JPS6034827A - ２軸延伸ブロ−成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法 - Google Patents
２軸延伸ブロ−成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２軸延伸成形される合成樹脂、特にポリエチ
レンテレフタレート樹脂製の壜体成形用の射出成形され
た１次成形品を、増体に２軸延伸ブロー成形するに先立
ってプロー成形に適した温度に、ヒータにより加熱する
ための、ヒータに対する供給電力の制御方法に関するも
ので、さらに詳言すれば、加熱炉から排出される加熱済
の１次成形品の加熱温度を常に監視することによりて。
レンテレフタレート樹脂製の壜体成形用の射出成形され
た１次成形品を、増体に２軸延伸ブロー成形するに先立
ってプロー成形に適した温度に、ヒータにより加熱する
ための、ヒータに対する供給電力の制御方法に関するも
ので、さらに詳言すれば、加熱炉から排出される加熱済
の１次成形品の加熱温度を常に監視することによりて。
順次加熱炉に送り込まれてくる１次成形品に対する加熱
状態を最良の状態に保持することを目的とするものであ
る。
状態を最良の状態に保持することを目的とするものであ
る。
他の目的は、制御変化される電力量を出来る限り小さく
シ、もって制′ａ変化に伴う制御量の過渡的振動変化の
発生を防止することにある。
シ、もって制′ａ変化に伴う制御量の過渡的振動変化の
発生を防止することにある。
ポリエチレンテレフタレート樹脂の如き合成樹脂材料は
、増体等の成形品に成形されるのに、２軸延伸ブロー成
形されることが極めて有利であることが広く知られてい
る。
、増体等の成形品に成形されるのに、２軸延伸ブロー成
形されることが極めて有利であることが広く知られてい
る。
この２軸延伸プロー成形を実施するには、一般には、射
出成形等の手段により１次成形品を成形しておき、この
１次成形品を２軸延伸ブロー成形する。所謂インジェク
ションブロー成形法が採用されている。
出成形等の手段により１次成形品を成形しておき、この
１次成形品を２軸延伸ブロー成形する。所謂インジェク
ションブロー成形法が採用されている。
このインジェクションプロー成形法を実施するに際して
、既に射出成形されている１次成形品を２軸延伸ブロ一
成形操作に先立って、２軸延伸プロー成形に適した温度
に加熱する必要がある。
、既に射出成形されている１次成形品を２軸延伸ブロ一
成形操作に先立って、２軸延伸プロー成形に適した温度
に加熱する必要がある。
この１次成形品の加熱は、２軸延伸ブロ一成形操作時に
おける偏肉発生の防止、最終成形品の各部の肉厚の高い
精度での設定、熱歪の発生防止等を達成するために極め
て重要な作業である。
おける偏肉発生の防止、最終成形品の各部の肉厚の高い
精度での設定、熱歪の発生防止等を達成するために極め
て重要な作業である。
従来、この１次成形品に対する加熱制御としては、加熱
中の１次成形品の表面温度を監視し、この監視により得
られた温度値に従って、１次成形品に対する加熱温度を
制御する方法があるが、加熱中の１次成形品の表面温度
を検出する際に、温度検出器が、この１次成形品を加熱
する遠赤ヒータの発熱の一部を直接検出してしまうので
、加熱されている１次成形品の表面温度を正確に検出す
ることが出来なかった。
中の１次成形品の表面温度を監視し、この監視により得
られた温度値に従って、１次成形品に対する加熱温度を
制御する方法があるが、加熱中の１次成形品の表面温度
を検出する際に、温度検出器が、この１次成形品を加熱
する遠赤ヒータの発熱の一部を直接検出してしまうので
、加熱されている１次成形品の表面温度を正確に検出す
ることが出来なかった。
また、遠赤ヒータによる１次成形品の加熱程度は、遠赤
ヒータに供給される電力の量により設定制御されるので
あるが、遠赤ヒータに同じ電力を供給したとしても、気
温、湿度、加熱炉中に供給される単位時間当たりの１次
成形品の数、さらには加熱炉の始動時からの時間等によ
り、実際に加熱される１次成形品の加熱温度は異なる値
となってしまい、常に一定温度に加熱することが出来る
とは限らなかった。
ヒータに供給される電力の量により設定制御されるので
あるが、遠赤ヒータに同じ電力を供給したとしても、気
温、湿度、加熱炉中に供給される単位時間当たりの１次
成形品の数、さらには加熱炉の始動時からの時間等によ
り、実際に加熱される１次成形品の加熱温度は異なる値
となってしまい、常に一定温度に加熱することが出来る
とは限らなかった。
さらに、遠赤ヒータが電力を供給され、その供給された
電力に適合した熱を発熱するまでの間には、成る一定の
時間の遅れがあるが、この時間の遅れのために、制御さ
れる熱量が振動変化し勝ちとなっていた。
電力に適合した熱を発熱するまでの間には、成る一定の
時間の遅れがあるが、この時間の遅れのために、制御さ
れる熱量が振動変化し勝ちとなっていた。
制御される熱量が振動変化すると、安定した熱制御を達
成することが不可能となる。
成することが不可能となる。
本発明は、上記した従来例における欠点および問題点を
解消すべく創案されたもので、加熱炉に供給される直前
の１次成形品の表面温度に従って遠赤ヒータに供給され
るべき電力の制御目標値を設定し、この制御目標値を、
加熱されて加熱炉から排出された１次成形品の表面温度
に従って修正するようにしたものである。
解消すべく創案されたもので、加熱炉に供給される直前
の１次成形品の表面温度に従って遠赤ヒータに供給され
るべき電力の制御目標値を設定し、この制御目標値を、
加熱されて加熱炉から排出された１次成形品の表面温度
に従って修正するようにしたものである。
以下９本発明を図面を参照しながら説明する。
第１図は１本発明方法が実施される加熱炉１の一構成例
を示すもので、１次成形品Ｐは矢印に沿って供給されか
つ搬送されそして排出される。
を示すもので、１次成形品Ｐは矢印に沿って供給されか
つ搬送されそして排出される。
