JPS6035552U - シリコン半導体装置用電極 - Google Patents

シリコン半導体装置用電極

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JPS6035552U
JPS6035552U JP1984099887U JP9988784U JPS6035552U JP S6035552 U JPS6035552 U JP S6035552U JP 1984099887 U JP1984099887 U JP 1984099887U JP 9988784 U JP9988784 U JP 9988784U JP S6035552 U JPS6035552 U JP S6035552U
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JP
Japan
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deposition step
silicon semiconductor
electrodes
semiconductor devices
forming
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Pending
Application number
JP1984099887U
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English (en)
Inventor
良美 田中
Original Assignee
松下電子工業株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
と　　第１図および第２図は従来のシリコン半導体装置 己　施例にかかるシリコン半導体装置用電極の構造を示
す図である。 《　　　１・・・Ｎ型シリコン基板（コレクタ領域）、
２・・・二　　Ｐ型ベース領域、３・・・Ｎ型エミッタ
領域、４，５、　・・・アルミニウムあるいはニッケル
よりなる最上・　　層、６・・・２酸化シリコン膜、７
・・・クロム、チタン、モリブデンのいずれかよりなる
最下層、８・・・中間層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン基板上に形成された電極が、第１の初着工程で
    形成されたクロム、チタン、モリブデンのいずれか１種
    の金属からなる最下層と第２の初着工程で形成され、前
    記最下層形成金属とアルミニウムまたはニッケルとの合
    金で、合金組成比か全域にわたりほぼ一定な中間層と、
    第３の被着ユ程で形成されたアルミニウムまたはニッケ
    ルからなる最上層との３層構造であることを特徴とする
    シリコン半導体装置用電極。
JP1984099887U 1984-07-02 1984-07-02 シリコン半導体装置用電極 Pending JPS6035552U (ja)

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