JPS6039611A - 耐放射線性光フアイバ− - Google Patents
耐放射線性光フアイバ−Info
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- JPS6039611A JPS6039611A JP58148259A JP14825983A JPS6039611A JP S6039611 A JPS6039611 A JP S6039611A JP 58148259 A JP58148259 A JP 58148259A JP 14825983 A JP14825983 A JP 14825983A JP S6039611 A JPS6039611 A JP S6039611A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/02395—Glass optical fibre with a protective coating, e.g. two layer polymer coating deposited directly on a silica cladding surface during fibre manufacture
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1技術分野 −
未発明は、放射線被曝下での使用に好適な、シリコンバ
ッファ層及び含ハロゲン樹脂ジャケット層で被覆された
耐放射線性にすぐれる石英系の光ファイバに関するもの
である。
ッファ層及び含ハロゲン樹脂ジャケット層で被覆された
耐放射線性にすぐれる石英系の光ファイバに関するもの
である。
11背景技術
原子炉周辺等の放射線波−下における作業をロボット等
の機械によるものとするため、これに必要な耐放射線性
光7アイノ(の提供が要請されてぃる。
の機械によるものとするため、これに必要な耐放射線性
光7アイノ(の提供が要請されてぃる。
この要請に応えて従来、図のように、コア部l及びクラ
ラF層2よルなる石英系光ファイノ櫂をシリコンプリコ
ート層3を介してシリコンバッファ層4及び四フッ化エ
チレンーエチレン共重合体のジャケット層5で被覆した
耐放射線性光7アイパが提案されでもる。こ些は、耐熱
性をもたせて動力線等との複合グープル化を可能とした
ジャケット層が放射線被曝下で分解して生成したフッ素
系ガスが光ファイノ(の中心部に浸透することを防止し
、かつ、放射線の石英系光フアイバ部への影響t−緩和
ないし無くすためシリコンからなるバッフ7層を設けた
ものである。
ラF層2よルなる石英系光ファイノ櫂をシリコンプリコ
ート層3を介してシリコンバッファ層4及び四フッ化エ
チレンーエチレン共重合体のジャケット層5で被覆した
耐放射線性光7アイパが提案されでもる。こ些は、耐熱
性をもたせて動力線等との複合グープル化を可能とした
ジャケット層が放射線被曝下で分解して生成したフッ素
系ガスが光ファイノ(の中心部に浸透することを防止し
、かつ、放射線の石英系光フアイバ部への影響t−緩和
ないし無くすためシリコンからなるバッフ7層を設けた
ものである。
しかしながら、)ぐ777層の浸透防止性が十分でなく
この先7アイパは、実用上満足できるものでなかった。
この先7アイパは、実用上満足できるものでなかった。
すなわち、光7アイパ素線が7ツ素系ガスの影響を受け
て光損失度が増加し、また機械的強度が低下(劣化)す
るという欠点があった。
て光損失度が増加し、また機械的強度が低下(劣化)す
るという欠点があった。
i1+発明の開示
太発明者らは、上記の欠点を克服し、浸透防止性及び強
度維持性にすぐれるバッファ層等の被覆層を有する光7
アイパを廃発するために鋭意研究を重ねた結果、シリコ
ンバッファ層に特殊な化合物を混入させるとともに、含
ハロゲン樹脂ジャケット層にも鉛酸化物を加えることに
より、分解生成したフッ素系ガスがバッファ層を通過し
てより内部へと浸透することを著しく抑制しうろことを
見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
度維持性にすぐれるバッファ層等の被覆層を有する光7
アイパを廃発するために鋭意研究を重ねた結果、シリコ
ンバッファ層に特殊な化合物を混入させるとともに、含
ハロゲン樹脂ジャケット層にも鉛酸化物を加えることに
より、分解生成したフッ素系ガスがバッファ層を通過し
てより内部へと浸透することを著しく抑制しうろことを
