が、更に多層に分割し、その各々の層間にＭ旧素子をは
さむ構成ももちろん可能で、かつ分割数を増しても、電
流端子は２本で済むことは上述の説明で明らかである。

第２図、第３図を用いて、本発明に成るバイアス方法及
び磁気記録媒体からの信号再生について述べたが、磁気
記録媒体に磁気的情報を記録する際は、励磁用導体６に
記録すべき情報に応じた電気信号を通電することにより
、高透磁率磁性体１２，１３及び２２，２３更にはＭＲ
素子１４及び２４の磁化を励磁せしめ、磁気的に不連続
な磁気空隙部分に発生する漏洩磁界を磁気記録媒体に転
写することいより情報が記録される。

尚、励磁用導体を形成する為に高透磁率磁性体と基体と
の間に導体層及び絶縁体層が入り得ることは明らかであ
る。

以上述べた如く、本発明は高抗磁力磁性体等の余力な構
成層を入れることなく、バイアス印加が可能で更に、外
部回路との接続端子は常にＭＲ素子の信号検出用の２端
子のみでバイアス印加が可能な優れた構造の狭トラック
磁気ヘッドを与えるものである。

【図面の簡単な説明】 第１図はバイアス構成を持たない構造の１例を、第２図
、第３図は夫々実施例を示す。 ４，１１，２１……基体、１，２，１２，１３，２２，
２３・・・・・・高透磁率磁性体、３，１ ４，２４…
…ＭＲ素子、１５，２５，２６…・・・絶縁体、６・・
・・・・励磁用導体、７，１６，１７，１８，０ １９
，２７，２８，２９，３０・・・・・・導体端子。 オー図多２図 髪３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 一部に磁気的に不連続な磁気空隙を有し、かつ基本
   表面に平行に磁路を形成した高透磁率磁性体と当該高透
   磁率磁性体を励磁するための励磁用導体を備え、当該高
   透磁率磁性体が２層以上に分割され、当該分割された高
   透磁率磁性体層の層間の少くとも１個所の層間に導電性
   高透磁率磁性体から成る磁気抵抗効果素子を含む構造を
   有する狭トラツク磁気ヘツドにおいて、当該分割された
   磁路を形成すべき高透磁率磁性体層の少くとも１層を導
   電性高透磁率磁性体で形成し、当該導電性高透磁率磁性
   体に電流を流して発生する磁界によつて前記磁気抵抗効
   果素子にバイアス磁界を付加することを特徴とする狭ト
   ラツク磁気ヘツドのバイアス方法。