JPS6035814B2 - ロ−ル状抵抗−容量回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は巻回形ＲＣ回路に関し、特に広範囲の周波数に
わたって安定な周波数応答をもち、かつ小形製造簡単、
原価の低廉な巻回形ＲＣ回路に関する。

種々の電気並びに電子回路例えば電話交換回路網等にお
いては、電気的サージによって生じるアークのリレー接
点の劣化を保護するのに抵抗−コンデンサＲ−Ｃ回路網
を用いると非常に有効であることが実証されている。

一般的にリレー接点保護の基本的な形態においては、リ
レーコイルの接点と接点との間にＲ−Ｃ回路を接続する
ことであって、この様にすることによってリレー接点が
関放されコイルが励磁されなくなった時に、接点の周辺
でコイル電磁界の急激な減衰によって生ずる高周波ェネ
ルギをＲ−Ｃ回路によって短絡し、Ｒ−Ｃ回路のコンデ
ンサによって前述のェネルギを吸収して磯点間のアーク
を防止している。接点が再び閉じられコイルが励磁され
る際はコンデンサから接点を通って流れる低周波ェネル
ギをＲ−Ｃ回路の抵抗が制限し、接点間のアークを防止
する。このような基本的なタイプのリレー接点保護に適
する巻回型Ｒ−Ｃ回路の１形態が米国特許第３，７８６
，３２２に開示されている。

前記米国特許においては、Ｒ−Ｃ回路は周波数に依存す
るインピーダンスを有するように作られており、低周波
における高インピーダンスを禁止しリレー接点が閉じた
時にコンデンサから流出するェネルギを制限している。
またＲ−Ｃ回路は高周波における低インピーダンスも禁
止し接点が開放された時にコンデンサによって電気ェネ
ルギを吸収するようにしている。さらに前記の米国特許
によると、２個の金属化された誘電体ストリップが抵抗
−コンデンサロ−ルを形成するように巻かれているので
、細い金属部をとり除くことによって各ストリップの金
属層内には螺旋状の抵抗路が形成される。従って回路網
の螺旋体の両端部はハンダ付けされ、ワックスを内部に
つめ込んで、螺旋体の他端を導電路の夫々の端部と電気
的に結線しＲ−Ｃ回路を形成している。しかし、ある電
子スイッチングシステムに適用される場合には、この抵
抗コンデンサ回路網はある波形を形成する付加的な機能
としてもはたらく。

この波形は最適な波形と比較され、システムが順調に正
しく動作していることを保証するために、その動作中連
続的にシステムを自己テストするものである。さらにこ
のスイッチングシステムは高速で動作するので、６０Ｈ
Ｚ−１００ＫＨＺというような広い範囲にわたって一様
な電気的な応答をしないコンタクト保護回路はコンタク
トの関、閉時間に悪影響を生ずることがあり、このため
にシステムの動作不良をまね〈、従ってＲＣ回路網はこ
のようなスイッチングシステムに適用される場合には少
なくとも低周波（例えば１０ＫＨＺ以下）において（こ
の場合回路網は大略リアクティプである）同程度のキャ
パシタンス効果を示し、それより高い周波数（例えば１
皿ＨＺ以上では一様な直列抵抗である）を示すことが不
可欠である。このような目的の電子スイッチングシステ
ムに適した高安定度のＲＣ回路網は米国特許３５３４２
４８で発表されており、その回路網の抵抗は、特にその
目的のために作ったディスクリートの抵抗である。

この抵抗は通常長手のアルミ円筒の中にあって円筒から
軸方向にのびる抵抗の導入線があり、もう一方の導入線
はシリンダの外壁にそって曲げられている。またキャパ
シティは誘電体材を層状にまきつけては）、円筒形を形
成し、その第１層は、さきに抵抗の外壁にそってまげた
導入線と電気的に接触状態にある。キャパシターの最後
の層は、第１層の電気的接続が完了した後、第この外部
導入線が手で挿入されつメーいて巻き重ねられる層と層
にはさまれ第二の導電性の層によって固定される。従っ
て本発明の目的は、高速度電子スイッチングシステムに
適用された場合に、そのシステムの動作中連続的に自己
テストするために、最適な波形と比較される波形を発生
するという、従来の巻回型Ｒ−Ｃ回路網（例えば米国特
許第３，７８６，３２２）では得られない付加的な機能
を有するＲＣ回路網を提供することである。

更に本発明の目的はディスクリートな型抵抗回路網（例
えば米国特許第３５３４２４８）に比べて電気的に安定
な、小型の、作りやすくかつコストのか）らないＲＣ回
路網を提供することである。

本発明の概要この発明に塞けば、誘電体層と導電体層が
交互に重ねられて巻物状になるように巻かれた抵抗コン
デンサ回路網は、少くとも導電体で巻きこまれた二層の
第一層において抵抗路を形成できる。

抵抗路は、回路網をなすロールの一端（層端）において
導入線用として確保してある場所から反対に円筒の外縁
部にそって通路が形成され、この通路は更に導電性材の
第一層の一部分を形成するキャパシタの内側の場所にこ
の導入線端子が接続される。好ましくは、抵抗器は導電
性材料の第一層に形成され、この第１層の導電性材料は
第２層の導電性材料とかごならないで回路網のロールの
一端に隣接するようになっている。

電流議導路は導電性材料の第１層の中間的な巻物内で形
成される。

この層は中心に関して半径方向に間隙ができるように巻
物状回路網の一端がその巻物の外縁物と隣合うようにな
っており、抵抗路は導入線接続部に接続される。さらに
、抵抗路は周辺部に平行であって、しかも同じ抵抗値を
もちかつ同じ中と長さである。必要に応じ、もう１っの
電流誘導路も導電性材料の第二の層の中間的な巻物で形
成することも可能で、さきにのべたのと反対側の巻物の
端部で巻物状回路網の一端がその巻物の外縁部と隣合う
ようになっている。以下本発明を図と共に詳細に説明す
る。第１図〜第４図を参照すると、ＲＣ回路網２０にお
いて、譲亀材料の第１と第２のストリップ２１と２２、
および導電金属の第１と第２の層２３と２４が巻物状回
路網２０ｒに巻かられている。

