JPS6040109B2 - カレントストレッチバブル検出法 - Google Patents
カレントストレッチバブル検出法Info
- Publication number
- JPS6040109B2 JPS6040109B2 JP3874881A JP3874881A JPS6040109B2 JP S6040109 B2 JPS6040109 B2 JP S6040109B2 JP 3874881 A JP3874881 A JP 3874881A JP 3874881 A JP3874881 A JP 3874881A JP S6040109 B2 JPS6040109 B2 JP S6040109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- stretch
- current
- bubble
- detection method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリデバイスの磁気バブル検出器
における磁気バブル検出方法の改良に関する。
における磁気バブル検出方法の改良に関する。
最近、磁気バブルを利用した磁気バブルメモリデバイス
にも記憶密度の増加が要求されるため、一つの方法とし
て高密度化が可能なイオン注入法による転送パターンの
形成法が開発されている。
にも記憶密度の増加が要求されるため、一つの方法とし
て高密度化が可能なイオン注入法による転送パターンの
形成法が開発されている。
以下本発明の詳細はイオン注入デバイスを例にとって説
明する。この方法は、第１図の平面図および第２図の断
面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネット（
ＧＧＧ）基板１の上に磁性ガーネットの薄膜２を液相ェ
ピタキシャル成長させて形成し、この磁性薄膜２に対し
パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウム等の
イオンを注入するのである。このようにパターン３を形
成した素子はイオンを注入された部分４の磁化容易軸方
向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パ夕ーン部分３の
磁化容易軸方向は矢印ｂの如くもとのままの面内方向と
垂直である。従ってバブル５は回転磁界によってパター
ン３の周辺に沿って矢印ｃの如く転送される。そしてこ
のパターン３は円形のパターンを一部づつ重ねて連接さ
せた形状であり、従来のパーマロィパターンの如くギャ
ップを必要としないため寸法精度が緩くとも良く、従っ
てパターンが４・さくでき高密度化が実現される。この
ようなイオン注入磁気バブルメモリ素子においてはバブ
ルの検出に従来の如きパーマロィパターンによるストレ
ツチャ検出器が用いられないので、第３図に示す如きス
トレッチコンダク夕を用いた検出器を用いている。図の
符号６は転送パターン、７はストレッチコンダクタ、８
は磁気抵抗効果を利用するパーマロイディテクタである
。この検出器の動作を説明するとバブル９は回転磁界Ｈ
ｒにより矢印の如く転送パターン６の左から右へ転送さ
れるが、バブルがストレッチコンダク夕７のヘアピンル
ーブに位置するカスプ１０に滞在している間にストレッ
チコンダク夕７にストレッチパルス電流を流しバブルを
引伸してストライプドメインとなし、このストライプド
メインによるパーマロィディテクタ８の抵抗変化を検出
するのである。この場合、従来は回転磁界の１周期する
間にバブルを伸ばし、次に消去あるいはバブルに戻す検
出方法が用いられていたが、この方法は高速駆動になる
とバブルを伸ばす時間が充分にとれなくなることと、検
出器と駆動磁界の方向の関係から検出電圧が低下する欠
点があった。このため１つの方法としてメジャーマィナ
構成のバブルの論出しが回転磁界の２周期に１回である
のを利用して、回転磁界が２周期する間に第４図に示す
如くストレッチパルス１１を印加してバブルを伸ばし、
次いでデイストレツチパルス１２を印加して消去あるい
はバブルに戻す検出方法が提案されている。この方法は
前者の欠点を補ない検出電圧が大きくなるが、ストレッ
チ電流のパルス幅及び電流値の大きさが検出器の位置す
る転送パターンの前のビットのバブルへ影響してバイア
スマージンの上限が顕著に変動する欠点がある。本発明
はこの欠点を改良するために案出されたものである。こ
のため本発明においては、イオン注入磁気バブルメモリ
デバイスのストレッチコンダクタを備えた検出器のバブ
ル検出方法において、ストレッチコンダクタに印加する
ストレッチ電流を台座付きパルス電流としたことを特徴
とするものである。
明する。この方法は、第１図の平面図および第２図の断
