JPS6037720A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6037720A
JPS6037720A JP58147026A JP14702683A JPS6037720A JP S6037720 A JPS6037720 A JP S6037720A JP 58147026 A JP58147026 A JP 58147026A JP 14702683 A JP14702683 A JP 14702683A JP S6037720 A JPS6037720 A JP S6037720A
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JP
Japan
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film
glass
glass substrate
substrate
face
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Application number
JP58147026A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
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    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
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    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium

Landscapes

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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラス基板上に半導体膜を形成した半導体装置
の製造方法に関する。
従来、ガラス基板上の半導体膜の加工処理に関しては極
力低温で処理することにより、ガラス中防止する方法が
用いられていた。
しかし、上記従来波ヤ１４によると、必ずしもＮａの影
響を完全に防止出来ないという欠点があった本発明は、
かかる従来技術の欠点をなくシ、ガラス基板を用いた半
導体装置に於いても、ガラス中のＮａの影響を受けない
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置の製造方法に於て、ガラス基板上に形成された
半導体膜を熱処理、エツチング処理、膜形成処理等の加
工処理を施すに際し、ガラス基板裏面に陰極板、半導体
膜が形成される又はされたガラス基板表面に陽極板を設
置し、各極板に電圧を印加して、前記加工処理を施すこ
とを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。すなわ
ち、ガラス基板１の表面には５１０２膜２、アモルファ
スＢ　ｊ、　ｆｆｇ　３が形成され、該アモルファス８
１膜をレーザー光７により多結晶化するに際し、陰極板
４′をガラス基板１の裏面に、陰極板としてガラス板５
に酸化スズ膜６を形成した極板をガラス基板の表面に設
置し、両極板に各々の極性の電圧を印加すると、ガラス
基板１中のＮａイオンは、陽極板側に引き寄せられ、半
導体膜３に形成される半導体素子のＮａによる特性劣化
を起さない。
本発明の如く、ガラス基板上の半導体膜を形成し、該半
導体膜を用いて半導体装置を製造する場合に、加工処理
、とりわけ力に熱処理を伴う処理時にはガラス基板の裏
面にたえずＮａを引き寄せるべく電界を印加しておけば
、ガラス基板上の半導体素子がガラス中のＮａイオンに
より特性劣化を起す恐れがなくなる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す模式１図である１・・
・・・・ガラス基板 ３・・・・・・８１月莫 ４・・・・・・陰極板 ５・・・・・・ガラス板 ６・・・・・・ネサ陽極膜 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ガラス基板上に形成された半導体膜を熱処理。 エツチング処理、膜形成処理等の加工処理を施すに際し
    、ガラス基板裏面に陰極板、半導体膜が形成される、ま
    たはされたガラス基板表面に陽極板を設置し、各極板に
    電圧を印加して、前記加工処理を施すことを特徴とする
    半導体装置の製造方法
JP58147026A 1983-08-10 1983-08-10 半導体装置の製造方法 Pending JPS6037720A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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