ストリップ２１，２２は、どんな可榛・性の誘電材料で
もよく例えばポリカーボネイト、ポリステイレン、また
商品名がマィラとよばれて売られているポリエステルプ
ラスティツクでもよく、また導電性層２３と２４はアル
ミ、銀、亜鉛、合金といったような導電性金属である。
金属層２３と２４は金属蒸着あるいはスパッタリングと
いった公知の技術によって誘電材ストリップ２１と２２
に直接形成されることがのぞましい。本発明で明らかに
された具体例では金属化誘電材ストリップ構造の形式が
示されている。図の方法では、誘電材ストリップ２１，
２２は厚さ６ミクロン程度のポリエステルブラステイツ
クのフィルムでもよく、その上に２ミクロン程度の金属
化亜鉛コーティング２３と２４がついている。金属化誘
電材ストリップ２１と２２は、公知の方法であるが、中
央部を金属された１枚のストリップを長手方向にスリッ
トをつけてストリップを作るという方法を好んで用いて
おり、これによって両ストリップの物理的電気的特性が
２１ｍと２２ｍなる端部までも一様な厚みである金属化
層をうろことが可能となる。

また更に、各金属化誘電材ストリップ２１と２２はその
一端にそって金属化されない２１ｎと２２ｎの非金属化
端を含んでおりこれはストリップが巻物状回路網２１ｒ
の中に一緒に巻きこまれたときにストリップの金属化部
分間で短絡が生じることを防ぐためである。誘電材スト
リップ２１と２２の金属化部分間の短絡に対する予防策
として、ストリップは図２に示されるように巻回作業中
に互にずれるようになっている。金属化誘電材ストリッ
プ２１と２２が巻物状回路網２０ｒの形に成形された後
、巻物２１あるいは巻物状回路網２１ｒの多層巻物の最
外層が図３に示すように隣り合う反対の端と一緒にマス
ク体２５によってお）い、その端部を多孔質の半田部２
０ｓ（図４）に成形するためにハンダスプレィされる。

その後巻物２０ｒは多孔質半田部２０ｓを通してワック
スが真空充填され、金属層２３と２４の酸化を防ぐと共
に巻芯をとったあとの巻物の中心孔の充填にも役立つ。
適当な端子導入線２０ｔがそのハンダ部２０ｓに公知の
方法で図４に示すように取付けられ、その後回路網２０
は適当な方法でケース詰めされる。巻物状回路網２０ｒ
を形成する際に、三本の非金属化線すなわち間隙システ
ム２６，２７，２８は、第１の誘導材ストリップ２１上
の金属化端部２１ｍに隣接した第１の金属層２３内に形
成され、かくして巻物状回路網の隣接する一端は、導入
線接続部ＴＡ−１、延長された一組の抵抗路Ｒ，とＲ２
、導入線後続部と抵抗路をつなぐ電流誘導路ＣＳ−１を
規定することになる。

抵抗路Ｒ．とＲ２は電流誘導路ＣＳ−１とは縁辺上で逆
方向にのび、金属層２３の内側に存在するスペース２３
Ｃによって形成されるコンデンサに導ス縦泉接続部が接
続される。第１と第３の線すなわち間隙２６と２８は金
属層２３の両端から始り外縁に平行してのび、層の長手
方向中央に関して、あるいは導入線接続部ＴＡ−１と電
流譲導路ＣＳ−１と規定するための長手方向に関する中
央線２３ｍｐに関して、同じ間隔で（即ち対称）設置さ
れる。

同様に、第２のラインあるいは間隙２７も金属層２３の
両端から実質的には同じ距離の点、すなわち中央線２３
ｍｐの両側に対称となり第１と第３のライン２６と２８
に平行にかつ抵抗路Ｒ，とＲ２を規定するための電流談
導路ＣＳ−１の反対側の位置に存在する。結果的には、
抵抗路Ｒ，とＲ２は長さも中も同じとなり、第１金属層
２３がその長さにおいて同一の抵抗率とすれば同一の抵
抗値となる。この点において、各抵抗路Ｒ，とＲ２のそ
れぞれの抵抗値は金属層２３の金属の抵抗率、厚さ、中
、金属線の長さに左右される。したがって、いかなる特
殊例においても、金属層２３のある選択した中や厚さは
単位長さ当りの抵抗率を決めることになり、この値を直
ちに計算し、また測定して、要求されている抵抗値に相
当するＲ．あるいはＲ２の抵抗路長がその道のエキスパ
ートには明らかな方法で決定される。高周波における安
定度の高い応答が要求されるところでは、第１の金属層
２３における導入線接続部ＴＡ−１に相当する導入線接
続部ＴＡ−２と同じく電流誘導路ＣＳ−１に相当するＣ
Ｓ−２を第２の誘電体ストリップ２２の上の第二の金属
層２４に設ける。

本発明の具体例に明らかにされているように、二本の線
すなわち間隙２９と３１を第２の金属層２４内に作るこ
とが実現している。なお２９と３１は、さきにのべた第
１の金属層２３内に作られた糠あるいは間隙２６と２８
に相当するものである。合成ＫＣ回路網１ ０の電気的
等価回路は、図５に回路図として示されているが、等し
い価の二本の抵抗Ｒ，とＲ２が並列に、更に第１の金属
層２３の線または間隙２６，２７，２８の内側の抵抗を
示すＲ３がコソデンサを介して第２の金属層２４の級ま
たは間隙２９と３１の内側の抵抗を示すＲ４と共に直列
につながっている。

抵抗Ｒ，とＲ２は、電流誘導路ＣＳ−１が示す抵抗Ｒ５
と導入線接続部とそのハンダ付部２０ｓとの間の終端抵
抗Ｒｔと、第１の導入線接続部ＴＡ−１に対する導入線
２０ｔとに直列につながっている。同様に抵抗Ｒ４は、
回路網のもう一方の端の方の、電流誘導路ＣＳ−２を表
す抵抗Ｒ６と第２の最終抵抗Ｒｔとに直列につながって
いる。抵抗Ｒ３とＲ４は抵抗Ｒ，とＲ２に比して小さく
、またごくわずかの面積差しかない面で作られているの
で実用上の点からはその値は等しいとしてよい。抵抗Ｒ
５とＲ６もまた同じ価であるが、Ｒ，〜Ｒ４までの複合
抵抗に比して無視しうる小さいものである。ざらに終端
抵抗Ｒｔは二本とも同じ価でありまた小さいが、これは
半田付ブロック２０ｓが上述のように巻物状回路網２０
ｒに正しく形成されたという前提の下である。図３に示
されている、この発明による具体例の図において、譲露
体ストリップ２１と２２および金属層２３と２４が巻物
状回路網２０ｒにまかれた際には綾または間隙２６，２
７，２８，２９，３１（図１）によって規定される導入
線接続部ＴＡ−１とＴＡ−２は中心と巻物の外周との間
の半径方向の介在物として存在することになる。

