JPS6037792A - 光出力安定化方式 - Google Patents
光出力安定化方式Info
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- JPS6037792A JPS6037792A JP58145689A JP14568983A JPS6037792A JP S6037792 A JPS6037792 A JP S6037792A JP 58145689 A JP58145689 A JP 58145689A JP 14568983 A JP14568983 A JP 14568983A JP S6037792 A JPS6037792 A JP S6037792A
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- semiconductor light
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の屈する技術’ｙ’ｆ野〕
本発明は光出力安定化方式に係り、’ｌ！Ｉに光ネット
ワークに於ける単層１体発光素子の光出力安定化方式に
関する。
ワークに於ける単層１体発光素子の光出力安定化方式に
関する。
し従来技術とその問題点〕
メツイス用務効率の向上は、社会の生産性向上に重要で
ある。このような較詰を担う、いわゆるアイルザーバ勢
の比較的高価ｆｚ’）−スを分割若しくは分散Ａ゛１」
用するために安価なネットワークシステムを実現すべく
、バス型或いはスター型ネットワークの開発報告がなさ
れている。
ある。このような較詰を担う、いわゆるアイルザーバ勢
の比較的高価ｆｚ’）−スを分割若しくは分散Ａ゛１」
用するために安価なネットワークシステムを実現すべく
、バス型或いはスター型ネットワークの開発報告がなさ
れている。
この様なネットワーク上で扱う何月は、例えば］、ＯＰ
Ｌ旧２以上の高が１（データが一定期間のみ伝送される
いわゆるバースト信号とするのが普通である。
Ｌ旧２以上の高が１（データが一定期間のみ伝送される
いわゆるバースト信号とするのが普通である。
しかしこのような光伝送技術に於いては、同１Ｑｉｌケ
ーブルを用いメこ伝送技術では生じなかった問題がバー
スト信号を扱うＪん合特に生じてきている。
ーブルを用いメこ伝送技術では生じなかった問題がバー
スト信号を扱うＪん合特に生じてきている。
とれは、例えば半導体レーザ（以下ＬＤと略称する）か
らなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常に敏感で
あることからも明らがである。
らなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常に敏感で
あることからも明らがである。
即ち、半４体発光素子は、バースト信号送信中に半導体
光検子自月の光熱や夕ｉ部環境の７．〜１、ｆｔｊ：裏
二化の影ｇ金受り′Ｃ１例えＶ１゛１・Ｊ〕ではＬ Ｉ
）素子自身の発熱によりしきいイ１１′ロバ１υ１′Ｌ
、か士ケイし、これにより出力が低下してパース） （
ｌ、＋−ｊ；、ｘ＝信中のｔ、“きザブ楔、埃を生じた
り、１１ζ外部環境１′１１９Ｆ１厘の久化によりしき
い値電流が変化して出力が茅２ ｑｈ−Ｊる。
光検子自月の光熱や夕ｉ部環境の７．〜１、ｆｔｊ：裏
二化の影ｇ金受り′Ｃ１例えＶ１゛１・Ｊ〕ではＬ Ｉ
）素子自身の発熱によりしきいイ１１′ロバ１υ１′Ｌ
、か士ケイし、これにより出力が低下してパース） （
ｌ、＋−ｊ；、ｘ＝信中のｔ、“きザブ楔、埃を生じた
り、１１ζ外部環境１′１１９Ｆ１厘の久化によりしき
い値電流が変化して出力が茅２ ｑｈ−Ｊる。
このような半シ、・７体発光素子の光出力の不安定を抑
制する方法として、従来半エヘ・体発光素子のｐＨ＜動
電流を伝）妙に増加或いはｉ、Ｊ、；少して１ｌｉｌｌ
ｆｌｌｌする、いわゆるアナログ制御が開発されてい
る。
制する方法として、従来半エヘ・体発光素子のｐＨ＜動
電流を伝）妙に増加或いはｉ、Ｊ、；少して１ｌｉｌｌ
ｆｌｌｌする、いわゆるアナログ制御が開発されてい
る。
しかしながら、このようなアラ［ｊグｆｉｉｌｉ衣甲で
は２、数％ＩＨｚ以」二の負９ｉ＋旨・、“ｔループ応
答を２ンする為に、江１Ｊ価な高速回路素子を必要とし
、又牛？！工体発＞’ｒ、 ；＜・子の駆動車ｖ］Ｃの
バ″；′加及Ｏ−減少の２作用忙イｊう／眉こ回路内の
光検出素子やトランズスク等の；Ｉｉ；ｉ ９ｐ−によ
る発振現象が生じて回路自体か不安定になるという問題
があった。
は２、数％ＩＨｚ以」二の負９ｉ＋旨・、“ｔループ応
答を２ンする為に、江１Ｊ価な高速回路素子を必要とし
、又牛？！工体発＞’ｒ、 ；＜・子の駆動車ｖ］Ｃの
バ″；′加及Ｏ−減少の２作用忙イｊう／眉こ回路内の
光検出素子やトランズスク等の；Ｉｉ；ｉ ９ｐ−によ
る発振現象が生じて回路自体か不安定になるという問題
があった。
そこでこのような半導体発光２・、子出力の不安＞ｉ−
骨を抑制する方法として、本出願人は！１４願昭５Ｂ−
