JPS6033561A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6033561A JPS6033561A JP58143187A JP14318783A JPS6033561A JP S6033561 A JPS6033561 A JP S6033561A JP 58143187 A JP58143187 A JP 58143187A JP 14318783 A JP14318783 A JP 14318783A JP S6033561 A JPS6033561 A JP S6033561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- compd
- electrophotographic photoreceptor
- region
- electron affinity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体、特に可視光から近赤外光領域
にまで感度を有する電子写真感光体の構造に関する。
にまで感度を有する電子写真感光体の構造に関する。
従来例の構成とその問題点
従来の電子写真感光体の分光感度は、非晶質水素化シリ
コンを用いた感光体を除いて、可視光全領域で高感度で
ある訳ではない。ところで、最近は高速で高解像を特徴
とするレーザプリンタ用の感光体の開発が盛んである。
コンを用いた感光体を除いて、可視光全領域で高感度で
ある訳ではない。ところで、最近は高速で高解像を特徴
とするレーザプリンタ用の感光体の開発が盛んである。
このレーザプリンタの小型化をはかるためには、光源と
して用いられる半導体レーザーの発振波長である８ ０
０ ｎｍ前後の近赤外光領域に高い感度を有する電子写
真感光体の開発が待たれている。しかし、可視光に対し
ては高感度な電子写真感光体も、この近赤外領域ではか
なりの感度低下が有る。このため、Ｓｓ系の感光体はＴ
ｏの導入、非晶質水素化シリコンにおいては、Ｇｅの導
入によって長波長の感度向上をはかっているが、赤外光
に対する感度を上げると帯電電位の低下があり、十分な
特性をもつ感光体が得られていないのが現状である。
して用いられる半導体レーザーの発振波長である８ ０
０ ｎｍ前後の近赤外光領域に高い感度を有する電子写
真感光体の開発が待たれている。しかし、可視光に対し
ては高感度な電子写真感光体も、この近赤外領域ではか
なりの感度低下が有る。このため、Ｓｓ系の感光体はＴ
ｏの導入、非晶質水素化シリコンにおいては、Ｇｅの導
入によって長波長の感度向上をはかっているが、赤外光
に対する感度を上げると帯電電位の低下があり、十分な
特性をもつ感光体が得られていないのが現状である。
発明の目的
本発明の目的は、可視光から近赤外領域において高感度
な感光体を提供するもので、特に近赤外領域でも高感度
であるため半導体レーザを用いたレーザプリンタに適し
た電子写真感光体を提供することである。
な感光体を提供するもので、特に近赤外領域でも高感度
であるため半導体レーザを用いたレーザプリンタに適し
た電子写真感光体を提供することである。
発明の構成
本発明によれば、導電性支持体上に形成された電荷発生
層と、電荷輸送層とを備えた機能分離型の電子写真感光
体が構成され、この電荷発生層が（Ｃｄｘｚｎｌ、−ｘ
Ｔｅ）、−ア（Ｉｎ２Ｔｅ３）ア（ｏ≦Ｘ≦１゜０≦ｙ
≦０）を主体とする光導電体であり、電荷輸送層は電荷
発生層より大きいか同じ電子親和力をもつ層により構成
される。
層と、電荷輸送層とを備えた機能分離型の電子写真感光
体が構成され、この電荷発生層が（Ｃｄｘｚｎｌ、−ｘ
Ｔｅ）、−ア（Ｉｎ２Ｔｅ３）ア（ｏ≦Ｘ≦１゜０≦ｙ
≦０）を主体とする光導電体であり、電荷輸送層は電荷
発生層より大きいか同じ電子親和力をもつ層により構成
される。
この電荷発生層、（ＣｄｘＺｎ１−ｘＴｅ）１□（工ｎ
２Ｔｅ３）ｙは、可視光領域から赤外光領域まで感度を
有する光導電体である。
２Ｔｅ３）ｙは、可視光領域から赤外光領域まで感度を
有する光導電体である。
実施例の説明
本発明の基本構成は第１図に示す断面図のように、導電
性支持体１上に電荷発生層である（Ｃｄｘｚｎｌ−ｘＴ
ｅ）１−ｙ（工ｎ２Ｔｅ３）ｙ 層２を、続いて、電荷
輸送層３を形成したものである。第２図に第１図の構成
におけるバンド図を示す。第２図ａは平衡状態、同図す
は正帯電時のものである。光は（ＣｄｘＺｎ１．−ｘＴ
ｅ）１−ア（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｙ層２で吸収され、電子正
孔対が発生しＪ正孔は支持体１へ、電子は電荷輸送層３
を走行し表面の正の電荷を中和して表面電位を低下させ