これは、半田付ブ。ック２０ｓと導入線接続部ＴＡ−１
とＴＡ−２の間の良好なる電気接続が得られるという観
点からはのぞましいことで、すでにのべたごとくワック
スで中心孔２０ｈを実用的にうめた巻物の中心に導入線
接続部が位置するという構造からも云えることである。
同様に、導入線接続部ＴＡ−１とＴＡ−２が巻物状回路
網２０ｒの外縁部に位置しているとすると、上述の半田
スプレィ作業に際してマスク２５を用いて巻物の外周巻
をお）っているので、その上に半田は全くのこらず、巻
物の外周にある金属層２３と２４の巻きこみ部と半田ブ
ロック２０ｓとの間の良好な電気接続を作ることはむず
かしい。このようにしてこの発明の具体例は、図１で明
らかにした抵抗パターンをもつＲＣ回路網の製作におい
て既知の方法をもってしても実現でき、同時に回路網２
０の金属層２０と半田ブロック２０ｓの間の良好な電気
的接続を可能とする配置をそれ自体で生み、したがって
終端抵抗Ｒｔ‘ま殆んど問題にならない値となる。抵抗
路Ｒ，とＲ２は諺電体ストリップ２１の金属化端部２１
ｍに隣接して、すなわち、図１と２に示されているよう
に巻回形回路網２０ｒの端部に隣接して位置するのがの
ぞまし〈、これは巻物がワックスの充填物でつめられた
際に酸化防止充填物で抵抗路がお）われることを確実に
するためである。

これによって抵抗路Ｒ，とＲ２を形成する金属は、完成
後のＲＣ回路網での抵抗値を変化させるような影響を与
えるその後におこる酸化を確実に防ぐことができる。こ
れはまた第２の譲露体ストリップ２２の非金属化機部２
２ｎ上に抵抗路Ｒ，とＲ２をおくことが可能となり、抵
抗路を形成する金属がＲＣ回路網２０の回路に容量性の
効果をもたないようになしうる。同じように、第２の譲
亀体ストリップ２２上の第２の金属層２４内にある線あ
るいは間隙２９と３１が用いられると、この間隙外の金
属層中の金属（すなわち、間隙と隣薮する金属化ストリ
ップ端部２２ｍ）はＲＣ回路網２０の回路に何等の容量
性の効果を与えず、金属層２３と２４の一部分２３Ｃと
２４Ｃを形成する容量は第１の誘電体ストリップ２１上
の線または間隙２７と第２の誘電体ストリップ２２上の
線または間隙２９と３１との間に完全に入って位置する
。さらに回路網２０中の全合成抵抗は、同じ値の二本の
抵抗Ｒ，とＲ２、小さい同じ値の二本の抵抗Ｒ３とＲ４
、同値であり乍ら非常に小さい抵抗値の抵抗Ｒ５とＲ６
、それに線または間隙２６，２８，３１と回路網に何等
の抵抗性の効果を与えない隣接する金属化端部２１ｍと
２２ｍとの間の金属層２３と２４の一部分をもつ、同値
であり非常に値の小さし、終端抵抗Ｒｔによって規定さ
れる。したがって、図５に示すように正確な安定した抵
抗−容量直列回路が実現される。この発明によるＲＣ回
路網２０を巻く装置は図６に示す通常のもので、スイス
のフリブルグにあるメタノール社の江幻２１型とかカル
フオルニア州サンフィルナン日こあるＥＷ、バートン社
のコンデンサー捲機ＳＡＭ２９０１Ａ型のようなもので
よい。このようにして、こ）で明らかにされた装置では
、金属化誘電体ストリップ２１と２２は１対となって適
当なガイドローラ３４をへてそれぞれの供給源３２と３
３からおくられ、すり割り入りの細い直径（２ミリ）の
第１軸３６上にまずまきとられる。この軸は着脱可能の
半分の軸が密着重ね巻きの状態にあるときにストリップ
を受取る位置を規定する半円形の端部をもっている。こ
の着脱可能のすり割入り軸の半分３６は、回転ターレッ
ト３７の内板（図では１枚しか示していない）のそれぞ
れにとりついていて、そこにも同じ着脱可能の第２のす
り割入り軸３８が取付いている。ストリップ２１と２２
のある長さが必要とする容量をもつ巻物状回路網２０ｒ
を作るべく第１の軸３６の上にまかれた後ターレット３
７は図７に示す１８０ｏ回転した位置にまわり軸３８は
軸のスロットにストリップをとりこむために閉じる。鞠
のスロットからストリップ２１と２２がすべってにげな
いように最初の捲付けを軸３８に行った後ストリップ２
１を２２は刃３９によって切られる。軸３６上の巻物状
回路網２０ｒの捲き端はプラステイツクテープで（図で
は示されていない）ストリップ２１と２２が外部絶縁壁
を形成するように巻物をつ）んで処理が完了する。その
後軸は巻いた巻物状回路網をそこからはずすべく開かれ
る。この発明に関する具体例において、線２６〜３１は
、パルスレーザ４１を含むレーザシステムによって金属
化誘電材ストリップ２１と２２から除かれる。レーザ４
１は次のようなビームを作ることができるものであれば
適当なものでよい。すなわちビーム径（０．１５ミリ位
）一杯までのェネルギが誘電体ストリップ２１と２２を
吸収されるのではなくむしろ大部分が通過して金属層２
３と２４の金属を加熱、融解、蒸発させるビームである
。たとえばーポリェステルプラスティックの誘電村スト
リップ２１と２２であると１ミクロン程度の波長の９０
％以上は透過光として通るので、ニオデイウムをドープ
したイットリウムアルミニウムガーネット（Ｎｄ：ＹＡ
Ｇ）レーザが用いられる。この波長は１．０６ミクロン
である。そこで、レーザ４１からのェネルギに金属化誘
電材がさらされている時間を制御して、線２６〜３１に
おける金属の除去はストリップを切ることなくその上で
行なわれる。金属を除去した線２６〜３１を作るには、
可逆シャツ夕４６と４７によって選択的に遮へいしうる
複数のレーザビーム４２，４３，４４がレーザ４１の出
力ビームを第１のビームスプリンタミラ４８の穴へむけ
ることによって作成される。

