JPS6037792A - System for stabilizing photo output - Google Patents

System for stabilizing photo output

Info

Publication number
JPS6037792A
JPS6037792A JP58145689A JP14568983A JPS6037792A JP S6037792 A JPS6037792 A JP S6037792A JP 58145689 A JP58145689 A JP 58145689A JP 14568983 A JP14568983 A JP 14568983A JP S6037792 A JPS6037792 A JP S6037792A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
output
light emitting
semiconductor light
bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58145689A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0252867B2 (en
Inventor
Masaru Nakamura
優 中村
Osamu Kinoshita
修 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58145689A priority Critical patent/JPS6037792A/en
Priority to US06/603,893 priority patent/US4621376A/en
Priority to EP84302826A priority patent/EP0125823B1/en
Priority to DE8484302826T priority patent/DE3465848D1/en
Publication of JPS6037792A publication Critical patent/JPS6037792A/en
Publication of JPH0252867B2 publication Critical patent/JPH0252867B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

PURPOSE:To stabilize the photo output by a method wherein part of the photo output from a semiconductor light emitting element is detected and so controlled as to decrease at a larger constant than that for reducing the photo output when the result is larger than the first or second reference signal, and at a smaller time constant than that for decreasing the external temperature. CONSTITUTION:The outputs from a driving part 2 having a data input terminal 1 and a bias impressed part 4 having a transmission demanding signal input terminal 3 are supplied to a semiconductor light emitting element 5. A semiconductor photo detector 6 detects part of the photo output from the element 5, which output is then supplied to the impressed part 4 via comparator 8. The signal corresponding to the threshold value of the element 5 is supplied from a reference signal input terminal 7 to the comparator 8, and this signal is switched over to the corresponding signal in the case where the thermal sag phenomenon of the element 5 does not generate at the same time with the input of a burst data signal to the element 5. Further, the impressed part 4 is provided with a discharge functional element 16 in such a manner that the output decreases, in the case of stopping the increase in the bias current of the element 5, at a larger time constant than that for reducing the output and at a smaller constant than that for decreasing the external environmental temperature. Thus, the photo output can be stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の屈する技術’y’f野〕 本発明は光出力安定化方式に係り、’l!Iに光ネット
ワークに於ける単層1体発光素子の光出力安定化方式に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technology of the invention 'y'f field] The present invention relates to a light output stabilization method, and 'l! Part I relates to a method for stabilizing the optical output of a single-layer monolithic light emitting device in an optical network.

し従来技術とその問題点〕 メツイス用務効率の向上は、社会の生産性向上に重要で
ある。このような較詰を担う、いわゆるアイルザーバ勢
の比較的高価fz’)−スを分割若しくは分散A゛1」
用するために安価なネットワークシステムを実現すべく
、バス型或いはスター型ネットワークの開発報告がなさ
れている。
[Conventional technology and its problems] Improving work efficiency is important for improving society's productivity. Divide or disperse the relatively expensive fz')-space of the so-called Ailservers who are responsible for such consolidation.
In order to realize a network system that is inexpensive for use, reports have been made on the development of bus-type or star-type networks.

この様なネットワーク上で扱う何月は、例えば]、OP
L旧2以上の高が1(データが一定期間のみ伝送される
いわゆるバースト信号とするのが普通である。
How many months are handled on such a network, for example], OP
A high value of 2 or higher is 1 (normally, this is a so-called burst signal in which data is transmitted only for a certain period of time).

しかしこのような光伝送技術に於いては、同1Qilケ
ーブルを用いメこ伝送技術では生じなかった問題がバー
スト信号を扱うJん合特に生じてきている。
However, in such optical transmission technology, problems that did not occur in the optical transmission technology using the same 1 Qil cable have arisen, especially when dealing with burst signals.

とれは、例えば半導体レーザ(以下LDと略称する)か
らなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常に敏感で
あることからも明らがである。
This is obvious from the fact that the luminous efficiency of a semiconductor light emitting element, such as a semiconductor laser (hereinafter abbreviated as LD), is very sensitive to temperature.

即ち、半4体発光素子は、バースト信号送信中に半導体
光検子自月の光熱や夕i部環境の7.〜1、ftj:裏
二化の影g金受り′C1例えV1゛1・J〕ではL I
)素子自身の発熱によりしきいイ11′ロバ1υ1′L
、か士ケイし、これにより出力が低下してパース) (
l、+−j;、x=信中のt、“きザブ楔、埃を生じた
り、11ζ外部環境1′119F1厘の久化によりしき
い値電流が変化して出力が茅2 qh−Jる。
That is, the semi-quartet light-emitting element absorbs the light heat of the semiconductor photodetector's own moon and the 7.7 degrees of the evening environment during burst signal transmission. ~1, ftj: Ura Nika no Kage g Money Receiver 'C1 Example V1゛1・J] In L I
) Due to the heat generated by the element itself, the threshold is 11' and 1υ1'L.
, and this causes the output to drop and parse) (
l, +-j;, x = t, "kizab wedge", the threshold current changes due to the generation of dust, the aging of the 11ζ external environment 1'119F1, and the output decreases to 2 qh-J. Ru.

このような半シ、・7体発光素子の光出力の不安定を抑
制する方法として、従来半エヘ・体発光素子のpH<動
電流を伝)妙に増加或いはi、J、;少して1lill
 flllする、いわゆるアナログ制御が開発されてい
る。
As a method to suppress the instability of the light output of such a half-body light-emitting element, the pH of a half-body light-emitting element has a strange increase (i, J,;
So-called analog control has been developed.

