JPH0310304B2 - - Google Patents
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- JPH0310304B2 JPH0310304B2 JP14318783A JP14318783A JPH0310304B2 JP H0310304 B2 JPH0310304 B2 JP H0310304B2 JP 14318783 A JP14318783 A JP 14318783A JP 14318783 A JP14318783 A JP 14318783A JP H0310304 B2 JPH0310304 B2 JP H0310304B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrophotographic photoreceptor
- charge generation
- charge transport
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体、特に可視光から近赤
外光領域にまで感度を有する電子写真感光体の構
造に関する。
外光領域にまで感度を有する電子写真感光体の構
造に関する。
従来例の構成とその問題点
従来の電子写真感光体の分光感度は、非晶質水
素化シリコンを用いた感光体を除いて、可視光全
領域で高感度である訳ではない。ところで、最近
は高速で高解像を特徴とするレーザプリンタ用の
感光体の開発が盛んである。このレーザプリタの
小型化をはかるためには、光源として用いられる
半導体レーザーの発振波長である800nm前後の近
赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光体の
開発が待たれている。しかし、可視光に対しては
高感度な電子写真感光体も、この近赤外光領域で
はかなりの感度低下が有る。このため、Se系の
感光体はTeの導入、非晶質水素化シリコンにお
いては、Geの導入によつて長波長の感度向上を
はかつているが、赤外光に対する感度を上げると
帯電電位の低下があり、十分な特性をもつ感光体
が得られていないのが現状である。
素化シリコンを用いた感光体を除いて、可視光全
領域で高感度である訳ではない。ところで、最近
は高速で高解像を特徴とするレーザプリンタ用の
感光体の開発が盛んである。このレーザプリタの
小型化をはかるためには、光源として用いられる
半導体レーザーの発振波長である800nm前後の近
赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光体の
開発が待たれている。しかし、可視光に対しては
高感度な電子写真感光体も、この近赤外光領域で
はかなりの感度低下が有る。このため、Se系の
感光体はTeの導入、非晶質水素化シリコンにお
いては、Geの導入によつて長波長の感度向上を
はかつているが、赤外光に対する感度を上げると
帯電電位の低下があり、十分な特性をもつ感光体
が得られていないのが現状である。
発明の目的
本発明の目的は、可視光から近赤外領域におい
て高感度な感光体を提供するもので、特に近赤外
領域でも高感度であるため半導体レーザを用いた
レーザプリンタに適した電子写真感光体を提供す
ることである。
て高感度な感光体を提供するもので、特に近赤外
領域でも高感度であるため半導体レーザを用いた
レーザプリンタに適した電子写真感光体を提供す
ることである。
発明の構成
本発明によれば、導電性支持体上に形成された
電荷発生層と、電荷輸送層とを備えた機能分離型
の電子写真感光体が構成され、この電荷発生層が
（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y（Ｏ≦ｘ≦１，Ｏ≦
ｙ≦０）を主体とする光導電体であり、電荷輸送
層は電荷発生層より大きいか同じか電子親和力を
もつ層により構成される。
電荷発生層と、電荷輸送層とを備えた機能分離型
の電子写真感光体が構成され、この電荷発生層が
（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y（Ｏ≦ｘ≦１，Ｏ≦
ｙ≦０）を主体とする光導電体であり、電荷輸送
層は電荷発生層より大きいか同じか電子親和力を
もつ層により構成される。
この電荷発生層、（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y
は、可視光領域から赤外光領域まで感度を有する
光導電体である。
は、可視光領域から赤外光領域まで感度を有する
光導電体である。
実施例の説明
本発明の基本構成は第１図に示す断面図のよう
に、導電性支持体１上に電荷発生層である（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２を、続いて、電荷輸
送層３を形成したものである。第２図に第１図の
構成におけるバンド図を示す。第２図ａは平衡状
態、同図ｂは正帯電時のものである。光は（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２で吸収され、電子正
