JPS6038796B2 - コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 - Google Patents
コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS6038796B2 JPS6038796B2 JP57161442A JP16144282A JPS6038796B2 JP S6038796 B2 JPS6038796 B2 JP S6038796B2 JP 57161442 A JP57161442 A JP 57161442A JP 16144282 A JP16144282 A JP 16144282A JP S6038796 B2 JPS6038796 B2 JP S6038796B2
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- cusp
- current pulse
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンティギュァスディスク型磁気バブル素子に
関する。
関する。
パーマロィパタンにより磁気バブル（以下、単にバブル
と呼ぶ）の転送を行なう従来の磁気バブル素子（以下、
単にコンベンショナル型磁気バブル素子と呼ぶ）では、
パーマロィパタンを非常に狭い間隙を介して形成しなけ
ればならずこの間隙の形成が微細加工上の限界となり記
憶密度の向上を妨げている。
と呼ぶ）の転送を行なう従来の磁気バブル素子（以下、
単にコンベンショナル型磁気バブル素子と呼ぶ）では、
パーマロィパタンを非常に狭い間隙を介して形成しなけ
ればならずこの間隙の形成が微細加工上の限界となり記
憶密度の向上を妨げている。
このようなコンベンショナル型磁気バブル素子の有する
欠点を克服するために、すでに、米国特許第３８２８３
２ｙ言明細書において磁性薄膜上に選択的にイオン注入
を施すことにより形成される非注入領域からなる転送路
に沿ってバブルの転送を行なうコンティギュアスディス
ク型磁気バブル素子が提案されている。コンベンショナ
ル型磁気バブル素子に関しては、すでに、１９７６年１
１月にｌＥＥＥ Ｔｒａ順ａｃｔｉｏｎｏｎＮＧｇｎｅ
ｔｉｃｓ誌第ＭＡＣ−１２巻、第６号、第６１４頁〜第
６１刀頁１こＰ．１．Ｂｏｎｙｈａｒｄ氏らによって発
表された論文において、ィーブン・オツド方式と呼ばれ
る２つのマイナーループ群、互に直列に接続した２つの
バブル発生器及び２つのバブル検出器を用いる素子構成
が提案され、メモリとしてのデータレイトを上げるうえ
で非常に有効であることが示されている。
欠点を克服するために、すでに、米国特許第３８２８３
２ｙ言明細書において磁性薄膜上に選択的にイオン注入
を施すことにより形成される非注入領域からなる転送路
に沿ってバブルの転送を行なうコンティギュアスディス
ク型磁気バブル素子が提案されている。コンベンショナ
ル型磁気バブル素子に関しては、すでに、１９７６年１
１月にｌＥＥＥ Ｔｒａ順ａｃｔｉｏｎｏｎＮＧｇｎｅ
ｔｉｃｓ誌第ＭＡＣ−１２巻、第６号、第６１４頁〜第
６１刀頁１こＰ．１．Ｂｏｎｙｈａｒｄ氏らによって発
表された論文において、ィーブン・オツド方式と呼ばれ
る２つのマイナーループ群、互に直列に接続した２つの
バブル発生器及び２つのバブル検出器を用いる素子構成
が提案され、メモリとしてのデータレイトを上げるうえ
で非常に有効であることが示されている。
しかしながら、コンテイギユアスディスク型磁気バブル
素子においては、まだ、ィーフン・オッド方式の具体的
な構成は提案されていない。本発明の目的はィープン・
オッド方式を採用した非常にデータレィトの高いコンテ
ィギュアスヂイスク型磁気バブル素子を提供することに
ある。
素子においては、まだ、ィーフン・オッド方式の具体的
な構成は提案されていない。本発明の目的はィープン・
オッド方式を採用した非常にデータレィトの高いコンテ
ィギュアスヂイスク型磁気バブル素子を提供することに
ある。
本発明のコンティギュアスディスク型磁気バブル素子は
、磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に選択的にイオン
注入を施すことにより形成された第１のメジャー転送路
、第２のメジャー転送路、第１のマイナー転送路群およ