る、このように電荷発生層（Ｃｄ ｘ Ｚ ｎ １ｘ
Ｔ ｅ ） １ｙ （Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ａ ） ｙ
層２から電荷輸送層３へ効率良く電子が注入されるため
には（ＣｄｘＺｎ１ 、Ｔ８）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３）
。
性支持体１上に電荷発生層である（Ｃｄｘｚｎｌ−ｘＴ
ｅ）１−ｙ（工ｎ２Ｔｅ３）ｙ 層２を、続いて、電荷
輸送層３を形成したものである。第２図に第１図の構成
におけるバンド図を示す。第２図ａは平衡状態、同図す
は正帯電時のものである。光は（ＣｄｘＺｎ１．−ｘＴ
ｅ）１−ア（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｙ層２で吸収され、電子正
孔対が発生しＪ正孔は支持体１へ、電子は電荷輸送層３
を走行し表面の正の電荷を中和して表面電位を低下させ
る、このように電荷発生層（Ｃｄ ｘ Ｚ ｎ １ｘ
Ｔ ｅ ） １ｙ （Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ａ ） ｙ
層２から電荷輸送層３へ効率良く電子が注入されるため
には（ＣｄｘＺｎ１ 、Ｔ８）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３）
。
第１図では電荷の注入阻止層を特に設けていないが、さ
らに電子写真感光体の帯電電位を上昇させるため、第３
図に示すように第１図の構成の（Ｃｄ ｘ Ｚ ｎ １
ｘ Ｔｅ ） １ｙ （Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ３） ｙ
層２と支持体１の間に電子の注入阻止層４を、電荷輸送
層３の表面に正孔の注入阻止層６を設けると初期帯電電
位、暗減衰特性の改善がある。
らに電子写真感光体の帯電電位を上昇させるため、第３
図に示すように第１図の構成の（Ｃｄ ｘ Ｚ ｎ １
ｘ Ｔｅ ） １ｙ （Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ３） ｙ
層２と支持体１の間に電子の注入阻止層４を、電荷輸送
層３の表面に正孔の注入阻止層６を設けると初期帯電電
位、暗減衰特性の改善がある。
第１図、第３図は正帯電の電子写真感光体の例を示した
。第１図における電荷発生層 （ＣｄｘＺｎ１ ｘＴｅ）１ ｙ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｙ
と電荷輸送層を逆にした構成、即ち、第４図に示すよう
に、導電性支持体６上に電荷輸送層７を設け、続いて（
Ｃｄ ｘＺ ｎ １． Ｔ ｅ ） １． （Ｉ ｎ
２ Ｔ ｅ ａ ） ｙ 層８を形成する構成にすると
、負帯電特性の電子写真感光体が得られる。この場合も
第５図に示すように電荷発生層（ＣｄＸＺｎ１ 、Ｔｅ
）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３）。
。第１図における電荷発生層 （ＣｄｘＺｎ１ ｘＴｅ）１ ｙ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｙ
と電荷輸送層を逆にした構成、即ち、第４図に示すよう
に、導電性支持体６上に電荷輸送層７を設け、続いて（
Ｃｄ ｘＺ ｎ １． Ｔ ｅ ） １． （Ｉ ｎ
２ Ｔ ｅ ａ ） ｙ 層８を形成する構成にすると
、負帯電特性の電子写真感光体が得られる。この場合も
第５図に示すように電荷発生層（ＣｄＸＺｎ１ 、Ｔｅ
）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３）。
層８の表面に正孔注入阻止層１ｏを、電荷輸送層７と支
持体６０間に電子注入阻止層９を設けると、第４図の構
成の電子写真感光体に比較して初期帯電電位、暗減衰特
性の改善された負帯電の電子写真感光体が得られる。
持体６０間に電子注入阻止層９を設けると、第４図の構
成の電子写真感光体に比較して初期帯電電位、暗減衰特
性の改善された負帯電の電子写真感光体が得られる。
なお、（ＣｄｘＺｎ１ 、Ｔｅ）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３
）。
）。
においてｙ）ｏ、１では暗抵抗が小さくなり良好な光導
電特性は示さなくなる。
電特性は示さなくなる。
以下に、具体的な実施例を示す。
実施例１
第６図に示すような電子写真感光体を作成した。
まず光学研磨をしたガラス基板１１上にＩ ｎ ２０３
層１２を、基板温度２５０℃、酸素雰囲気中での蒸着法
により１０００八 の厚さに形成した。この基板を真空