ビームスプリットミラ４８はしーザ４１のビームエネル
ギの一部を反射するのでレーザビーム４２を作ることが
でき第２のビームスプリンタ４９へその部分的ビームェ
ネルギが通過する。そのビームスプリッタミラ４９はし
ーザビーム４３を作成すべくその通過した部分的ビーム
ェネルギの一部を反射し、更にレーザピーム４４を作る
べくェネルギの更に一部分が通過する。レーザビーム４
２と４３は、ミラ５１によって反射され、レーザビーム
収鰍レンズ５２の反対側に出る。図８にもっともよく示
されているが、２つのレーザビーム４２と４３はストリ
ップの裏側に焦点がくるように、金属化誘電体ストリッ
プ２１と相対的な位置をしめるレンズ５２によって共通
焦点５３に収鉄する。結果的にはしーザ４２と４３は、
線あるいは間隙２６，２７，２８を切るための空間的関
係によって譲露体ストリップ２１の上の金属層２３をた
）き、レンズ５２をストリップの方へ近づけたり遠ざけ
たりすることによって、線２６と２８からの線２７の間
隙を望みの値に変えることができる。誘電村ストリップ
２１を通過するレーザビームのェネルギは適当なセラミ
ック−金の拡散器で吸収される。レーザビーム４４は別
途ミラー反射システム５６を通って誘電材ストリップ２
２上の第２の金属層２４に向けるれ、適当なしンズ６７
によって金属層内に線２９と３１を形成するべく集光さ
れる。

誘電材ストリップ２１の場合のように誘電材ストリップ
２２を通過するレーザビームェネルギは、適当なセラミ
ック−金拡散器５８で消費される。図８に充分示してあ
るように、金属層２３と２４から金属を除去する際に発
生する煙によって装置の光学系（ミラ４８，４９，５１
，５６およびレンズ５２，５７）がくもるのを防ぐため
金属化誘電材ストリップ２１は、金属層２３から金属を
除去する点にある円筒形排気室５９を通過する。レーザ
ビーム４２と４３は排気室５９の上部および下部関口部
５９から金属層２３に向けられ、仕事により生ずる煙は
下部開□部より排気室へ引かれ、排気パイプ６１によっ
て室外へ引出される。同様に、誘電体ストリップ２２は
、排気室にある一列に並んだ上部および下部閉口部を通
して金属化層２４に向いているレーザビーム４４をもつ
円筒形排気室６２の近くに通過する。レーザビーム４２
，４３，４４を制御する遮へい板４６と４７の動作、し
、）かえるならば金属層２３と２４に線または間隙２６
〜３１を作成することは誘電体ストリップ２１と２２の
横断に応じるようなシステムの制御といったような適当
な方法で完成することができる。

たとえば、図６に示されるように、制御装置は誘電材フ
ィルム２２の移動に機械的に関連してパルス発生器また
はェンコーダ６３を含むことも可能である。このパルス
発生器はたとえばフィルムの移動速度に応じたパルスを
発生する、フィルムとの摩擦によって駆動されるガイド
ローラ３４の１つに連続されている。このパルスはしー
ザパルス制御回路６４におくられ、レーザー加工計数装
置６６のパルス信号として入力される。このレーザ加工
計数システム６６は、予め設定した計数値にそれに対応
するパルスが達したときに可逆遮へい板４６と４７に制
御信号を送出しうるものであればいかなる従来の形式の
ものでもかまわないが、望むべくはダウンアップカウン
タ６７、“単位長スイッチ”６８，“第１の線”または
“導入線終端路長”スイッチ６９、“第２の線”または
“抵抗路長”スイッチ７１を有することである。巻回さ
れた回路網２０の容量値は回路網にまかされフィルムの
量に左右されるので、“単位長”スイッチ６８は回路網
の容量を制御する。さらに、“第１の線”スイッチ６９
は、金属化誘電体フィルム２１と２２に対する導入線接
続部ＴＡ−１とＴＡ−２の大きさを決定し、“第２の線
”スイッチ７１はＲ，とＲ２の抵抗値を制御する。更に
特殊な状態としては、図６と９を参考にすれば、捲線機
制御回路７２の捲線回路７２Ｗ（図９）を励起するスタ
ート回路７２Ｓ（図９）が動作すると、スタート回路か
らの信号は、必要とする全長の半分に相当する“単位長
”計数（たとえば１４０）の発生源となる。

この“計数値”は加減カウンタ６７にスイッチ６８を用
いて手で予め設定される設定量であり、カゥン外まそれ
より減算を始めゼロになるまで行う。レーザ４１はまた
レーザパルス制御回路６４を通してェンコーダ６３から
のパルスによって励起され、レーザビーム４３は第１の
誘電体ストリップ２１の第１の線２６（図１）にそった
金属除去を開始する。同時に、レーザビーム４４は、も
し用いられるならば、第２誘電材ストリップ２２の線２
９に沿って金属除去を始める。カウンタ６７は、カウン
夕内の比較回路で生じる量が抵抗路制御スイッチ７１の
第二中間設定計数量（たとえば１００）以下になると、
このスイッチによって遮へい板４７が除かれレーザビー
ムがストリップ上へ到達し、第２の線２７（図１）にそ
って第１誘電材ストリップ２１からの金属除去が始まる
。

かくして第１抵抗路Ｒ，の作成が開始される。カウンタ
６７は、カウンタ内の第２比較回路で生じる量が導入線
接続路通路６９の従属的下側設定量（たとえば３０）以
下になると、このスラッチによって遮へい板４６がレー
ザービーム４３と４４と遮へいし、導入線接続部ＴＡ−
１とＴＡ−２の形成を始めるべく、線２６と２９（図１
）にそった金属除去が中止される。カゥンタ６７がゼロ
になると、計数方向が自動的にかわり、“単位長”スイ
ッチ６８に設定された最初の数１４０へ向って加算を始
める。