、加熱炉ｌの１次成形品Ｐ供給口の直前には、供給され
る１次成形品Ｐの表面温度を測定する第１の放射温度計
５が設けられており、また加熱炉ｌの排出口直後には、
加熱されたばかりの１次成形品Ｐの表面温度を測定する
第２の放射温度計６が設けられている。
る１次成形品Ｐの表面温度を測定する第１の放射温度計
５が設けられており、また加熱炉ｌの排出口直後には、
加熱されたばかりの１次成形品Ｐの表面温度を測定する
第２の放射温度計６が設けられている。
加熱炉１は、第１図に示す如（、その内部を複数（図示
実施例の場合、８個）の加熱室１ ａ ” １ ｈに分
割されていて、供給されてくる１次成形品Ｐを段階的に
加熱するようにしている。
実施例の場合、８個）の加熱室１ ａ ” １ ｈに分
割されていて、供給されてくる１次成形品Ｐを段階的に
加熱するようにしている。
そして、各加熱室１８〜ｌｈ内には２個々に加熱源とし
ての遠赤ヒータ２ａ〜２ｈが設けられている。
ての遠赤ヒータ２ａ〜２ｈが設けられている。
この各加熱室１ａ〜ｌｈ内に取付けられた細長の遠赤ヒ
ータ２は、第２図に示す如く、１次成形品Ｐの搬送方向
に沿って横倒し姿勢で取付けられかつ縦に並列配置され
ている。
ータ２は、第２図に示す如く、１次成形品Ｐの搬送方向
に沿って横倒し姿勢で取付けられかつ縦に並列配置され
ている。
１次成形品Ｐの表面温度の放射温度計５．６による温度
の測定は、この放射温度計５．６の機能に適合した方法
で行えば良いのであるが９図示実施例の如く、放射温度
計５，６として走査型放射温度針を使用する場合には、
単位時間に複数回の温度測定を行い、得られた測定結果
の最高値を測定温度値とする。
の測定は、この放射温度計５．６の機能に適合した方法
で行えば良いのであるが９図示実施例の如く、放射温度
計５，６として走査型放射温度針を使用する場合には、
単位時間に複数回の温度測定を行い、得られた測定結果
の最高値を測定温度値とする。
この放射温度計５．６により得られた温度データは、電
流値に変換されて制御用コンピュータの入力信号となる
。
流値に変換されて制御用コンピュータの入力信号となる
。
また、この放射温度計５．６による１次成形品Ｐの表面
温度の測定動作は、連続して供給されてくる１次成形品
Ｐのグループ別に行うものであって、それゆえ１次成形
品Ｐに対する温度制御は。
温度の測定動作は、連続して供給されてくる１次成形品
Ｐのグループ別に行うものであって、それゆえ１次成形
品Ｐに対する温度制御は。
このグループ分けされた（例えば、４〜５個）１次成形
品Ｐ毎に行われることになる。
品Ｐ毎に行われることになる。
次に１次成形品Ｐに対する加熱温度制御を、第３図を参
照して具体的に順に説明する。
照して具体的に順に説明する。
まず、供給される１次成形品Ｐの形状および完成品であ
る増体の形状、１次成形品Ｐから増体への延伸率、増体
の肉厚分布、室内の気温そして湿度等の条件に従って経
験的に決定されるベース条件値Ａを設定し、このベース
条件値Ａに加熱炉１に供給される１次成形品Ｐの表面温
度すなわち放射温度計５からの信号を加えて温度目標値
Ｂを決定し、さらにこの温度目標値Ｂに対応して遠赤ヒ
ータ２に与えられる電力値としての制御目標値Ｃを設定
してお（。
る増体の形状、１次成形品Ｐから増体への延伸率、増体
の肉厚分布、室内の気温そして湿度等の条件に従って経
験的に決定されるベース条件値Ａを設定し、このベース
条件値Ａに加熱炉１に供給される１次成形品Ｐの表面温
度すなわち放射温度計５からの信号を加えて温度目標値
Ｂを決定し、さらにこの温度目標値Ｂに対応して遠赤ヒ
ータ２に与えられる電力値としての制御目標値Ｃを設定
してお（。
これとは別に、加熱炉ｌから排出されたばかりの１次成
形品Ｐの表面温度を放射温度計６で一定時間毎に測定し
て順次得られる実測制御温度値りに従って遠赤ヒータ２
に与えられるべき半制御基準値Ｅを設定すると共に、こ
の半制御基準値Ｅに従って実際に遠赤ヒータ２に与えら
れる電力値である制御基準値Ｆを設定する。
形品Ｐの表面温度を放射温度計６で一定時間毎に測定し
て順次得られる実測制御温度値りに従って遠赤ヒータ２
に与えられるべき半制御基準値Ｅを設定すると共に、こ
の半制御基準値Ｅに従って実際に遠赤ヒータ２に与えら
れる電力値である制御基準値Ｆを設定する。
この制御基準値Ｆは、対応する半制御基準値Ｅの前記制
御目標値Ｃとの差が前回の半制御基準値Ｅの制御目標値
Ｃとの差よりも大きい時に、この差を小さくすべく前回
の制御基準値Ｆに一定数値を加減算して設定される。
御目標値Ｃとの差が前回の半制御基準値Ｅの制御目標値
Ｃとの差よりも大きい時に、この差を小さくすべく前回
の制御基準値Ｆに一定数値を加減算して設定される。
すなわち、加熱炉１の作動に先立って、ベース条件値Ａ
を決定しておき、このベース条件値Ａに 、放射温度計
５で検出さた供給１次成形品Ｐの表面温度信号を加算器
７で加算演算して温度目標値Ｂを得る。
を決定しておき、このベース条件値Ａに 、放射温度計
５で検出さた供給１次成形品Ｐの表面温度信号を加算器
７で加算演算して温度目標値Ｂを得る。
この温度目標値Ｂは、第１の判別器８から設定値変更部
９に入力され、この設定値変更部９で制御目標値Ｃに演
算されて、比較器１０に出力されると共に、この演算決
定された制御目標値Ｃは第１の判別器８に入力されて、
この第１の判別器８において基準値として記憶される。
９に入力され、この設定値変更部９で制御目標値Ｃに演
算されて、比較器１０に出力されると共に、この演算決
定された制御目標値Ｃは第１の判別器８に入力されて、
この第１の判別器８において基準値として記憶される。
それゆえ、温度目標値Ｂに変化がない限りにおいて、第
１の放射温度計５で供給１次成形品Ｐの温度を測定する
度に、温度目標値Ｂが第１の判別器８に入力され、その
まま制御目標値Ｃとして比較器１０に出力さるが、供給
１次成形品Ｐの温度が変化する等により温度目標値Ｂが
変化すると、第１の判別器８により温度目標値Ｂが変化
したことが判別され、この信号が設定値変更部９に出力