び第２のマイナー転送路群を備えたィーブン・オツド方
式のコンテイギュアスディスク型磁気バブル素子におい
て、前記第１のメジャー転送上の第１のカスプ部と前記
第２のメジャー転送路上の第２のカスプ部とに電気的に
直列に接続された第１及び第２のヘアピン状コンダクタ
パタンを設け、かつ、前記第１のカスプ部の開き角の２
等分線と第２のカスプ部の開き角の２等分線とのなす角
度を９００以上としている。本発明を用いれば第１のメ
ジャー転送路の第１のカスプ部と第２のメジャー転送路
の第２のカスプ部に設けられた電気的に直列に接続され
た第１及び第２のヘアピン状コンダクタパタンに位相の
異なる第１及び第２の電流パルスを印加することにより
第１のメジャー転送路と第２のメジャー転送路とに選択
的に発生させることができる。
、磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に選択的にイオン
注入を施すことにより形成された第１のメジャー転送路
、第２のメジャー転送路、第１のマイナー転送路群およ
び第２のマイナー転送路群を備えたィーブン・オツド方
式のコンテイギュアスディスク型磁気バブル素子におい
て、前記第１のメジャー転送上の第１のカスプ部と前記
第２のメジャー転送路上の第２のカスプ部とに電気的に
直列に接続された第１及び第２のヘアピン状コンダクタ
パタンを設け、かつ、前記第１のカスプ部の開き角の２
等分線と第２のカスプ部の開き角の２等分線とのなす角
度を９００以上としている。本発明を用いれば第１のメ
ジャー転送路の第１のカスプ部と第２のメジャー転送路
の第２のカスプ部に設けられた電気的に直列に接続され
た第１及び第２のヘアピン状コンダクタパタンに位相の
異なる第１及び第２の電流パルスを印加することにより
第１のメジャー転送路と第２のメジャー転送路とに選択
的に発生させることができる。
したがって、第１の電流パルスにより第１のメジャー転
送路の第１のカスプ部に発生したバブルをイーブン側の
情報として用い、第２の電流パルスにより第２のメジャ
ー転送路の第２のカスプ部に発生したバブルをオツド側
の情報として用いることによりィーフン・オッド方式の
コンティギュアスディスク型磁気バブル素子を実現する
ことができる。次に第１図ａ及び第１図ｂを参照して本
発明の基本原理を説明する。
送路の第１のカスプ部に発生したバブルをイーブン側の
情報として用い、第２の電流パルスにより第２のメジャ
ー転送路の第２のカスプ部に発生したバブルをオツド側
の情報として用いることによりィーフン・オッド方式の
コンティギュアスディスク型磁気バブル素子を実現する
ことができる。次に第１図ａ及び第１図ｂを参照して本
発明の基本原理を説明する。
第１図ａにおいて、参照数字８は磁性薄膜、同数字３は
ヘアピン状コンダクタパタン、同数字１は磁性薄膜に選
択的にイオン注入を施すことにより形成された磁気バブ
ル転送路、同数字９はバイアス磁界の向きを表わす矢印
、同数字６０は磁性薄膜の〔１１０〕方向を表わす矢Ｅ
Ｐ、同数字１８は電流パルスの位相を規定する角度を表
わす矢印である。ヘアピン状コンダクタパタン３（以下
、単にコンダクタパタンと呼ぶ）に矢印７の向きの電流
パルスを印加すると、磁気バブル転送路１（以下、単に
転送路と呼ぶ）のカスプ部２に磁気バブル１０が発生す
る。第１図ｂは、第１図ａの磁気バブル発生器のコンダ
クタパタン３に印加する電流パルスの印加位相（ＤＬＹ
）を横軸１３に、該電流パルスの動作振幅を縦軸１２に
とったグラフである。電流パルスのパルス幅は０．３仏
Ｓとしている。第１図ｂより明らかなように、第１図ａ
の磁気バブル発生器を用いてバブルを発生させるために
は、回転磁界が第１図ａの矢印６で示される範囲内の方
向を向いているときに電流パルスを印加することが必要
である。換言すれば回転磁界が矢印６で示される範囲外
の方向を向いているときに電流パルスを印加してもバブ
ルは発生しない。第１図ａに示されるように、カスプ部
２の開き角４２の２等分線の方向を表わす矢印１１と矢
印５とのなす角度は約４５０、矢印１１と矢印４とのな
す角度は約２びである。
ヘアピン状コンダクタパタン、同数字１は磁性薄膜に選
択的にイオン注入を施すことにより形成された磁気バブ
ル転送路、同数字９はバイアス磁界の向きを表わす矢印
、同数字６０は磁性薄膜の〔１１０〕方向を表わす矢Ｅ