カウンタ６７がスイッチ６９での下側設定数３０よりも
大きくなると、遮へい板４６はこのスイッチによって除
去され、レーザビーム４３と４４は線２８と３１にそっ
て誘電体ストリップ２１と２２から金属除去を再開し、
第二抵抗路Ｒ２が作成される。カゥンタ６７がスイッチ
４７１にある中間設計計数量（１００）を再びこえると
、線２７にそった金属除去はこのスイッチによって終了
し遮へい板４７はしーザビーム４２を遮へいする位置に
後退させられる。最後に、“単位長”スイッチ４６８で
の初期設定数（１４０）にカゥンタの中の第３比較回路
で生ずる計数値が達すると、７２Ｗなる捲回回路（図９
）と捲回機制御回路７２の位暦ぎめ回路７１１（図９）
に、誘電体ストリップ２１と２２の巻回を終らせかつタ
ーレット３７の位置をかえるためにカウンタから信号が
おくられる。ターレット位置回路７２１は、“再開始”
信号をスタート回路７２へ与え、次のサイクルが始る。
すなわち上述のごとくストリップ２１と２２が軸３８で
つかまえられるとすぐ巻回々路７２Ｗが働き、通常の方
法でストリップ切断リレ７２Ｒが励磁される。カゥンタ
が常にゼロから出発する方式と、カゥン夕６７がゼロま
で減算し再びもとまで加算をするというカウンタシステ
ム６６とを比較すると、記述した必要な制御機能を行う
ための３ケのスイッチ６８，６９，７１と制御設定のみ
でよいという利点があり、ために使用が簡単で使いよい
システムとなる。

このシステムはまた、スイッチ６８，６９，７１のみで
他のいかなるスイッチも変える必要なく、回路網２０の
容量と抵抗を独立にかえることができる。図６と７を参
照すると、し−ザビーム４３と４４によって誘電体スト
リップ２１と２２から金属除去を行う際には、各サイク
ルにおける線２６と２９のレーザ加工は、ブレード３９
によって切断されるストリップの右端へ向って始まる。

したがって、レーザ加工された線２６〜３１は、金属層
２３と２４の長手方向での中点２３ｍｐと２４ｍｐ（図
１）に関して正確には対称でない。しかし巻回形回路網
２０の全長に対する差は非常に小さく、実用という点か
らは重大なことでない。抵抗値制御スイッチ７１のよう
なスイッチによる手動による設定値設定の代りに、第１
誘電体ストリップ２１上の金属層の抵抗率は各回路網ユ
ニット２０の巻回を始める前に工程として決定すること
ができ、この価はストリップの第２線２７にそった金属
除去を制御するのに用いられる。たとえば、ある間隔を
もつ１対のローラ接触機で金属層２３と２１をおさえる
ことが実現でき、計数形電圧計を用いて金属層の抵抗率
をはかることによってストリップ上に必要とする抵抗値
を作成すべき抵抗路Ｒ，とＲ２の長さを等しくすること
ができる。適当な回路を用いれば、ボルトメータはカウ
ンタ６７の比較回路に直接入力しうる量を出力すること
が可能で、スイッチ７１によって設定される手段と、遮
へい板４７の操作とそれにもとず〈譲露体ストリップ２
１からの金属除去の制御を目的とする数と同じ手段で用
いることができる。図６を参照すれば、金属化プラステ
ィックストリツブ２１と２２のおくり速度はゼロからそ
れぞれの巻回サイクルの巻回速度までかわる。レーザェ
ネルギに必要以上に長くプラスティツクストリツプ２１
と２２の１点がさらされることはストリップを含めての
焼けの原因となるので、レーザ制御回路６４はストリッ
プの速度に応じてレーザ４１のパルスを同期させ、しか
も６０％程度のレーザビームの重りをもたせると、焼け
現象なしにストリップから金属線２６〜３１をとりのぞ
くことができる。したがって、図９を参照すると、回路
網の作成作業中は、ヱンコーダ６３の出力パルスは、こ
のシステムに有害な非常に高い周波数成分を除き低周波
分のみを通過させるディジタルフィルタークロツク７３
に供給される。

ディジタルフィルタークロツク７３は、ワンシヨツトマ
ルチバイブレ−夕７４を用いてパルス発生回路をトリガ
し、その出力である矩形波出力の一部を切り出して、上
述のようにレーザ加工計数器装置６６を働かせ、またＱ
スイッチ駆動回路７６（たとえばナンドゲート）を働か
せる。駆動回路７６は、金属化議電体ストリップ２１と
２２の速度に同期したレーザパルスをうるために、例え
ばフオトカプラのようなレベルシフタともよべる、既知
の技術を用いたアィソヒータ増中器７７を経て、レーザ
４１のＱスイッチ７８をトリガする。レーザ加工の間は
、マルチパイプレータ７４の矩形波出力は、パルスモニ
ター回路７９へも加えられ、こ〉でマルチパイプレータ
が正しく動作しているかどうかが判定される。