されて新たな制御目標値Ｃが演算決定され、この新たな
制御目標値Ｃが比較器１０に出力されると共に第１の判
別器８の新たな基準値として記憶されるのである。
１の放射温度計５で供給１次成形品Ｐの温度を測定する
度に、温度目標値Ｂが第１の判別器８に入力され、その
まま制御目標値Ｃとして比較器１０に出力さるが、供給
１次成形品Ｐの温度が変化する等により温度目標値Ｂが
変化すると、第１の判別器８により温度目標値Ｂが変化
したことが判別され、この信号が設定値変更部９に出力
されて新たな制御目標値Ｃが演算決定され、この新たな
制御目標値Ｃが比較器１０に出力されると共に第１の判
別器８の新たな基準値として記憶されるのである。
比較器１０加熱１次成形品Ｐの表面温度を測定する第２
の放射温度計６からの実測制御温度値りが信号として入
力されるが、１次成形品Ｐの加熱制御初期においては、
この第２の放射温度計６からの信号の入力はないので、
比較器１０に入力された制御目標値Ｃは、そのまま比較
器１０．第２の判別器１１そしてＰＩＤ制御回路１２を
通って第１の出力制御部１４に入力され、この制御目標
値Ｃに従った電力が、各遠赤ヒータ２に与えられて、加
熱炉１内に供給される１次成形品Ｐを加熱する。
の放射温度計６からの実測制御温度値りが信号として入
力されるが、１次成形品Ｐの加熱制御初期においては、
この第２の放射温度計６からの信号の入力はないので、
比較器１０に入力された制御目標値Ｃは、そのまま比較
器１０．第２の判別器１１そしてＰＩＤ制御回路１２を
通って第１の出力制御部１４に入力され、この制御目標
値Ｃに従った電力が、各遠赤ヒータ２に与えられて、加
熱炉１内に供給される１次成形品Ｐを加熱する。
加熱された１次成形品Ｐが加熱炉１から排出されるよう
になると、この加熱炉１内から排出されてくる加熱１次
成形品Ｐの表面温度を、予め設定さた個数毎（加熱炉１
の各加熱室に同時に位置出来る個数を基準に設定される
数で、実際には、５本程度である）第２の放射温度計６
で測定して実測制御温度値りを得、この実測制御温度値
りを比較器１０に出力する。
になると、この加熱炉１内から排出されてくる加熱１次
成形品Ｐの表面温度を、予め設定さた個数毎（加熱炉１
の各加熱室に同時に位置出来る個数を基準に設定される
数で、実際には、５本程度である）第２の放射温度計６
で測定して実測制御温度値りを得、この実測制御温度値
りを比較器１０に出力する。
この際、第２の放射温度計６と同時に第１の放射温度計
５も供給１次成形品Ｐの表面温度を測定し、比較器ｌＯ
への実測制御温度値りの入力と同時に制御目標値Ｃを比
較器１０に入力させている。
５も供給１次成形品Ｐの表面温度を測定し、比較器ｌＯ
への実測制御温度値りの入力と同時に制御目標値Ｃを比
較器１０に入力させている。
比較器１０は、入力された実測制御温度値りに基づいて
半制御基準値Ｅを演算決定すると共に、この演算決定し
た半制御基準値Ｅと制御目標値Ｃとを比較し１両者の大
小関係と差を第２の判別器１１に出力する。
半制御基準値Ｅを演算決定すると共に、この演算決定し
た半制御基準値Ｅと制御目標値Ｃとを比較し１両者の大
小関係と差を第２の判別器１１に出力する。
この第２の判別器１１は、入力された制御目標値Ｃと半
制御基準値Ｅとの差が一定範囲内にあるか否かを判別し
て、この差が一定範囲内にある時には、 ＰＩＤ制御を
すぺ＜ ＰＩＤ制御回路１２に制御目標値Ｃと差信号と
を出力し、前記差が一定範囲を越えている場合には、制
御目標値Ｃと差信号とを補正制御部１３に出力する。
制御基準値Ｅとの差が一定範囲内にあるか否かを判別し
て、この差が一定範囲内にある時には、 ＰＩＤ制御を
すぺ＜ ＰＩＤ制御回路１２に制御目標値Ｃと差信号と
を出力し、前記差が一定範囲を越えている場合には、制
御目標値Ｃと差信号とを補正制御部１３に出力する。
ＰＩＤ制御回路１２は、比例、積分そして微分制御を行
うもので、記憶しである前回の制御基準値Ｆと制御目標
値Ｃとの差に対して、入力された半制御基準値Ｅと制御
目標値Ｃとの差が大きい場合。
うもので、記憶しである前回の制御基準値Ｆと制御目標
値Ｃとの差に対して、入力された半制御基準値Ｅと制御
目標値Ｃとの差が大きい場合。
この今回の半制御基準値Ｅと制御目標値Ｃとの差と、予
め設定されている一定の比例定数との積を前回の制御基
準値Ｆに加えて、新たな制御基準値Ｆを算出するための
制御基準値Ｆの比例制御項を算出する比例制御を行うと
共に、一定の積分時間の間にサンプリングした偏差（半
制御基準値Ｅと制御目標値Ｃとの差）の積分値をサンプ
リング回数で割った値と一定の積分定数との積により、
新たな制御基準値Ｆを算出するための制御基準値Ｆ ′
の積分制御項を算出する積分制御をおこない、さらに一
定の微分時間でサンプリングされた一定時間間の半制御
基準値Ｅの温度差を割り、この値に微分定数を掛けて、
新たな制御基準値Ｆを算出するための制御基準値Ｆの微
分制御項を算出する微分制御を行い、各比例制御項、積
分制御項そして微分制御項を加算して新たな制御基準値
Ｆを得るものである。
め設定されている一定の比例定数との積を前回の制御基
準値Ｆに加えて、新たな制御基準値Ｆを算出するための
制御基準値Ｆの比例制御項を算出する比例制御を行うと
共に、一定の積分時間の間にサンプリングした偏差（半
制御基準値Ｅと制御目標値Ｃとの差）の積分値をサンプ
リング回数で割った値と一定の積分定数との積により、
新たな制御基準値Ｆを算出するための制御基準値Ｆ ′
の積分制御項を算出する積分制御をおこない、さらに一
定の微分時間でサンプリングされた一定時間間の半制御
基準値Ｅの温度差を割り、この値に微分定数を掛けて、
新たな制御基準値Ｆを算出するための制御基準値Ｆの微
分制御項を算出する微分制御を行い、各比例制御項、積
分制御項そして微分制御項を加算して新たな制御基準値
Ｆを得るものである。
このＰＩＤ制御回路１２は、一般的な制御回路であるの
で、その詳しい説明は省略するが、実際の運用に際して
は、前回の制御基準値Ｆに対して半制御基準値Ｅが制御
