JPS6032383A - 周期構造体の製造方法 - Google Patents
周期構造体の製造方法Info
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- JPS6032383A JPS6032383A JP58141557A JP14155783A JPS6032383A JP S6032383 A JPS6032383 A JP S6032383A JP 58141557 A JP58141557 A JP 58141557A JP 14155783 A JP14155783 A JP 14155783A JP S6032383 A JPS6032383 A JP S6032383A
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- periodic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
- H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、周期構造体の製造方法に関するものである
。
。
従来例の構成とその問題点
近年、周期構造体は、分布帰還型のレーザや光回路に多
く用いられている。
く用いられている。
以下図面を参照しながら、上述したような従来の周期構
造体の製造方法を分布帰還型レーザの作製例を用いて説
明する。作製例の分布帰還型レーザは１．３μｍの発光
波長を有するＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の素子である。
造体の製造方法を分布帰還型レーザの作製例を用いて説
明する。作製例の分布帰還型レーザは１．３μｍの発光
波長を有するＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の素子である。
第１図は上記分布帰還型レーザの周期構造体製造工程図
である。第１図におして、１はバンドギャップが１．１
ｅＶのＰ型ＩｎＧａＡｓＰ 導波層、２はバンドギャッ
プが０．９６ｅＶのｎＷＩｎＧａＡｓＰ発光層、３はｎ
型のＩｎＰ クラッド層、４はｎ型のＩｎＰ 基板、５
はレジスト層、６および７は波長が３２５０への平面波
の進行方向、８は１８６０への周期でストライプ状に残
されたレジスト、９は８のレジストパターンを用いて形
成された周期的溝、１０はＰ型のＩｎＰ クラッド層、
１１はバンドギヤングが１．１ ｅＶのＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層である。
である。第１図におして、１はバンドギャップが１．１
ｅＶのＰ型ＩｎＧａＡｓＰ 導波層、２はバンドギャッ
プが０．９６ｅＶのｎＷＩｎＧａＡｓＰ発光層、３はｎ
型のＩｎＰ クラッド層、４はｎ型のＩｎＰ 基板、５
はレジスト層、６および７は波長が３２５０への平面波
の進行方向、８は１８６０への周期でストライプ状に残
されたレジスト、９は８のレジストパターンを用いて形
成された周期的溝、１０はＰ型のＩｎＰ クラッド層、
１１はバンドギヤングが１．１ ｅＶのＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層である。
第１図ａは周期構造体を形成する基体であり、導波層１
１発光層２．クラッド層３．基板４がら成っている。前
記基体上に第１図すに示すように、たとえばポジ型しジ
ス） Ａ Ｚ −１３６０ヲＡ Ｚ −シンナーで１：
２に希釈して毎分５０００回転で塗布して約１００ｏ人
のレジスト層５を形成した後に９０℃２０分のベーキン
グを行い、しかるのち波長が３２５０へのＨｅ −Ｃｄ
レーザ光の平面波６および７を用いて２光束干渉露光
を行う。平面波６および７は、レジスト層５に垂直な同
一平面内に位置しレジスト層５の 線に対して６１度の
角度を成して向もあっている。１４０℃２ｏ分のベーキ
ング後、第１図Ｃに示すように１８６０人周期の周期的
レジストパターン８を得る。
１発光層２．クラッド層３．基板４がら成っている。前
記基体上に第１図すに示すように、たとえばポジ型しジ
ス） Ａ Ｚ −１３６０ヲＡ Ｚ −シンナーで１：
２に希釈して毎分５０００回転で塗布して約１００ｏ人
のレジスト層５を形成した後に９０℃２０分のベーキン
グを行い、しかるのち波長が３２５０へのＨｅ −Ｃｄ
レーザ光の平面波６および７を用いて２光束干渉露光
を行う。平面波６および７は、レジスト層５に垂直な同
一平面内に位置しレジスト層５の 線に対して６１度の
角度を成して向もあっている。１４０℃２ｏ分のベーキ
ング後、第１図Ｃに示すように１８６０人周期の周期的
レジストパターン８を得る。
この後ＨＢ ｒ 、 ＨＮＯ３，Ｈ２Ｏを１：１：５１
７）割合で混ぜあわせた溶液を用いて約３０秒間導波層
１のエツチングを行い、第１図ｄに示すように周期１８
６０人の周期構造体９を形成する。レーザ構造はこの後
に、第１図ｅに示すようにＰ型ＩｎＰ クラッド層１ｏ
１ Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ 層１１を結晶成長することに
より得られる。
７）割合で混ぜあわせた溶液を用いて約３０秒間導波層
１のエツチングを行い、第１図ｄに示すように周期１８
６０人の周期構造体９を形成する。レーザ構造はこの後
に、第１図ｅに示すようにＰ型ＩｎＰ クラッド層１ｏ
１ Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ 層１１を結晶成長することに
より得られる。
ところがここに説明したような周期構造体の製造方法は
、精密に配置された全く震動のない光学系が必要である
という理由と、レーザ光強度が本来ガウス分布であるた
めに大面積のレーザ光平面波を得ることが困難で周期構
造体を大面積にわたって形成することが困難であるとい
う理由から産業用の周期構造体の製造方法として１は不
むきであった。
、精密に配置された全く震動のない光学系が必要である
という理由と、レーザ光強度が本来ガウス分布であるた
めに大面積のレーザ光平面波を得ることが困難で周期構
造体を大面積にわたって形成することが困難であるとい
う理由から産業用の周期構造体の製造方法として１は不
むきであった。
発明の目的
本発明の目的は上記欠点に鑑み、精密な光学系を必要と
せずしかも大面積にわたって周期構造体を形成すること
が可能な産業用に適した周期構造体の製造方法を提供す
ることである。
せずしかも大面積にわたって周期構造体を形成すること
が可能な産業用に適した周期構造体の製造方法を提供す
ることである。
発明の構成
本発明は、単結晶基板表面に異方性エツチングによって
第１の凹部を形成する第１の工程と、前記基板表面全域
にエンチングマスク用被膜を被覆する第２の工程と、前
記エツチングマスク用被膜を選択的に除去して前記第１
の四部にのみエンチング被膜を埋設する第３の工程と、
前記埋設されだエツチング被膜をマスクにして前記基板
表面を異方性エツチングして前記第１の凹部に隣接した
第２の凹部を形成する第４の工程とを有することを特徴
とするものである。そして望ましくはエツチングマスク
用被膜の選択除去をドライエツチングにて行い、エツチ
ングマスク用被膜がポジ型フォトレジストであり、前記
ポジ型フォトレジストの選択除去を全面露光後の現像処
理により行う。
第１の凹部を形成する第１の工程と、前記基板表面全域
にエンチングマスク用被膜を被覆する第２の工程と、前
記エツチングマスク用被膜を選択的に除去して前記第１
の四部にのみエンチング被膜を埋設する第３の工程と、
前記埋設されだエツチング被膜をマスクにして前記基板
表面を異方性エツチングして前記第１の凹部に隣接した
第２の凹部を形成する第４の工程とを有することを特徴
とするものである。そして望ましくはエツチングマスク
用被膜の選択除去をドライエツチングにて行い、エツチ
ングマスク用被膜がポジ型フォトレジストであり、前記
ポジ型フォトレジストの選択除去を全面露光後の現像処
理により行う。
まだ、本発明は、単結晶基板表面に異方性エツチングに
て第」の凹部を形成する第１の工程と、前記基板表面全
域にエツチングマスク用被膜を被覆する第２の工程と、
前記エツチングマスク用被膜を選択的に除去して前記第
１の凹部にのみエツチング被膜を埋設する第３の工程と
、前記埋設されたエツチング被膜をマスクにして前記基
板を異方性エツチングして前記第１の四部に隣接した第
２の凹部を形成する第４の工程と、前記四部の一部にエ
ツチングマスク用被膜を埋設し、このエツチングマスク
用被膜をマスクとして前記基板を異方性エツチングして
別の凹部を形成する第５の工程とを有し、前記第５の工
程を１回以上用いることを特徴とするものである。そし
て、この場合も望捷しくはエツチングマスク用被膜の選
択除去をドライエツチングにて行う。
て第」の凹部を形成する第１の工程と、前記基板表面全
域にエツチングマスク用被膜を被覆する第２の工程と、
前記エツチングマスク用被膜を選択的に除去して前記第
１の凹部にのみエツチング被膜を埋設する第３の工程と
、前記埋設されたエツチング被膜をマスクにして前記基
板を異方性エツチングして前記第１の四部に隣接した第
２の凹部を形成する第４の工程と、前記四部の一部にエ
ツチングマスク用被膜を埋設し、このエツチングマスク
用被膜をマスクとして前記基板を異方性エツチングして
別の凹部を形成する第５の工程とを有し、前記第５の工
程を１回以上用いることを特徴とするものである。そし
て、この場合も望捷しくはエツチングマスク用被膜の選
択除去をドライエツチングにて行う。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。本実施例は、１．３μｍ発光波長のＤＦ Ｂ
（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａｃｋ ）構
造を有する分布帰還型半導体レーザにおける３７６０人
周期の周期構造体の製造例である。
明する。本実施例は、１．３μｍ発光波長のＤＦ Ｂ
（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａｃｋ ）構
