JPS6040207B2 - 温度補償された直流増幅器 - Google Patents
温度補償された直流増幅器Info
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- JPS6040207B2 JPS6040207B2 JP50076996A JP7699675A JPS6040207B2 JP S6040207 B2 JPS6040207 B2 JP S6040207B2 JP 50076996 A JP50076996 A JP 50076996A JP 7699675 A JP7699675 A JP 7699675A JP S6040207 B2 JPS6040207 B2 JP S6040207B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度補償された電流増幅器に関する。
まず、温度補償の対象である電流増幅器の動作を第１図
を参照して説明する。Ａ，は演算増幅器である。理想化
された演算増幅器は、入力インピーダンス無限大、出力
インピーダンス零、電流増幅率無限大として取り扱うこ
とが可能である。ＶＲ１，ＶＲ２は利得調整用の可変抵
抗器であって、定電圧源＋Ｖと接地点間に直列に接続さ
れている。可変抵抗器ＶＲ，の引出し端子電圧Ｖ，およ
びＶＲ２の引出し端子電圧Ｖ２が後述するダイオードＤ
，およびＤ２を介して流入する電流によって殆んと変化
しないように各可変抵抗器には十分大きな電流が供給さ
れている。増幅器Ａ，の非反転入端子とＶＲ，の引出し
端子間にはダイオードＤ，が接続されており、負入力端
子とＶＲ２の引出し端子間にはダイオードＤ２が接続さ
れている。信号電弱り，は非反転入力端子に印加され、
増幅された出力電流１２は反転入力端子に帰還されるよ
うになっている。このような構成の回路において、増幅
器Ａ，の両入力端子の入力電圧が等しいことから次の関
係が成立する。Ｖ。
を参照して説明する。Ａ，は演算増幅器である。理想化
された演算増幅器は、入力インピーダンス無限大、出力
インピーダンス零、電流増幅率無限大として取り扱うこ
とが可能である。ＶＲ１，ＶＲ２は利得調整用の可変抵
抗器であって、定電圧源＋Ｖと接地点間に直列に接続さ
れている。可変抵抗器ＶＲ，の引出し端子電圧Ｖ，およ
びＶＲ２の引出し端子電圧Ｖ２が後述するダイオードＤ
，およびＤ２を介して流入する電流によって殆んと変化
しないように各可変抵抗器には十分大きな電流が供給さ
れている。増幅器Ａ，の非反転入端子とＶＲ，の引出し
端子間にはダイオードＤ，が接続されており、負入力端
子とＶＲ２の引出し端子間にはダイオードＤ２が接続さ
れている。信号電弱り，は非反転入力端子に印加され、
増幅された出力電流１２は反転入力端子に帰還されるよ
うになっている。このような構成の回路において、増幅
器Ａ，の両入力端子の入力電圧が等しいことから次の関
係が成立する。Ｖ。
，十Ｖ，＝Ｖ。２十Ｖ２ ……｛
１）ただしＶｏ，：電流１，によるダィオ−ドＤ，の電
圧降下Ｖｏ２：電流１２によるダイオードＤ２の電圧降
下また各ダイオードが同一の特性を有していれば次の関
係が成立する。
１）ただしＶｏ，：電流１，によるダィオ−ドＤ，の電
圧降下Ｖｏ２：電流１２によるダイオードＤ２の電圧降
下また各ダイオードが同一の特性を有していれば次の関
係が成立する。
ＶＯ．＝ｋ守・ｎ号 ……【２１Ｖ戊＝ｋ
字・ｎ者 ……｛３｝夕ただしｋ：ボルツマ
ン定数Ｔ：絶対温度 ｑ：電子の電荷 １１：入力電流 １２：増幅された帰還電流 Ｚ１ｓ：飽
和電流ｍ■（３｝式よりｌｓ，Ｖ。
字・ｎ者 ……｛３｝夕ただしｋ：ボルツマ
ン定数Ｔ：絶対温度 ｑ：電子の電荷 １１：入力電流 １２：増幅された帰還電流 Ｚ１ｓ：飽
和電流ｍ■（３｝式よりｌｓ，Ｖ。
，，Ｖ。２を消去すると、害＝ｅＸｐ誌（Ｖ「Ｖ２）