見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、石英系光ファイバをシリコンバッ
ファ層及び含ハロゲン樹脂ジャケット層で被覆した光フ
ァイノぐにおいて、シリコンノぐ771層が分解生成物
捕獲剤を、含ハロゲン樹脂シャグツト層が鉛酸化物を含
むことを特徴とする耐放射線性にすぐれる光ファイバを
提供するものである。
ファ層及び含ハロゲン樹脂ジャケット層で被覆した光フ
ァイノぐにおいて、シリコンノぐ771層が分解生成物
捕獲剤を、含ハロゲン樹脂シャグツト層が鉛酸化物を含
むことを特徴とする耐放射線性にすぐれる光ファイバを
提供するものである。
未発明において光の実質的通路となる石英系光ファイバ
は、ステップ型ないしモディファイド・ステップ型のも
のであってもよいし、グレーデッド型のものであっても
よい。
は、ステップ型ないしモディファイド・ステップ型のも
のであってもよいし、グレーデッド型のものであっても
よい。
前記石英系光ファイバを被覆するシリ2ンパソファ層は
、γ線等の放射線の被曝下石英系光ファイバ部を保護す
るためのものである。このシリコンバッファImニ、石
英系光ファイバの外周を直接被覆する状態にあってもよ
いし、例えばシリコンプリコート層などを台して被覆す
る状態にあってもよい。
、γ線等の放射線の被曝下石英系光ファイバ部を保護す
るためのものである。このシリコンバッファImニ、石
英系光ファイバの外周を直接被覆する状態にあってもよ
いし、例えばシリコンプリコート層などを台して被覆す
る状態にあってもよい。
本発明におけるシリコンバッファ層け、分解生成物捕獲
剤を含有する。これにより、ジャケット層を形成する含
ハロゲン樹脂が放射線被曝して分解生成したハロゲン系
ガス等の生成物のうち該バッファ層に浸入したものが捕
獲され、該ノイッファ層を通過して石英系光71474
部に到達する分解生成物が著しく減少する。分解生成物
捕獲剤として#″t、例えばA40s 4 Ca0−A
ToOs ・・2S io* ・4HxO。
剤を含有する。これにより、ジャケット層を形成する含
ハロゲン樹脂が放射線被曝して分解生成したハロゲン系
ガス等の生成物のうち該バッファ層に浸入したものが捕
獲され、該ノイッファ層を通過して石英系光71474
部に到達する分解生成物が著しく減少する。分解生成物
捕獲剤として#″t、例えばA40s 4 Ca0−A
ToOs ・・2S io* ・4HxO。
BeO,MgO1CaO1BaO,ZnO1CdO,S
i(h、Snow−TiOzのようなI族、■族、■
族元素含有化合物などをあげることができる。分解生成
物捕獲剤の形態としては、粒度100μm以下、好まし
くは10μm以下、殊に111371以下の微狭末が適
当である。なかんづく、モレキュラーシープ作用のある
多孔質体、例えばCaO・AIjxOs ・2S iO
g ・4H* Oのようなケイ酸アルミニクムカルシク
ムなどは特に好ましく用いられる。多孔質体は、そのB
ET表面積が200にりNs以上、なかんづ< 40t
Jnt/flN−以上のものが適当である。分解生成物
捕獲剤の該74ソファ層への添加量は、ジャケット層に
用りる含ハロゲン樹脂の種類−ジャケット層の厚さ、シ
リコンプリコート層のような介在層の有無、その厚さな
どの条件により適膏決定されるが通常、シリコン100
重量部当り0.01〜5重量部で十分である。シリコン
バッファ層の形成は、例えば未加硫のシリコンゴムに分
解生成物捕獲剤を加え、これを石英系光ファイバに塗布
し一焼付けることにより行うことができる。
i(h、Snow−TiOzのようなI族、■族、■
族元素含有化合物などをあげることができる。分解生成
物捕獲剤の形態としては、粒度100μm以下、好まし
くは10μm以下、殊に111371以下の微狭末が適
当である。なかんづく、モレキュラーシープ作用のある
多孔質体、例えばCaO・AIjxOs ・2S iO
g ・4H* Oのようなケイ酸アルミニクムカルシク
ムなどは特に好ましく用いられる。多孔質体は、そのB
ET表面積が200にりNs以上、なかんづ< 40t
Jnt/flN−以上のものが適当である。分解生成物
捕獲剤の該74ソファ層への添加量は、ジャケット層に
用りる含ハロゲン樹脂の種類−ジャケット層の厚さ、シ
リコンプリコート層のような介在層の有無、その厚さな
どの条件により適膏決定されるが通常、シリコン100
重量部当り0.01〜5重量部で十分である。シリコン