目標値Ｃに近づく方向に変化している場合には、その制
御動作を行なわないよう設定されていると共に、前回の
制御基準値Ｆと半制御基準値Ｅとの差が１℃以下の場合
は、その制御動作を行なほない。
で、その詳しい説明は省略するが、実際の運用に際して
は、前回の制御基準値Ｆに対して半制御基準値Ｅが制御
目標値Ｃに近づく方向に変化している場合には、その制
御動作を行なわないよう設定されていると共に、前回の
制御基準値Ｆと半制御基準値Ｅとの差が１℃以下の場合
は、その制御動作を行なほない。
これは、 ＰＩＤ制御回路１２の制御動作を煩雑なもの
としないためで、 ＰＩＤ制御回路１２の安定した。
としないためで、 ＰＩＤ制御回路１２の安定した。
かつ正確な制御動作を長期にわたって得ることが出来る
ようにするためである。
ようにするためである。
補正制御部１３は、制御目標値Ｃと今回の半制御基準値
Ｅとの間の差が、予め設定された一定値よりも大きい場
合に、 ＰＩＤ制御回路１２に代わって制御基準値Ｆの
補正制御するもので、制御目標値Ｃと今回の半制御基準
値Ｅとの間の差が、予め設定された一定値よりも大きい
場合に、前記ＰＩＤ制御回路１２による制御が可能な範
囲内に半制御基準値Ｅを矯正すべ（作動する。
Ｅとの間の差が、予め設定された一定値よりも大きい場
合に、 ＰＩＤ制御回路１２に代わって制御基準値Ｆの
補正制御するもので、制御目標値Ｃと今回の半制御基準
値Ｅとの間の差が、予め設定された一定値よりも大きい
場合に、前記ＰＩＤ制御回路１２による制御が可能な範
囲内に半制御基準値Ｅを矯正すべ（作動する。
この補正制御部１３による一回の補正制御量は。
ＰＩＤ制御回路１２の制御可能な温度範囲に適合して設
定されるが、この補正量は前記した制御目標値Ｃと今回
の半制御基準値Ｅとの間の差に比例して設定されるもの
としても良いし、または一定不変値に設定しても良い。
定されるが、この補正量は前記した制御目標値Ｃと今回
の半制御基準値Ｅとの間の差に比例して設定されるもの
としても良いし、または一定不変値に設定しても良い。
例えば、 ＰＩＤ制御回路１２による制御可能な温度範
囲が±２℃である場合、補正制御部１３による一回の補
正量は、±２℃以内の適当な値に設定すれば良い。
囲が±２℃である場合、補正制御部１３による一回の補
正量は、±２℃以内の適当な値に設定すれば良い。
要するに、 ＰＩＤ制御回路１２は、制御目標値Ｃに対
する半制御基準値Ｅの値が大きく相違していない場合に
温度の細かい補正制御を行うのであり。
する半制御基準値Ｅの値が大きく相違していない場合に
温度の細かい補正制御を行うのであり。
これに対して補正制御部１３は、制御目標値Ｃに対する
半制御基準値Ｅの値が大きく相違している場合に、−気
に大幅な補正制御を行うのである。
半制御基準値Ｅの値が大きく相違している場合に、−気
に大幅な補正制御を行うのである。
第１の出力制御部１４は、 ＰＩＤ制御回路１２．また
は補正制御部１３からの制御基準値Ｆに従った電力を、
加熱炉１の各加熱室に設けられた遠赤ヒータ２に供給す
る部分であって、各加熱室１ａ、 ｌｂ ・・・１ｈに
設けられた各遠赤ヒータ群２ａ、２ｂ ・・・２ｈに対
応して電力供給部分が設けられており、設定された制御
基準値Ｆは、加熱炉１内を移動する１次成形品Ｐの移動
に対応して、この各電力供給部分に順に移動しながら供
給されるようになっている。
は補正制御部１３からの制御基準値Ｆに従った電力を、
加熱炉１の各加熱室に設けられた遠赤ヒータ２に供給す
る部分であって、各加熱室１ａ、 ｌｂ ・・・１ｈに
設けられた各遠赤ヒータ群２ａ、２ｂ ・・・２ｈに対
応して電力供給部分が設けられており、設定された制御
基準値Ｆは、加熱炉１内を移動する１次成形品Ｐの移動
に対応して、この各電力供給部分に順に移動しながら供
給されるようになっている。
すなわち、加熱処理の完了した１次成形品Ｐの実際の加
熱温度に従って、これから新たに供給される１次成形品
Ｐに対する加熱温度を順次設定し直して行くのである。
熱温度に従って、これから新たに供給される１次成形品
Ｐに対する加熱温度を順次設定し直して行くのである。
それゆえ、加熱炉１内に供給された一つの１次成形品Ｐ
に対する制御基準値Ｆは、この１次成形品Ｐに対する加
熱処理が完了するまで一定不変値であり、加熱操作の途
中で変更されるようなことはない。
に対する制御基準値Ｆは、この１次成形品Ｐに対する加
熱処理が完了するまで一定不変値であり、加熱操作の途
中で変更されるようなことはない。
なお、第２図から明らかなように、一つの加熱室に設け
られる遠赤ヒータ２は、供給されて来る１次成形品Ｐの
高さ方向に沿って複数本並列に設けられているのである
が、第２の放射温度計６による加熱１次成形品Ｐの表面
温度の測定は、この各遠赤ヒータ２に対向した加熱１次
成形品Ｐの表面部分の温度を測定するのである。
られる遠赤ヒータ２は、供給されて来る１次成形品Ｐの
高さ方向に沿って複数本並列に設けられているのである
が、第２の放射温度計６による加熱１次成形品Ｐの表面
温度の測定は、この各遠赤ヒータ２に対向した加熱１次
成形品Ｐの表面部分の温度を測定するのである。
このことから明らかなように、制御基準値Ｆの設定によ
る温度制御は、この各加熱室に設けられた個々の遠赤ヒ
ータ２に対して行われるのであまて、各加熱室の遠赤ヒ
ータ群単位に行われるものではない。
る温度制御は、この各加熱室に設けられた個々の遠赤ヒ
ータ２に対して行われるのであまて、各加熱室の遠赤ヒ
ータ群単位に行われるものではない。
このように９本発明による１次成形品Ｐの加熱電力制御
方法は、制御基準値Ｆを、制御目標値Ｃと前回の制御基
準値Ｆとを基にして設定し、また細かい制御はＰＩＤ制
御回路１２で、そして大幅な制御は補正制御部１３で達
成するので、制御不足の発生する恐れが全くない。
方法は、制御基準値Ｆを、制御目標値Ｃと前回の制御基
準値Ｆとを基にして設定し、また細かい制御はＰＩＤ制
御回路１２で、そして大幅な制御は補正制御部１３で達
成するので、制御不足の発生する恐れが全くない。