．・・．・・ｔ４１‘４｝式は１２は１，ののｅｘ
ｐ・ｑ（Ｖ，一Ｖ２）／ｋＴ倍でＺあることを示してい
る。
．・・．・・ｔ４１‘４｝式は１２は１，ののｅｘ
ｐ・ｑ（Ｖ，一Ｖ２）／ｋＴ倍でＺあることを示してい
る。
このような増幅器ではＶ，とＶ２を適当に設定すること
により任意の増幅率が得られることおよび回路構成によ
り入力電流を対数的に圧縮した電圧を取りだすことがで
きることなどから光電流測定などの分野で広く用いられ
ている。特にカメラの技術分野ではＶ１，Ｖ２にフィル
ム感度とか絞り値、シャツタスピードなどの任意の２つ
を割りあてることにより光電流に従って他の一つの要素
を決定する回路に応用されている。しかし｛４｝式から
わかるように電流増幅率はＶ，一Ｖ２が一定に定められ
ると絶対温度の変化に従って変化する。そのため絶対温
度の上昇に対応してＶ，一Ｖ２を増加させないと増幅率
が変動することになる。第８図にダイオードの順方向電
圧の温度特性を示してある。第２図および第３図は前述
したような形式の電流増幅回路にサーミス夕による温度
補償を施した具体的応用例である。
により任意の増幅率が得られることおよび回路構成によ
り入力電流を対数的に圧縮した電圧を取りだすことがで
きることなどから光電流測定などの分野で広く用いられ
ている。特にカメラの技術分野ではＶ１，Ｖ２にフィル
ム感度とか絞り値、シャツタスピードなどの任意の２つ
を割りあてることにより光電流に従って他の一つの要素
を決定する回路に応用されている。しかし｛４｝式から
わかるように電流増幅率はＶ，一Ｖ２が一定に定められ
ると絶対温度の変化に従って変化する。そのため絶対温
度の上昇に対応してＶ，一Ｖ２を増加させないと増幅率
が変動することになる。第８図にダイオードの順方向電
圧の温度特性を示してある。第２図および第３図は前述
したような形式の電流増幅回路にサーミス夕による温度
補償を施した具体的応用例である。
第２図に前記直流増幅回路で光電薪可，を増幅し増幅さ
れた直流電流に比例する電圧Ｖｏをとり出す回路に応用
した例を示してある。
れた直流電流に比例する電圧Ｖｏをとり出す回路に応用
した例を示してある。
電圧Ｖ，およびＶ２を与える回路は、定電圧源ＣＶＳと
、抵抗およびサーミスタＴｈ、可変抵抗ＶＲ，，ＶＲ２
から構成されている。
、抵抗およびサーミスタＴｈ、可変抵抗ＶＲ，，ＶＲ２
から構成されている。
このような補償回路の構成ではＶ，およびＶ２の電位は
絶対温度の上昇に従って上昇する。この上昇の割合が絶
対温度の上昇に正確に比例していれば電流増幅率の温度
の係数を有しないことになるがサーミスタによる補償の
場合は、第７図曲線ａに示すように若干のうねりが残さ
れることになる。すなわちこのような補償では広い範囲
内の温度変化に対して完全な補償を行なうことは不可能
である。第３図は第１図に示した直流増幅器を電気シャ
ツタ回路に応用した場合の回路を示してある。
絶対温度の上昇に従って上昇する。この上昇の割合が絶
対温度の上昇に正確に比例していれば電流増幅率の温度
の係数を有しないことになるがサーミスタによる補償の
場合は、第７図曲線ａに示すように若干のうねりが残さ
れることになる。すなわちこのような補償では広い範囲
内の温度変化に対して完全な補償を行なうことは不可能
である。第３図は第１図に示した直流増幅器を電気シャ
ツタ回路に応用した場合の回路を示してある。
温度補償回路は第２図に示した構成と同じである。太陽
電池ＰＣの光電流１，は演算増幅器Ａ３で増幅される。
Ａ３にはコンデンサＣを含む回路が設けられており、シ
ャツタ開放に同期してＳＷ，を開くとコソデンサＣは増
幅された電流１２で充電される。その結果Ａ３の出力端
の電圧が次第に増大しコンパレータＡ４の基準電圧に達
するとＩＪレーＲしに流れていた電流がオフになりシャ