Ｐ、同数字１８は電流パルスの位相を規定する角度を表
わす矢印である。ヘアピン状コンダクタパタン３（以下
、単にコンダクタパタンと呼ぶ）に矢印７の向きの電流
パルスを印加すると、磁気バブル転送路１（以下、単に
転送路と呼ぶ）のカスプ部２に磁気バブル１０が発生す
る。第１図ｂは、第１図ａの磁気バブル発生器のコンダ
クタパタン３に印加する電流パルスの印加位相（ＤＬＹ
）を横軸１３に、該電流パルスの動作振幅を縦軸１２に
とったグラフである。電流パルスのパルス幅は０．３仏
Ｓとしている。第１図ｂより明らかなように、第１図ａ
の磁気バブル発生器を用いてバブルを発生させるために
は、回転磁界が第１図ａの矢印６で示される範囲内の方
向を向いているときに電流パルスを印加することが必要
である。換言すれば回転磁界が矢印６で示される範囲外
の方向を向いているときに電流パルスを印加してもバブ
ルは発生しない。第１図ａに示されるように、カスプ部
２の開き角４２の２等分線の方向を表わす矢印１１と矢
印５とのなす角度は約４５０、矢印１１と矢印４とのな
す角度は約２びである。
したがって、第２図ａに示すように第１のカスプ部２１
の開き角の２等分線５０と第２のカスプ部２２の開き角
の２等分線５１とのなす角度１４が９００以上となるよ
うに転送路を形成し、該カスプ部の各々に電気的に直列
に接続された第１のコンダクタバタン１９及び第２のコ
ンダクタパタン２０を設け、該コンダクタパタンに第２
図ｂに示すような印加位相の異なる第１の電流パルス１
６及び第２の電流パルス１７を印加すれば、第１の電流
パルス１６によって第１のカスプ部２１のみにバブルが
発生し、第２の電流パルスによって第２のカスプ部２２
のみにバブルが発生する。以上のように、本発明の基本
原理を用いれば、電気的に直列に接続されたコンダクタ
パタンを用い異なる２つのカスプ部に各々選択的にバブ
ルを発生させることができる。第２図ｂにおいて、機軸
４０‘ま電流パルスの位相、縦軸４１は電流パルスの振
幅を表わす。次に第３図を参照して本発明の第１の実施
例の動作を説明する。
の開き角の２等分線５０と第２のカスプ部２２の開き角
の２等分線５１とのなす角度１４が９００以上となるよ
うに転送路を形成し、該カスプ部の各々に電気的に直列
に接続された第１のコンダクタバタン１９及び第２のコ
ンダクタパタン２０を設け、該コンダクタパタンに第２
図ｂに示すような印加位相の異なる第１の電流パルス１
６及び第２の電流パルス１７を印加すれば、第１の電流
パルス１６によって第１のカスプ部２１のみにバブルが
発生し、第２の電流パルスによって第２のカスプ部２２
のみにバブルが発生する。以上のように、本発明の基本
原理を用いれば、電気的に直列に接続されたコンダクタ
パタンを用い異なる２つのカスプ部に各々選択的にバブ
ルを発生させることができる。第２図ｂにおいて、機軸
４０‘ま電流パルスの位相、縦軸４１は電流パルスの振
幅を表わす。次に第３図を参照して本発明の第１の実施
例の動作を説明する。
第３図において、参照数字３０は第１のメジャー転送路
、同数字３１は第２のメジャー転送路、同数字３２は第
１のマイナー転送路群、同数字３３は第２のマイナー転
送路群、同数字３４、および３５は各々第１及び第２の
磁気バブルトランスファーゲート、同数字３６、および
３７は各々第１及び第２の磁気バブル検出器、同数字６
０は磁性薄膜の〔１１０〕方向を表わす矢印である。本
実施例においては、第１のカスプ部２１が含まれる第１
の転送路の１部を矢印６１で示す〔１１２〕方向に折り
曲げることにより第１のカスプ部２１の開き角の２等分
線５０と第２のカスプ部２２の開き角の２等分線５１と
のなす角１４を９０ｏとしている。
、同数字３１は第２のメジャー転送路、同数字３２は第
１のマイナー転送路群、同数字３３は第２のマイナー転
送路群、同数字３４、および３５は各々第１及び第２の
磁気バブルトランスファーゲート、同数字３６、および
３７は各々第１及び第２の磁気バブル検出器、同数字６
０は磁性薄膜の〔１１０〕方向を表わす矢印である。本
実施例においては、第１のカスプ部２１が含まれる第１
の転送路の１部を矢印６１で示す〔１１２〕方向に折り
曲げることにより第１のカスプ部２１の開き角の２等分
線５０と第２のカスプ部２２の開き角の２等分線５１と
のなす角１４を９０ｏとしている。
参照数字３０および３１の転送路の形状は、第２図ａに