しかしながら、このようなアラ[jグfiili衣甲で
は2、数%IHz以」二の負9i+旨・、“tループ応
答を2ンする為に、江1J価な高速回路素子を必要とし
、又牛?!工体発>’r、 ;<・子の駆動車v]Cの
バ″;′加及O−減少の2作用忙イjう/眉こ回路内の
光検出素子やトランズスク等の;Ii;i 9p−によ
る発振現象が生じて回路自体か不安定になるという問題
があった。
However, in order to achieve such a response of 2,000% IHz or more, a high-speed circuit element of 1J value is required, and Cow?! The engineering body >'r, ;<・Child drive vehicle v] C's bar'';'The two effects of addition and O-decrease are busy/The light detection element and transistor in the eyebrow circuit, etc. ;Ii;i There was a problem in that oscillation caused by 9p- occurred and the circuit itself became unstable.

そこでこのような半導体発光2・、子出力の不安>i−
骨を抑制する方法として、本出願人は!14願昭5B−
30779号を出願しティるo コノqqht+昭58
−3(1779号は、半導体発光素子のバースト光出力
を安定化制御するものである。即ち、半導体発光素子の
バースト光出力の一部を半導体光検出素子で光検出し、
この光検出信号を第1若しくは第28参照信刊と比較し
、光検出イrr +、jが第1若しくは第2の参が信刊
に比し小なる際は半導体発光メそ子のバイアス信刊を増
加させ、光検出信号が第1若しくは第2の参照信号に比
し大なる際はバイアス(Fi号を一定値に保持するよう
にしたバースト光出力安定化駆動方式である。このバー
スト光出力安鉋化駆動方式は、強制的には、半導体発光
素子のバイアスを増加さぜることのみにより、バースト
期間クには十分な出力安定化がハj、されるのである。
Therefore, such semiconductor light emitting 2.
As a way to suppress bones, the applicant! 14 Gansho 5B-
I applied for No. 30779.
-3 (No. 1779) is for stabilizing and controlling the burst light output of a semiconductor light emitting element. That is, a part of the burst light output of the semiconductor light emitting element is optically detected by a semiconductor photodetecting element,
This photodetection signal is compared with the first or 28th reference signal, and if the photodetection signal rr +,j is smaller than the first or second reference signal, the bias signal of the semiconductor light emitting element is This is a burst light output stabilization drive system in which the bias (Fi) is maintained at a constant value when the light detection signal becomes larger than the first or second reference signal. In the output stabilization driving method, sufficient output stabilization is achieved during the burst period only by forcibly increasing the bias of the semiconductor light emitting element.

これはバースト期間が通常高り数msであり、この期間
内では、例え171′LDは、外部環境の温度変化の影
4)+++を受けず半導体発光素子自身の発熱によるη
1調出力低トー八1、象のみが支配的であることにリ−
2,づいている。
This is because the burst period is usually several ms, and within this period, even if the 171'LD is not affected by temperature changes in the external environment, η is generated by the heat generated by the semiconductor light emitting element itself.
1 tone output low to 8 1, lead to only elephant being dominant.
2. It's on.

(M’、・つで送信信号が数ms のバースト信号では
なく、時間的にこれよりも長いバースト信号や一般の連
続した信号の場合は、半2、C1体発光米子は、この半
渚1体発光素子自身の発熱のみ、tらず夕(部理境の温
度変化も考爪1するlV、、丸がある。との」〕)合、
外部環境の温度が上引し崖2.悸イ1、発光牝子のしと
い値電流が増すとき)Jl、q!lル+j昭58−30
774J−2月こ於0る方式によ−って光出力の安カ王
化を図るCとができる。
(If the transmitted signal is not a burst signal of several ms in M', but a longer burst signal or a general continuous signal, the half-2, C1-body emitting Yonago is If only the heat generated by the body light-emitting element itself is generated, then the temperature change in the surrounding area is also taken into account.There is a circle.
The temperature of the external environment is rising and the cliff 2. Yui 1, when the threshold current of the luminescent female increases) Jl, q! l le + j 1977-30
774J-February 2010 By this method, it is possible to achieve C, which aims to make the light output more affordable.

ところが、外部環境の温すが下降する場合、即ち外部温
度の下降に伴ない半導体光)lI;素子のしきい値電流
が減少するときには、・これを制卸するEJ=段までは
薪1jえていない。
However, when the temperature of the external environment decreases, that is, when the threshold current of the semiconductor light (I) element decreases as the external temperature decreases, the firewood must be replaced by 1 j of firewood until the EJ level that controls this decreases. not present.

従って、半勇一体発″J7.素子自身の発熱による影響
のみならず、外部環境の温11ζ−ごダ倖の影響もfi
ill (l’tll t。
Therefore, not only the influence of the heat generated by the element itself, but also the influence of the temperature of the external environment.
ill (l'tllt.

得る手段が望まれていた。I wanted a way to get it.

[発明の目的〕 本発明は上フ7JΣの点を渚がして、なされたもので、
半導体発光素子自身の発熱による5、y、 471)と
/11部J:HH境の福1度変化による影響を除去し2
、/2−スト信号に適合し、かつ一般の連続した何月1
こも対応できる帰還ループの安定化を図っだつ“C1出
力安定化方式を提供することにある。
[Object of the invention] The present invention has been made based on the points of the above F7JΣ.
5, y, 471) due to the heat generated by the semiconductor light emitting element itself and /11 part J: Eliminate the influence of 1 degree change in the HH boundary 2
, /2 - compatible with the strike signal and the number of consecutive months in general 1
The purpose of this invention is to provide a C1 output stabilization method that stabilizes the feedback loop to accommodate this problem.