さらに、レーザ４１は、もし金属化誘電体ストリップ２
１と２２が早すぎる速度で送られると、ストリップから
の金属は正しく除去することができないので、パルスモ
ニタはこのような状態がおきたときには検出信号を出す
。この目的のために、ディジタルフィルタークロック７
３が用意されていて、ストリップ２１と２２の最大許容
速度に相当する設定量（たとえば２ミクロンの厚みの金
属層に対しては１郎ｐＰＳ）以上に周波数がこさないよ
うになっている。しかし、もしストリップ２１と２２の
速度が何等かの理由で万一にも、パルスェンコーダ６３
からのパルス速度がこの価をこえてある点に達すると、
ディジタルフィルムクロツク７３の出力はゼロとなる。
マルチパイプレータ７４からの信号がなくなると、パル
スモニタ７９はしーザＱスイッチ駆動回路７６の動作を
禁止する出力信号を出し、装置を完全にとめるために、
巻回機制御回路の巻回回路７２Ｗにある停止保持リレ（
図示せず）を働かせる。巻回機械３２〜３９は各巻回が
始まるとパルスをパルスモニター回路７９へおくるため
に、各巻回の初めのある時間の間スタート回路７２ｓを
ロックとしておくことができるものであって、これはの
の技術についての熟知者であれば充分知られている方法
で行える。半田ブロック２０ｓを終端抵抗Ｒｔが設定最
大値以下に巻物形回路網２０ｒに固定されるように制御
するために、金属化誘電体ストリップ２１と２２にレザ
ー加工を何等行なうことなくある間隔をもって巻取るこ
とはのぞましい方法である。したがって、各巻回の初め
に、巻回機スタート回路７２ｓはＲｔサンプルカゥンタ
８２にパルスをおくる。予め設定した数値にＲｔサンプ
ルカウンタが到達するとレザーＱ−スイッチ駆動７６へ
禁止信号をおくり、これによってレザー４１はその巻回
サイクルではパルスを出さず、巻回された巻物状回路網
２０ｒでのレーザ加工はおこなわれない。この加工前巻
物状回路網２０ｒは、半田ブロック２０ｓ上への半田ス
プレが行なわれた後は直列抵抗の試験を行いうる状態と
なり、もし抵抗値が予定以上であると半田スプレー部と
接続部ＴＡ−１とＴＡ−２間の電気接続不良の存在が表
示され、補正作業が必要と思われるときはこの段階で行
なわれる。図１０を参照すれば、この発明の具体例で明
らかにされているように、巻回軸３６あるいは３８に金
属化誘電ストリップの２１と２２の金属面が内面になる
ように巻きこまれストリップの先頭の部分２１ａと２２
ａの軸とブレード３９の間の部分は軸に上下面が逆にな
った状態でまかれ、誘電体ストリップ２２の次の部分２
２ｂ‘ま、金属層２４によって先頭部分２２ａを直接的
なしめっけによってまきかこみまたまき重なった状態に
なる。（もしストリップ２１と２２が金属を外面にして
まかれると、ストリップ２１の先頭部分２１ａと２１ｂ
とその上の金属層２２との間で同じ状態がおこる）。か
くして、図１１の左側に平面的に巻きもどした関係を示
しているように、金属層２４の、レーザ加工された線と
ストリップの端部との間の部分２４ａは重り合い、その
層の２４ｂの部分ではその間で電気的短絡ｓとなるが、
キャパシタンスをなす。したがって、図６，１０，１２
に見られるごとく、軸で支持された鏡８３はしーザビー
ム４４の光路に隣接して取付けられ、巻回機械が位置変
更サイクルを始めると位置変更回路７２１からの信号に
応じて鏡は適当な駆動装置８４によって一時的に支持さ
れ、それによって図１２の鎖線４４ｄによって示される
ように、ストリップ２２を横切るレーザビームは遮断さ
れ方向が変えられる。図１１に示すごとく、これによっ
てストリップ２２から折曲つた線２９ｚを移動さすこと
ができレーザ加工された折曲つた線とブレード３９の間
の金属層２４の部分を残っている金属部分から電気的に
分離することができる。この分離された金属層部分は巻
物形回路網２０ｒの全長に比較して比較的短いので、巻
物形回路緩からの電気的分離は、仕上ったＲ−Ｃ回路網
２０の容量値に重大な影響をおよばごない。レーザのパ
ルス速度が上昇すると、パルスのピークパワが下ること
は知られており、金属ストリップ２１から除去される金
属線２６，２７，２８の中はわずかに小さくなり、その
線間に形成される抵抗路Ｒ，とＲ２（図１と２）の中も
かわる。

抵抗路Ｒ，とＲ２の中が非常に４・さし、いくかつの例
では、この中の変化は最終的な抵抗値に影響するもので
ある。したがって適当な回路（図に示していない）がパ
ルス周波数の変化に応じてレーザ４１への入力を変化さ
せる必要が生じる。これによってレーザのビーム出力は
一定に保たれて金属を除去した線２６と２７は一定中と
なる。これをまとめると、広範囲の周波数範囲（たとえ
ば６０ＨＺから１０皿ＨＺまで）にわたって安定な周波
数応答をもつ新しく改良された巻回Ｒ−Ｃ回路網２０に
おいて、少くとも低周波（たとえば１皿ＨＺ以下）では
一定した容量性を示し、高周波（たとえば１０ＫＨ２以
上）においても一定した実効直列抵抗を示すものが提供
された。

巻回した金属誘電体ストリップ２１と２２のＲ−Ｃ回路
網２０を形成する際に、金属層２３と２４の内部に抵抗
器Ｒ，とＲ２をきざみこみ、また導入線接続部ＴＡ−１
とＴＡ−２を形成することを同時に行い、小形の、低コ
ストで手間をかけずに製造可能な回路網ができる。更に
くわしくは、誘電体ストリップ２１の上の金属層２３内
に非金属化線２６，２７，２８を作るが、これによって
ストリップの緑の方で、長手方向に関する中心から両端
へ向ってのびる同じ長さと同じ中の抵抗器Ｒ，とＲ２が
でき、このような構造は本質的に同じ抵抗値で、かつ高
周波において一様な有効直列抵抗をあらわす、対称的配
置が可能となる。

この抵抗パターンの配置により、中心と巻物状回路網２
０の外周との半径方向の中間的空間関係を利用して導入
線接続部ＴＡ−１を作ることも行っている。これによっ
て巻回回路網の金属層２３と有機的な半田ブロック２０
ｓとの間の良好な電気的接続を作り上げるための配置を
そのままの状態で自然にできる。金属化ストリップ２１
の端部に隣接して抵抗路Ｒ，とＲ２を配置すると、通路
を構成している金属のその後の酸化は、金属を保護する
物質を通路に充填することによって更に確実に防止でき
る。この酸化によって抵抗値は変化をうけ完成した回路
網２０の中での抵抗値の変化をひきおこす。抵抗器Ｒ，
とＲ２を第２議電体ストリップ２２の非金属化端部２２
上におくと云う配置によって、抵抗路を形成する金属は
Ｒ−Ｃ回路網２０の回路に何等の容量的な影響を与えな
くなしうる。同様に、第２の誘電体ストリップ２３上の
第２の金属層中の線または間隙２９と３１が高周波にお
けるより安定した電気的応答をうるために用いられてい
る場所は、誘電体ストリップ２１の金属層２３内の線２
６と２８に対して平行でかつ反対方向になる様に形成す
ると、第１の導入線接続部ＴＡ−１と対称な反対側に第
２の導入線接続部ＴＡ−２をもつことが可能となり、金
属層２４とその有機的半田ブロック２０ｓとの間に良好
な電気接続を確立するに有効である。