造を有する分布帰還型半導体レーザにおける３７６０人
周期の周期構造体の製造例である。
第２図は本実施例の周期構造体の製造工程を示す。
第２図において、１２はバンドギャップが１．１ｅ■の
Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ 導波層、１３はバンドギャップが
０．９６ｅＶ のｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 発光層、１４は
ｎ型のＩｎＰ クラッド層、１５はｎ型のＩｎＰ基板、
１６は周期的に残されたストライプ形状のレジスト、１
７はレジスト１６をマスクとして形成された周期的凹部
、１８は導波層１２の表面全域を被覆するエツチングマ
スク用被膜、１９は周期的凹部１３に埋設されたエツチ
ングマスク、２゜はエツチングマスク１９をマスクとし
て形成した周期的四部、２１は周期的凹部１３および周
期的凹部２０とからなる第１の周期構造体、２２は第１
の周期構造体２１表面全域を被覆するエツチングマスク
用被膜、２３は周期的凹部に埋設したエツチングマスク
、２４はエツチングマスク２３にマスクされた周期的凹
部、２５はエツチングマスク２３をマスクとして形成さ
れた周期的凹部、２６は周期的凹部２４および周期的凹
部２６からなる第２の周期構造体、２７はＰ型ＩｎＰ
クラッド層、２８はバンドギャップが１．１ｅＶのＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層である。
Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ 導波層、１３はバンドギャップが
０．９６ｅＶ のｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 発光層、１４は
ｎ型のＩｎＰ クラッド層、１５はｎ型のＩｎＰ基板、
１６は周期的に残されたストライプ形状のレジスト、１
７はレジスト１６をマスクとして形成された周期的凹部
、１８は導波層１２の表面全域を被覆するエツチングマ
スク用被膜、１９は周期的凹部１３に埋設されたエツチ
ングマスク、２゜はエツチングマスク１９をマスクとし
て形成した周期的四部、２１は周期的凹部１３および周
期的凹部２０とからなる第１の周期構造体、２２は第１
の周期構造体２１表面全域を被覆するエツチングマスク
用被膜、２３は周期的凹部に埋設したエツチングマスク
、２４はエツチングマスク２３にマスクされた周期的凹
部、２５はエツチングマスク２３をマスクとして形成さ
れた周期的凹部、２６は周期的凹部２４および周期的凹
部２６からなる第２の周期構造体、２７はＰ型ＩｎＰ
クラッド層、２８はバンドギャップが１．１ｅＶのＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層である。
第２図ａは、周期構造体を形成する基体であり、導波層
１２２発光層１３．クラッド層１４．基板１５から成っ
ている。まずフォトマスクを用いた既知のフォトリング
ラフィにより、１．６μｍ周期で０．８μｍの太さにレ
ジストを周期的に残したレジストパターン１６を形成す
る。
１２２発光層１３．クラッド層１４．基板１５から成っ
ている。まずフォトマスクを用いた既知のフォトリング
ラフィにより、１．６μｍ周期で０．８μｍの太さにレ
ジストを周期的に残したレジストパターン１６を形成す
る。
しかる後にこのレジスト１６をマスクにした異方性エツ
チングにより第２図すに示す周期的四部１７を形成する
。本実施例は（１００）の面方位の結晶を用いて、周期
的四部１７の形状が７字形になるようにしているが、他
の面方位の結晶でも周期的凹部の形状が７字形になるも
のであれば良い。本実施例では、ＨＢｒ、ＨＮＯ３，Ｈ
２Ｏを１＝１：５の割合で混ぜあわせたエツチング溶液
を用いてエツチングすることにより（１１１）面からな
るＶ字形の凹部を得ている。
チングにより第２図すに示す周期的四部１７を形成する
。本実施例は（１００）の面方位の結晶を用いて、周期
的四部１７の形状が７字形になるようにしているが、他
の面方位の結晶でも周期的凹部の形状が７字形になるも
のであれば良い。本実施例では、ＨＢｒ、ＨＮＯ３，Ｈ
２Ｏを１＝１：５の割合で混ぜあわせたエツチング溶液
を用いてエツチングすることにより（１１１）面からな
るＶ字形の凹部を得ている。
周期的凹部１７を形成した後レジスト１６を除去し、次
いで第２図Ｃに示すようにエツチングマスク用被膜１８
を形成する。エツチングマスク用破膜の材料としては、
ネガ型およびポジ型レジスト、ポリイミド等の液状有機
物フィルム材料、液状ンリカフィルムでも良い。エツチ
ングマスク用被膜１８の表面はできるだけ平坦であるこ
とが望ましく、前記材料を回転塗布した場合平坦な面が
得られる。本実施例はポジ型レジストをエツチングマス
クとして用いた。ドライエツチング法によりエツチング
マスク用被膜１８をエツチングして第２図ｄに示すエツ
チングマスク１９を形成する。
いで第２図Ｃに示すようにエツチングマスク用被膜１８