し発明のイ既要〕 半導体発光素子の光出力の一部を半導体光検出素子で光
検出し、この光検出信号を第1若しくは第2の参り信号
と比較し、光検出信号が第1若しくは第2の参照信号に
比[7小なる際は前記半導体発光素子のバイアス信号を
増加さぜ、光検出(Fffi号が第1若しくは第2の参
照信号に比し大なる際は7477411号の増加を停止
した後このバイアス信弓レベルが光出力低減の時定数よ
りも大きく、かつ外部環境の温変化の時定数よりも小さ
い時定数に−〔減少するようにした光出力安定−化方式
を得るようにしだものである。
[Existing Summary of the Invention] Part of the light output of the semiconductor light emitting device is photodetected by a semiconductor photodetection device, this photodetection signal is compared with the first or second forward signal, and the photodetection signal is determined to be the first or second signal. When the second reference signal is smaller than the first or second reference signal, increase the bias signal of the semiconductor light emitting element, and when the light detection (Fffi number is larger than the first or second reference signal), increase the number of 7477411. Obtain an optical output stabilization method in which the bias beam level is decreased to a time constant that is larger than the time constant for optical output reduction and smaller than the time constant for temperature change in the external environment after the bias signal is stopped. That's how it is.

し発明の効果〕 本発明により半導体光検出素子の光検出信月と第1若j
〜〈は第2の参照18号とを比較してディジタル出力と
し、とのディジタル出力で単層8体発光素子のバイアス
イi;号を増加或いは増加を停止するという制御を行う
ことにより 4+V、還ループとしての安定度が向上し
、又安定化制御ループとしての;役n1も非常に容易と
なる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, the photodetection of the semiconductor photodetection element and the first
~〈 is a digital output by comparing with the second reference No. 18, and by performing control to increase or stop increasing the bias of the single-layer 8-body light emitting element with the digital output of 4+V, return The stability of the loop is improved, and the function n1 of the stabilizing control loop is also made very easy.

また、半2R体発光素子のバイアスに関しては、このバ
イアス信号を増加するのみの手段で済むことから回路構
成が容易とlる。
Furthermore, regarding the bias of the half-2R body light emitting element, the circuit configuration is easy because it is sufficient to simply increase the bias signal.

さらに、バイアス信号レベルが半導体発光素子の光出力
低減の時定劫よりも大きく、かつ夕1部環境の温度変化
の時定数よりも小さい時定数で低δ・−することにより
特にバースト1lJI間がねms ):)内のパース)
(8号に限らず、バースト期間がこれより長いバースト
(、j刊或いは一般の連続17だ信2)にも適用するこ
とができる。
Furthermore, by keeping the bias signal level low at a time constant that is larger than the time constant of the light output reduction of the semiconductor light emitting device and smaller than the time constant of the temperature change in the first part of the evening environment, especially during the burst 1lJI. ms): Parse inside)
(It is not limited to 8 issues, but can also be applied to bursts with longer burst periods (, J issue, or general continuous 17 issue 2).

即ら、安価Cか・つ安定(’tに停れた光出力安定化方
式を得ることが′C′きる。
That is, it is possible to obtain an inexpensive and stable optical output stabilization method.

〔発明の実かb例〕[Examples of fruitful inventions]

以下、木・厖明の一実、ff1Q例を第1図乃至第41
゛’<1を参1!(i シて説4明する。
Below are examples of ff1Q by Kazumi Ki and Kumei in Figures 1 to 41.
See ゛'<1! (I will explain the explanation below.

第1図は、この実施例に用いろ回路の11jν成図を示
したものである1、即ち、データ人力;7ijl子(1
16:有するパルス1駆動部(2)と、送信般求イ次号
入力店六1子(3)全治するバイアス印加部(4)とが
設りられ、このパルス駆動部(2)と、送信安求信′号
入力端子(3)をイJするバイアス印加部(4)とが設
けられ、このパルス駆動部(2)とバイアス印加部(4
)との出力を重畳した信号が入力される、例えばL D
からなる半導体発光素子(5)が設けられている。
FIG. 1 shows the 11jν diagram of the circuit used in this embodiment.
16: A pulse 1 drive unit (2) with a transmission general request input store 61 (3) and a bias application unit (4) that completely cures are provided, and this pulse drive unit (2) and a transmission safety A bias applying section (4) is provided to apply the signal input terminal (3), and the pulse driving section (2) and the bias applying section (4)
) is input, for example, L D
A semiconductor light emitting device (5) consisting of the following is provided.

また、このLD(5)の光出力の一部を検出する、例え
ば円Nフォトダイオードからなる半導体光検出素子(以
下PDと略称する)(6)と、このFD((3)の出力
と参照信号入力端子(力から入力される信号とを比較す
る比較器(8)が設けられている。
In addition, a semiconductor photodetector element (hereinafter abbreviated as PD) (6) consisting of, for example, a circular N photodiode, which detects a part of the optical output of this LD (5), and a semiconductor photodetector element (hereinafter abbreviated as PD) (6), which detects a part of the optical output of this LD (5), and this FD (refer to the output of (3)) A comparator (8) is provided to compare the signal input from the signal input terminal (force).

この比較器(8)の出力は、バイアス印加部(4)に入
力されバイアス印加部(4)の出力を制御し−Cいる。
The output of this comparator (8) is input to a bias application section (4) to control the output of the bias application section (4).

次に、本発明による動作を上述の回路構成に於■の動作
時の411号波形及びLD(5)の出力波形をタイムチ
ャートにより示しだものである。
Next, the operation according to the present invention is shown using a time chart of the No. 411 waveform and the output waveform of the LD (5) during the operation (2) in the circuit configuration described above.

この144合、第2図に示すデータ信号はバースト信号
で、そのバースト期間が高々数ms であり、即し外部
環境の温度変化の影与1?は受けないものとする。
In this case, the data signal shown in FIG. 2 is a burst signal, and the burst period is several ms at most, which means that the influence of temperature changes in the external environment is 1. shall not be accepted.