３０７７９号を出願しティるｏ コノｑｑｈｔ＋昭５８
−３（１７７９号は、半導体発光素子のバースト光出力
を安定化制御するものである。即ち、半導体発光素子の
バースト光出力の一部を半導体光検出素子で光検出し、
この光検出信号を第１若しくは第２８参照信刊と比較し
、光検出イｒｒ ＋、ｊが第１若しくは第２の参が信刊
に比し小なる際は半導体発光メそ子のバイアス信刊を増
加させ、光検出信号が第１若しくは第２の参照信号に比
し大なる際はバイアス（Ｆｉ号を一定値に保持するよう
にしたバースト光出力安定化駆動方式である。このバー
スト光出力安鉋化駆動方式は、強制的には、半導体発光
素子のバイアスを増加さぜることのみにより、バースト
期間クには十分な出力安定化がハｊ、されるのである。
骨を抑制する方法として、本出願人は！１４願昭５Ｂ−
３０７７９号を出願しティるｏ コノｑｑｈｔ＋昭５８
−３（１７７９号は、半導体発光素子のバースト光出力
を安定化制御するものである。即ち、半導体発光素子の
バースト光出力の一部を半導体光検出素子で光検出し、
この光検出信号を第１若しくは第２８参照信刊と比較し
、光検出イｒｒ ＋、ｊが第１若しくは第２の参が信刊
に比し小なる際は半導体発光メそ子のバイアス信刊を増
加させ、光検出信号が第１若しくは第２の参照信号に比
し大なる際はバイアス（Ｆｉ号を一定値に保持するよう
にしたバースト光出力安定化駆動方式である。このバー
スト光出力安鉋化駆動方式は、強制的には、半導体発光
素子のバイアスを増加さぜることのみにより、バースト
期間クには十分な出力安定化がハｊ、されるのである。
これはバースト期間が通常高り数ｍｓであり、この期間
内では、例え１７１′ＬＤは、外部環境の温度変化の影
４）＋＋＋を受けず半導体発光素子自身の発熱によるη
１調出力低トー八１、象のみが支配的であることにリ−
２，づいている。
内では、例え１７１′ＬＤは、外部環境の温度変化の影
４）＋＋＋を受けず半導体発光素子自身の発熱によるη
１調出力低トー八１、象のみが支配的であることにリ−
２，づいている。
（Ｍ’、・つで送信信号が数ｍｓ のバースト信号では
なく、時間的にこれよりも長いバースト信号や一般の連
続した信号の場合は、半２、Ｃ１体発光米子は、この半
渚１体発光素子自身の発熱のみ、ｔらず夕（部理境の温
度変化も考爪１するｌＶ、、丸がある。との」〕）合、
外部環境の温度が上引し崖２．悸イ１、発光牝子のしと
い値電流が増すとき）Ｊｌ、ｑ！ｌル＋ｊ昭５８−３０
７７４Ｊ−２月こ於０る方式によ−って光出力の安カ王
化を図るＣとができる。
なく、時間的にこれよりも長いバースト信号や一般の連
続した信号の場合は、半２、Ｃ１体発光米子は、この半
渚１体発光素子自身の発熱のみ、ｔらず夕（部理境の温
度変化も考爪１するｌＶ、、丸がある。との」〕）合、
外部環境の温度が上引し崖２．悸イ１、発光牝子のしと
い値電流が増すとき）Ｊｌ、ｑ！ｌル＋ｊ昭５８−３０
７７４Ｊ−２月こ於０る方式によ−って光出力の安カ王
化を図るＣとができる。
ところが、外部環境の温すが下降する場合、即ち外部温
度の下降に伴ない半導体光）ｌＩ；素子のしきい値電流
が減少するときには、・これを制卸するＥＪ＝段までは
薪１ｊえていない。
度の下降に伴ない半導体光）ｌＩ；素子のしきい値電流
が減少するときには、・これを制卸するＥＪ＝段までは
薪１ｊえていない。
従って、半勇一体発″Ｊ７．素子自身の発熱による影響
のみならず、外部環境の温１１ζ−ごダ倖の影響もｆｉ
ｉｌｌ （ｌ’ｔｌｌ ｔ。
のみならず、外部環境の温１１ζ−ごダ倖の影響もｆｉ
ｉｌｌ （ｌ’ｔｌｌ ｔ。
得る手段が望まれていた。
［発明の目的〕
本発明は上フ７ＪΣの点を渚がして、なされたもので、
半導体発光素子自身の発熱による５、ｙ、 ４７１）と
／１１部Ｊ：ＨＨ境の福１度変化による影響を除去し２
、／２−スト信号に適合し、かつ一般の連続した何月１
こも対応できる帰還ループの安定化を図っだつ“Ｃ１出
力安定化方式を提供することにある。
半導体発光素子自身の発熱による５、ｙ、 ４７１）と
／１１部Ｊ：ＨＨ境の福１度変化による影響を除去し２
、／２−スト信号に適合し、かつ一般の連続した何月１
こも対応できる帰還ループの安定化を図っだつ“Ｃ１出
力安定化方式を提供することにある。
し発明のイ既要〕
半導体発光素子の光出力の一部を半導体光検出素子で光
検出し、この光検出信号を第１若しくは第２の参り信号
と比較し、光検出信号が第１若しくは第２の参照信号に
比［７小なる際は前記半導体発光素子のバイアス信号を
増加さぜ、光検出（Ｆｆｆｉ号が第１若しくは第２の参
照信号に比し大なる際は７４７７４１１号の増加を停止
した後このバイアス信弓レベルが光出力低減の時定数よ
りも大きく、かつ外部環境の温変化の時定数よりも小さ
い時定数に−〔減少するようにした光出力安定−化方式
を得るようにしだものである。
検出し、この光検出信号を第１若しくは第２の参り信号
と比較し、光検出信号が第１若しくは第２の参照信号に
比［７小なる際は前記半導体発光素子のバイアス信号を
増加さぜ、光検出（Ｆｆｆｉ号が第１若しくは第２の参