示した転送路と若干異なるがバブルの発生に直接関与す
るカスプ部の形状は類似しており、第１図ａ、第１図ｂ
、第２図ａ及び第２図ｂを参照して説明した基本原理に
もとづき、第１のカスプ部２１と第２のカスプ部２２と
に選択的にバブルを発生させることができる。具体的に
は、第１のコンダクタパタン１９及び第２のコンダクタ
パタン２０１こ矢印７で示す向きの第１の電流パルス１
６及び第２の電流パルス１７を印加すれば第１の電流パ
ルス１６により第１のカスプ部２１に、また、第２の電
流パルス１７により第２のカスプ部２２にバブルを発生
させることができる。第４図は、第１図のカスプ部２１
が含まれる第１のメジャー転送路の１部分を矢印６２で
示す〔０１１〕方向に折り曲げることにより、第１のカ
スプ部２１の開き角の２等分線５０と第２のカスプ部２
２の開き角の２等分線５１とのなす角度１４を１２ぴと
した本発明の第２の実施例である。
示した転送路と若干異なるがバブルの発生に直接関与す
るカスプ部の形状は類似しており、第１図ａ、第１図ｂ
、第２図ａ及び第２図ｂを参照して説明した基本原理に
もとづき、第１のカスプ部２１と第２のカスプ部２２と
に選択的にバブルを発生させることができる。具体的に
は、第１のコンダクタパタン１９及び第２のコンダクタ
パタン２０１こ矢印７で示す向きの第１の電流パルス１
６及び第２の電流パルス１７を印加すれば第１の電流パ
ルス１６により第１のカスプ部２１に、また、第２の電
流パルス１７により第２のカスプ部２２にバブルを発生
させることができる。第４図は、第１図のカスプ部２１
が含まれる第１のメジャー転送路の１部分を矢印６２で
示す〔０１１〕方向に折り曲げることにより、第１のカ
スプ部２１の開き角の２等分線５０と第２のカスプ部２
２の開き角の２等分線５１とのなす角度１４を１２ぴと
した本発明の第２の実施例である。
第４図において、参照数字６０は磁性薄膜の〔１１０〕
方向を表わす矢印である。第５図は、第１のカスプ部２
１が含まれる第１のメジャー転送路の１部を矢印６３で
示す〔１０１〕方向に折り曲げることにより、第１のカ
スプ部２１の開き角の２等分線５０と第２のカスプ部２
２の開き角の２等分線５１とのなす角度１４を１２０ｏ
とした本発明の第３の実施例である。
方向を表わす矢印である。第５図は、第１のカスプ部２
１が含まれる第１のメジャー転送路の１部を矢印６３で
示す〔１０１〕方向に折り曲げることにより、第１のカ
スプ部２１の開き角の２等分線５０と第２のカスプ部２
２の開き角の２等分線５１とのなす角度１４を１２０ｏ
とした本発明の第３の実施例である。
第６図は、第１のカスプ部２１が含まれる第１のメジャ
ー転送路の折れ曲がり部を第５図の第３の実施例よりも
１ビット分長くした本発明の第４の実施例である。これ
により、コンダクタパタン１５に印加される電流パルス
によって譲糧される磁界分が第１のメジャー転送路上を
転送するバブルに与える影響を軽減することができる。
第７図は、〔１１０〕方向に形成された第１のメジャー
転送路の〔１１２〕側の第１のカスプ部２１及び同じく
〔１１０〕方向に形成された第２のメジャー転送路の〔
１１２〕側の第２のカスプ部２２に各々第１のコンダク
タパタン１９及び第２のコンダクタパタン２０を設ける
ことにより第１のカスプ部２１の開き角の２等分線５０
と第２のカスプ部２２の開き角の２等分線５１とのなす
角度１４を１８００とした本発明の第５の実施例である
。
ー転送路の折れ曲がり部を第５図の第３の実施例よりも
１ビット分長くした本発明の第４の実施例である。これ
により、コンダクタパタン１５に印加される電流パルス
によって譲糧される磁界分が第１のメジャー転送路上を
転送するバブルに与える影響を軽減することができる。
第７図は、〔１１０〕方向に形成された第１のメジャー
転送路の〔１１２〕側の第１のカスプ部２１及び同じく
〔１１０〕方向に形成された第２のメジャー転送路の〔
１１２〕側の第２のカスプ部２２に各々第１のコンダク
タパタン１９及び第２のコンダクタパタン２０を設ける
ことにより第１のカスプ部２１の開き角の２等分線５０
と第２のカスプ部２２の開き角の２等分線５１とのなす
角度１４を１８００とした本発明の第５の実施例である
。
第８図は、矢印６０で示される〔１１０〕方向に形成さ
れた第１のメジャー転送路３０、第２のメジャー転送路