まず、バーストテーク入力節4子(1)からパルス、駆
動部(2)にバーストデータ人力(第2図(a))が入
力されるが、このバーストデータ人力の1祭には、バー
ストデータ入力に先立ち送イ乙要求信号人力碓子(3)
からバイアス印加部(4)に送仁髪J g(111号(
2′412図(1)) )が入力される。
First, burst data input (Fig. 2 (a)) is inputted to the pulse and drive unit (2) from the burst take input node 4 (1). Request signal to be sent in advance
From there, the bias applying section (4) is sent to the bias applying section (4).
2'412 (1)) ) is input.

バイアス印加部(4)は、込伯j〃求fζ号(第2図(
+)) )の他に比較器(8)出力が入力される。比較
器(8)は、PD((3)の光検出信月と第1若しくは
第2の光8t1呉信号と比較した後、光検出15号が参
照(Fi号より小なるときはLow 、大なるときはI
(igbの出力を行う。
The bias application section (4) is connected to the
+))) and the comparator (8) output is input. The comparator (8) compares the photodetection signal of the PD ((3) with the first or second light 8t1 Kure signal, and then outputs a low signal when the photodetection signal No. 15 is smaller than the reference (Fi signal), and a high signal. When it becomes I
(Performs igb output.

バイアス印加部(4)は、送仏要求信号(第2図(+3
) )を受け、かつ比較器(8)のLowなる出力を受
りたときのみ動作し、]、 J)(5)をバイアスする
。
The bias application unit (4) receives a sending request signal (Fig. 2 (+3
)) and operates only when receiving the low output of the comparator (8), ], J) (5) is biased.

通常、バーストデータ人力(吊2図(a))人力前、厳
密に言うと送信要求信号(第2図(1,1) )入力前
には、1ノI) (5)は発光していない為、光4θ1
出イ1丁号はL L)(5)のしきい値に対応した第1
の参照イ1−1号」;り小となり、比較器(8)の出力
はLowとな・つている。
Normally, before the burst data is input manually (Figure 2 (a)), strictly speaking, before the transmission request signal (Figure 2 (1, 1)) is input, 1 no I) (5) does not emit light. Therefore, light 4θ1
The number 1 is the first number corresponding to the threshold value of L L) (5).
The reference number 1-1 becomes small, and the output of the comparator (8) becomes Low.

従って、バイアス印加部(4)は、送信吸求信号(第2
図(+)) )が人力されたときに初めて動作し、L 
I) (5)のバイアスは、バイアス印加部(4)に送
信要求イハ号(2P 2 lビ?+ (+)) )及O
・比較器(8)のLow /j 小出力が入力される限
り続けられる。その後印加バイアスの聖火によりL J
) (5)のバイアス光も増大し、これにf″1′ない
PI)(6)の光検出小:流は」曽太し、I−、D (
5)のしきい値に対応している第1の参照信号より犬と
なり比較器(8)の出力ILi、 LIigl+となる
。
Therefore, the bias applying section (4) transmits the transmission absorption signal (second
Figure (+))) works for the first time when it is manually operated, and L
I) The bias in (5) is applied to the bias applying unit (4) with the transmission request number (2P 2 lbi?+ (+))) and O
- Continues as long as the Low /j small output of the comparator (8) is input. After that, the torch of applied bias causes L J
) The bias light of (5) also increases, and the light detection light of (6) (PI) (6) becomes thicker, I-, D (
5), the outputs of the comparator (8) are ILi and LIigl+.

従″つて、バイアス印加部(4)は、送1.イ要求イ1
j号< 20; 2図(1)) )が人力されていても
比較器(8)の出力がIJighとなっている為動作せ
ずLD(5)−、のバイアス増加は無い。これζこより
L I) (5)はしきい値にバイアスされるわけであ
るか、このバイアス時にI・1)(6)の光検出・11
1号が第1の参照信号より小となるときけ、比較器(8
)の出力かLowとなりバイアス印加部(4)75刷F
II作し、L J、)(5)のバイアスはしきい値に保
持されろ。
Accordingly, the bias applying section (4) sends a request to send 1.a.
Even if the comparator (8) is operated manually, the output of the comparator (8) is IJigh, so it does not operate and there is no increase in the bias of the LD (5). From this ζ, L I) (5) is biased to the threshold value. At this bias, the photodetection of I・1)(6)・11
When No. 1 becomes smaller than the first reference signal, the comparator (8
) becomes Low and bias application section (4) 75th printing F
(5) Keep the bias at the threshold.

このように■・I)(5)1・11.送信要求信号(第
2図(+)) )の入力にJ、すしきい値にバイアスさ
れる。その後データ有j”¥j (aj12図(a))
がパルス、駆動部(4)を経てLD(5)に入力され、
L D(5)はバーストデークイii 4′J(第2図
(a))に対応して発光を行なう。バーストデータ信号
は、第2図(a)に示ずごとく、イ・:すえば32ム4
11z程度の高速のバースト信−弓である。
In this way ■・I) (5) 1・11. The input of the transmission request signal ((+) in FIG. 2) is biased to the threshold value J. After that, there is data (aj12 (a))
is input to the LD (5) via the pulse and drive section (4),
LD(5) emits light in response to the burst detector II 4'J (FIG. 2(a)). The burst data signal is as shown in Fig. 2(a).
It is a high-speed burst bow of about 11z.