蒸着装置中に設置した。基板温度を２００℃にしてＺｎ
ＴｅｎＴｅ全１３ｍ、の厚さに形成し・続１て（０ｄ０
．３”０．７Ｔ８）０．９５（”２Ｔｅａ）０．０５層
１４を３μｍの厚さに形成し真空中６５０℃で１５〜６
０分熱処理をし、電荷発生層１６を形成した。この電荷
発生層の表面の電子親和力はＫｅｌｖｉｎ法によると約
３．８ｅＶであった。この電荷発生層１６を有する基板
をマグネトロンスパッタ装置に設置し、Ｉ Ｘ １０
’Ｔｏｒｒ以下に排気した後、Ａｒ分圧７．３ｍＴｏｒ
ｒ１Ｈ２分圧０．７ｍＴ ｏｒ ｒ中で９９．９９９％
の純度のＳｉ多結晶をターゲフトとし、放電電力３、ｏ
ｏＷで非晶質水素化シリコン層１６を５μｍ形成した。
層１２を、基板温度２５０℃、酸素雰囲気中での蒸着法
により１０００八 の厚さに形成した。この基板を真空
蒸着装置中に設置した。基板温度を２００℃にしてＺｎ
ＴｅｎＴｅ全１３ｍ、の厚さに形成し・続１て（０ｄ０
．３”０．７Ｔ８）０．９５（”２Ｔｅａ）０．０５層
１４を３μｍの厚さに形成し真空中６５０℃で１５〜６
０分熱処理をし、電荷発生層１６を形成した。この電荷
発生層の表面の電子親和力はＫｅｌｖｉｎ法によると約
３．８ｅＶであった。この電荷発生層１６を有する基板
をマグネトロンスパッタ装置に設置し、Ｉ Ｘ １０
’Ｔｏｒｒ以下に排気した後、Ａｒ分圧７．３ｍＴｏｒ
ｒ１Ｈ２分圧０．７ｍＴ ｏｒ ｒ中で９９．９９９％
の純度のＳｉ多結晶をターゲフトとし、放電電力３、ｏ
ｏＷで非晶質水素化シリコン層１６を５μｍ形成した。
このとき同時に形成した非晶質水素化シリコン上に真空
蒸着法によりＡｕ薄膜を２００人形成し、そのバリアの
高さから、この非晶質水素化シリコンの電子親和力は４
．０〜４．３ｅＶとめられた。このようにして形成した
ＺｎＴｅ−（ｃｄ。、３Ｚｎｏ、７Ｔｅ）。、９゜（”
２Ｔｅ３）０．０５層を電荷発生層１６とし、これより
電子親和力の大きい非晶質水素化シリコン１５を電荷輸
送層とした電子写真感光体をコロナ帯電器で正帯電させ
て用いた。この電子写真感光体の分光感度を第９図に示
す、比較の為非晶質水素化シリコンの分光感度も示す。
蒸着法によりＡｕ薄膜を２００人形成し、そのバリアの
高さから、この非晶質水素化シリコンの電子親和力は４
．０〜４．３ｅＶとめられた。このようにして形成した
ＺｎＴｅ−（ｃｄ。、３Ｚｎｏ、７Ｔｅ）。、９゜（”
２Ｔｅ３）０．０５層を電荷発生層１６とし、これより
電子親和力の大きい非晶質水素化シリコン１５を電荷輸
送層とした電子写真感光体をコロナ帯電器で正帯電させ
て用いた。この電子写真感光体の分光感度を第９図に示
す、比較の為非晶質水素化シリコンの分光感度も示す。
第９図から明らかなように、本発明てよれば可視光から
赤外光まで高感度な電子写真感光体が得られる。
赤外光まで高感度な電子写真感光体が得られる。
実施例２
第７図に示す」二うに、Ｓｔ単結晶ウェーバ−２１上に
ＭＯ層２２を電子ビーム蒸着法で８ｏｏ人の厚さに形成
した基板上に、５ｉＮｚ層２３を６００人形成した。続
いて実施例１の１４．１５の層と同一条件で（ｃｄｏ、
３”０．７Ｔｅ）０．９５（”２Ｔｅ３）０．０５層２
４、非晶質水素化シリコン層２６を形成した。
ＭＯ層２２を電子ビーム蒸着法で８ｏｏ人の厚さに形成
した基板上に、５ｉＮｚ層２３を６００人形成した。続
いて実施例１の１４．１５の層と同一条件で（ｃｄｏ、
３”０．７Ｔｅ）０．９５（”２Ｔｅ３）０．０５層２
４、非晶質水素化シリコン層２６を形成した。
さらに非晶質水素化シリコン層２６の上にその層より水
素含有量の大きい第２の非晶質水素化シリコン２６を０
．２７．＋ｍ形成した。ＳｉＮｘ層２３はＳｔをターゲ
ットとし、Ａｒ分圧２ｍＴｏｒｒ。
素含有量の大きい第２の非晶質水素化シリコン２６を０
．２７．＋ｍ形成した。ＳｉＮｘ層２３はＳｔをターゲ
ットとし、Ａｒ分圧２ｍＴｏｒｒ。
Ｎ２圧力４ｍＴｏｒｒ、基板温度２５０℃として放電電
力５００Ｗで形成した。第２の非晶質水素化シリコン層
２４は、Ｈ２分圧、 １．４ｍＴｏｒｒ、 Ａｔ 分圧
６．７ｍＴｏｒｒ とした以外は実施例１の非晶質シリ
コン層１５と同一条件で形成した。
力５００Ｗで形成した。第２の非晶質水素化シリコン層
２４は、Ｈ２分圧、 １．４ｍＴｏｒｒ、 Ａｔ 分圧
６．７ｍＴｏｒｒ とした以外は実施例１の非晶質シリ
コン層１５と同一条件で形成した。
この構成にして正帯電すると、分光感度は実施例１と同
一の１まで初期帯電電位が約４００ｖとなり帯電電位が
上昇した。
一の１まで初期帯電電位が約４００ｖとなり帯電電位が
上昇した。
実施例３
第８図に一部のみを断面で示したように、表面を鏡面研
磨したアルミ円筒基板２６を回転式のプラズマＣＶＤ装
置中に配置した。基板温度を２５０℃に保ち、基板２６
をｓ ｏ ｒｐｍで回転させる。この中にＢ２Ｈ６／Ｓ
