JPS6032961B2 - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
- Publication number
- JPS6032961B2 JPS6032961B2 JP52131692A JP13169277A JPS6032961B2 JP S6032961 B2 JPS6032961 B2 JP S6032961B2 JP 52131692 A JP52131692 A JP 52131692A JP 13169277 A JP13169277 A JP 13169277A JP S6032961 B2 JPS6032961 B2 JP S6032961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum
- thin film
- resistance
- shelved
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜抵抗体とその製造方法に関する。
従来、窒化タンタルや窒化チタンなどが抵抗薄膜として
用いられてきたが、これらは窒化を進めて薄膜の比抵抗
をあげると、抵抗の温度係数が増大し、安定性も悪く、
実用的でなくなるので、窒化をおさえた抵し、比抵抗の
範囲（〜２６０ム○肌くらい）で使用せざるを得なかっ
た。従って抵抗素子が著しく大きくなり、混成集積回路
の高集積化の妨げとなる欠点があった。又、個別抵抗器
として大きな抵抗値を得ることも困難であった。
用いられてきたが、これらは窒化を進めて薄膜の比抵抗
をあげると、抵抗の温度係数が増大し、安定性も悪く、
実用的でなくなるので、窒化をおさえた抵し、比抵抗の
範囲（〜２６０ム○肌くらい）で使用せざるを得なかっ
た。従って抵抗素子が著しく大きくなり、混成集積回路
の高集積化の妨げとなる欠点があった。又、個別抵抗器
として大きな抵抗値を得ることも困難であった。
本発明は比抵抗の設定可能範囲が広く、抵抗の温度係数
が小さ，くかつ、熱的に安定で、湿度経時変化などの諸
還境の変化に対して安定な新規な薄膜抵抗体を提供する
もので、棚化モリブデンよりなることを特徴とする薄膜
抵抗体である。
が小さ，くかつ、熱的に安定で、湿度経時変化などの諸
還境の変化に対して安定な新規な薄膜抵抗体を提供する
もので、棚化モリブデンよりなることを特徴とする薄膜
抵抗体である。
棚化モリブデンの薄膜抵抗体の製造は電子ビーム蒸着、
スパッタリングいずれも可能であり、電子ビーム蒸着で
の製造は棚化モリブデンの粉末を約１００ｋｇ／の以上
の圧力でプレスしてタブレットを作り、１×１０‐４Ｔ
ｏｍ以上の高真空度で、あらかじめ一定温度に保った基
板上に黍着させることができる。
スパッタリングいずれも可能であり、電子ビーム蒸着で
の製造は棚化モリブデンの粉末を約１００ｋｇ／の以上
の圧力でプレスしてタブレットを作り、１×１０‐４Ｔ
ｏｍ以上の高真空度で、あらかじめ一定温度に保った基
板上に黍着させることができる。
一方、スパッタリングで作製するときは、ターゲットに
棚化モリブデンを使う方法と、棚素と金属モリブデンを
同時にターゲットとする方法と金属モリブデンのみをタ
ーゲットとして活性スパッタリングを行う方法とがある
。棚化モリブデンをターゲットとする場合、例えば石英
皿の上に棚化モリブデンを粉末の状態もしくはプレスし
た状態で置くことによりターゲットとして用いることも
できるが、あらかじめ１１００ｑ○以上の真空ホットプ
レスにより焼結させたターゲットを使用する方が、スパ
ッタリングの制御は行いやすい。
棚化モリブデンを使う方法と、棚素と金属モリブデンを
同時にターゲットとする方法と金属モリブデンのみをタ
ーゲットとして活性スパッタリングを行う方法とがある
。棚化モリブデンをターゲットとする場合、例えば石英
皿の上に棚化モリブデンを粉末の状態もしくはプレスし
た状態で置くことによりターゲットとして用いることも
できるが、あらかじめ１１００ｑ○以上の真空ホットプ
レスにより焼結させたターゲットを使用する方が、スパ
ッタリングの制御は行いやすい。
また棚素と金属モリブデンを同時にターゲットとする場
合には柵素と金属モリブデンを混合するか、又は一方を
他方に埋め込んだり表面の一部に配置したりして、行う
ことができる。いずれの場合にも１×１０‐３Ｔｏｎ〜
５×１０‐ＩＴｏｎのアルゴン雰囲気で行うのがよく、
好ましくは１×１０‐２Ｔｏｎ〜１×１０‐ＩＴｏｒｒ
がよい。また活性スパッタリングを行う場合には金属モ
リブデン板などの金属単体をターゲットとして、アルゴ
ン、ジボランの混合ガス雰囲気中で行い、その時のガス
圧はアルゴンとジボランの全ガス圧１×１０‐４ｏｒｒ
〜５×１０‐ＩＴｏｎで好ましくは、１×１０‐２Ｔｏ
ｍ〜５×１０‐ＩＴｏｒｒで、ジボランは全圧力の１〜
１０％で好ましくは２〜６％がよい。またスパッタリン
