JPS586178A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPS586178A
JPS586178A JP56104301A JP10430181A JPS586178A JP S586178 A JPS586178 A JP S586178A JP 56104301 A JP56104301 A JP 56104301A JP 10430181 A JP10430181 A JP 10430181A JP S586178 A JPS586178 A JP S586178A
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JP
Japan
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resistance value
films
current
load
resistors
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JP56104301A
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English (en)
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Inventor
Toshiaki Ogata
尾形　俊昭
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors

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  • Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本ｌｉ明は不揮俺性半導体記憶装曾Ｋｌｌす石。
本発明の目的は強誘電体によって多結晶シリコン負荷抵
抗の抵抗値Ｋｌｌ”化させ為事を可能にし、不褌員性Ｏ
ＦＩＡＭを作る事にある。
以下１１１によりて説明する。
館ＩＩＩは従来のＲＡＭのセルを示すＩｌ’ｆ％ある。
ＩＩ（）　１　、　２　、　　Ｓ　、　　４　ｆｄ　Ｍ
　ｆ　−？　７ネＡｉ（０１！）ランジヌーでああ、閣
の５．６は多結晶シリーンで形成１れた負荷抵抗を示す
、鎮１図に示すＲＡＭのセルは不揮発性が無く、會た例
えばトランジスタ１がＯＮＬ、２がＯＦＦ　Ｌｔ場鳩舎
荷抵抗５とトランジスタ１を通して電流が渡れ、逆の場
合も同様に常時電流が流れる為に消費電流が大きくなる
次点を有する。
本発明は上記の欠点を除去した亀のでああ、第２図に示
す様にトランジスタ７，８，９．１０と負荷抵抗１１，
１２の結−〇方法は従来のものと皆化ないが、負荷抵抗
１１．１２上に絶縁膜を介して強誘電体＄１３１４が形
成され電１ｉ１５　１６のそれぞれ逆の電位によって１
１＃電体ｔＪＩＩ性が反転する。従って多結晶シリラン
負荷抵抗１１，１２０抵抗値は、一方が増大し電流がほ
とんど線断され。
他方は抵抗値が下がる。上記の構造Ｋかいて強誘電体の
響性は不揮純性を有するので不揮発性負ム讐としての動
作が可能であり、會たトランジスタ７がＯ）ｉした鳩舎
負荷抵抗１１の抵抗値は増大しているので消費電流が少
なくなる。
以上述べた様に本発明Ｏ亭導体記憶装置は不揮発性ＲＡ
Ｍとして使用で會★・た消費電流を小さ（で！？ゐ。
ｔＳ画の簡単なＩｔ＠ 第１ｍは従来ＯＲＡ菫のセルを示す■でああ。
館２図は本発明のＲＡＭの令鳥を示す図である。
１、２．　Ｓ、　４．７．８．９．１０・・菖チャンネ
ルＭＯ！ｌ　）ランジヌー ５、４．１１．１２・・疹結晶シリコン負荷抵抗１３．
１４・・強誘電体膜 １５．１４・・電極 以　　上 出履人　株式会社　諏訪精工金 代理人　弁曹士　最上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 負荷抵抗となる多結晶シリコン膜上に絶縁物を介して強
    誘電体膜が形成されている事を４１轍とする亭導体記憶
    Ｉ１１舒。
JP56104301A 1981-07-02 1981-07-02 半導体記憶装置 Granted JPS586178A (ja)

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JPS586178A true JPS586178A (ja) 1983-01-13
JPH0247867B2 JPH0247867B2 (ja) 1990-10-23

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0227762A (ja) * 1988-07-15 1990-01-30 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH06262602A (ja) * 1993-03-10 1994-09-20 Amitec Corp 木工用超仕上鉋盤の鉋台の刃先調整装置
KR19980027519A (ko) * 1996-10-16 1998-07-15 김광호 열전하 방출 회로를 갖는 강유전체 랜덤 액세서 메모리
JP2003059259A (ja) * 2001-08-13 2003-02-28 Texas Instr Japan Ltd 強誘電体メモリ
WO2003085741A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Non-volatile flip-flop

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0227762A (ja) * 1988-07-15 1990-01-30 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH06262602A (ja) * 1993-03-10 1994-09-20 Amitec Corp 木工用超仕上鉋盤の鉋台の刃先調整装置
KR19980027519A (ko) * 1996-10-16 1998-07-15 김광호 열전하 방출 회로를 갖는 강유전체 랜덤 액세서 메모리
JP2003059259A (ja) * 2001-08-13 2003-02-28 Texas Instr Japan Ltd 強誘電体メモリ
WO2003085741A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Non-volatile flip-flop
US7206217B2 (en) 2002-04-10 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Non-volatile flip flop

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JPH0247867B2 (ja) 1990-10-23

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