照信号に比し大なる際は７４７７４１１号の増加を停止
した後このバイアス信弓レベルが光出力低減の時定数よ
りも大きく、かつ外部環境の温変化の時定数よりも小さ
い時定数に−〔減少するようにした光出力安定−化方式
を得るようにしだものである。
し発明の効果〕
本発明により半導体光検出素子の光検出信月と第１若ｊ
〜〈は第２の参照１８号とを比較してディジタル出力と
し、とのディジタル出力で単層８体発光素子のバイアス
イｉ；号を増加或いは増加を停止するという制御を行う
ことにより ４＋Ｖ、還ループとしての安定度が向上し
、又安定化制御ループとしての；役ｎ１も非常に容易と
なる。
〜〈は第２の参照１８号とを比較してディジタル出力と
し、とのディジタル出力で単層８体発光素子のバイアス
イｉ；号を増加或いは増加を停止するという制御を行う
ことにより ４＋Ｖ、還ループとしての安定度が向上し
、又安定化制御ループとしての；役ｎ１も非常に容易と
なる。
また、半２Ｒ体発光素子のバイアスに関しては、このバ
イアス信号を増加するのみの手段で済むことから回路構
成が容易とｌる。
イアス信号を増加するのみの手段で済むことから回路構
成が容易とｌる。
さらに、バイアス信号レベルが半導体発光素子の光出力
低減の時定劫よりも大きく、かつ夕１部環境の温度変化
の時定数よりも小さい時定数で低δ・−することにより
特にバースト１ｌＪＩ間がねｍｓ ）：）内のパース）
（８号に限らず、バースト期間がこれより長いバースト
（、ｊ刊或いは一般の連続１７だ信２）にも適用するこ
とができる。
低減の時定劫よりも大きく、かつ夕１部環境の温度変化
の時定数よりも小さい時定数で低δ・−することにより
特にバースト１ｌＪＩ間がねｍｓ ）：）内のパース）
（８号に限らず、バースト期間がこれより長いバースト
（、ｊ刊或いは一般の連続１７だ信２）にも適用するこ
とができる。
即ら、安価Ｃか・つ安定（’ｔに停れた光出力安定化方
式を得ることが′Ｃ′きる。
式を得ることが′Ｃ′きる。
以下、木・厖明の一実、ｆｆ１Ｑ例を第１図乃至第４１
゛’＜１を参１！（ｉ シて説４明する。
゛’＜１を参１！（ｉ シて説４明する。
第１図は、この実施例に用いろ回路の１１ｊν成図を示
したものである１、即ち、データ人力；７ｉｊｌ子（１
１６：有するパルス１駆動部（２）と、送信般求イ次号
入力店六１子（３）全治するバイアス印加部（４）とが
設りられ、このパルス駆動部（２）と、送信安求信′号
入力端子（３）をイＪするバイアス印加部（４）とが設
けられ、このパルス駆動部（２）とバイアス印加部（４
）との出力を重畳した信号が入力される、例えばＬ Ｄ
からなる半導体発光素子（５）が設けられている。
したものである１、即ち、データ人力；７ｉｊｌ子（１
１６：有するパルス１駆動部（２）と、送信般求イ次号
入力店六１子（３）全治するバイアス印加部（４）とが
設りられ、このパルス駆動部（２）と、送信安求信′号
入力端子（３）をイＪするバイアス印加部（４）とが設
けられ、このパルス駆動部（２）とバイアス印加部（４
）との出力を重畳した信号が入力される、例えばＬ Ｄ
からなる半導体発光素子（５）が設けられている。
また、このＬＤ（５）の光出力の一部を検出する、例え
ば円Ｎフォトダイオードからなる半導体光検出素子（以
下ＰＤと略称する）（６）と、このＦＤ（（３）の出力
と参照信号入力端子（力から入力される信号とを比較す
る比較器（８）が設けられている。
ば円Ｎフォトダイオードからなる半導体光検出素子（以
下ＰＤと略称する）（６）と、このＦＤ（（３）の出力
と参照信号入力端子（力から入力される信号とを比較す
る比較器（８）が設けられている。
この比較器（８）の出力は、バイアス印加部（４）に入
力されバイアス印加部（４）の出力を制御し−Ｃいる。
力されバイアス印加部（４）の出力を制御し−Ｃいる。
次に、本発明による動作を上述の回路構成に於■の動作
時の４１１号波形及びＬＤ（５）の出力波形をタイムチ
ャートにより示しだものである。
時の４１１号波形及びＬＤ（５）の出力波形をタイムチ
ャートにより示しだものである。
この１４４合、第２図に示すデータ信号はバースト信号
で、そのバースト期間が高々数ｍｓ であり、即し外部
環境の温度変化の影与１？は受けないものとする。
で、そのバースト期間が高々数ｍｓ であり、即し外部
環境の温度変化の影与１？は受けないものとする。
まず、バーストテーク入力節４子（１）からパルス、駆
動部（２）にバーストデータ人力（第２図（ａ））が入
力されるが、このバーストデータ人力の１祭には、バー
ストデータ入力に先立ち送イ乙要求信号人力碓子（３）
からバイアス印加部（４）に送仁髪Ｊ ｇ（１１１号（
２′４１２図（１）） ）が入力される。
動部（２）にバーストデータ人力（第２図（ａ））が入
力されるが、このバーストデータ人力の１祭には、バー
ストデータ入力に先立ち送イ乙要求信号人力碓子（３）
からバイアス印加部（４）に送仁髪Ｊ ｇ（１１１号（
２′４１２図（１）） ）が入力される。
バイアス印加部（４）は、込伯ｊ〃求ｆζ号（第２図（
＋）） ）の他に比較器（８）出力が入力される。比較