グ中あるいは電子ビーム蒸着中に於いて２００ｑｏ〜５
００℃の基板加熱を行うことによって基板に対して棚化
モリブデンの密着性が向上し、又膜の安定性に効果があ
る。抵抗体の膜厚は１００Ａ〜５０００Ａ辺りの範囲が
適用でき、４００Ａ〜２０００Ａが好ましい。
合には柵素と金属モリブデンを混合するか、又は一方を
他方に埋め込んだり表面の一部に配置したりして、行う
ことができる。いずれの場合にも１×１０‐３Ｔｏｎ〜
５×１０‐ＩＴｏｎのアルゴン雰囲気で行うのがよく、
好ましくは１×１０‐２Ｔｏｎ〜１×１０‐ＩＴｏｒｒ
がよい。また活性スパッタリングを行う場合には金属モ
リブデン板などの金属単体をターゲットとして、アルゴ
ン、ジボランの混合ガス雰囲気中で行い、その時のガス
圧はアルゴンとジボランの全ガス圧１×１０‐４ｏｒｒ
〜５×１０‐ＩＴｏｎで好ましくは、１×１０‐２Ｔｏ
ｍ〜５×１０‐ＩＴｏｒｒで、ジボランは全圧力の１〜
１０％で好ましくは２〜６％がよい。またスパッタリン
グ中あるいは電子ビーム蒸着中に於いて２００ｑｏ〜５
００℃の基板加熱を行うことによって基板に対して棚化
モリブデンの密着性が向上し、又膜の安定性に効果があ
る。抵抗体の膜厚は１００Ａ〜５０００Ａ辺りの範囲が
適用でき、４００Ａ〜２０００Ａが好ましい。
つまり、４００Ａ以上だと均一で一様な膜が得やすく、
２０００Ａ以下だと適当な大きさのシート抵抗が得られ
て混成集積回路の高集積化に好ましい。この薄膜抵抗体
の基板としては、ガラス、マイ力、ＮａＣ１，山２０３
，グレーズドセラミツクス、Ｓｉ０２，Ｓｉ，ＧａＡｓ
等が適用できる。
２０００Ａ以下だと適当な大きさのシート抵抗が得られ
て混成集積回路の高集積化に好ましい。この薄膜抵抗体
の基板としては、ガラス、マイ力、ＮａＣ１，山２０３
，グレーズドセラミツクス、Ｓｉ０２，Ｓｉ，ＧａＡｓ
等が適用できる。
このようにして得られた棚化モリブデン薄膜抵抗体は比
抵抗が１５０山○肌〜５０００〃○弧と従来の窒化タン
タル等に比べてはるかに広い範囲に設定でき、また窒化
タンタルは抵抗温度係数が−１０伽ｐｍ／℃程度あった
ものが、本発明によれば−６０ｐｐｍ／００と小さくす
ることができた。本発明による棚化モリブデン薄膜は比
抵抗の設定可能範囲が広く、抵抗温度係数が小さく、優
れた安定性を有していて、混成集積回路の高集積化、抵
抗体の小型化に大きく貢献するものである。次に、実施
例について説明する。
抵抗が１５０山○肌〜５０００〃○弧と従来の窒化タン
タル等に比べてはるかに広い範囲に設定でき、また窒化
タンタルは抵抗温度係数が−１０伽ｐｍ／℃程度あった
ものが、本発明によれば−６０ｐｐｍ／００と小さくす
ることができた。本発明による棚化モリブデン薄膜は比
抵抗の設定可能範囲が広く、抵抗温度係数が小さく、優
れた安定性を有していて、混成集積回路の高集積化、抵
抗体の小型化に大きく貢献するものである。次に、実施
例について説明する。
（実施例 １）
あらかじめ十分に洗浄されたガラス基板（商品名；コー
ニング７０５９）に、１３００午０でホットプレスした
棚化モリブデンＭＯＢ（米国ペントロン社製、純度９９
％）をターゲットとして、高周波２極スパッタで、アル
ゴンのトータル圧力５×１げびｏｒｒ、基板加熱温度２
００ｑｏの条件にて１０００Ａの厚さの抵抗体を作製し
た。
ニング７０５９）に、１３００午０でホットプレスした
棚化モリブデンＭＯＢ（米国ペントロン社製、純度９９
％）をターゲットとして、高周波２極スパッタで、アル
ゴンのトータル圧力５×１げびｏｒｒ、基板加熱温度２
００ｑｏの条件にて１０００Ａの厚さの抵抗体を作製し
た。
この面積抵抗は３５０／口（比抵抗は３５０仏Ｑ肌）で
あった。（実施例 ２）馴化モリブデンＭＯＢの粉体を
１００ｋ９／仇以上でプレスしたタブレットを作成し、
あらかじめ充分に洗浄されたコーニング７０５９ガラス
基板上に基板加熱３００午○、真空度５×１０‐６Ｔｏ
ｎで１０００Ａの電子ビームで蒸着した。
あった。（実施例 ２）馴化モリブデンＭＯＢの粉体を
１００ｋ９／仇以上でプレスしたタブレットを作成し、
あらかじめ充分に洗浄されたコーニング７０５９ガラス
基板上に基板加熱３００午○、真空度５×１０‐６Ｔｏ
ｎで１０００Ａの電子ビームで蒸着した。
この面積抵抗は８００／□（比抵抗は８００仏○抑）で
あった。
あった。
（実施例 ３）
６インチ径の金属モリブデン板をターゲットとして用い
た。
た。
充分に洗浄されたコーニング７０５９ガラス基板を４０
０ｏｏに基板加熱してアルゴン、ジボラン混合ガス雰囲
気中で活性スパッタリングをおこなった。アルゴン十ジ
ボランの圧力は３．５×１０‐ＩＴｏｒｒ、ジボラン分
圧は１．５×１０‐４Ｔｏｒｒで高周波２極スパッ外こ
て１０００△の膜厚をつけた。面積抵抗は８００／口（
比抵抗は８００〃○肌）であった。（実施例 ４） ６インチ径の金属モリブデン坂上に、焼結した１／４イ