面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネット（
ＧＧＧ）基板１の上に磁性ガーネットの薄膜２を液相ェ
ピタキシャル成長させて形成し、この磁性薄膜２に対し
パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウム等の
イオンを注入するのである。このようにパターン３を形
成した素子はイオンを注入された部分４の磁化容易軸方
向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パ夕ーン部分３の
磁化容易軸方向は矢印ｂの如くもとのままの面内方向と
垂直である。従ってバブル５は回転磁界によってパター
ン３の周辺に沿って矢印ｃの如く転送される。そしてこ
のパターン３は円形のパターンを一部づつ重ねて連接さ
せた形状であり、従来のパーマロィパターンの如くギャ
ップを必要としないため寸法精度が緩くとも良く、従っ
てパターンが４・さくでき高密度化が実現される。この
ようなイオン注入磁気バブルメモリ素子においてはバブ
ルの検出に従来の如きパーマロィパターンによるストレ
ツチャ検出器が用いられないので、第３図に示す如きス
トレッチコンダク夕を用いた検出器を用いている。図の
符号６は転送パターン、７はストレッチコンダクタ、８
は磁気抵抗効果を利用するパーマロイディテクタである
。この検出器の動作を説明するとバブル９は回転磁界Ｈ
ｒにより矢印の如く転送パターン６の左から右へ転送さ
れるが、バブルがストレッチコンダク夕７のヘアピンル
ーブに位置するカスプ１０に滞在している間にストレッ
チコンダク夕７にストレッチパルス電流を流しバブルを
引伸してストライプドメインとなし、このストライプド
メインによるパーマロィディテクタ８の抵抗変化を検出
するのである。この場合、従来は回転磁界の１周期する
間にバブルを伸ばし、次に消去あるいはバブルに戻す検
出方法が用いられていたが、この方法は高速駆動になる
とバブルを伸ばす時間が充分にとれなくなることと、検
出器と駆動磁界の方向の関係から検出電圧が低下する欠
点があった。このため１つの方法としてメジャーマィナ
構成のバブルの論出しが回転磁界の２周期に１回である
のを利用して、回転磁界が２周期する間に第４図に示す
如くストレッチパルス１１を印加してバブルを伸ばし、
次いでデイストレツチパルス１２を印加して消去あるい
はバブルに戻す検出方法が提案されている。この方法は
前者の欠点を補ない検出電圧が大きくなるが、ストレッ
チ電流のパルス幅及び電流値の大きさが検出器の位置す
る転送パターンの前のビットのバブルへ影響してバイア
スマージンの上限が顕著に変動する欠点がある。本発明
はこの欠点を改良するために案出されたものである。こ
のため本発明においては、イオン注入磁気バブルメモリ
デバイスのストレッチコンダクタを備えた検出器のバブ
ル検出方法において、ストレッチコンダクタに印加する
ストレッチ電流を台座付きパルス電流としたことを特徴
とするものである。
以下添付図面に基づいて本発明法を詳細に説明する。
第５図は本発明のカレントストレッチバブル検出法に用
いるパルスの波形を示す。
いるパルスの波形を示す。
図の符号１３はストレッチ／ぐルス、１４はデイストレ
ツチ／ひレスである。ストレッチパルス１３は電流１，
の主パルスに電流１２の台座パルスを付加したものであ
る。またディストレッチバブル１３は従来と同様な形状
である。本発明法はこのようなパルスを検出器のストレ
ッチコンダクタに印加するのである。第６図はストレッ
チパルスの如点を回転磁界の−１１０ｏに一定にしたと
き主パルスの位置が電流マージンに及ぼす影響を調べた
線図であって縦軸に主パルス電流を、横軸に界転磁界の
角度（基準はバブルが転送パターンのカスプにいるとき
の向きをｏｏとする。
ツチ／ひレスである。ストレッチパルス１３は電流１，
の主パルスに電流１２の台座パルスを付加したものであ
る。またディストレッチバブル１３は従来と同様な形状
である。本発明法はこのようなパルスを検出器のストレ
ッチコンダクタに印加するのである。第６図はストレッ
チパルスの如点を回転磁界の−１１０ｏに一定にしたと
き主パルスの位置が電流マージンに及ぼす影響を調べた
線図であって縦軸に主パルス電流を、横軸に界転磁界の
角度（基準はバブルが転送パターンのカスプにいるとき
の向きをｏｏとする。
）をとり両者の関係を曲線Ａにより示した。なお本パル
スの全パルス幅は２仏Ｓ、主パルスの幅は０．４山Ｓ、
台座の電流値は３印ｈＡとした。図より主パルスの位置
は台座の前方に位置する方が良いことがわかる。従って
以下は主パルスを台座の前方とした。第７図および第８