バッファ層の形成は、例えば未加硫のシリコンゴムに分
解生成物捕獲剤を加え、これを石英系光ファイバに塗布
し一焼付けることにより行うことができる。
耐放射線性光7アイパにおけるシリコン74771層の
厚さは、限定するものではないが、通常10〜200μ
m、なかんづく30〜150μmが適当である。
厚さは、限定するものではないが、通常10〜200μ
m、なかんづく30〜150μmが適当である。
本発明において、前記シリコンバッファ層を被覆するジ
ャケット層は、例えばポリテトラフルオロエチレン、ポ
リクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン
、四フッ化エチレンーエチレン共重合体、四フッ化エチ
レンー六フッ化プロピレン共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデンなどの、放射線被曝下で石英系光フ
アイバ部を変質させる分解、ガス等を生成する含ハロゲ
ン樹脂に、鉛酸化物を含有させたものがら形成されてい
る。鉛酸化物を含有することにより、未発明のジャケッ
ト層は放射線をしやへいしてシリコンバッフ7層を保践
するとともに、含ハロゲン樹脂の放射線被曝による分解
生成物をそのジャケット層内で捕獲し、該バッファ層に
浸入する分解生成物を軽減させて分解生成物の影響から
もジャケット層を保護する。用いうる鉛酸化物としては
、例えばPbQ、P bus、 P bs 04、P
by 011 %P bogなどをあげることができ、
粒度250μm以下、なかんづく10μm以下のPbO
が好ましく用いられる。また、該ジャケット層における
鉛酸化物含有量は通常、含ハロゲン樹脂100重量部当
り0.01〜20重量部、なかんづく0.1−20重量
部であり、ジャケット層の厚さは、通常0.1〜2Of
fであるが、これらに限定されない。
ャケット層は、例えばポリテトラフルオロエチレン、ポ
リクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン
、四フッ化エチレンーエチレン共重合体、四フッ化エチ
レンー六フッ化プロピレン共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデンなどの、放射線被曝下で石英系光フ
アイバ部を変質させる分解、ガス等を生成する含ハロゲ
ン樹脂に、鉛酸化物を含有させたものがら形成されてい
る。鉛酸化物を含有することにより、未発明のジャケッ
ト層は放射線をしやへいしてシリコンバッフ7層を保践
するとともに、含ハロゲン樹脂の放射線被曝による分解
生成物をそのジャケット層内で捕獲し、該バッファ層に
浸入する分解生成物を軽減させて分解生成物の影響から
もジャケット層を保護する。用いうる鉛酸化物としては
、例えばPbQ、P bus、 P bs 04、P
by 011 %P bogなどをあげることができ、
粒度250μm以下、なかんづく10μm以下のPbO
が好ましく用いられる。また、該ジャケット層における
鉛酸化物含有量は通常、含ハロゲン樹脂100重量部当
り0.01〜20重量部、なかんづく0.1−20重量
部であり、ジャケット層の厚さは、通常0.1〜2Of
fであるが、これらに限定されない。
含ハロゲン樹脂とし゛〔は、耐熱性等の点でフッ素樹脂
なかでも、四ブフ化エチレンーエFレン共重合体が好ま
しく用いられる。
なかでも、四ブフ化エチレンーエFレン共重合体が好ま
しく用いられる。
なお、本発明においてはバッフ1層、ジャケット層等の
石英系光フアイバ部の被覆層を例λ−ば白、黄、赤、青
−緑などの色、好ましく6白ないし白に近い色とするこ
とが望ましい。すなわち、分解生成物捕獲剤を含んだ状
惑でのバッファ層、鉛酸化物を含有した含I・ロゲン樹
脂層、所望により設けるブリフート層等の被覆層は一黒
色系物質の添加を抑制するなりあるいは必要に応じ白色
の添加剤を加えるなどして外観上黒色度の低いものとす
ることが、得られる光7アイノ(の光透過性の点で望ま
しい。
石英系光フアイバ部の被覆層を例λ−ば白、黄、赤、青
−緑などの色、好ましく6白ないし白に近い色とするこ
とが望ましい。すなわち、分解生成物捕獲剤を含んだ状
惑でのバッファ層、鉛酸化物を含有した含I・ロゲン樹
脂層、所望により設けるブリフート層等の被覆層は一黒
色系物質の添加を抑制するなりあるいは必要に応じ白色
の添加剤を加えるなどして外観上黒色度の低いものとす