孔対が発生し、正孔は支持体１へ、電子は電荷輸
送層３を走行し表面の正の電荷を中和して表面電
位を低下させる、このように電荷発生層（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２から電荷輸送層３へ
効率良く電子が注入されるためには（CdxZn1-x
Te）1-y（In2Te3）yより電荷輸送層３の物質の方が
電子親和力が同じか大きい必要がある。
に、導電性支持体１上に電荷発生層である（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２を、続いて、電荷輸
送層３を形成したものである。第２図に第１図の
構成におけるバンド図を示す。第２図ａは平衡状
態、同図ｂは正帯電時のものである。光は（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２で吸収され、電子正
孔対が発生し、正孔は支持体１へ、電子は電荷輸
送層３を走行し表面の正の電荷を中和して表面電
位を低下させる、このように電荷発生層（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２から電荷輸送層３へ
効率良く電子が注入されるためには（CdxZn1-x
Te）1-y（In2Te3）yより電荷輸送層３の物質の方が
電子親和力が同じか大きい必要がある。
第１図では電荷の注入阻止層を特に設けていな
いが、さらに電子写真感光体の帯電電位を上昇さ
せるため、第３図に示すように第１図の構成の
（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２と支持体１の間
に電子の注入阻止層４を、電荷輸送層３の表面に
正孔の注入阻止層５を設けると初期帯電電位、暗
減衰特性の改善がある。
いが、さらに電子写真感光体の帯電電位を上昇さ
せるため、第３図に示すように第１図の構成の
（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y層２と支持体１の間
に電子の注入阻止層４を、電荷輸送層３の表面に
正孔の注入阻止層５を設けると初期帯電電位、暗
減衰特性の改善がある。
第１図，第３図は正帯電の電子写真感光体の例
を示した。第１図における電荷発生層（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）yと電荷輸送層を逆にした
構成、即ち、第４図に示すように、導電性支持体
６上に電荷輸送層７を設け、続いて（CdxZn1-x
Te）1-y（In2Te3）y層８を形成する構成にすると、
負帯電特性の電子写真感光体が得られる。この場
合も第５図に示すように電荷発生層（CdxZn1-x
Te）1-y（In2Te3）y層８の表面に正孔注入阻止層１
０を、電荷輸送層７と支持体６の間に電子注入阻
止層９を設けると、第４図の構成の電子写真感光
体に比較して初期帯電電位、暗減衰特性の改善さ
れた負帯電の電子写真感光体が得られる。
を示した。第１図における電荷発生層（Cdx
Zn1-xTe）1-y（In2Te3）yと電荷輸送層を逆にした
構成、即ち、第４図に示すように、導電性支持体
６上に電荷輸送層７を設け、続いて（CdxZn1-x
Te）1-y（In2Te3）y層８を形成する構成にすると、
負帯電特性の電子写真感光体が得られる。この場
合も第５図に示すように電荷発生層（CdxZn1-x
Te）1-y（In2Te3）y層８の表面に正孔注入阻止層１
０を、電荷輸送層７と支持体６の間に電子注入阻
止層９を設けると、第４図の構成の電子写真感光
体に比較して初期帯電電位、暗減衰特性の改善さ
れた負帯電の電子写真感光体が得られる。
なお、（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）yにおいてｙ
＞0.1で暗抵抗が小さくなり良好な光導電特性は
示さなくなる。
＞0.1で暗抵抗が小さくなり良好な光導電特性は
示さなくなる。
以下に、具体的な実施例を示す。
実施例 １
第６図に示すような電子写真感光体を作成し
た。まず光学研磨をしたガラス基板１１上に
In2O3層１２を、基板温度250℃、酸素雰囲気中で
の蒸着法により1000Åの厚さに形成した。この基
板を真空蒸着装置中に設置した。基板温度を200
℃にしてZnTe層１３を2μm、の厚さに形成し、
続いてCd0.3Zn0.7Te）0.95（In2Te3）0.05層１４を
3μmの厚さに形成し真空中550℃で15〜60分熱処
理をし、電荷発生層１６を形成した。この電荷発
生層の表面の電子親和力はKelvin法によると約
3.8eVであつた。この電荷発生層１６を有する基
板をマグネトロンスパツタ装置に設置し、１×
10-6Torr以下に排気した後、Ar分圧7.3ｍTorr、
H2分圧0.7ｍTorr中で99.999％の純度のSi多結晶
をターゲツトとし、放電電力300Wで非晶質水素
化シリコン層１５を5μm形成した。このとき同時
に形成した非晶質水素化シリコン上に真空蒸着法