図は台座付きパルスの幅を２ムＳに一定し、主パルスの
幅を０．２，０．４，０．８山Ｓとしたときの位相（０
）−電流特性図及び電流−バイアス特性図を示したもの
であり、第７図は縦軸に主パルスの電流を、横軸に回転
磁界角度をとり、曲線Ｂにより主パルスの幅が０．２ｕ
Ｓの場合を、曲線Ｃにより主パルスの幅が０．４ｒＳの
場合を、曲線Ｄにより主パルスの幅が０．８山Ｓの場合
を示した。
スの全パルス幅は２仏Ｓ、主パルスの幅は０．４山Ｓ、
台座の電流値は３印ｈＡとした。図より主パルスの位置
は台座の前方に位置する方が良いことがわかる。従って
以下は主パルスを台座の前方とした。第７図および第８
図は台座付きパルスの幅を２ムＳに一定し、主パルスの
幅を０．２，０．４，０．８山Ｓとしたときの位相（０
）−電流特性図及び電流−バイアス特性図を示したもの
であり、第７図は縦軸に主パルスの電流を、横軸に回転
磁界角度をとり、曲線Ｂにより主パルスの幅が０．２ｕ
Ｓの場合を、曲線Ｃにより主パルスの幅が０．４ｒＳの
場合を、曲線Ｄにより主パルスの幅が０．８山Ｓの場合
を示した。
なおこれらの台座の電流値は３肌Ａとした。また比較の
ために従来の幅２０．０山Ｓの矩形パルスの場合を曲線
Ｅにより示した。第８図は縦軸にバイアス磁界を、機軸
に主パルスの電流値をとり、主パルスの幅０．２，０．
４，０．８ｒＳの場合をそれぞれ曲線Ｆ，Ｇ，日で示し
、また比較のため従来の幅０．２一Ｓの矩形パルスの場
合を曲線Ｋで示した。なおこの場合の台座の電流値は３
仇ｈＡとた。両図より本発明の台座付きパルスは従釆の
矩形パルスに比し電流マージンは大となり、バイアスマ
ージンの上限が著しく改善されることがわかる。第９図
は従釆の矩形パルスと本発明の台座付きパルスによる位
相（８）−検出電圧特性を示したものであり、本発明の
全パルス幅２山Ｓ、主パルス幅０．４ムＳ、主パルス電
流７皿Ａ、台座電流３仇ｈＡの場合を曲線Ｌにより示し
、従来の矩形パルスのパルス幅２山Ｓ、電流５５ｍＡの
場合を曲線Ｍで示した。
ために従来の幅２０．０山Ｓの矩形パルスの場合を曲線
Ｅにより示した。第８図は縦軸にバイアス磁界を、機軸
に主パルスの電流値をとり、主パルスの幅０．２，０．
４，０．８ｒＳの場合をそれぞれ曲線Ｆ，Ｇ，日で示し
、また比較のため従来の幅０．２一Ｓの矩形パルスの場
合を曲線Ｋで示した。なおこの場合の台座の電流値は３
仇ｈＡとた。両図より本発明の台座付きパルスは従釆の
矩形パルスに比し電流マージンは大となり、バイアスマ
ージンの上限が著しく改善されることがわかる。第９図
は従釆の矩形パルスと本発明の台座付きパルスによる位
相（８）−検出電圧特性を示したものであり、本発明の
全パルス幅２山Ｓ、主パルス幅０．４ムＳ、主パルス電
流７皿Ａ、台座電流３仇ｈＡの場合を曲線Ｌにより示し
、従来の矩形パルスのパルス幅２山Ｓ、電流５５ｍＡの
場合を曲線Ｍで示した。
図の如く検出電圧は両者とも殆んど同様であり、本発明
によるパルス波形を用いても高速駆動で大きな検出電圧
、検出効率を得ることができる。以上イオン注入バブル
デバイスを例にして説明した如く本発明法は磁気バブル
メモリデバイスのストレッチコソダクタを備えた検出器
に印加するストレッチ電流を台座付きパルスとすること
により電流マージン及びバイアスマージンの改善を可能
としたものであり、磁気バブルメモリデバイスバブル検
出の信頼性向上に寄与するのである。
によるパルス波形を用いても高速駆動で大きな検出電圧
、検出効率を得ることができる。以上イオン注入バブル
デバイスを例にして説明した如く本発明法は磁気バブル
メモリデバイスのストレッチコソダクタを備えた検出器
に印加するストレッチ電流を台座付きパルスとすること
により電流マージン及びバイアスマージンの改善を可能
としたものであり、磁気バブルメモリデバイスバブル検
出の信頼性向上に寄与するのである。
第１図はイオン注入法により形成される磁気バブルメモ
リ素子の平面図、第２図は第１図のローロ線における断
面図、第３図はストレッチコンダクタを有するバブル検
出器の平面図、第４図はバブル検出器に印加する従釆の
パルス波形を示した波形図、第５図は本発明にかかるカ
レントストレッチバブル検出法に用いるパルス波形を示
した波形図、第６図は台座付きパルスの主パルスの位置
が電流マージンに及ぼす影響を示した線図、第７図及び
第８図は台座付きパルスの主パルスの幅を変えたときの
、位相−電流特性図及び電流ーバィァス特性図、第９図
は本発明法の台座付きパルスと従釆の矩形パルスを用い
たときの位相−検出電圧特性図である。 ６・・・・・・転送パターン、７・・・・・・ストレッ
チコンダクタ、８……パーマロイデイテクタ、９……バ
フル、１０……カスプ、１１，１３……ストレッチパル