ることが、得られる光7アイノ(の光透過性の点で望ま
しい。
IV発明の利点
未発明の耐放射線性光ファイノゼは、放射線被曝下での
石英系光7アイ2部における光透過性、機械的強度等の
性能劣化が大きく軽減された実用上十分に満足できるも
のであり、また、ジャケット層の材質を適宜選択するこ
とにより1例えば耐熱性等の特性も付与できるものであ
る。
石英系光7アイ2部における光透過性、機械的強度等の
性能劣化が大きく軽減された実用上十分に満足できるも
のであり、また、ジャケット層の材質を適宜選択するこ
とにより1例えば耐熱性等の特性も付与できるものであ
る。
■実施例、比較例
次に実施例によ抄本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
屈折率(弓)l、452、直径50μmの石英系ガラス
からなるコア部と、ドーパントとしてBlFを含み屈折
率(nso ) 1.438の石英系ガラスからなるス
テップ型の直径125μmの石英系光7アイバの外周に
、液状のシリコンをディップコートしたのち500℃の
温度で焼付処理して厚さ25μmのシリコンよりなるプ
リコート層を形成し、ついで、BaO(平均粒度約1μ
m)を1重量%含有するシリコン(OFIII、信越シ
リコン社製)からなるバッフ1層を、ディップコーティ
ング方式により焼付温度500℃で形成した。層厚は3
8μmであった。続いて、該バッファ層の外周に押出方
式によ抄pboを3重量%含有する四フッ化エチレンー
エチレン共重合体5↓りなる厚さ0.3251IIIの
ジャケット層を形成し、目的物の耐放射線性光ファイバ
を得た。
からなるコア部と、ドーパントとしてBlFを含み屈折
率(nso ) 1.438の石英系ガラスからなるス
テップ型の直径125μmの石英系光7アイバの外周に
、液状のシリコンをディップコートしたのち500℃の
温度で焼付処理して厚さ25μmのシリコンよりなるプ
リコート層を形成し、ついで、BaO(平均粒度約1μ
m)を1重量%含有するシリコン(OFIII、信越シ
リコン社製)からなるバッフ1層を、ディップコーティ
ング方式により焼付温度500℃で形成した。層厚は3
8μmであった。続いて、該バッファ層の外周に押出方
式によ抄pboを3重量%含有する四フッ化エチレンー
エチレン共重合体5↓りなる厚さ0.3251IIIの
ジャケット層を形成し、目的物の耐放射線性光ファイバ
を得た。
次にこのものの耐放射線性及び引張強さを調べた。耐放
射線性の評価は、得られた光7アイパに1XIO・R/
hのγ線照射線量率で20時間(照射線量:2X107
R)放射線を照射したのち、0.88ttmの光の損失
増加量を測定することKより行った。
射線性の評価は、得られた光7アイパに1XIO・R/
hのγ線照射線量率で20時間(照射線量:2X107
R)放射線を照射したのち、0.88ttmの光の損失
増加量を測定することKより行った。
結果を表に示した。
比較例1
BaO及びPbOを添加しないほか1−1実施例1と同
様にして耐放射線性光ファイバを得、その耐放射線性等
を調べた。結果を表に示した。
様にして耐放射線性光ファイバを得、その耐放射線性等
を調べた。結果を表に示した。
比較例2
ジャケット層にPbOを含ませなhほか1−1実施例1
と同様にして耐放射線性九ファイバを得、その耐放射線
性等を調べた。結果を表に示した。
と同様にして耐放射線性九ファイバを得、その耐放射線
性等を調べた。結果を表に示した。
実施例2
BaOに代えてケイ酸アルミニクムカルシウム(Cao
−A11xOs ・25 iox ・4層g O1平均
粒度0.6〜1 pm。
−A11xOs ・25 iox ・4層g O1平均
粒度0.6〜1 pm。
BET表面表面積7御0〜800
製)を用い、ジャケット層のPbO含量を1重量%とし
たほかtf%施例1と同様にして耐放射線性光7アイパ
を得,その耐放射線性等を調べた。結果を表に示L f
c 。
たほかtf%施例1と同様にして耐放射線性光7アイパ
を得,その耐放射線性等を調べた。結果を表に示L f
c 。
実施例3
平均粒度2、2〜2、5μmのケイ酸アルミニクム力ル
シクム(C5−100、耕正■製)を用いたほかtel
実施例2と同様にして耐放射線性光ファイバを得、その
耐放射線性等を調べた。結果を表に示した。
シクム(C5−100、耕正■製)を用いたほかtel
実施例2と同様にして耐放射線性光ファイバを得、その
耐放射線性等を調べた。結果を表に示した。