器（８）は、ＰＤ（（３）の光検出信月と第１若しくは
第２の光８ｔ１呉信号と比較した後、光検出１５号が参
照（Ｆｉ号より小なるときはＬｏｗ 、大なるときはＩ
（ｉｇｂの出力を行う。
＋）） ）の他に比較器（８）出力が入力される。比較
器（８）は、ＰＤ（（３）の光検出信月と第１若しくは
第２の光８ｔ１呉信号と比較した後、光検出１５号が参
照（Ｆｉ号より小なるときはＬｏｗ 、大なるときはＩ
（ｉｇｂの出力を行う。
バイアス印加部（４）は、送仏要求信号（第２図（＋３
） ）を受け、かつ比較器（８）のＬｏｗなる出力を受
りたときのみ動作し、］、 Ｊ）（５）をバイアスする
。
） ）を受け、かつ比較器（８）のＬｏｗなる出力を受
りたときのみ動作し、］、 Ｊ）（５）をバイアスする
。
通常、バーストデータ人力（吊２図（ａ））人力前、厳
密に言うと送信要求信号（第２図（１，１） ）入力前
には、１ノＩ） （５）は発光していない為、光４θ１
出イ１丁号はＬ Ｌ）（５）のしきい値に対応した第１
の参照イ１−１号」；り小となり、比較器（８）の出力
はＬｏｗとな・つている。
密に言うと送信要求信号（第２図（１，１） ）入力前
には、１ノＩ） （５）は発光していない為、光４θ１
出イ１丁号はＬ Ｌ）（５）のしきい値に対応した第１
の参照イ１−１号」；り小となり、比較器（８）の出力
はＬｏｗとな・つている。
従って、バイアス印加部（４）は、送信吸求信号（第２
図（＋）） ）が人力されたときに初めて動作し、Ｌ
Ｉ） （５）のバイアスは、バイアス印加部（４）に送
信要求イハ号（２Ｐ ２ ｌビ？＋ （＋）） ）及Ｏ
・比較器（８）のＬｏｗ ／ｊ 小出力が入力される限
り続けられる。その後印加バイアスの聖火によりＬ Ｊ
） （５）のバイアス光も増大し、これにｆ″１′ない
ＰＩ）（６）の光検出小：流は」曽太し、Ｉ−、Ｄ （
５）のしきい値に対応している第１の参照信号より犬と
なり比較器（８）の出力ＩＬｉ、 ＬＩｉｇｌ＋となる
。
図（＋）） ）が人力されたときに初めて動作し、Ｌ
Ｉ） （５）のバイアスは、バイアス印加部（４）に送
信要求イハ号（２Ｐ ２ ｌビ？＋ （＋）） ）及Ｏ
・比較器（８）のＬｏｗ ／ｊ 小出力が入力される限
り続けられる。その後印加バイアスの聖火によりＬ Ｊ
） （５）のバイアス光も増大し、これにｆ″１′ない
ＰＩ）（６）の光検出小：流は」曽太し、Ｉ−、Ｄ （
５）のしきい値に対応している第１の参照信号より犬と
なり比較器（８）の出力ＩＬｉ、 ＬＩｉｇｌ＋となる
。
従″つて、バイアス印加部（４）は、送１．イ要求イ１
ｊ号＜ ２０； ２図（１）） ）が人力されていても
比較器（８）の出力がＩＪｉｇｈとなっている為動作せ
ずＬＤ（５）−、のバイアス増加は無い。これζこより
Ｌ Ｉ） （５）はしきい値にバイアスされるわけであ
るか、このバイアス時にＩ・１）（６）の光検出・１１
１号が第１の参照信号より小となるときけ、比較器（８
）の出力かＬｏｗとなりバイアス印加部（４）７５刷Ｆ
ＩＩ作し、Ｌ Ｊ、）（５）のバイアスはしきい値に保
持されろ。
ｊ号＜ ２０； ２図（１）） ）が人力されていても
比較器（８）の出力がＩＪｉｇｈとなっている為動作せ
ずＬＤ（５）−、のバイアス増加は無い。これζこより
Ｌ Ｉ） （５）はしきい値にバイアスされるわけであ
るか、このバイアス時にＩ・１）（６）の光検出・１１
１号が第１の参照信号より小となるときけ、比較器（８
）の出力かＬｏｗとなりバイアス印加部（４）７５刷Ｆ
ＩＩ作し、Ｌ Ｊ、）（５）のバイアスはしきい値に保
持されろ。
このように■・Ｉ）（５）１・１１．送信要求信号（第
２図（＋）） ）の入力にＪ、すしきい値にバイアスさ
れる。その後データ有ｊ”￥ｊ （ａｊ１２図（ａ））
がパルス、駆動部（４）を経てＬＤ（５）に入力され、
Ｌ Ｄ（５）はバーストデークイｉｉ ４′Ｊ（第２図
（ａ））に対応して発光を行なう。バーストデータ信号
は、第２図（ａ）に示ずごとく、イ・：すえば３２ム４
１１ｚ程度の高速のバースト信−弓である。
２図（＋）） ）の入力にＪ、すしきい値にバイアスさ
れる。その後データ有ｊ”￥ｊ （ａｊ１２図（ａ））
がパルス、駆動部（４）を経てＬＤ（５）に入力され、
Ｌ Ｄ（５）はバーストデークイｉｉ ４′Ｊ（第２図
（ａ））に対応して発光を行なう。バーストデータ信号
は、第２図（ａ）に示ずごとく、イ・：すえば３２ム４
１１ｚ程度の高速のバースト信−弓である。
才だ、比較器（８）に入力する９ ｐｊ−、、信月は、
Ｌｌ）（５）のバーストデータ１５号（ｊＱ ２図（ａ
） ）の人力と同時に、？Ｐ、■の参照信号からｂｒ
２の勾＋＝ イ：＜号に切り変わる。この第２の参罷’
ｆＭ号は、バーストデータ信号（第２図（ａ）によるＬ
Ｉ） （５）の熱ザブ現色が生じない場合の光出力に
対応した信号である。Ｌ Ｉ） （５）は、バーストデ
ータ信−号（第２図（ａ））に対応して発光を行なうが
、Ｌ、 Ｄ （５）の「：、ｔ（ザブ」見象により１．
、 り （５）の光出力は減少する。
Ｌｌ）（５）のバーストデータ１５号（ｊＱ ２図（ａ