ス、１２，１４……デイストレツチパルス。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第８図 第６図 第７図 第９図
リ素子の平面図、第２図は第１図のローロ線における断
面図、第３図はストレッチコンダクタを有するバブル検
出器の平面図、第４図はバブル検出器に印加する従釆の
パルス波形を示した波形図、第５図は本発明にかかるカ
レントストレッチバブル検出法に用いるパルス波形を示
した波形図、第６図は台座付きパルスの主パルスの位置
が電流マージンに及ぼす影響を示した線図、第７図及び
第８図は台座付きパルスの主パルスの幅を変えたときの
、位相−電流特性図及び電流ーバィァス特性図、第９図
は本発明法の台座付きパルスと従釆の矩形パルスを用い
たときの位相−検出電圧特性図である。 ６・・・・・・転送パターン、７・・・・・・ストレッ
チコンダクタ、８……パーマロイデイテクタ、９……バ
フル、１０……カスプ、１１，１３……ストレッチパル
ス、１２，１４……デイストレツチパルス。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第８図 第６図 第７図 第９図
Claims (1)
- １ 磁気バブルメモリデバイスのストレツチコンダクタ
を備えた検出器のバブル検出法において、ストレツチコ
ンダクタに印加するストレツチ電流を台座付きパルス電
流としたことを特徴とするカレントストレツチバブル検
出法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3874881A JPS6040109B2 (ja) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | カレントストレッチバブル検出法 |
| EP81304301A EP0048606B1 (en) | 1980-09-20 | 1981-09-18 | Magnetic bubble memory device |
| DE8181304301T DE3176047D1 (en) | 1980-09-20 | 1981-09-18 | Magnetic bubble memory device |
| US06/303,588 US4445200A (en) | 1980-09-20 | 1981-09-18 | Magnetic bubble memory detection method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3874881A JPS6040109B2 (ja) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | カレントストレッチバブル検出法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57154692A JPS57154692A (en) | 1982-09-24 |
| JPS6040109B2 true JPS6040109B2 (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12533919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3874881A Expired JPS6040109B2 (ja) | 1980-09-20 | 1981-03-19 | カレントストレッチバブル検出法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040109B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864691A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-18 | Nec Corp | コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器 |
| JPS62219291A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Nec Corp | 電流ストレツチ型磁気バブル伸張／消去器の駆動方法 |
-
1981
- 1981-03-19 JP JP3874881A patent/JPS6040109B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57154692A (en) | 1982-09-24 |
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