才だ、比較器(8)に入力する9 pj−、、信月は、
Ll)(5)のバーストデータ15号(jQ 2図(a
) )の人力と同時に、?P、■の参照信号からbr 
2の勾+= イ:<号に切り変わる。この第2の参罷’
fM号は、バーストデータ信号(第2図(a)によるL
 I) (5)の熱ザブ現色が生じない場合の光出力に
対応した信号である。L I) (5)は、バーストデ
ータ信−号(第2図(a))に対応して発光を行なうが
、L、 D (5)の「:、t(ザブ」見象により1.
、 り (5)の光出力は減少する。
9 pj-, which is input to the comparator (8), Shinzuki is
Ll) (5) burst data No. 15 (jQ Figure 2 (a
) At the same time as human power? br from the reference signal of P,■
2's gradient += A: Switch to < sign. This second impeachment'
fM is a burst data signal (L in Fig. 2(a)).
I) This is a signal corresponding to the optical output when the thermal subcolor development in (5) does not occur. L I) (5) emits light in response to the burst data signal (Fig. 2 (a)), but due to the ":, t" appearance of L and D (5), 1.
, the light output of (5) decreases.

尚、バーストデータ信号(?432図にI))は、バイ
アス印加部(4)からのバイアス信号;号に重畳してL
 J)(5)に入力される。しかしながら、この棉合、
I、j)(5)の光出力の減少に伴ない111) (6
)の9′(、検出;jj (IIcが減少し、従って第
2の% lji信シ3より小となり比較器(8)の出力
は1ノOWとなる。
The burst data signal (I in Figure 432) is superimposed on the bias signal from the bias applying section (4) and
J) Input in (5). However, this match,
As the optical output of I, j) (5) decreases, 111) (6
) of 9'(, detection; jj (IIc) decreases and therefore becomes smaller than the second %lji signal 3, and the output of the comparator (8) becomes 1NOOW.

従一つで、バイアス印加部(4)が動作し、LL’ (
5)はバイアスされ、JJ D (5)の光出力が、L
 Ill (5)の熱ザブ現象により減少するのを防雨
している。
The bias applying section (4) operates in the slave one, and LL' (
5) is biased, and the optical output of JJ D (5) is L
Ill (5) is rain-proofed from decreasing due to the heat sink phenomenon.

尚、送信数求イ、−1号(C112図(b))は、バー
スト期間ク(1<号(71% 2図(a))の送信が終
わる寸で送信されている。
It should be noted that the transmission number I, -1 (C112, (b)) is transmitted just as the transmission of the burst period (71%, Fig. 2 (a)) is about to end.

以上のとときバ〜ストJt’1間が高り数Ill S 
のバースト光出力時ではN L D (5)自身の発熱
による温度」二ケアが生ずるのみで、、 L I)(5
)のfTB力は減少する傾向1こある。
In the above case, the number of increases between burst Jt'1 is Ill S
At the time of burst light output, only 2 cares occur due to the temperature due to its own heat generation, and L I) (5)
) has a tendency to decrease.

即ぢ I) D (6) 、比較器(8)、バイアス印
加部(4)からなる制御ループにより、]、 I’)(
5)の光出力は、第2図(C)に示すようにバーストデ
ータ信号(第2図(a))に極めて正確に対応したもの
となる。
By means of a control loop consisting of I) D (6), comparator (8), and bias application section (4),
The optical output of 5) corresponds extremely accurately to the burst data signal (FIG. 2(a)), as shown in FIG. 2(C).

跨 次1こデータイ1.Vかパーストイ、;4Jであるが、
L・のバースト期間が上ツノEの場合より比較的長く、
外部環境の温度変化の影7i+ψを受りる場合の1・I
)(5)の光出力の安定化力θミを第3図(a)乃至(
(りを参照して1況明する。第31図(8)乃至(d)
は、バーストデークイ11弓のバースト期間か長くその
バーストデータ信号送信の途中(tz乃至t2)で外部
病i境温度が下降した場合の外部環境湿度の変化N L
 I) (5)のブf;出力低ν2等を示しだものであ
る。
Crossover 1 data type 1. V or Perstoy; 4J,
The burst period of L is relatively longer than that of upper horn E,
1・I when receiving the influence of temperature change in the external environment 7i + ψ
)(5) The stabilizing force θmi of the optical output is shown in Fig. 3(a) to (
(The situation will be clarified with reference to Figure 31 (8) to (d).
is the change in the external environmental humidity when the external ambient temperature drops during the burst data signal transmission (tz to t2) during the burst period of the burst data signal.
I) f in (5); indicates low output ν2, etc.

壕ず、第3図(a)は、バーストデ−クイ号j号送信途
中の1.期間の外部環境温度の塊化を表す。この夕(部
環境の温度変化曲線の時定数を′r、とする。第3図(
b)は、バイアス信号レベルの増加を停止しグこ場合の
t、乃芋12期間のTJ l) (5)の光出力低減を
示しており、この光出力低減の時定数を1゛2とする。
Figure 3 (a) shows the 1. Represents the agglomeration of external environmental temperature for a period. Let the time constant of the temperature change curve of this evening's environment be 'r. Figure 3 (
b) shows the optical output reduction of (5) when the increase in the bias signal level is stopped and the t is 12 periods, and the time constant of this optical output reduction is 1゛2. do.

これは、バイアス信号レベルの増加を停止した後、第2
図に示ノーごときL I) (5)の光出力の安定化制
卸が行なわれない場合の光出力低減の時定数を表わすも
のである。
This is done after the bias signal level has stopped increasing.
This represents the time constant for reducing the optical output when the optical output stabilization control shown in (5) is not performed as shown in the figure.