） ）の人力と同時に、？Ｐ、■の参照信号からｂｒ
２の勾＋＝ イ：＜号に切り変わる。この第２の参罷’
ｆＭ号は、バーストデータ信号（第２図（ａ）によるＬ
Ｉ） （５）の熱ザブ現色が生じない場合の光出力に
対応した信号である。Ｌ Ｉ） （５）は、バーストデ
ータ信−号（第２図（ａ））に対応して発光を行なうが
、Ｌ、 Ｄ （５）の「：、ｔ（ザブ」見象により１．
、 り （５）の光出力は減少する。
尚、バーストデータ信号（？４３２図にＩ））は、バイ
アス印加部（４）からのバイアス信号；号に重畳してＬ
Ｊ）（５）に入力される。しかしながら、この棉合、
Ｉ、ｊ）（５）の光出力の減少に伴ない１１１） （６
）の９′（、検出；ｊｊ （ＩＩｃが減少し、従って第
２の％ ｌｊｉ信シ３より小となり比較器（８）の出力
は１ノＯＷとなる。
アス印加部（４）からのバイアス信号；号に重畳してＬ
Ｊ）（５）に入力される。しかしながら、この棉合、
Ｉ、ｊ）（５）の光出力の減少に伴ない１１１） （６
）の９′（、検出；ｊｊ （ＩＩｃが減少し、従って第
２の％ ｌｊｉ信シ３より小となり比較器（８）の出力
は１ノＯＷとなる。
従一つで、バイアス印加部（４）が動作し、ＬＬ’ （
５）はバイアスされ、ＪＪ Ｄ （５）の光出力が、Ｌ
Ｉｌｌ （５）の熱ザブ現象により減少するのを防雨
している。
５）はバイアスされ、ＪＪ Ｄ （５）の光出力が、Ｌ
Ｉｌｌ （５）の熱ザブ現象により減少するのを防雨
している。
尚、送信数求イ、−１号（Ｃ１１２図（ｂ））は、バー
スト期間ク（１＜号（７１％ ２図（ａ））の送信が終
わる寸で送信されている。
スト期間ク（１＜号（７１％ ２図（ａ））の送信が終
わる寸で送信されている。
以上のとときバ〜ストＪｔ’１間が高り数Ｉｌｌ Ｓ
のバースト光出力時ではＮ Ｌ Ｄ （５）自身の発熱
による温度」二ケアが生ずるのみで、、 Ｌ Ｉ）（５
）のｆＴＢ力は減少する傾向１こある。
のバースト光出力時ではＮ Ｌ Ｄ （５）自身の発熱
による温度」二ケアが生ずるのみで、、 Ｌ Ｉ）（５
）のｆＴＢ力は減少する傾向１こある。
即ぢ Ｉ） Ｄ （６） 、比較器（８）、バイアス印
加部（４）からなる制御ループにより、］、 Ｉ’）（
５）の光出力は、第２図（Ｃ）に示すようにバーストデ
ータ信号（第２図（ａ））に極めて正確に対応したもの
となる。
加部（４）からなる制御ループにより、］、 Ｉ’）（
５）の光出力は、第２図（Ｃ）に示すようにバーストデ
ータ信号（第２図（ａ））に極めて正確に対応したもの
となる。
跨
次１こデータイ１．Ｖかパーストイ、；４Ｊであるが、
Ｌ・のバースト期間が上ツノＥの場合より比較的長く、
外部環境の温度変化の影７ｉ＋ψを受りる場合の１・Ｉ
）（５）の光出力の安定化力θミを第３図（ａ）乃至（
（りを参照して１況明する。第３１図（８）乃至（ｄ）
は、バーストデークイ１１弓のバースト期間か長くその
バーストデータ信号送信の途中（ｔｚ乃至ｔ２）で外部
病ｉ境温度が下降した場合の外部環境湿度の変化Ｎ Ｌ
Ｉ） （５）のブｆ；出力低ν２等を示しだものであ
る。
Ｌ・のバースト期間が上ツノＥの場合より比較的長く、
外部環境の温度変化の影７ｉ＋ψを受りる場合の１・Ｉ
）（５）の光出力の安定化力θミを第３図（ａ）乃至（
（りを参照して１況明する。第３１図（８）乃至（ｄ）
は、バーストデークイ１１弓のバースト期間か長くその
バーストデータ信号送信の途中（ｔｚ乃至ｔ２）で外部
病ｉ境温度が下降した場合の外部環境湿度の変化Ｎ Ｌ
Ｉ） （５）のブｆ；出力低ν２等を示しだものであ
る。
壕ず、第３図（ａ）は、バーストデ−クイ号ｊ号送信途
中の１．期間の外部環境温度の塊化を表す。この夕（部
環境の温度変化曲線の時定数を′ｒ、とする。第３図（
ｂ）は、バイアス信号レベルの増加を停止しグこ場合の
ｔ、乃芋１２期間のＴＪ ｌ） （５）の光出力低減を
示しており、この光出力低減の時定数を１゛２とする。
中の１．期間の外部環境温度の塊化を表す。この夕（部
環境の温度変化曲線の時定数を′ｒ、とする。第３図（
ｂ）は、バイアス信号レベルの増加を停止しグこ場合の
ｔ、乃芋１２期間のＴＪ ｌ） （５）の光出力低減を
示しており、この光出力低減の時定数を１゛２とする。
これは、バイアス信号レベルの増加を停止した後、第２
図に示ノーごときＬ Ｉ） （５）の光出力の安定化制
卸が行なわれない場合の光出力低減の時定数を表わすも
のである。
図に示ノーごときＬ Ｉ） （５）の光出力の安定化制
卸が行なわれない場合の光出力低減の時定数を表わすも
のである。
次に第３図（Ｃ）は、本発明によるバイアスイ１）−ケ
レベルの制御を示すものである。即ち、バイアス信号の
増加を停止した場合、このバイアスイ１ｉ号レベルが、
Ｔ、 １．） （５）の光出力低減（第３図（ｂ） ）
の時シＸＩ数′ｒ２よりも犬きく、寸だ外部環境の温度
降下（２ｂ３図（ａ））の時定数Ｔ、よりも小さい１１
！ｉ定斂１１．、、ｚ ７Ａ少するようにしである。こ
れは、７４７７４８月レベル低減の時定数゛１゛、をＬ
Ｉ）（５）の光出力低減（第３図（ｈ））の時定数′Ｐ