ｉＨ４：１ｏ−４１ｏ２／５ｉＨ４−１０−４の流量比
となるようそれらのガスを反応室内に導入し、全圧力Ｉ
Ｔｏｒｒ として放電パワーｓＫＷによシ非晶質水素
化シリコン層２６を２０μｍ形成した。これをマグネト
ロンスパッタ装置内に設置しＡｒの放電により表面清浄
化した後、ｃｄ。、４Ｚｎｏ、６Ｔｅ層２７を、同材料
をターゲットとしＡｒ ガス圧５Ｘ１０ ’ Ｔｏｒｒ
中放電雷放電電力２００ＷＪｍ形成した。この上に先の
プラズマＣＶＤ装置中で基板温度２００’Ｃとし、Ｎ２
／５ｉＨ４＝５ 全圧力４Ｔｏｒｒ、放電電力１ＫＷで
ＳｉＮｘ層２８を０．１μｍ形成した。この構成にする
と初期帯電電位が一３ｓｏＶとなり、負帯電可能な電子
写真感光体となる。
磨したアルミ円筒基板２６を回転式のプラズマＣＶＤ装
置中に配置した。基板温度を２５０℃に保ち、基板２６
をｓ ｏ ｒｐｍで回転させる。この中にＢ２Ｈ６／Ｓ
ｉＨ４：１ｏ−４１ｏ２／５ｉＨ４−１０−４の流量比
となるようそれらのガスを反応室内に導入し、全圧力Ｉ
Ｔｏｒｒ として放電パワーｓＫＷによシ非晶質水素
化シリコン層２６を２０μｍ形成した。これをマグネト
ロンスパッタ装置内に設置しＡｒの放電により表面清浄
化した後、ｃｄ。、４Ｚｎｏ、６Ｔｅ層２７を、同材料
をターゲットとしＡｒ ガス圧５Ｘ１０ ’ Ｔｏｒｒ
中放電雷放電電力２００ＷＪｍ形成した。この上に先の
プラズマＣＶＤ装置中で基板温度２００’Ｃとし、Ｎ２
／５ｉＨ４＝５ 全圧力４Ｔｏｒｒ、放電電力１ＫＷで
ＳｉＮｘ層２８を０．１μｍ形成した。この構成にする
と初期帯電電位が一３ｓｏＶとなり、負帯電可能な電子
写真感光体となる。
以上の実施例では（Ｃｄ、Ｚｎ１−！Ｔｏ）１ 。
（Ｉｎ２Ｔｅ３）アに対する電荷輸送層として非晶質水
素化シリコンを例を示したが、 （Ｃｄ ｘＺ ｎ １．−ｘＴ ｅ ） １． （Ｉ
ｎ ２ Ｔ ｅ ａ ） ｙ より電子親和力が大きく
、電子の走行しやすい材料であれば他の材料でも良い。
素化シリコンを例を示したが、 （Ｃｄ ｘＺ ｎ １．−ｘＴ ｅ ） １． （Ｉ
ｎ ２ Ｔ ｅ ａ ） ｙ より電子親和力が大きく
、電子の走行しやすい材料であれば他の材料でも良い。
発明の効果
本発明によれば、可視光から近赤外光領域において高感
度の電子写真感光体を得ることができる。
度の電子写真感光体を得ることができる。
特に従来の電子写真感光体に比べて近赤外領域でも十分
に感度を有し、半導体レーザを用いたレーザプリンタ用
の感光体として適しており、レーザプリンタの高速化に
大きく寄与できるものである。
に感度を有し、半導体レーザを用いたレーザプリンタ用
の感光体として適しており、レーザプリンタの高速化に
大きく寄与できるものである。
第１図、第３図、第４図及び第６図は本発明の電子写真
感光体の基本的構成を示す断面図、第２図は第１図の電
子写真感光体のバンド図でありａは平衡状態をｂは正帯
電時を示し、第６図、第７図、第８図はそれぞれ、本発
明の具体的実施例に０ おける電子写真感光体の断面図、第９図ば第６図の実施
例の電子写真感光体の分光感度を示すグラフである。 １・・・・・・導電性支持体、２・・・・・（Ｃｄ工Ｚ
ｎ １ｘＴ ｅ ）、−ア（Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ａ
）７層、３・・・・・電荷輸送層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｃつ
〜＼ 図 へ −脈 第４図 第６図 ５ 第７図 Ｘ 第８図
感光体の基本的構成を示す断面図、第２図は第１図の電
子写真感光体のバンド図でありａは平衡状態をｂは正帯
電時を示し、第６図、第７図、第８図はそれぞれ、本発
明の具体的実施例に０ おける電子写真感光体の断面図、第９図ば第６図の実施
例の電子写真感光体の分光感度を示すグラフである。 １・・・・・・導電性支持体、２・・・・・（Ｃｄ工Ｚ
ｎ １ｘＴ ｅ ）、−ア（Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ａ
）７層、３・・・・・電荷輸送層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｃつ
〜＼ 図 へ −脈 第４図 第６図 ５ 第７図 Ｘ 第８図
Claims (1)
- 少々くとも表面が導電性である支持体と、電荷発生層と
、電荷輸送層とを備え、前記電荷発生層が（ｃｄｘＺｎ
ｌ−ＸＴｅ）１−７（工ｎ２Ｔｅ３）ｙ（ｏ≦Ｘ≦１゜
０≦ｙ≦０．１）を含む光導電体であり、前記電荷輸送
層が前記電荷発生層と同じか又はより大きい電子親和力
を有する物質からなることを特徴とする電子写真感光体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143187A JPS6033561A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143187A JPS6033561A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033561A true JPS6033561A (ja) | 1985-02-20 |
| JPH0310304B2 JPH0310304B2 (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=15332895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143187A Granted JPS6033561A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205457A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58143187A patent/JPS6033561A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205457A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0310304B2 (ja) | 1991-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4495262A (en) | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers | |
| WO1985002691A1 (fr) | Organe photosensible pour electrophotographie | |
| JPS6363051A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS639217B2 (ja) | ||
| JPH071395B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60118848A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01204057A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| US4863820A (en) | Photosensitive member having amorphous silicon-germanium layer and process for producing same | |
| JPH0310304B2 (ja) | ||
| JPS639218B2 (ja) | ||
| JPS6194049A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6194048A (ja) | 感光体 | |
| JPS62151857A (ja) | 光導電部材 | |
| KR910003982B1 (ko) | 전자 사진 광수용체 | |
| JPS60205457A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6159340A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS616654A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法 | |
| JPS60178459A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59109057A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH02146054A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6148867A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS622269A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0673020B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6280664A (ja) | 光導電体 | |
| JPS60254044A (ja) | 電子写真感光体 |