次に第3図(C)は、本発明によるバイアスイ1)−ケ
レベルの制御を示すものである。即ち、バイアス信号の
増加を停止した場合、このバイアスイ1i号レベルが、
T、 1.) (5)の光出力低減(第3図(b) )
の時シXI数′r2よりも犬きく、寸だ外部環境の温度
降下(2b3図(a))の時定数T、よりも小さい11
!i定斂11.、、z 7A少するようにしである。こ
れは、747748月レベル低減の時定数゛1゛、をL
I)(5)の光出力低減(第3図(h))の時定数′P
2よりも大きくすることにより、バースト信月が急激に
低下しL D (51の光出力が不安定となるのを防止
している。さらに、T3を外部環境の潤度g1−丁(第
31!’J (a) )の時定数T、よりも小さくする
ことによりL I)(5)の光出力安定化は常に一方向
、即ちバイアス411号を増加させることのみで十分と
なる。従って、バースI−(U号からなる送信信号が外
部環境の温反変化の影侶′を受けた場合も、Ll)(5
)の光出力は第3ぶ1(d)に示すごと(tよtグ゛一
定となり安定化させることができる。
Next, FIG. 3(C) shows the control of the bias level 1)-ke according to the present invention. That is, when the increase in the bias signal is stopped, this bias I1i level becomes
T, 1. ) (5) Light output reduction (Figure 3(b))
, the time constant T of the temperature drop in the external environment (Figure 2b3 (a)) is 11
! 11. ,, z 7A should be done a little. This makes the time constant of the 747748 month level reduction ゛1゛, L
I) Time constant 'P of optical output reduction in (5) (Fig. 3 (h))
By increasing T3 to a value larger than 2, the burst light is prevented from rapidly decreasing and the light output of LD (51) becomes unstable.Furthermore, T3 is set to By making the time constant T of !'J (a)) smaller than the time constant T of L I) (5), it is always sufficient to stabilize the optical output in one direction, that is, by increasing the bias No. 411. Therefore, even if the transmitted signal consisting of berth I-(U) is affected by thermal changes in the external environment, Ll)(5
) can be stabilized as shown in the third section 1(d) (t and t are constant and constant).

さらに次にバイアス印加部(4)の動作を、第4図に示
すバイアス印加部(4)の−例を示す回路図を参照して
説明する。
Furthermore, the operation of the bias application section (4) will be explained next with reference to a circuit diagram showing an example of the bias application section (4) shown in FIG.

バイアス印加部(4)には、定−11流源(10)と第
1のトランジスタ(1υ及び泥2のトランジスタ(1巧
からなる定電流源スイッチが設けられている。
The bias application section (4) is provided with a constant current source switch consisting of a constant -11 current source (10), a first transistor (1υ), and a 2nd transistor (1).

器(8)の出力がLowの」場合、a ]のトランジス
タ(11)がOFF −、第2のトランジスタ(12)
がONとなりコンデンサ04)をチャージする。
When the output of the transistor (8) is Low, the transistor (11) of A is OFF, and the second transistor (12) is OFF.
turns on and charges the capacitor 04).

また、比較器(8)の出力がIlighの場合、第Jの
トランジスタθ1)が0NXQ’<2のトランジスタ(
+21がOFFとなり、コンデンサ04)はチャージさ
れない。
In addition, when the output of the comparator (8) is Ilight, the J-th transistor θ1) is a transistor with 0NXQ'<2 (
+21 is turned off, and capacitor 04) is not charged.

即ち、比較器(8)の出力がLowの場合はコンデンサ
Oaをチャー・ジし、このコンデンサ0イ)のj二列7
ji圧でLD((!、)のバイアス増加機能を増し光出
力増大する。
That is, when the output of the comparator (8) is Low, the capacitor Oa is charged, and the j2 column 7 of this capacitor Oa)
The ji pressure increases the bias increasing function of the LD ((!,) and increases the optical output.

寸だ、比較器(8)の出力がIlighのJ、「)合は
コンデンサ(14)のチャージを止め、■、 D (5
+のバイアス屯流の増加を止める。従って、バースト信
号のバースト期間が高々数Ill Sの場合は、外部環
境の温度変化の影響を受けないため第5 Igl (a
) (第1図に於りる(ψの動作時の情号波形図)に示
すような比較:rニー1(8)出力によりコンデンサ(
1(1)をチャージすると、コンデンサ00の端子出力
は第5図(11)に示ず、Lうに比Mild! 器(8
)出力のLo%Vレベル若(−<はIlighレベルに
斤、してチャージ若しくはホールドを#Y:り返して」
二昇を続けるようになる。
If the output of the comparator (8) is Ilight J, ``), stop charging the capacitor (14), ■, D (5
Stops the increase in + bias current. Therefore, if the burst period of the burst signal is at most several IllS, the fifth Igl (a
) (Comparison as shown in Figure 1 (information waveform diagram during operation of ψ): R knee 1 (8) output causes capacitor (
1 (1), the terminal output of the capacitor 00 is not shown in FIG. 5 (11), and the L sea urchin ratio Mil! Vessel (8
) Output Lo%V level (-< is set to Ilight level, then charge or hold #Y: Repeat.)
He began to continue his second promotion.

まださらに、パース)(5号のバースト期間が外部環境
の温度変化の影4゛:′を受ける程度に長い場合、LD
(5)のバイアス屯流の増加を止めた場合、バイアス悄
渇レベルがI、D(5)の光出力低減(第3図(b))
の時定数T2よりも大きく、また外部環境の温度降下(
第3図(a))の時定数T1よりも小さい時定数T3で
減少するように放電機能素子Q6)を設けている。
Furthermore, if the burst period of No. 5 is long enough to be affected by temperature changes in the external environment, the LD
When the increase in the bias current in (5) is stopped, the optical output decreases at the bias exhaustion level I, D (5) (Figure 3 (b))
is larger than the time constant T2, and the temperature drop in the external environment (
The discharge function element Q6) is provided so that the discharge function decreases with a time constant T3 smaller than the time constant T1 in FIG. 3(a).