ンチ径のホウ酸板を多数個置いて表面積比で金属モリブ
デン：側素がおよそ１：１になるようにしてターゲット
を用いた。
０ｏｏに基板加熱してアルゴン、ジボラン混合ガス雰囲
気中で活性スパッタリングをおこなった。アルゴン十ジ
ボランの圧力は３．５×１０‐ＩＴｏｒｒ、ジボラン分
圧は１．５×１０‐４Ｔｏｒｒで高周波２極スパッ外こ
て１０００△の膜厚をつけた。面積抵抗は８００／口（
比抵抗は８００〃○肌）であった。（実施例 ４） ６インチ径の金属モリブデン坂上に、焼結した１／４イ
ンチ径のホウ酸板を多数個置いて表面積比で金属モリブ
デン：側素がおよそ１：１になるようにしてターゲット
を用いた。
充分に洗浄されたコーニング７０５９ガラス基板を５０
０００に基板加熱してアルゴン圧：３×１０‐２Ｔｏｎ
で、Ｒ．Ｆ．２藁でスパッタした。スパッタ率は２００
Ａ／分で４分間スパッ夕したところ８００Ａの膜厚、面
積抵抗１２００／口、比抵抗９６０〆○肌の薄膜抵抗体
が得られた。（実施例 ５）５インチ径の石英皿に柵化
モリブデンの粉末を置いてターゲッ三トとした。
０００に基板加熱してアルゴン圧：３×１０‐２Ｔｏｎ
で、Ｒ．Ｆ．２藁でスパッタした。スパッタ率は２００
Ａ／分で４分間スパッ夕したところ８００Ａの膜厚、面
積抵抗１２００／口、比抵抗９６０〆○肌の薄膜抵抗体
が得られた。（実施例 ５）５インチ径の石英皿に柵化
モリブデンの粉末を置いてターゲッ三トとした。
十分に洗浄されたコーニング７ｏ５９ガラス基板を、基
板加熱２００ｑｏ、アルゴン圧５×１０‐２Ｔｏｎで高
周波２極スパッタを行った。スパッタ率を１００Ａ／ｍ
ｉｎで１０分間スパッタしたところ３５０／□（比抵抗
３５０ＬＱ肌）の棚化モリブデン薄膜抵抗体が得られた
。（実施例 ６） 棚化モリブデン粉末を１５０ｋｇ／のでプレスしたタブ
レットを作成し、あらかじめ充分に洗浄されたコーニン
グ７０５９ガラス基板上に、基板加熱しないで、真空度
６×１０‐５Ｔｏｍで５００△の厚さに電子ビーム蒸着
した。
板加熱２００ｑｏ、アルゴン圧５×１０‐２Ｔｏｎで高
周波２極スパッタを行った。スパッタ率を１００Ａ／ｍ
ｉｎで１０分間スパッタしたところ３５０／□（比抵抗
３５０ＬＱ肌）の棚化モリブデン薄膜抵抗体が得られた
。（実施例 ６） 棚化モリブデン粉末を１５０ｋｇ／のでプレスしたタブ
レットを作成し、あらかじめ充分に洗浄されたコーニン
グ７０５９ガラス基板上に、基板加熱しないで、真空度
６×１０‐５Ｔｏｍで５００△の厚さに電子ビーム蒸着
した。
この面積抵抗は７０００／□（比抵抗は３５００仏○肌
）であった。上記実施例１，２，４の三つの棚化モリブ
デン抵抗体をフオトェッチングによって２００山肌×２
０側の抵抗素子に形成し、電極として４００Ａのチタニ
ウム、２０００ＡのＡｕを積層して蒸着したし。
）であった。上記実施例１，２，４の三つの棚化モリブ
デン抵抗体をフオトェッチングによって２００山肌×２
０側の抵抗素子に形成し、電極として４００Ａのチタニ
ウム、２０００ＡのＡｕを積層して蒸着したし。
この薄膜抵抗体に体して温度試験、負荷試験を行った。
まず温度による経時変化測定は、１００ｑｏ、１５０℃
、２００ｑｏの各温度で１００餌時間保持した後の抵抗
値変化率を測定し、これを第１表に示す。
まず温度による経時変化測定は、１００ｑｏ、１５０℃
、２００ｑｏの各温度で１００餌時間保持した後の抵抗
値変化率を測定し、これを第１表に示す。
第１表
次に恒温恒湿状態（２５００、湿度６０％）で、５０ｍ
Ｗ／帆２ の負荷を１０００時間印加したときと無負荷
で保持したときの抵抗値変化率を測定し、これを第２表
に示す。
Ｗ／帆２ の負荷を１０００時間印加したときと無負荷
で保持したときの抵抗値変化率を測定し、これを第２表
に示す。
第２表
次に温度サイクル試験を行った。
この試験条件は第１ステップとして−２５ｑ０で３０分
、第２ステップとして十２５００で１０分、第３ステッ
プとして十１２０ｏ○で３０分、第４ステップとして十
２５ｑｏで１０分、これを１サイクルとし、３００サイ
クル繰返したときの抵抗値変化率を測定し、これを第３
表に示す。第３表 このように、本発明に係る抵抗体は比抵抗を広い範囲の
中から設定でき、熱的、経時的に非常に安定性があった
。
、第２ステップとして十２５００で１０分、第３ステッ
プとして十１２０ｏ○で３０分、第４ステップとして十
２５ｑｏで１０分、これを１サイクルとし、３００サイ
クル繰返したときの抵抗値変化率を測定し、これを第３
表に示す。第３表 このように、本発明に係る抵抗体は比抵抗を広い範囲の
中から設定でき、熱的、経時的に非常に安定性があった
。
Claims (1)
- １ サーマルヘツド以外の用途を有する硼化モリブデン