３１、第３のメジャー転送路２４、及び〔１１２〕方向
に形成された第１のマイナー転送路群３２、第２のマイ
ナー転送路群３３、第３のマイナー転送路群２５を備え
、第１のメジャー転送路の１部を矢印６２で示す〔０１
１〕方向に折り曲げ、かつ、第１のメジャー転送路の１
部を矢印６３で示す〔１０１〕方向に折り曲げることに
より、コンダクタパタンのヘアピン部を備えた第１のカ
スプ部２１の開き角の２等分線５０、第２のカスプ部２
２の開き角の２等分線５１、及び第３のカスプ部２３の
開き角の２等分線５２の方向を各々１２０ｏ間隔とした
本発明の第６の実施例である。第１のコンダクタパタン
１９、第２のコンダクタパタン２０、及び第３のコンダ
クタパタン２８に矢印７の向この第１の電流パルス１６
第２の電流パルス１７、第３の電流パルス２９を印加す
れば、第１の電流パルス１６により第１のカスプ部２１
に、第２の電流パルス１７により、第２のカスプ部２２
に、第３の電流パルス２９により第３のカスプ部２３に
各合選択的にバブルを発生させることができる。第８図
において、参照数字２６は第３の磁気バブルトランスフ
ァーゲートである。第９図は、第１のコンダクタパタン
１９と第２のコンダクタパタン２０とのパタン幅を変え
た本発明の第７の実施例である。
れた第１のメジャー転送路３０、第２のメジャー転送路
３１、第３のメジャー転送路２４、及び〔１１２〕方向
に形成された第１のマイナー転送路群３２、第２のマイ
ナー転送路群３３、第３のマイナー転送路群２５を備え
、第１のメジャー転送路の１部を矢印６２で示す〔０１
１〕方向に折り曲げ、かつ、第１のメジャー転送路の１
部を矢印６３で示す〔１０１〕方向に折り曲げることに
より、コンダクタパタンのヘアピン部を備えた第１のカ
スプ部２１の開き角の２等分線５０、第２のカスプ部２
２の開き角の２等分線５１、及び第３のカスプ部２３の
開き角の２等分線５２の方向を各々１２０ｏ間隔とした
本発明の第６の実施例である。第１のコンダクタパタン
１９、第２のコンダクタパタン２０、及び第３のコンダ
クタパタン２８に矢印７の向この第１の電流パルス１６
第２の電流パルス１７、第３の電流パルス２９を印加す
れば、第１の電流パルス１６により第１のカスプ部２１
に、第２の電流パルス１７により、第２のカスプ部２２
に、第３の電流パルス２９により第３のカスプ部２３に
各合選択的にバブルを発生させることができる。第８図
において、参照数字２６は第３の磁気バブルトランスフ
ァーゲートである。第９図は、第１のコンダクタパタン
１９と第２のコンダクタパタン２０とのパタン幅を変え
た本発明の第７の実施例である。
矢印６０で示される方向を磁性薄膜の〔１１２〕方向と
すると、第１のカスプ部２１は転送路のパッド側に位置
し、第２のカスプ部２２は転送路のスーパー側に位置す
ることになり、両カスプ部に生じるチャージドウオール
によって譲起されるバイアス磁界成分は、第２のカスプ
部２２の方が第１のカスブ部２１よりも大きい。したが
って、本実施例に示すように第１のコンダクタパタン１
９のパタン幅を第１のコンダクタパタン２０よりも狭く
することにより電流パルスとチャージドゥオールにより
誘起される総合のバイアス磁界成分をほぼ等しくするこ
とができる。以上述べたように、本発明によれば複数の
転送路上の異なるカスプ部に設けられた電気的に直列に
接続されたヘアピン状コンダクタパタンによって選択的
にバブルを発生させることができ、ィー０ブン・オッド
方式を採用した非常にデータレィトの高いコンティギュ
アスディスク型磁気バブル素子を提供することができる
。
すると、第１のカスプ部２１は転送路のパッド側に位置
し、第２のカスプ部２２は転送路のスーパー側に位置す
ることになり、両カスプ部に生じるチャージドウオール
によって譲起されるバイアス磁界成分は、第２のカスプ
部２２の方が第１のカスブ部２１よりも大きい。したが
って、本実施例に示すように第１のコンダクタパタン１
９のパタン幅を第１のコンダクタパタン２０よりも狭く
することにより電流パルスとチャージドゥオールにより
誘起される総合のバイアス磁界成分をほぼ等しくするこ
とができる。以上述べたように、本発明によれば複数の
転送路上の異なるカスプ部に設けられた電気的に直列に
接続されたヘアピン状コンダクタパタンによって選択的
にバブルを発生させることができ、ィー０ブン・オッド
方式を採用した非常にデータレィトの高いコンティギュ