この放電機M’j 才子(1,[i)は、系の安定性を
確保しつつ仁の外部環境温度の変化に追従させるだめの
ものであり、その放電時定数はLD(5)の出力低減時
定数よりも大きく、かつ外部環境の温度変化によるしき
い値電流変化の時定数よりも小さくなるように設定する
。この放電1幾能とバイアス増加機能とで、たとえ外部
9 J$、♂1度が降下しても、それ以前にバイアスレ
ベルは降下し、増加をくり返し常に適正位置にとどまる
ことになる。
This discharge machine M'j Saiko (1, [i) is designed to follow changes in the external environmental temperature while ensuring system stability, and its discharge time constant is determined by the output of LD (5). It is set to be larger than the reduction time constant and smaller than the time constant of threshold current change due to temperature change in the external environment. With this discharge 1 function and bias increase function, even if the external temperature drops by 9 J$, ♂1 degree, the bias level will drop before that and will continue to increase and always stay at the proper position.

このTj!I電槻能素子06)は、ここでは抵抗で措成
され、その放電時定数は他に電流リークがないとすると
この:i1(抗仙几とチャージ用コンデンサ(14)の
客用−Cとの積で表わされるが、前記したように外部環
境温度の変化に追従するように設定される為、通常数秒
以上の値となり、バイアス増加の際の障害とはならない
。
This Tj! The I-electric power element 06) is here constituted by a resistor, and assuming that there is no other current leakage, its discharge time constant is as follows: As mentioned above, since it is set to follow changes in the external environmental temperature, the value is usually several seconds or more, and does not become an obstacle when increasing the bias.

また、この放電機能は、抵抗に限定されるものではなく
LD(5)を駆動するトランジスタ07)へ注入するペ
ース電流等であっても良い。
Further, this discharge function is not limited to a resistor, but may be a pace current or the like injected into the transistor 07 that drives the LD (5).

さらにこの放゛屯時定数は環境温度の変化に対比しての
み設定されるべきものでなく、その他の安置で出力が変
化する場合必要とする速度に追従rる設定可能な放電機
能をg7えていれば良い。
Furthermore, this discharge time constant should not only be set in response to changes in environmental temperature, but also in other cases where the output changes due to installation, the g7 has a configurable discharge function that follows the required rate. It's fine if you have it.

尚、バーストとバースト間のコンデンサ04)の放電は
、データ信+3(第2図(、+) ) 1所の46報を
イI)でンヨートするスイッチ(15)をイ」加すれ(
l、1、良い。
In addition, the discharge of the capacitor 04) between bursts can be achieved by turning on the switch (15) that turns on the data signal +3 (Fig. 2 (, +)).
l, 1, good.