によりAu薄膜を200Å形成し、そのバリアの高さ
から、この非晶質水素化シリコンの電子親和力は
4.0〜4.3eVと求められた。このようにして形成し
たZnTe−（Cd0.3Zn0.7Te）0.95（In2Te3）0.05層を電
荷発生層１６とし、これにより電子親和力の大き
い非晶質水素化シリコン１５を電荷輸送層とした
電子写真感光体をコロナ帯電器で正帯電させて用
いた。この電子写真感光体の分光感度を第９図に
示す、比較の為非晶質水素化シリコンの分光感度
も示す。第９図から明らかなように、本発明によ
れば可視光から赤外光まで高感度な電子写真感光
体が得られる。
た。まず光学研磨をしたガラス基板１１上に
In2O3層１２を、基板温度250℃、酸素雰囲気中で
の蒸着法により1000Åの厚さに形成した。この基
板を真空蒸着装置中に設置した。基板温度を200
℃にしてZnTe層１３を2μm、の厚さに形成し、
続いてCd0.3Zn0.7Te）0.95（In2Te3）0.05層１４を
3μmの厚さに形成し真空中550℃で15〜60分熱処
理をし、電荷発生層１６を形成した。この電荷発
生層の表面の電子親和力はKelvin法によると約
3.8eVであつた。この電荷発生層１６を有する基
板をマグネトロンスパツタ装置に設置し、１×
10-6Torr以下に排気した後、Ar分圧7.3ｍTorr、
H2分圧0.7ｍTorr中で99.999％の純度のSi多結晶
をターゲツトとし、放電電力300Wで非晶質水素
化シリコン層１５を5μm形成した。このとき同時
に形成した非晶質水素化シリコン上に真空蒸着法
によりAu薄膜を200Å形成し、そのバリアの高さ
から、この非晶質水素化シリコンの電子親和力は
4.0〜4.3eVと求められた。このようにして形成し
たZnTe−（Cd0.3Zn0.7Te）0.95（In2Te3）0.05層を電
荷発生層１６とし、これにより電子親和力の大き
い非晶質水素化シリコン１５を電荷輸送層とした
電子写真感光体をコロナ帯電器で正帯電させて用
いた。この電子写真感光体の分光感度を第９図に
示す、比較の為非晶質水素化シリコンの分光感度
も示す。第９図から明らかなように、本発明によ
れば可視光から赤外光まで高感度な電子写真感光
体が得られる。
実施例 ２
第７図に示すように、Si単結晶ウエーバー２１
上にMo層２２を電子ビーム蒸着法で800Åの厚
さに形成した基板上に、SiNx層２３を600Å形成
した。続いて実施例１の１４，１５の層と同一条
件で（Cd0.3Zn0.7Te）0.95（In2Te3）0.05層２４、非
晶質水素化シリコン層２５を形成した。
上にMo層２２を電子ビーム蒸着法で800Åの厚
さに形成した基板上に、SiNx層２３を600Å形成
した。続いて実施例１の１４，１５の層と同一条
件で（Cd0.3Zn0.7Te）0.95（In2Te3）0.05層２４、非
晶質水素化シリコン層２５を形成した。
さらに非晶質水素化シリコン層２５の上にその
層より水素含有量の大きい第２の非晶質水素化シ
リコン２６を0.2μm形成した。SiNx層２３はSi
をターゲツトとし、Ar分圧２ｍTorr，N2圧力４
ｍTorr、基板温度250℃として放電電力500Wで
形成した。第２の非晶質水素化シリコン層２４
は、H2分圧，1.4ｍTorr，Ar分圧6.7ｍTorrとし
た以外は実施例１の非晶質シリコン層１５と同一
条件で形成した。
層より水素含有量の大きい第２の非晶質水素化シ
リコン２６を0.2μm形成した。SiNx層２３はSi
をターゲツトとし、Ar分圧２ｍTorr，N2圧力４
ｍTorr、基板温度250℃として放電電力500Wで
形成した。第２の非晶質水素化シリコン層２４
は、H2分圧，1.4ｍTorr，Ar分圧6.7ｍTorrとし
た以外は実施例１の非晶質シリコン層１５と同一
条件で形成した。
この構成にして正帯電すると、分光感度は実施
例１と同一のままで初期帯電電位が約400Vとな
り帯電電位が上昇した。
例１と同一のままで初期帯電電位が約400Vとな
り帯電電位が上昇した。
実施例 ３
第８図に一部のみを断面で示したように、表面
を鏡面研磨したアルミ円筒基板２５を回転式のプ
ラズマCVD装置中に配置した。基板温度を250℃
に保ち、基板２５を50rpmで回転させる。この中
にB2H6／SiH4＝10-4，O2／SiH4＝10-4の流量比
となるようそれらのガスを反応室内に導入し、全
圧力1Torrとして放電パワー5KWにより非晶質
水素化シリコン層２６を20μm形成した。これを
マグネトロンスパツタ装置内に設置しArの放電
により表面清浄化した後、Cd0.4Zn0.6Te層２７
を、同材料をターゲツトとしArガス圧５×10-3
Torr中放電電力200Wで4μm形成した。この上に
先のプラズマCVD装置中で基板温度200℃とし、
N2／SiH4＝５ 全圧力4Torr、放電電力1KWで
SiNx層２８を0.1μm形成した。この構成にする
と初期帯電電位が−350Vとなり、負帯電可能な
電子写真感光体となる。
を鏡面研磨したアルミ円筒基板２５を回転式のプ
ラズマCVD装置中に配置した。基板温度を250℃