２よりも大きくすることにより、バースト信月が急激に
低下しＬ Ｄ （５１の光出力が不安定となるのを防止
している。さらに、Ｔ３を外部環境の潤度ｇ１−丁（第
３１！’Ｊ （ａ） ）の時定数Ｔ、よりも小さくする
ことによりＬ Ｉ）（５）の光出力安定化は常に一方向
、即ちバイアス４１１号を増加させることのみで十分と
なる。従って、バースＩ−（Ｕ号からなる送信信号が外
部環境の温反変化の影侶′を受けた場合も、Ｌｌ）（５
）の光出力は第３ぶ１（ｄ）に示すごと（ｔよｔグ゛一
定となり安定化させることができる。
レベルの制御を示すものである。即ち、バイアス信号の
増加を停止した場合、このバイアスイ１ｉ号レベルが、
Ｔ、 １．） （５）の光出力低減（第３図（ｂ） ）
の時シＸＩ数′ｒ２よりも犬きく、寸だ外部環境の温度
降下（２ｂ３図（ａ））の時定数Ｔ、よりも小さい１１
！ｉ定斂１１．、、ｚ ７Ａ少するようにしである。こ
れは、７４７７４８月レベル低減の時定数゛１゛、をＬ
Ｉ）（５）の光出力低減（第３図（ｈ））の時定数′Ｐ
２よりも大きくすることにより、バースト信月が急激に
低下しＬ Ｄ （５１の光出力が不安定となるのを防止
している。さらに、Ｔ３を外部環境の潤度ｇ１−丁（第
３１！’Ｊ （ａ） ）の時定数Ｔ、よりも小さくする
ことによりＬ Ｉ）（５）の光出力安定化は常に一方向
、即ちバイアス４１１号を増加させることのみで十分と
なる。従って、バースＩ−（Ｕ号からなる送信信号が外
部環境の温反変化の影侶′を受けた場合も、Ｌｌ）（５
）の光出力は第３ぶ１（ｄ）に示すごと（ｔよｔグ゛一
定となり安定化させることができる。
さらに次にバイアス印加部（４）の動作を、第４図に示
すバイアス印加部（４）の−例を示す回路図を参照して
説明する。
すバイアス印加部（４）の−例を示す回路図を参照して
説明する。
バイアス印加部（４）には、定−１１流源（１０）と第
１のトランジスタ（１υ及び泥２のトランジスタ（１巧
からなる定電流源スイッチが設けられている。
１のトランジスタ（１υ及び泥２のトランジスタ（１巧
からなる定電流源スイッチが設けられている。
器（８）の出力がＬｏｗの」場合、ａ ］のトランジス
タ（１１）がＯＦＦ −、第２のトランジスタ（１２）
がＯＮとなりコンデンサ０４）をチャージする。
タ（１１）がＯＦＦ −、第２のトランジスタ（１２）
がＯＮとなりコンデンサ０４）をチャージする。
また、比較器（８）の出力がＩｌｉｇｈの場合、第Ｊの
トランジスタθ１）が０ＮＸＱ’＜２のトランジスタ（
＋２１がＯＦＦとなり、コンデンサ０４）はチャージさ
れない。
トランジスタθ１）が０ＮＸＱ’＜２のトランジスタ（
＋２１がＯＦＦとなり、コンデンサ０４）はチャージさ
れない。
即ち、比較器（８）の出力がＬｏｗの場合はコンデンサ
Ｏａをチャー・ジし、このコンデンサ０イ）のｊ二列７
ｊｉ圧でＬＤ（（！、）のバイアス増加機能を増し光出
力増大する。
Ｏａをチャー・ジし、このコンデンサ０イ）のｊ二列７
ｊｉ圧でＬＤ（（！、）のバイアス増加機能を増し光出
力増大する。
寸だ、比較器（８）の出力がＩｌｉｇｈのＪ、「）合は
コンデンサ（１４）のチャージを止め、■、 Ｄ （５
＋のバイアス屯流の増加を止める。従って、バースト信
号のバースト期間が高々数Ｉｌｌ Ｓの場合は、外部環
境の温度変化の影響を受けないため第５ Ｉｇｌ （ａ
） （第１図に於りる（ψの動作時の情号波形図）に示
すような比較：ｒニー１（８）出力によりコンデンサ（
１（１）をチャージすると、コンデンサ００の端子出力
は第５図（１１）に示ず、Ｌうに比Ｍｉｌｄ！ 器（８
）出力のＬｏ％Ｖレベル若（−＜はＩｌｉｇｈレベルに
斤、してチャージ若しくはホールドを＃Ｙ：り返して」
二昇を続けるようになる。
コンデンサ（１４）のチャージを止め、■、 Ｄ （５
＋のバイアス屯流の増加を止める。従って、バースト信
号のバースト期間が高々数Ｉｌｌ Ｓの場合は、外部環
境の温度変化の影響を受けないため第５ Ｉｇｌ （ａ
） （第１図に於りる（ψの動作時の情号波形図）に示
すような比較：ｒニー１（８）出力によりコンデンサ（
１（１）をチャージすると、コンデンサ００の端子出力
は第５図（１１）に示ず、Ｌうに比Ｍｉｌｄ！ 器（８
）出力のＬｏ％Ｖレベル若（−＜はＩｌｉｇｈレベルに
斤、してチャージ若しくはホールドを＃Ｙ：り返して」
二昇を続けるようになる。
まださらに、パース）（５号のバースト期間が外部環境
の温度変化の影４゛：′を受ける程度に長い場合、ＬＤ
（５）のバイアス屯流の増加を止めた場合、バイアス悄
渇レベルがＩ、Ｄ（５）の光出力低減（第３図（ｂ））
の時定数Ｔ２よりも大きく、また外部環境の温度降下（
第３図（ａ））の時定数Ｔ１よりも小さい時定数Ｔ３で
減少するように放電機能素子Ｑ６）を設けている。
の温度変化の影４゛：′を受ける程度に長い場合、ＬＤ
（５）のバイアス屯流の増加を止めた場合、バイアス悄
渇レベルがＩ、Ｄ（５）の光出力低減（第３図（ｂ））
の時定数Ｔ２よりも大きく、また外部環境の温度降下（
第３図（ａ））の時定数Ｔ１よりも小さい時定数Ｔ３で