所で、各加熱室内に設けられた遠赤ヒータ２は供給され
て来る１次成形品Ｐを設定された温度に加熱すべく作用
するものであるが、実際には供給１次成形品Ｐを設定温
度まで加熱する外に、加熱室内を一定温度まで加熱する
作用も行っている。
て来る１次成形品Ｐを設定された温度に加熱すべく作用
するものであるが、実際には供給１次成形品Ｐを設定温
度まで加熱する外に、加熱室内を一定温度まで加熱する
作用も行っている。
このように、供給１次成形品Ｐを加熱制御すべき遠赤ヒ
ータ２で、加熱室そのものをも加熱させようとすると、
各遠赤ヒータ２として大定格のものを使用しなければな
らないし、第１の出力制御部１４で制御される電力値が
大きくなり、この第１の出力制御部１４を構成するサイ
リスク等の電子回路部品の定格も大きくなって、実施に
要する設備費が膨大なものとなってしまう。
ータ２で、加熱室そのものをも加熱させようとすると、
各遠赤ヒータ２として大定格のものを使用しなければな
らないし、第１の出力制御部１４で制御される電力値が
大きくなり、この第１の出力制御部１４を構成するサイ
リスク等の電子回路部品の定格も大きくなって、実施に
要する設備費が膨大なものとなってしまう。
それゆえ、第３図の実施例に示す如く、各加熱室１ａ、
ｌｂ ・・・ｌｂ内に、それぞれインフラパネルヒー
タ３ａ、３ｂ ・・・３ｈを設けておき、この各インフ
ラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈによって、各加
熱室１ａ、Ｉｂ ・・・ｌｂ内を、１次成形品Ｐの制御
目標値Ｃにより設定される温度値までの加熱に必要とさ
れる最低温度に加熱保持するようにしておくのが良い。
ｌｂ ・・・ｌｂ内に、それぞれインフラパネルヒー
タ３ａ、３ｂ ・・・３ｈを設けておき、この各インフ
ラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈによって、各加
熱室１ａ、Ｉｂ ・・・ｌｂ内を、１次成形品Ｐの制御
目標値Ｃにより設定される温度値までの加熱に必要とさ
れる最低温度に加熱保持するようにしておくのが良い。
この各インフラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈに
よる加熱温度制御は、ベース条件値Ａが入力される第２
の出力制御部１５により、このベース条件値Ａに従った
電力値を各インフラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３
ｈに供給するものとし、各インフラパネルヒータ３ａ、
３ｂ ・・・３ｈには１個々に温度測定器４ａ、４ｂ
・・・４ｈが設けられていて、各インフラパネルヒータ
３ａ、３ｂ ・・・３ｈの実際の発熱量を測定して第２
の出力制御部１５にフィードバックしている。
よる加熱温度制御は、ベース条件値Ａが入力される第２
の出力制御部１５により、このベース条件値Ａに従った
電力値を各インフラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３
ｈに供給するものとし、各インフラパネルヒータ３ａ、
３ｂ ・・・３ｈには１個々に温度測定器４ａ、４ｂ
・・・４ｈが設けられていて、各インフラパネルヒータ
３ａ、３ｂ ・・・３ｈの実際の発熱量を測定して第２
の出力制御部１５にフィードバックしている。
第２の出力制御部１５は、この温度測定器４ａ、４ｂ・
・・４ｈからフィードバックされた各インフラパネルヒ
ータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈの実際の発熱量を、その設
定された温度値と突き合わせて、各インフラパネルヒー
タ３ａ、３ｂ ・・・３ｈの実際の発熱量が設定された
温度値と等しくなるように各インフラパネルヒータ３ａ
、３ｂ ・・・３ｈへの供給電力を制御する所謂フィー
ドバンク制御を行なっている。
・・４ｈからフィードバックされた各インフラパネルヒ
ータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈの実際の発熱量を、その設
定された温度値と突き合わせて、各インフラパネルヒー
タ３ａ、３ｂ ・・・３ｈの実際の発熱量が設定された
温度値と等しくなるように各インフラパネルヒータ３ａ
、３ｂ ・・・３ｈへの供給電力を制御する所謂フィー
ドバンク制御を行なっている。
このように、各加熱室１ａ、 ｌｂ ・・・ｌｂ内の最
低温度をインフラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈ
によって加熱保持することによって、各遠赤ヒータ群２
ａ、２ｂ ・・・２ｈそれぞれの発熱量を少なくするこ
とが出来ので、各遠赤ヒータ２の定格および第１の出力
制御部１４の構成部品であるサイリスク等の電子回路部
品の定格を小さくすることが出来、これによって本発明
方法を実施する装置に要する設備費を大幅に低くするこ
とが出来る。
低温度をインフラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈ
によって加熱保持することによって、各遠赤ヒータ群２
ａ、２ｂ ・・・２ｈそれぞれの発熱量を少なくするこ
とが出来ので、各遠赤ヒータ２の定格および第１の出力
制御部１４の構成部品であるサイリスク等の電子回路部
品の定格を小さくすることが出来、これによって本発明
方法を実施する装置に要する設備費を大幅に低くするこ
とが出来る。
このインフラパネルヒータ３ａ、３ｂ ・・・３ｈによ
る各加熱室１ａ、 ｌｂ ・・・１ｈの加熱温度は、多
くの経験によって決定されるのであって、予想される温
度変化範囲に従った数値だけ制御目標値Ｃよりも低い値
に設定される。
る各加熱室１ａ、 ｌｂ ・・・１ｈの加熱温度は、多
くの経験によって決定されるのであって、予想される温
度変化範囲に従った数値だけ制御目標値Ｃよりも低い値
に設定される。
このように２本発明による１次成形品Ｐの加熱電力制御