アスディスク型磁気バブル素子を提供することができる
。
メジャー転送路、マイナー転送路群およびヘアピン状コ
ンダクタパタンの形状としては第３図，第４図，第５図
，第６図，第７図，第８図および第９図に示した実施例
以外にもいろいろなものが考えられるが第１図、および
第２図を用いて説明したごとき原理によりバブルを転送
し得るものであれば全て本発明に含まれることはいうま
でもない。
ンダクタパタンの形状としては第３図，第４図，第５図
，第６図，第７図，第８図および第９図に示した実施例
以外にもいろいろなものが考えられるが第１図、および
第２図を用いて説明したごとき原理によりバブルを転送
し得るものであれば全て本発明に含まれることはいうま
でもない。
第１図ａ，第１図り，第２図ａおよび第２図ｂは本発明
の基本原理を説明するための図、第３図は本発明の第１
の実施例を示す図、第４図は本発明の第２の実施例を示
す図、第５図は本発明の第３の実施例を示す図、第６図
は本発明の第４の実施例を示す図、第７図は本発明の第
５の実施例を示す図、第８図は本発明の第６の実施例を
示す図および第９図は本発明の第７の実施例を示す図で
ある。 図において、１は磁気バブル転送路、２は転送路のカス
ブ部、３はヘアピン状コンダクタパタン、４，５は回転
磁界の方向を表わす矢印、６は電流パルスの印加位相範
囲を表わす矢印、７は電流パルスの向きを表わす矢印、
８は磁性薄膜、９はバイアス磁界の向きを表わす矢印、
１川ま磁気バフル、１１はカスプ開き角の２等分線の方
向を表わす矢印、１２は電流パルスの動作振幅（ＩＧ）
を表わす縦軸、１３は電流パルスの印如位相（ＤＬＹ）
を表わす機軸、１４は第１のカスプ部の２等分線と第２
のカスプ部の２等分線とのなす角度、１６，１７は第１
及び第２の電流パルス、１８は電流パルスの位相を規定
する角度を表わす矢印、１９，２川ま各々第１及び第２
のヘアピン状コンダクタパタン、２１，２２は各々第１
及び第２のカスプ部、２３は第３のカスプ部、２４は第
３のメジャー転送路、２５は第３のマイナー転送路群、
２６は第３の磁気バブルトランスファーゲート、２７は
第３の磁気バブル検出器、２８は第３のヘアピン状コン
ダクタパタン、２９は第３の電流パルス、３０，３１は
各々第１及び第２のメジャー転送路、３２，３３は各々
第１及び第２のマイナー転送略群、３４，３５は各々第
１及び第２の磁気バブルトランスファーゲート、３６，
３７は各々第１及び第２の磁気バブル検出器、４０は電
流パルスの位相を表わす横軸、４１は電流パルスの振幅
を表わす矢印、４２はカスプ部の開き角を表わす矢印、
５０，５１，５２は各々第１，第２及び第３のカスプ部
開き角の２等分線の方向を表わす矢印、６０，６１，６
２，６３は各々磁性薄膜の〔１１０〕方向、〔１１２〕
方向、〔０１１〕方向、〔１０１〕方向を表わす矢印で
ある。 オ ー 図（ｂ）オ２図（ｂ） ガ，図（の 才２図の） オＳ図 才４図 オＳ図 オ５四 オ７図 才？四 オ８図
の基本原理を説明するための図、第３図は本発明の第１
の実施例を示す図、第４図は本発明の第２の実施例を示
す図、第５図は本発明の第３の実施例を示す図、第６図
は本発明の第４の実施例を示す図、第７図は本発明の第
５の実施例を示す図、第８図は本発明の第６の実施例を
示す図および第９図は本発明の第７の実施例を示す図で
ある。 図において、１は磁気バブル転送路、２は転送路のカス
ブ部、３はヘアピン状コンダクタパタン、４，５は回転
磁界の方向を表わす矢印、６は電流パルスの印加位相範
囲を表わす矢印、７は電流パルスの向きを表わす矢印、
８は磁性薄膜、９はバイアス磁界の向きを表わす矢印、
１川ま磁気バフル、１１はカスプ開き角の２等分線の方
向を表わす矢印、１２は電流パルスの動作振幅（ＩＧ）
を表わす縦軸、１３は電流パルスの印如位相（ＤＬＹ）
を表わす機軸、１４は第１のカスプ部の２等分線と第２
のカスプ部の２等分線とのなす角度、１６，１７は第１
及び第２の電流パルス、１８は電流パルスの位相を規定
する角度を表わす矢印、１９，２川ま各々第１及び第２
のヘアピン状コンダクタパタン、２１，２２は各々第１
及び第２のカスプ部、２３は第３のカスプ部、２４は第
３のメジャー転送路、２５は第３のマイナー転送路群、
２６は第３の磁気バブルトランスファーゲート、２７は
第３の磁気バブル検出器、２８は第３のヘアピン状コン