減少するように放電機能素子Ｑ６）を設けている。
この放電機Ｍ’ｊ 才子（１，［ｉ）は、系の安定性を
確保しつつ仁の外部環境温度の変化に追従させるだめの
ものであり、その放電時定数はＬＤ（５）の出力低減時
定数よりも大きく、かつ外部環境の温度変化によるしき
い値電流変化の時定数よりも小さくなるように設定する
。この放電１幾能とバイアス増加機能とで、たとえ外部
９ Ｊ＄、♂１度が降下しても、それ以前にバイアスレ
ベルは降下し、増加をくり返し常に適正位置にとどまる
ことになる。
確保しつつ仁の外部環境温度の変化に追従させるだめの
ものであり、その放電時定数はＬＤ（５）の出力低減時
定数よりも大きく、かつ外部環境の温度変化によるしき
い値電流変化の時定数よりも小さくなるように設定する
。この放電１幾能とバイアス増加機能とで、たとえ外部
９ Ｊ＄、♂１度が降下しても、それ以前にバイアスレ
ベルは降下し、増加をくり返し常に適正位置にとどまる
ことになる。
このＴｊ！Ｉ電槻能素子０６）は、ここでは抵抗で措成
され、その放電時定数は他に電流リークがないとすると
この：ｉ１（抗仙几とチャージ用コンデンサ（１４）の
客用−Ｃとの積で表わされるが、前記したように外部環
境温度の変化に追従するように設定される為、通常数秒
以上の値となり、バイアス増加の際の障害とはならない
。
され、その放電時定数は他に電流リークがないとすると
この：ｉ１（抗仙几とチャージ用コンデンサ（１４）の
客用−Ｃとの積で表わされるが、前記したように外部環
境温度の変化に追従するように設定される為、通常数秒
以上の値となり、バイアス増加の際の障害とはならない
。
また、この放電機能は、抵抗に限定されるものではなく
ＬＤ（５）を駆動するトランジスタ０７）へ注入するペ
ース電流等であっても良い。
ＬＤ（５）を駆動するトランジスタ０７）へ注入するペ
ース電流等であっても良い。
さらにこの放゛屯時定数は環境温度の変化に対比しての
み設定されるべきものでなく、その他の安置で出力が変
化する場合必要とする速度に追従ｒる設定可能な放電機
能をｇ７えていれば良い。
み設定されるべきものでなく、その他の安置で出力が変
化する場合必要とする速度に追従ｒる設定可能な放電機
能をｇ７えていれば良い。
尚、バーストとバースト間のコンデンサ０４）の放電は
、データ信＋３（第２図（、＋） ） １所の４６報を
イＩ）でンヨートするスイッチ（１５）をイ」加すれ（
ｌ、１、良い。
、データ信＋３（第２図（、＋） ） １所の４６報を
イＩ）でンヨートするスイッチ（１５）をイ」加すれ（
ｌ、１、良い。
尚、以上に於いては半導体発ガ、翳二子が半２、う什レ
ーザ（ＬＩ））５の場合を説明しだが、これは発）°（
１ダイオード（Ｔ、 Ｅ Ｄ ）の場合でも本発明は適
用できることは明らかである。
ーザ（ＬＩ））５の場合を説明しだが、これは発）°（
１ダイオード（Ｔ、 Ｅ Ｄ ）の場合でも本発明は適
用できることは明らかである。
第１図は本発明の一実施６１１に用いる回路（（゛Ｙ成
目、第２図（ａ）乃至（Ｃ）、第５図（ａ）乃至（ｂ）
−１、第１し１に小す回路佑成図の各部の動作時の仏号
波形及０・出力波形をタイムチャートで示す図、第３図
はパイアス情＋Ｖレベルの低７ｂｌ：時の動作、ｉ３１
、四回、第４図は第１図で示すバイアス印加部の一例を
示す回路図である。 １・・・データ入力端一７２・・パルス、駆動部３・・
・１ｔ’４（Ｎ“茫求イ１；号人力Ｖｌｆｉｊ子 ４・
・・バイアス印加部５・半４体発光素子 ６・・・仝ｔ
’−導体光検出素子７・・・参照信号人力１４；ｉ子
８・・、比較器１０・・・定屯流源 １］ 、１２・・
・ｌ・ランジスク１３・論理ゲート１４・コンデンサ １５−・・スイッチ １６・・・抵抗 １７・・ｊ＋’−者体発ブ（−、≧に子駆動トランジス
タ１８”’ ｔｊｉｍ Ｌ２１１ゲーｌ イリ＋１１人 弁理士 則 近 憲 １４．ｉ （ほか
１名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第４図 第５図
目、第２図（ａ）乃至（Ｃ）、第５図（ａ）乃至（ｂ）
−１、第１し１に小す回路佑成図の各部の動作時の仏号
波形及０・出力波形をタイムチャートで示す図、第３図
はパイアス情＋Ｖレベルの低７ｂｌ：時の動作、ｉ３１
、四回、第４図は第１図で示すバイアス印加部の一例を
示す回路図である。 １・・・データ入力端一７２・・パルス、駆動部３・・
・１ｔ’４（Ｎ“茫求イ１；号人力Ｖｌｆｉｊ子 ４・
・・バイアス印加部５・半４体発光素子 ６・・・仝ｔ
’−導体光検出素子７・・・参照信号人力１４；ｉ子
８・・、比較器１０・・・定屯流源 １］ 、１２・・
・ｌ・ランジスク１３・論理ゲート１４・コンデンサ １５−・・スイッチ １６・・・抵抗 １７・・ｊ＋’−者体発ブ（−、≧に子駆動トランジス
タ１８”’ ｔｊｉｍ Ｌ２１１ゲーｌ イリ＋１１人 弁理士 則 近 憲 １４．ｉ （ほか
１名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第４図 第５図
Claims (6)