尚、以上に於いては半導体発ガ、翳二子が半2、う什レ
ーザ(LI))5の場合を説明しだが、これは発)°(
1ダイオード(T、 E D )の場合でも本発明は適
用できることは明らかである。
In addition, in the above, we have explained the case of a semiconductor generator, Ajiko is half 2, and a laser (LI)) 5, but this is
It is clear that the present invention is applicable even to the case of one diode (T, ED).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施611に用いる回路((゛Y成
目、第2図(a)乃至(C)、第5図(a)乃至(b)
−1、第1し1に小す回路佑成図の各部の動作時の仏号
波形及0・出力波形をタイムチャートで示す図、第3図
はパイアス情+Vレベルの低7bl:時の動作、i31
、四回、第4図は第1図で示すバイアス印加部の一例を
示す回路図である。 1・・・データ入力端一72・・パルス、駆動部3・・
・1t’4(N“茫求イ1;号人力Vlfij子 4・
・・バイアス印加部5・半4体発光素子 6・・・仝t
’−導体光検出素子7・・・参照信号人力14;i子 
8・・、比較器10・・・定屯流源 1] 、12・・
・l・ランジスク13・論理ゲート14・コンデンサ 15−・・スイッチ 16・・・抵抗 17・・j+’−者体発ブ(−、≧に子駆動トランジス
タ18”’ tjim L211ゲーl イリ+11人 弁理士 則 近 憲 14.i (ほか
1名)第 1 図 第 2 図 第 3 図 第4図 第5図
FIG. 1 shows a circuit used in an embodiment 611 of the present invention ((Y component, FIG. 2(a) to (C), FIG. 5(a) to (b)
Figure 3 is a time chart showing the Buddha waveform and 0 output waveform during the operation of each part of the -1, 1st to 1st circuit diagram. , i31
, 4 times, FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the bias application section shown in FIG. 1. 1...Data input terminal 72...Pulse, drive section 3...
・1t'4 (N"Ikui 1; Gojinki Vlfijko 4・
・Bias application unit 5 ・Half-quad light emitting element 6 ・・t
'-Conductor light detection element 7...Reference signal human power 14;
8..., Comparator 10... Dingtun flow source 1], 12...
・l・Lanzisk 13・Logic gate 14・Capacitor 15-...Switch 16...Resistor 17...j+'-body emission (-, ≧ Child drive transistor 18''' tjim L211 game l Ili + 11 people Patent attorney Ken Nori Chika 14.i (and 1 other person) Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体発光素子の光出力の−f〜bを=−+’q
導イ本光検出素光検出素子し、該光検出信号よ0前H己
つY; l:B力を安定化制御する光出力安定化方式ζ
こ)I ’1)−Cz前記光検出信侶を第1若しくは第
2の参j1言乞と比11!りし、前記光検出伝号か第1
若しくFま肴)2の参1!d ’fA号に片ル小なる際
は前記半”)、併イ0“色メう子のノく47718号を
」19加させ、削記光検+E (;’r乞゛力く第1体
育しくは第2の参照信号に比し犬なる際)よniJ言己
ノくイアスイ菖号の増加を一停止Iルた後、該ノくイア
スイ菖号レベルか前記光用カイ[(−誠の時足搭(よi
)も−大きく、力、つ外部環」(,5の福1L(〔降下
の時定数よりも小さし・1時シ辷′数にて減少するよう
にしたことを’l’j徴とするjf; ltl力安定化
力生方
(1) Optical output of the semiconductor light emitting device -f~b=-+'q
A light output stabilization method for stabilizing and controlling the power of the light detection element and the light detection signal.
11) I'1) -Cz Compare the light detection believer with the first or second reference j1 request! The first photodetection signal is
Wakaf F ma appetizer) Part 1 of 2! d 'If the number is small, please add the above half'), add 19 'Irome Uko No. When compared to the second reference signal (for physical education), after stopping the increase in the number of yashii iris, the increase in the number of yashii iris is increased, and then the level of the iris is adjusted to the level of the light Yoi Tower (Yoi)
) is also large, the force is large, and the external ring'(, 5's fortune 1L ([The fact that it is smaller than the time constant of descent and decreases by the number of 1 hour is 'l'j sign) jf; ltl force stabilization force
(2)第1の6凶(f’j A&J’、 %前記半導体
発光素子のしきい値に対h−凡ていることを特徴とする
(!−4r¥F 請求の範1tii第1 JJ’4記1
1.芝の光出力安定化方式。
(2) 1st 6 yen (f'j A&J', %h-approximately with respect to the threshold value of the semiconductor light emitting device (!-4r\F Claim 1tii 1st JJ' 4 1
1. Grass light output stabilization method.
(3)第2の参照信号は、前記光出力させる為の前記半
導体発光才子に入力する信号に夕“・]応していること
を特徴とする特許請求の師1囲第1項記1・□l:の光
出力安定化方式。
(3) The second reference signal corresponds to the signal input to the semiconductor light emitting device for outputting light. □l: Optical output stabilization method.
(4)半導体発光素子は、前記光出力させる為の前M己
半導体発光素子への信号入力の際、該信号入力に先立ち
前記バイアス信号が入力されることを4′T徽とする特
許請求のq;]χ囲213]項記載のフ“光出力安定化
方式。
(4) The semiconductor light emitting device is characterized in that, when a signal is input to the semiconductor light emitting device for outputting light, the bias signal is inputted prior to the input of the signal. q; ] χ Box 213] ``Light output stabilization method.
(5)光出力さぜる為の前記半導体発光才子への信号入
力の際、前記参照信号は第1の参匪イt;−弓から第2
の参照信号となることを4’Y徴とする希g’r ii
i’をの範囲第1項記載のう°C8出力安定化方式。
(5) When inputting a signal to the semiconductor light emitting device for adjusting the light output, the reference signal is inputted from the first reference signal to the second reference signal.
The rare g'r ii whose 4'Y characteristic is to be the reference signal for
Range of i': °C8 output stabilization method described in item 1.
(6)半導体発光素子の光出力は、バーストう“r、出
力であることを4″!I徴とする4゛ν許請求の1・]
1囲>4’71 J’j1記載の光出力安定化方式。
(6) The light output of the semiconductor light emitting device is burst ``r, output 4''! 4゛ν permission request 1.]
1 circle>4'71 Optical output stabilization method described in J'j1.
JP58145689A 1983-04-28 1983-08-11 System for stabilizing photo output Granted JPS6037792A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58145689A JPS6037792A (en) 1983-08-11 1983-08-11 System for stabilizing photo output
US06/603,893 US4621376A (en) 1983-04-28 1984-04-25 Driving apparatus for stabilizing burst light output
EP84302826A EP0125823B1 (en) 1983-04-28 1984-04-26 Driving apparatus for stabilizing burst light output
DE8484302826T DE3465848D1 (en) 1983-04-28 1984-04-26 Driving apparatus for stabilizing burst light output

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58145689A JPS6037792A (en) 1983-08-11 1983-08-11 System for stabilizing photo output

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6037792A true JPS6037792A (en) 1985-02-27
JPH0252867B2 JPH0252867B2 (en) 1990-11-14

Family

ID=15390814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58145689A Granted JPS6037792A (en) 1983-04-28 1983-08-11 System for stabilizing photo output

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6037792A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63212229A (en) * 1987-02-27 1988-09-05 Nec Corp Laser light cutoff system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63212229A (en) * 1987-02-27 1988-09-05 Nec Corp Laser light cutoff system

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0252867B2 (en) 1990-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU598291B2 (en) Driver circuit for driving a light emitting element by superimposing an analog sub-information signal over a digital main signal
US4734914A (en) Stabilized laser apparatus
US5175722A (en) Power supply circuit for stabilizing power input to a laser diode
US4558465A (en) Switched bias scheme for high speed laser transmitter
GB1559511A (en) Injection lasers
US4876442A (en) Laser control circuit
KR950007489B1 (en) Semiconductor laser device driving circuit
JP3175132B2 (en) Optical transmitter
US4916706A (en) Excitation system for exciting a semiconductor laser device
JPS6151887A (en) Driving device for semiconductor laser
JPS6161535A (en) Optical transmitter
JP2687465B2 (en) Electro-optical conversion circuit using laser diode
JPS60204261A (en) Self-excited oscillator
JPH02171041A (en) Remote control receiver
JPH0244420B2 (en)
JPH0157537B2 (en)
JPH0584073B2 (en)
KR102226404B1 (en) Isolation circuit in gate driver
JP3148430B2 (en) Optical communication device
JP2804678B2 (en) Photodetector
JPH0252867B2 (en)
JPS60251731A (en) Optical output controller
JPH0121431Y2 (en)
JPH10190118A5 (en)
JPH0319625B2 (en)