方法は、加熱前の供給１次成形品Ｐの表面温度に従って
決定される制御目標値Ｃを基準として、加熱されて加熱
炉１から排出された加熱１次成形品Ｐの表面温度を第２
の放射温度計６により測定した実測制御温度値りに従っ
て決定される制御基準値Ｆで、実際の遠赤ヒータ２の発
熱量を制御するようにしたので、２軸延伸ブロー成形さ
れる加熱１次成形品Ｐの実際の温度を、遠赤ヒータ２か
らの放射温度に影響されることなく、正確に且つ忠実に
そして安定して知ることが出来、もってより正確な１次
成形品Ｐの加熱温度制御を達成することが出来る。
方法は、加熱前の供給１次成形品Ｐの表面温度に従って
決定される制御目標値Ｃを基準として、加熱されて加熱
炉１から排出された加熱１次成形品Ｐの表面温度を第２
の放射温度計６により測定した実測制御温度値りに従っ
て決定される制御基準値Ｆで、実際の遠赤ヒータ２の発
熱量を制御するようにしたので、２軸延伸ブロー成形さ
れる加熱１次成形品Ｐの実際の温度を、遠赤ヒータ２か
らの放射温度に影響されることなく、正確に且つ忠実に
そして安定して知ることが出来、もってより正確な１次
成形品Ｐの加熱温度制御を達成することが出来る。
また、遠赤ヒータ２に、実際に与えられる電力値は、加
熱された１次成形品Ｐの表面温度に従って設定される制
御基準値Ｆによって決定されるのである力ζ、この制御
基準値Ｆは、制御目標値Ｃと前回の制御基準値Ｆとの差
に応じて逐次修正されて決定されるので、加熱１次成形
品Ｐの加熱温度が、制御目標値Ｃに対応した温度と大き
く相違することが全くなく、常に殆ど一定したかつ安定
した１次成形品Ｐの加熱制御を達成することが出来る。
熱された１次成形品Ｐの表面温度に従って設定される制
御基準値Ｆによって決定されるのである力ζ、この制御
基準値Ｆは、制御目標値Ｃと前回の制御基準値Ｆとの差
に応じて逐次修正されて決定されるので、加熱１次成形
品Ｐの加熱温度が、制御目標値Ｃに対応した温度と大き
く相違することが全くなく、常に殆ど一定したかつ安定
した１次成形品Ｐの加熱制御を達成することが出来る。
さらに、制御目標値Ｃは、供給される１次成形品Ｐの温
度に応じて変更されるので、１次成形品Ｐをより２軸延
伸ブロー成形に適した温度に加熱することが出来る。
度に応じて変更されるので、１次成形品Ｐをより２軸延
伸ブロー成形に適した温度に加熱することが出来る。
またさらに、各加熱室にインフラパネルヒータ３を設け
た場合には、各遠赤ヒータ２の発熱量を小さくすること
が出来るので、加熱制御そのものを正確に達成すること
が出来るばかりか２本発明方法を実施すべく構成される
加熱装置の設備費を大幅に低減させることが出来る。
た場合には、各遠赤ヒータ２の発熱量を小さくすること
が出来るので、加熱制御そのものを正確に達成すること
が出来るばかりか２本発明方法を実施すべく構成される
加熱装置の設備費を大幅に低減させることが出来る。
以上の説明から明らかなように９本発明による２軸延伸
ブロ一成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法は
、１次成形品を、２軸延伸ブロー成形に要求される温度
に正確に加熱することが出来、また１次成形品を実際に
加熱する制御基準値は、制御目標値を基準として前回の
制御基準値を修正して設定されるので、極めて正確な加
熱温度制御を得ることが出来、さらにこの制御基準値は
加熱された１次成形品の実際の温度に従って修正設定さ
れるので、加熱制御の基となる制御基準値をより正確に
設定することが出来る等多くの優れた効果を発揮するも
のである。
ブロ一成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法は
、１次成形品を、２軸延伸ブロー成形に要求される温度
に正確に加熱することが出来、また１次成形品を実際に
加熱する制御基準値は、制御目標値を基準として前回の
制御基準値を修正して設定されるので、極めて正確な加
熱温度制御を得ることが出来、さらにこの制御基準値は
加熱された１次成形品の実際の温度に従って修正設定さ
れるので、加熱制御の基となる制御基準値をより正確に
設定することが出来る等多くの優れた効果を発揮するも
のである。
第１図は２本発明方法を実施すべ（構成された加熱炉の
簡略構造図である。 第２図は、第２の放射温度計による加熱１次成形品の表
面温度の測定形態と、各加熱室に配置された遠赤ヒータ
の１次成形品に対する配置関係を示す説明図である。 第３図は９本発明方法の動作の説明に供する線図である
。 符号の説明 １；加熱炉、 ｌａ、ｌｂ ＋１ｃ ＋１ｄ ＋１ｅ
＋１ｆ ＋１８ ｔｌｈ ；加熱室、゛２；遠赤ヒータ
、 ２ａ、２ｂ ・・・２ｈ；遠赤ヒータ群、３．３ａ
＋３ｂ ・・・３ｇ＋３ｈ ；インフラパネルヒータ、
４ａ、４ｂ・・・４ｇ３４ｈ；温度測定器。 ５；第１の放射温度針、６；第２の放射温度計。 ７；加算器、８；第１の判別器、９；設定値変更部、１
０；比較器、１１；第２の判別器、１２；ＰＩＤ制御回
路、１３；補正制御部、１４；第１の出力制御部。 １５；第２の出力制御部、Ｐ；１次成形品。 出願人 株式会社 吉 野 工 業 所ｉ 代理人（弁理士）渡 辺 ≠；輸
簡略構造図である。 第２図は、第２の放射温度計による加熱１次成形品の表
面温度の測定形態と、各加熱室に配置された遠赤ヒータ
の１次成形品に対する配置関係を示す説明図である。 第３図は９本発明方法の動作の説明に供する線図である
。 符号の説明 １；加熱炉、 ｌａ、ｌｂ ＋１ｃ ＋１ｄ ＋１ｅ
＋１ｆ ＋１８ ｔｌｈ ；加熱室、゛２；遠赤ヒータ
、 ２ａ、２ｂ ・・・２ｈ；遠赤ヒータ群、３．３ａ
＋３ｂ ・・・３ｇ＋３ｈ ；インフラパネルヒータ、
４ａ、４ｂ・・・４ｇ３４ｈ；温度測定器。 ５；第１の放射温度針、６；第２の放射温度計。 ７；加算器、８；第１の判別器、９；設定値変更部、１
０；比較器、１１；第２の判別器、１２；ＰＩＤ制御回
路、１３；補正制御部、１４；第１の出力制御部。 １５；第２の出力制御部、Ｐ；１次成形品。 出願人 株式会社 吉 野 工 業 所ｉ 代理人（弁理士）渡 辺 ≠；輸