- （１）半導体発光素子の光出力の−ｆ〜ｂを＝−＋’ｑ
導イ本光検出素光検出素子し、該光検出信号よ０前Ｈ己
つＹ； ｌ：Ｂ力を安定化制御する光出力安定化方式ζ
こ）Ｉ ’１）−Ｃｚ前記光検出信侶を第１若しくは第
２の参ｊ１言乞と比１１！りし、前記光検出伝号か第１
若しくＦま肴）２の参１！ｄ ’ｆＡ号に片ル小なる際
は前記半”）、併イ０“色メう子のノく４７７１８号を
」１９加させ、削記光検＋Ｅ （；’ｒ乞゛力く第１体
育しくは第２の参照信号に比し犬なる際）よｎｉＪ言己
ノくイアスイ菖号の増加を一停止Ｉルた後、該ノくイア
スイ菖号レベルか前記光用カイ［（−誠の時足搭（よｉ
）も−大きく、力、つ外部環」（，５の福１Ｌ（〔降下
の時定数よりも小さし・１時シ辷′数にて減少するよう
にしたことを’ｌ’ｊ徴とするｊｆ； ｌｔｌ力安定化
力生方 - （２）第１の６凶（ｆ’ｊ Ａ＆Ｊ’、 ％前記半導体
発光素子のしきい値に対ｈ−凡ていることを特徴とする
（！−４ｒ￥Ｆ 請求の範１ｔｉｉ第１ ＪＪ’４記１
１．芝の光出力安定化方式。 - （３）第２の参照信号は、前記光出力させる為の前記半
導体発光才子に入力する信号に夕“・］応していること
を特徴とする特許請求の師１囲第１項記１・□ｌ：の光
出力安定化方式。 - （４）半導体発光素子は、前記光出力させる為の前Ｍ己
半導体発光素子への信号入力の際、該信号入力に先立ち
前記バイアス信号が入力されることを４′Ｔ徽とする特
許請求のｑ；］χ囲２１３］項記載のフ“光出力安定化
方式。 - （５）光出力さぜる為の前記半導体発光才子への信号入
力の際、前記参照信号は第１の参匪イｔ；−弓から第２
の参照信号となることを４’Ｙ徴とする希ｇ’ｒ ｉｉ
ｉ’をの範囲第１項記載のう°Ｃ８出力安定化方式。 - （６）半導体発光素子の光出力は、バーストう“ｒ、出
力であることを４″！Ｉ徴とする４゛ν許請求の１・］
１囲＞４’７１ Ｊ’ｊ１記載の光出力安定化方式。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145689A JPS6037792A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 光出力安定化方式 |
| US06/603,893 US4621376A (en) | 1983-04-28 | 1984-04-25 | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
| EP84302826A EP0125823B1 (en) | 1983-04-28 | 1984-04-26 | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
| DE8484302826T DE3465848D1 (en) | 1983-04-28 | 1984-04-26 | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145689A JPS6037792A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 光出力安定化方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037792A true JPS6037792A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0252867B2 JPH0252867B2 (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=15390814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145689A Granted JPS6037792A (ja) | 1983-04-28 | 1983-08-11 | 光出力安定化方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63212229A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | Nec Corp | レ−ザ光遮断方式 |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP58145689A patent/JPS6037792A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63212229A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | Nec Corp | レ−ザ光遮断方式 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252867B2 (ja) | 1990-11-14 |
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