線または間隙２９と３１が第１ストリップの非金属イ○
端部２１ｎの上の第２の誘電体ストリップの綾部に隣接
して位置していることは、金属層２３と２４の内側部分
２３ｃと２４ｃ（第１の誘電体ストリップ２１上に線２
７を形成する抵抗と第２の誘電体ストリップ２２上の電
流誘導路線２９と３１の間）が回路網２０の容量に寄与
する構造を可能とする。回路網２０での合成抵抗はまた
、同値抵抗Ｒ，とＲ２、比較的小さい値でかつ実質的に
同値の抵抗Ｒ３とＲ４と、同値であるがその値はあまり
重要でない抵抗Ｒ５とＲ６、同値であるが重要でなし、
終端抵抗Ｒｔ、それに回路網中では何等の抵抗的効果を
もたない。線または間隙２６，２８および２９，３１で
作られる（すなわちこれらの線と隣接する層端の間）電
流誘導路の外側の金属層２３と２４の一部、とで規定さ
れる。さらに、ストリップの残部から金属化ストリップ
２２ａと２２ｂを分離するために、図１０，１１，１２
に示すごとく、折曲り線２９ｚを作ることによって、レ
ーザで切りとられた部分２９ａと２９ｂの不整の結果と
して金属部分２４ａと２４ｂ間で作られる短絡Ｓ（図１
１）の可能性をなくする。したがって、図５に示すよう
な、精密な安定した抵抗−容量直列形回路が得られる。
以下本発明を要約すると次の通りである。

【１１ 静電容量を得る為に、巻かれている誘電性物質
の第１及び第２層によって分離された巻かれている導電
性物質の第１及び第２層を有する巻物形状の抵抗−容量
回路網において、導電性物質の前記第１層に第１及び第
２長手方向に抵抗路を有し、該第１及び第２長手方向抵
抗路が前記巻物状回路網の１端部において、導電性物質
の前記第１層によって形成された導入線接続部から、周
辺に互に反対方向に延びており、その導入線鞍続部を導
電性物質の前記第１層の、内部の方へ或る間隔だけ離さ
れた容量形成部分に接続していることを特徴とする抵抗
−容量回路網。

【２１上記第１項に記載の抵抗−容量回路網において、
「前記両抵抗路が、導電怪物質の前記第１
層の１部分でかつ導電怪物質の前記第２層と重り合わな
い前記１部分内に位置していることを特徴とする抵抗−
容量回路網。

蹴 上記第１項に記載の抵抗−容量回路網において、前
記導入線接続部は前記回路網の半径方向において中心と
外周部とに対し、離れた位置関係にあって、導電性物質
の前記第１層の渦巻の中間部に位置し、そして同様に位
置する電流議導路によって、前記第１及び第２抵抗路に
接続されていることを特徴とする抵抗−容量回路網。

【４｝ 上記第３項に記載の抵抗−容量回路網において
、前記第１及び第２抵抗器は等しい抵抗値を有すること
を特徴とする抵抗−容量回路網。

【５｝ 上記第３項に記載の抵抗−容量回路において、
前記第１及び第２抵抗器が等しい長さと等しい幅を有す
ることを特徴とする抵抗−容量回路。

【６｝ 上記第３項に記載の抵抗−容量回路網において
、第２導入線接続部は、前記回路網の半径方向において
中心と外周部とに対し、離れた位置関係にあって、その
巻物状回路網の反対側の端部において、導電性物質の前
記第２層の渦巻の中間部に位置し、そして同様に位置す
る電流誘導路によって、前記導電性物質の第２層の、内
部の方へ或る間隔だけ離された容量形成部分に接続され
ていることを特徴とする抵抗−容量回路網。

‘７｝ 導電性物質の前記両層の１方の、互に逆方向で
重複係合している内端部分を有する上記第６項に記載の
抵抗−容量回路網において、導電性物質の前記層の前記
逆方向で重複係合した内端部分が実質上その層の全残部
から電気的に絶縁されていることを特徴とする抵抗−容
量回路網。

｛８１ 静電容量を生じさせる為に、誘電性物質と導電
性物質との交互層が巻かれている様な巻物状抵抗−容量
回路絹において、前記巻かれている導電‘怪物質の少な
くとも１層が連続的に伸びた第１及び第２間隔を有し、
その両間隙が該両間隙間に電流路を形成する為に、導電
性物質の隣り合った夫々の端部から、前記物質の前記端
部の中間の互に離れている点まで、層の長手方向に延び
ていること；及び導電怪物質の前記１層が連続的に伸長
している第３間隙を有し、該間隙が、導電性物質の前記
第１層の前記第１及び第２長手方向抵抗路を所望の抵抗
値にする為に、前記第１間隙の端部とそれから或る間隔
だけ離れた前記第２間隙の端部とによって形成される電
流路や、前記物質の第１及び第２間隙の部分に関して、
平行でかつ或る間隔だけ離れそして前記物質の両端部か
ら内側に或る間隔だけ離れた２点の間を長手方向に延び
ていることを特徴とする巻物状抵抗−容量回路網。

｛９１ 上記第８項に記載の巻物状抵抗−容量回路網に
おいて、巻かれた導電性物質の前記１層の第１及び第２
連続間隙が円周上で一致していることを特徴とする巻物
状抵抗−容量回路網。

ＯＱ 上記第８項に記載の巻物状抵抗−容量回路網にお
いて、巻かれている導電怪物質の前記１層が、回路網の
１様部まで延びているが、その回路網の反対側の端部か
ら内側に或る間隔だけ離れていること；そして、巻かれ
ている導電性物質の前記１層の前記第１第２及び第３連
続間隙が巻物状回路網の反対側の端部よりも巻物状回路
網の前記１端部の方に接近して位置していることを特徴
とする巻物状抵抗−容量回路網。

（１１）上記第１０頁‘こ記載の巻物状抵抗−容量回路
網において、巻かれている導電性物質の前記１層の第１
及び第２連続間隙が巻物状回路網の前記１端から内側に
或る間隔だけ離れていること；そして、導電性物質の前
記１層の第３連続間隙が更に、前記第１及び第２連続間
隙から内側に或る間隔だけ離れていることを特徴とする
巻物状抵抗−容量回路絹。（１２）上記第１１項に記載
の巻物状抵抗−容量回路網において、導電性物質の前記
１層の第１第２及び第３連続間隙がその層の中点に関し
対称であることを特徴とする巻物状抵抗−容量回路網。

（１３）上言己第１１項に記載の巻物状抵抗−容量回路
網において、前記巻かれた導電性物質の第２層が、前記
巻物状回路網の前記１端部から或る間隔だけ離れている
が、そのロールの前記反対側の端部まで延びており、か
つ第１及び第２連続間隙を有し、そして該両間隙が巻物
状回路絹の第２端部の近くの両間隙間に電流路を形成す
る為に、大略同一円周上でかつその巻物状回路網の第２
端部からわずかに離れた位置関係を保ちつつ、導電怪物
質の隣接各端部から、その物質の該両端部の中間付近の
互に離れた２点の間に層の長手方向に延びていることを
特徴とする巻物状抵抗−容量回路網。