を形成する。エツチングマスク用破膜の材料としては、
ネガ型およびポジ型レジスト、ポリイミド等の液状有機
物フィルム材料、液状ンリカフィルムでも良い。エツチ
ングマスク用被膜１８の表面はできるだけ平坦であるこ
とが望ましく、前記材料を回転塗布した場合平坦な面が
得られる。本実施例はポジ型レジストをエツチングマス
クとして用いた。ドライエツチング法によりエツチング
マスク用被膜１８をエツチングして第２図ｄに示すエツ
チングマスク１９を形成する。
本実Ｍ例では０２雰囲気によるドライエツチングを用い
た。特にエツチングマスク用被膜としてポジレジストを
用いる場合には、エツチングマスク用被膜１８を適度に
全面露光して、現像処理を行うことによりドライエツチ
ング法を用いずにエツチングマスク１９を形成できる。
た。特にエツチングマスク用被膜としてポジレジストを
用いる場合には、エツチングマスク用被膜１８を適度に
全面露光して、現像処理を行うことによりドライエツチ
ング法を用いずにエツチングマスク１９を形成できる。
これは周期的四部は光の散乱によりレジストが露光され
にくいことによる。
にくいことによる。
次にエツチングマスク１９を用いて前記エツチング溶液
による異方性エツチングを行い第２図ｅに示す周期的凹
部２０を得る。エツチングマスク１９を取り除いた後、
周期的凹部１７および周期的四部２０とからなる７５０
０人の周期を有する第１の周期構造体２１上にエツチン
グマスク用被膜１８とまったく同様にして第２図ｆに示
すようにあらたなエツチングマスク用被膜２２を塗布す
る。
による異方性エツチングを行い第２図ｅに示す周期的凹
部２０を得る。エツチングマスク１９を取り除いた後、
周期的凹部１７および周期的四部２０とからなる７５０
０人の周期を有する第１の周期構造体２１上にエツチン
グマスク用被膜１８とまったく同様にして第２図ｆに示
すようにあらたなエツチングマスク用被膜２２を塗布す
る。
本実施例ではポジ型レジストである。
次にドライエツチングによりエツチングマスク用被膜２
２をエツチングし、第２図ｑに示すように周期構造体２
１の凹部の半分までエツチングマスク用被膜２２が埋設
されるようにしてエツチングマスク２３とする。次に前
記エツチング溶液を用いて異方性エツチングを行い第２
図りに示す周期的凹部２５を得る。エツチングマスク２
３を取り除くと、周期的凹部２４および周期的凹部２５
からなる３７５０への周期を有する第２の周期構造体２
６が形成さ五る。周期構造体の形成を終えた前記基体は
Ｐ型ＩｎＰ クラッド層２７、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ コ
ンタクト層２８を結晶成長して第２図１に示すレーザ構
造を得る。
２をエツチングし、第２図ｑに示すように周期構造体２
１の凹部の半分までエツチングマスク用被膜２２が埋設
されるようにしてエツチングマスク２３とする。次に前
記エツチング溶液を用いて異方性エツチングを行い第２
図りに示す周期的凹部２５を得る。エツチングマスク２
３を取り除くと、周期的凹部２４および周期的凹部２５
からなる３７５０への周期を有する第２の周期構造体２
６が形成さ五る。周期構造体の形成を終えた前記基体は
Ｐ型ＩｎＰ クラッド層２７、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ コ
ンタクト層２８を結晶成長して第２図１に示すレーザ構
造を得る。
本実施例では、周期構造体の形成をＤＦＢ構造を有する
分布帰還型半導体レーザの場合について説明しだが、他
の素子にも応用が可能であり、例えばＤＢＲ構造を有す
る分布帰還壁レーザおよび光回路中の各種グレイティン
グに用いることができ、周期溝道を有するものならば応
用はこの限りではない。まだ上記周期構造体製造工程の
一部をｎ回くり返すことにより、周期構造体の周期を１
／２ｎの大きさにすることができる。
分布帰還型半導体レーザの場合について説明しだが、他
の素子にも応用が可能であり、例えばＤＢＲ構造を有す
る分布帰還壁レーザおよび光回路中の各種グレイティン
グに用いることができ、周期溝道を有するものならば応
用はこの限りではない。まだ上記周期構造体製造工程の
一部をｎ回くり返すことにより、周期構造体の周期を１
／２ｎの大きさにすることができる。
発明の効果
上記のように、本発明においては、精密な光学系を必要
とせずに、しかも大面積の産業用に適した周期構造体を
容易に得ることができるすぐれた効果を発揮することが
できる。
とせずに、しかも大面積の産業用に適した周期構造体を
容易に得ることができるすぐれた効果を発揮することが
できる。
第１図ａ−ｅは従来例におけるレーザの周期構造体製造
方法の工程図、第２図ａ ％ ｉは本発明の一実施例に
おけるレーザの周期的溝遺体の製造工程図である。 １２ ・導波層、１７，２４．２５ ・−周期的凹部、
１８ 、２２ ・・エツチングマスク用被膜、１９．２
３ ・・エツチングマスク、２１・・・・・第１の周期
構造体、２６ ・ 第２の周期構造体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第１図 第２図 第２図