よりなることを特徴とする薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52131692A JPS6032961B2 (ja) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52131692A JPS6032961B2 (ja) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | 薄膜抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5465396A JPS5465396A (en) | 1979-05-25 |
| JPS6032961B2 true JPS6032961B2 (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=15063968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52131692A Expired JPS6032961B2 (ja) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032961B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911402U (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-24 | エヌオーケー株式会社 | 接触式可変抵抗器 |
-
1977
- 1977-11-02 JP JP52131692A patent/JPS6032961B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5465396A (en) | 1979-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6323305A (ja) | 高安定性積層フィルム抵抗器およびその製造方法 | |
| JPS61288401A (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPH06158272A (ja) | 抵抗膜および抵抗膜の製造方法 | |
| JPS5955001A (ja) | 抵抗およびその製造方法 | |
| JPS63184301A (ja) | 厚膜低抗塗料およびこれから製造した低抗体 | |
| JPS6032961B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6149860A (ja) | サ−マルヘツド | |
| US20210305031A1 (en) | Method for manufacturing thin film resistive layer | |
| JPS6028362B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6032963B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6028363B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6028361B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6032962B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6040682B2 (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| RU2818204C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора | |
| JPH06275409A (ja) | 薄膜抵抗素子の製造方法 | |
| JP4752075B2 (ja) | 抵抗器、その製造方法 | |
| JPH03131001A (ja) | 抵抗温度センサ | |
| JPH071722B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPH0344007A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS6236622B2 (ja) | ||
| US7609144B2 (en) | High resistivity thin film composition and fabrication method | |
| JPH0570306B2 (ja) | ||
| JPS62202753A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPH04170001A (ja) | 薄膜サーミスタ及びその製造方法 |