（１４）導電性物質の前記２層のうちの１層の内端部分
が互に逆方向で重複係合している様な上記第１３則こ記
載の巻物状抵抗−容量回路網において、導電怪物質の前
記１層が、前記層の内端部分を実質上その層の全残部か
ら電気的に絶縁する為に、その層を横切って延びている
間隙を有することを特徴とする巻物状抵抗−容量回路網
。

（１５）誘電性物質と導電性物質との交互層が移送され
、渦巻形状に巻き取られて静電容量を作り出す様な巻か
れた巻物状抵抗−容量回路網の作成方法において、まず
最初、誘電性物質と導電怪物質の交互層を巻いていく間
に、移送中の導電怪物質の少なくとも１層に伸長した第
１間隙を作成し；次いで、導電性物質の前記１層に第１
抵抗路を形成する為に、前記第１間隙と平行かつ或る間
隔だけ離して、移送中の導電性物質の前記１層に伸長し
た第２間隙を作成し始め；移送中の導電性物質の前記１
層での前記第１間隙の作成を終了するが、しかし前記第
１抵抗路を所望の抵抗値にする為に、その物質での前記
第２間隙を作成し続け；前記物質に第２抵抗路を形成す
る為に、前記第２間隙と平行にかつ或る間隔だけ離して
、第２間隙に関し前記第１間隙と同じ側に、移送導電性
物質の前記第１層に第３間隙を作成し始め；そして前記
第２抵抗路を所望の抵抗値にする為に、移送導電性物質
の前記１層での前記第２間隙の作成を終了することを特
徴とする巻かれた巻物状抵抗−容量回路網作成方法。

（１６）上記第１５則こ記載の巻かれた巻物状抵抗一容
量回路網作成方法において、前記第１及び第３間隙が移
送導電怪物質の前記１層と、その層の１緑部からわずか
な間隔だけ離れかつそれに平行となる様に、作成され、
それによって該両間隙間の部分が巻かれた巻物状回路網
の隣接端部用の電流路と導入線接続部を形成すること；
及び、前記第２間隙が前記第１及び第３間隙から内側に
或る間隔だけ離れている線に沿って、導電性物質の前記
１層に作成されていることを特徴とする作成方法。

（１７）上記第１６割こ記載の巻かれた巻物状抵抗−容
量回路網作成方法において、前記谷間隙が、前記移送導
電性物質の長手方向の中点に関して実質的に対称となる
様に、前記物質の前記１層に作成されていることを特徴
とする作成方法。

（１８）上記第１Ｑ剣こ記載の巻かれた巻物状抵抗−容
量回路網の作成方法において、巻かれた巻物状回路網の
反対側の端部に導入線接続部を作る為に、移送導電性物
質の前記第１層の第１及び第３間隙の作成と同時にそし
て、該第１及び第３間隙と同一長さだけ延長する様に、
そして前記移送層の反対側での第２層の外縁部からわず
かな間隔だけ離れる様に、移送導電性物質の第２層に複
数の間隙を作成することを特徴とする作成方法。（１９
０ 導電怪物質の前記２層のうちの１層の内端部分が互
に逆方向に重複係合している様な上記第１力割こ記載の
巻かれた巻物状抵抗−容量回路網の作成方法において、
前記１層の内端部分を実質的に該層の全残部から電気的
に絶縁する為に、その層を横切る様に、導電怪物質の前
記層に１つの間隙を作成することを特徴とする作成方法
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明にもとづいてＲＣ回路網を作る際に用
いられる議電材料の２層のそれぞれに作られた導電路を
示す。 第２図は、本発明による巻回形ＲＣ巻物状回路終におけ
る誘電材料と導電材料の相対的な位置を示す。第３図は
、半田スプレ作業のためにマスクをかけた状態の、本発
明にもとづくＲＣ回路網の後端より見た所を示す。第４
図は、本発明による巻回ＲＣ回路網の現物大の図である
。第５図は、第４図に示された巻回形ＲＣ回路網の等価
電気回路を示す。第６図は、本発明によるＲＣ回路網を
作るに必要な装置の概要図である。第７図は、第６図に
示された装置についての第二作業位置における部分的な
概要図である。第８図は、第６図に示される装置を８−
８の線にそって切断し拡大した図である。第９図は、第
６図に示される装置の制御回路の系統図である。第１０
，１１，１２図は、第１〜４図に示される本発明にもと
づくＲＣ回路網において、考えられる短絡状態をなくす
る手段を図式的に示す。主要部の符号の説明、誘電性物
質・・・・・・２１，２２、導電性物質・・・・・・２
３，２４、第１、第２の間隙…・・・２６，２８、第３
の間隙……２７。 −Ｆマ字‐／←；零‐３ 」Ｆ富‐３ Ｅ７； 石高‐ 卓 上；亨白 ｆ亨‐フ Ｅマ言‐／５ Ｅマ；‐白 」／６ー ヲ 」←；亨−の ヱ：７弓；‐／／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 誘電性物質と導電性物質とを交互に層をなして巻き
   静電容量を発生するようにしているロール状抵抗−容量
   回路であつて、層をなして巻かれている導電性物質の第
   １および第２の同一の広がりを有する層を含み、前記第
   １および第２の層には導電性物質の長手方向に延びた細
   長い間隙が設けられているロール状抵抗−容量回路にお
   いて、第１の層は、その端部より中央方向に延び、かつ
   その一辺に近接するように設けた第１および第２の細長
   い間隙２６，２８を有し、れら間隙は前記第１の層の央
   央付近で間隔をおいた位置で終端されて前記第１と第２
   の間隙の間に電流路ＣＳ−１を形成しており、さらに、
   前記電流路ＣＳ−１を閉鎖するようにしかつ、第１およ
   び第２の間隙に平行になるように第３の間隙を設け、前
   記第１の間隙と第２の間隙と前記第３の間隙との間にそ
   れぞれ抵抗Ｒ＿１，Ｒ＿２を有する第１および第２の細
   長い抵抗路を形成し、前記抗Ｒ＿１，Ｒ＿２はその他の
   部分の直列抵抗値に比べて支配的になるように構成して
   なるロール状抵抗−容量回路。