Claims (3)
- （１）１次成形品および該１次成形品から２軸延伸ブロ
ー成形される増体の形状、延伸率、肉厚分布。 ２軸延伸ブロー成形時の気温、湿度等の条件に従って決
定されるベース条件値に加熱炉内に供給される直前の供
給１次成形品の表面温度信号を加えて得られる温度目標
値に対応して加熱炉内に配設された遠赤ヒータに与えら
れる電力の制御目標値を設定しておき、加熱炉から排出
された多数の加熱１次成形品の表面温度を一定時間毎に
測定して順次得られる実測制御温度値に従って前記遠赤
ヒータに与えられるべき半制御基準値を設定すると共に
該半制御基準値に従って実際に前記遠赤ヒータに与えら
れる制御基準値を設定するもあとし。 該制御基準値は、対応する半制御基準値の制御目標値と
の差が旋回の半制御基準値の制御目標値との差よりも大
きい時に該差を小さくすべく前回の制御基準値に一定数
値を加減して設定される２軸延伸ブロ一成形壜体成形用
１次成形品の加熱電力制御方法。 - （２）１次成形品および該１次成形品から２軸延伸ブロ
ー成形される増体の形状、延伸率、肉厚分布。 ２軸延伸ブロー成形時の気温、湿度等の条件に従って決
定される１次ベース条件値に従った電力値を、加熱炉内
に配設されたインフラパネルヒークに与えて加熱炉内を
一定温度に加熱した状態で。 １次成形品および該１次成形品から２軸延伸ブロー成形
される増体の形状、延伸率、肉厚分布、２軸延伸ブロー
成形時の気温、湿度等の条件に従って決定される２次ベ
ース条件値に、加熱炉内に供給される直前の供給１次成
形品の表面温度信号を加えて得られる温度目標値に対応
して加熱炉内に配設された遠赤ヒータに与えられる電力
の制御目標値を設定しておき、加熱炉から排出された多
数の加熱１次成形品の表面温度を一定時間毎に測定して
順次得られる実測制御温度値に従って前記遠赤ヒータに
与えられるべき準１１ｉ１Ｊ御基準値を設定すると共に
、該半制御基準値に従って実際に前記遠赤ヒータに与え
られる制御基準値を設定するものとし、該制御基準値は
、対応する半制御基準値の制御目標値との差が前回の半
制御基準値の制御目標値との差よりも大きい時に該差を
小さくすべく前回の制御基準値に一定数値を加減して設
定される２軸延伸ブロ一成形壜体成形用１次成形品の加
熱電力制御方法。 - （３）加熱炉内を、１次成形品の移動径路に沿って複数
の加熱室に分割すると共に、該各加熱室内に遠赤ヒータ
群を配設しておき、１次成形品および該１次成形品から
２軸延伸プロー成形される増体の形状、延伸率、肉厚分
布、２軸延伸ブロー成形時の気温、湿度等の条件に従っ
て決定されるベース条件値に、加熱炉内に供給される直
前の供給１次成形品の表面温度信号を加えて得られる温
度目標値に対比して、加熱炉内に配設された遠赤ヒータ
に与えられる電力の制御目標値を設定しておき。 加熱炉から排出された多数の加熱１次成形品の表面温度
を一定時間毎に測定して順次得られる実測制御温度値に
従って、前記遠赤ヒータに与えられるべき半制御基準値
を設定すると共に、該半制御基準値に従って実際に前記
遠赤ヒータに与えられる制御基準値を設定するものとし
、該制御基準値は、対応する半制御基準値の制御目標値
との差が前回の半制御基準値の制御目標値との差よりも
大きい時に該差を小さくずべく前回の割筒１基準値に一
定数値を加減して設定された今回の制御基準値に従った
電力を、１次成形品の移動に従って該１次成形品が対応
する加熱室に設けられた遠赤ヒータに供給する２軸延伸
ブロ一成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143432A JPS6034827A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ２軸延伸ブロ−成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143432A JPS6034827A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ２軸延伸ブロ−成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6034827A true JPS6034827A (ja) | 1985-02-22 |
| JPH0422688B2 JPH0422688B2 (ja) | 1992-04-20 |
Family
ID=15338575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143432A Granted JPS6034827A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ２軸延伸ブロ−成形壜体成形用１次成形品の加熱電力制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034827A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002087850A1 (de) * | 2001-04-30 | 2002-11-07 | Sig Corpoplast Gmbh & Co. Kg | Verfahren und vorrichtung zur temperierung von vorformlingen |
| WO2011066886A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Krones Ag | Ofen zum konditionieren von vorformlingen |
| JP2012020574A (ja) * | 2010-06-02 | 2012-02-02 | Sidel Participations | プレフォームの熱処理のための炉及びこのような炉に設けられる空気冷却器の制御方法 |