方法の工程図、第２図ａ ％ ｉは本発明の一実施例に
おけるレーザの周期的溝遺体の製造工程図である。 １２ ・導波層、１７，２４．２５ ・−周期的凹部、
１８ 、２２ ・・エツチングマスク用被膜、１９．２
３ ・・エツチングマスク、２１・・・・・第１の周期
構造体、２６ ・ 第２の周期構造体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第１図 第２図 第２図
Claims (5)
- （１） 単結晶基板表面に異方性エツチングにて第１の
四部を形成する第１の工程と、前記基板表面全域にエツ
チングマスク用被膜を被覆する第２の工程と、前記エツ
チングマスク用被膜を選択的に除去して前記第１の四部
にのみエツチング被膜を埋設する第３の工程と、前記埋
設されたエツチング被膜をマスクにして前記基板を異方
性エツチングして前記第１の凹部に隣接した第２の凹部
を形成する第４の工程とを有することを特徴とする周期
構造体の製造方法。 - （２） エツチングマスク用被膜の選択除去をドライエ
ツチングにて行うことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の周期構造体の製造方法。 - （３） エツチングマスク用被膜がポジ型フォトレジス
トであり、前記ポジ型フォトレジストの選択除去を全面
露光後の現像処理により行うこと、を特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の周期構造体の製造方法。 - （４）単結晶基板表面に異方性エツチングにて第１の凹
部を形成する第１の工程と、前記基板表面全域忙エツチ
ングマスク用被膜を被覆する第２の工程と、前記エツチ
ングマスク用被膜を選択的に除去して前記第１の凹部に
のみエツチング被膜を埋設する第３の工程と、前記埋設
されだエツチング被膜をマスクにして前記基板を異方性
エツチングして前記第１の凹部に隣接し／こ第２の四部
を形成する第４の工程と、前記凹部の一部にエツチング
マスク用被膜を埋設し、このエツチングマスク用被膜を
マスクとして前記基板を異方性エノチノグして別の四部
を形成する第５の工程とを有するととを特徴とする周期
構造体の製造方法。 - （５） エツチングマスク用被膜の選択除去をドライエ
ツチングにて行うことを特徴とする特許請求のグ 範囲第字項に記載の周期構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141557A JPS6032383A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 周期構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141557A JPS6032383A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 周期構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032383A true JPS6032383A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0418717B2 JPH0418717B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=15294736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141557A Granted JPS6032383A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 周期構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014132586A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 富士フイルム株式会社 | 微細凹凸構造体の製造方法およびその方法により製造される微細凹凸構造体 |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP58141557A patent/JPS6032383A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014132586A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 富士フイルム株式会社 | 微細凹凸構造体の製造方法およびその方法により製造される微細凹凸構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418717B2 (ja) | 1992-03-27 |
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