に保ち、基板２５を50rpmで回転させる。この中
にB2H6／SiH4＝10-4，O2／SiH4＝10-4の流量比
となるようそれらのガスを反応室内に導入し、全
圧力1Torrとして放電パワー5KWにより非晶質
水素化シリコン層２６を20μm形成した。これを
マグネトロンスパツタ装置内に設置しArの放電
により表面清浄化した後、Cd0.4Zn0.6Te層２７
を、同材料をターゲツトとしArガス圧５×10-3
Torr中放電電力200Wで4μm形成した。この上に
先のプラズマCVD装置中で基板温度200℃とし、
N2／SiH4＝５ 全圧力4Torr、放電電力1KWで
SiNx層２８を0.1μm形成した。この構成にする
と初期帯電電位が−350Vとなり、負帯電可能な
電子写真感光体となる。
以上の実施例では（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）
yに対する電荷輸送層として非晶質水素化シリコ
ンを例を示したが、（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y
より電子親和力が大きく、電子の走行しやすい材
料であれば他の材料でも良い。
yに対する電荷輸送層として非晶質水素化シリコ
ンを例を示したが、（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y
より電子親和力が大きく、電子の走行しやすい材
料であれば他の材料でも良い。
発明の効果
本発明によれば、可視光から近赤外光領域にお
いて高感度の電子写真感光体を得ることができ
る。特に従来の電子写真感光体に比べて近赤外領
域でも十分に感度を有し、半導体レーザを用いた
レーザプリンタ用の感光体として適しており、レ
ーザプリンタの高速化に大きく寄与できるもので
ある。
いて高感度の電子写真感光体を得ることができ
る。特に従来の電子写真感光体に比べて近赤外領
域でも十分に感度を有し、半導体レーザを用いた
レーザプリンタ用の感光体として適しており、レ
ーザプリンタの高速化に大きく寄与できるもので
ある。
第１図，第３図，第４図及び第５図は本発明の
電子写真感光体の基本的構成を示す断面図、第２
図は第１図の電子写真感光体のバンド図でありａ
は平衡状態をｂは正帯電時を示し、第６図，第７
図，第８図はそれぞれ、本発明の具体的実施例に
おける電子写真感光体の断面図、第９図は第６図
の実施例の電子写真感光体の分光感度を示すグラ
フである。 １……導電性支持体、２……（CdxZn1-xTe）1-
ｙ（In2Te3）y層、３……電荷輸送層。
電子写真感光体の基本的構成を示す断面図、第２
図は第１図の電子写真感光体のバンド図でありａ
は平衡状態をｂは正帯電時を示し、第６図，第７
図，第８図はそれぞれ、本発明の具体的実施例に
おける電子写真感光体の断面図、第９図は第６図
の実施例の電子写真感光体の分光感度を示すグラ
フである。 １……導電性支持体、２……（CdxZn1-xTe）1-
ｙ（In2Te3）y層、３……電荷輸送層。
Claims (1)
- １ 少なくとも表面が導電性である支持体と、電
荷発生層と、電荷輸送層とを備え、前記電荷発生
層が（CdxZn1-xTe）1-y（In2Te3）y（Ｏ≦ｘ≦１，
Ｏ≦ｙ≦0.1）を含む光導電体であり、前記電荷
輸送層が前記電荷発生層と同じか又はより大きい
電子親和力を有する物質からなることを特徴とす
る電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143187A JPS6033561A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143187A JPS6033561A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033561A JPS6033561A (ja) | 1985-02-20 |
| JPH0310304B2 true JPH0310304B2 (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=15332895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143187A Granted JPS6033561A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033561A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205457A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58143187A patent/JPS6033561A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6033561A (ja) | 1985-02-20 |
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