実施例4〜12
ケイ酸アルミニクムカルシクムに代えて種々の化合物を
用りたほかけ実施例2と同様にして耐放射線性光ファイ
バを得、その耐放射線性を調べた。
用りたほかけ実施例2と同様にして耐放射線性光ファイ
バを得、その耐放射線性を調べた。
結果を表に示した。
(以下余白)
図は、耐放射線性光ファイバの構造例を表わした断面図
である。図中、l#−tコア部、2はクラッド層、3は
プリコート層,4#′iシリコンノ(ツ7ア層、5はジ
ャケット層である。 特許出願人 大日日本電線株式会社 代 理 人 藤 木 勉 第1頁の続き t 各地 大日日本電線株式会社尼崎工
である。図中、l#−tコア部、2はクラッド層、3は
プリコート層,4#′iシリコンノ(ツ7ア層、5はジ
ャケット層である。 特許出願人 大日日本電線株式会社 代 理 人 藤 木 勉 第1頁の続き t 各地 大日日本電線株式会社尼崎工
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 石英系光ファイバをシリコンバッファ層及び含ハロ
ゲンm脂ジャケット層で被覆した光ファイバにおいて、
シリコンバッファ層が分解生成物捕獲剤を、含・・ロゲ
ン樹脂ジャケット層が鉛酸化物を含むことを特徴とする
耐放射線性光7アイパ。 2 ジャケット層を形成する含ハロゲン樹脂がフッ素樹
脂である特許請求の範囲第1項記載の光ファイノぐ。 3 フッ素樹脂が四フッ化エチレンーエチレン共重合体
である特許請求の範囲第2項記載の光ファイノぞ。 4 分解生成物捕獲剤が粒度10μm以下の微粉末であ
る特許請求の範囲第1項記載の光ファイバ。 5 分解生成物捕獲剤がケイ酸アルミニクムカルシクム
である特許請求の範囲第4項記載の光7アイパ。 6 ケイ酸アルミニクムヵルシクムが少なくとも400
mン’7歯のBET表面積を有するものである特許請求
の範囲第5項記載の光ファイバ。 7 分解生成物捕獲剤が白色の微粉末である特許請求の
範囲4M4項記載の光ファイバ。 8 シリコンバッファ層及び含ハロゲン樹脂ジャケット
層が黒色度の低h4>ものである特許請求の範囲第1項
記載の光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148259A JPS6039611A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | 耐放射線性光フアイバ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148259A JPS6039611A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | 耐放射線性光フアイバ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039611A true JPS6039611A (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15448774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58148259A Pending JPS6039611A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | 耐放射線性光フアイバ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56151237U (ja) * | 1980-04-14 | 1981-11-12 | ||
| JPS6230216U (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-23 |
-
1983
- 1983-08-13 JP JP58148259A patent/JPS6039611A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56151237U (ja) * | 1980-04-14 | 1981-11-12 | ||
| JPS6230216U (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-23 |
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