| JP2014520015A (ja) * | 2011-06-23 | 2014-08-21 | シデル パーティシペイションズ | 外壁温度が低い容器の予備成形体の加熱方法および予備成形体の加熱ユニット |
| US9234802B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-01-12 | Plastic Technologies, Inc. | Energy output measuring device for infrared heating device |
| JP2016087977A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社浅野研究所 | 熱成形装置、熱成形方法、ヒーターの温度制御方法、加熱装置 |
| DE102017119492A1 (de) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Krones Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen von Kunststoffvorformlingen |
| JPWO2022014716A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP58143432A patent/JPS6034827A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002087850A1 (de) * | 2001-04-30 | 2002-11-07 | Sig Corpoplast Gmbh & Co. Kg | Verfahren und vorrichtung zur temperierung von vorformlingen |
| US7491358B2 (en) | 2001-04-30 | 2009-02-17 | Sig Corpoplast Gmbh & Co. Kg. | Method and device for regulating the temperature of parisons |
| WO2011066886A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Krones Ag | Ofen zum konditionieren von vorformlingen |
| US10493686B2 (en) | 2010-06-02 | 2019-12-03 | Sidel Participations | Oven for the thermal conditioning of preforms and control method of an air cooling device fitted to such an oven |
| JP2012020574A (ja) * | 2010-06-02 | 2012-02-02 | Sidel Participations | プレフォームの熱処理のための炉及びこのような炉に設けられる空気冷却器の制御方法 |
| JP2014520015A (ja) * | 2011-06-23 | 2014-08-21 | シデル パーティシペイションズ | 外壁温度が低い容器の予備成形体の加熱方法および予備成形体の加熱ユニット |
| JP2017109501A (ja) * | 2011-06-23 | 2017-06-22 | シデル パーティシペイションズ | プラスチック材料製の中空予備成形体の加熱装置 |
| US9234802B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-01-12 | Plastic Technologies, Inc. | Energy output measuring device for infrared heating device |
| JP2016087977A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社浅野研究所 | 熱成形装置、熱成形方法、ヒーターの温度制御方法、加熱装置 |
| DE102017119492A1 (de) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Krones Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen von Kunststoffvorformlingen |
| EP3672779B1 (de) * | 2017-08-25 | 2022-09-28 | Krones AG | Verfahren und vorrichtung zum erwärmen von kunststoffvorformlingen |
| US11648725B2 (en) | 2017-08-25 | 2023-05-16 | Krones Ag | Method and apparatus for heating plastic preforms |
| JPWO2022014716A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | ||
| WO2022014716A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | 日精エー・エス・ビー機械株式会社 | 製造装置の制御方法、樹脂製容器の製造方法、製造装置の制御装置およびこれを有する樹脂製容器の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422688B2 (ja) | 1992-04-20 |
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