ダクタパタン、２９は第３の電流パルス、３０，３１は
各々第１及び第２のメジャー転送路、３２，３３は各々
第１及び第２のマイナー転送略群、３４，３５は各々第
１及び第２の磁気バブルトランスファーゲート、３６，
３７は各々第１及び第２の磁気バブル検出器、４０は電
流パルスの位相を表わす横軸、４１は電流パルスの振幅
を表わす矢印、４２はカスプ部の開き角を表わす矢印、
５０，５１，５２は各々第１，第２及び第３のカスプ部
開き角の２等分線の方向を表わす矢印、６０，６１，６
２，６３は各々磁性薄膜の〔１１０〕方向、〔１１２〕
方向、〔０１１〕方向、〔１０１〕方向を表わす矢印で
ある。 オ ー 図（ｂ）オ２図（ｂ） ガ，図（の 才２図の） オＳ図 才４図 オＳ図 オ５四 オ７図 才？四 オ８図
Claims (1)
- １ 磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に選択的にイオ
ン注入を施すことにより形成された第１のメジヤー転送
路、第２のメジヤー転送路、第１のマイナー転送路群お
よび第２のマイナー転送路郡を備えたイーブン・オツド
方式のコンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子にお
いて、前記第１のメジヤー転送路上の第１のカスプ部と
前記第２のメジヤー転送路上の第２のカスプ部とに電気
的に直列に接続された第１及び第２のヘアピン状コンダ
クパタンを設け、かつ、前記第１のカスプ部の開き角の
２等分線と前記第２のカスプ部の開き角の２等分線との
なす角度を９０°以上としたことを特徴とするコンテイ
ギユアスデイスク型磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161442A JPS6038796B2 (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161442A JPS6038796B2 (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952488A JPS5952488A (ja) | 1984-03-27 |
| JPS6038796B2 true JPS6038796B2 (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=15735189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57161442A Expired JPS6038796B2 (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038796B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2539909B1 (fr) * | 1983-01-20 | 1985-06-07 | Commissariat Energie Atomique | Memoire a bulles magnetiques a motifs non implantes et son procede de commande |
| JPS62117213A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 高強度外被通信ケ−ブル |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8100216A (nl) * | 1981-01-19 | 1982-08-16 | Philips Nv | Inrichting voor het genereren van magnetische domeinen met hoge bitsnelheid. |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57161442A patent/JPS6038796B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5952488A (ja) | 1984-03-27 |
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