ツ夕が閉鎖される。以上述べたような応用例では広範囲
の光電流を正確に増幅する必要がありかつ相当な温度変
化の範囲内で温度補償がなされることが望ましい。
電池ＰＣの光電流１，は演算増幅器Ａ３で増幅される。
Ａ３にはコンデンサＣを含む回路が設けられており、シ
ャツタ開放に同期してＳＷ，を開くとコソデンサＣは増
幅された電流１２で充電される。その結果Ａ３の出力端
の電圧が次第に増大しコンパレータＡ４の基準電圧に達
するとＩＪレーＲしに流れていた電流がオフになりシャ
ツ夕が閉鎖される。以上述べたような応用例では広範囲
の光電流を正確に増幅する必要がありかつ相当な温度変
化の範囲内で温度補償がなされることが望ましい。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であって、その目的は、絶対温度に比例して変化するバ
イヤス電圧を供給することにより完全な温度補償がされ
た電流増幅回路を提供することにある。前記目的を達成
するために、本発明による温度補償された直流増幅器は
、出力から反転入力端子に帰還回路が形成されている演
算増幅器の一方の入力端子に接続された第１のＰＮ接合
構造に順方向に信号電流を与え、他方の入力端子または
出力端子に接続された第２のＰＮ接合構造の順方向に前
記信号電流に比例する電流を得るために前記第１および
第２のＰＮ接合構造の他端にバイアス電圧を与えるよう
に構成した電流増幅器であって、前記バイアス電圧を発
生するバイアス電圧発生回路のトランジスタのベース電
圧を基準電位点に対して一定に固定し、前記トランジス
タのェミッタタに抵抗抗を挿入し、前記抵抗の端子間電
圧（Ｖ。
であって、その目的は、絶対温度に比例して変化するバ
イヤス電圧を供給することにより完全な温度補償がされ
た電流増幅回路を提供することにある。前記目的を達成
するために、本発明による温度補償された直流増幅器は
、出力から反転入力端子に帰還回路が形成されている演
算増幅器の一方の入力端子に接続された第１のＰＮ接合
構造に順方向に信号電流を与え、他方の入力端子または
出力端子に接続された第２のＰＮ接合構造の順方向に前
記信号電流に比例する電流を得るために前記第１および
第２のＰＮ接合構造の他端にバイアス電圧を与えるよう
に構成した電流増幅器であって、前記バイアス電圧を発
生するバイアス電圧発生回路のトランジスタのベース電
圧を基準電位点に対して一定に固定し、前記トランジス
タのェミッタタに抵抗抗を挿入し、前記抵抗の端子間電
圧（Ｖ。
）を（Ｖ。
）ニ（Ｖ歌一Ｖ ＢＥＯ）ただし、
Ｖ軸：絶対零度での前記トランジスタの半導体の０
エネルギーバンドギャップに相当する電圧Ｖ ＢＥＯ
：基準温度Ｔｏにおける前記トランジスタのベースェミ
ッタ間電圧Ｖ。
エネルギーバンドギャップに相当する電圧Ｖ ＢＥＯ
：基準温度Ｔｏにおける前記トランジスタのベースェミ
ッタ間電圧Ｖ。
：任意温度Ｔ（＝Ｔｏ＋△Ｔ）における前記抵抗の端子
間電圧に設定することにより、前記端子間に絶対温度に
比例する電圧を発生させ、絶対温度に比例する電圧の全
部または一部を前記第１および第２のＰＮ接合構造の他
端にバイアス電圧として接続し、バイアス電圧に応じて
前記信号電圧の増幅度を決定するように構成されている
。
間電圧に設定することにより、前記端子間に絶対温度に
比例する電圧を発生させ、絶対温度に比例する電圧の全
部または一部を前記第１および第２のＰＮ接合構造の他
端にバイアス電圧として接続し、バイアス電圧に応じて
前記信号電圧の増幅度を決定するように構成されている
。
このような構成によれば完全な温度補償がなされ、本発
明の目的は完全に達成される。
明の目的は完全に達成される。
以下図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第４図に本発明による温度補正された直流増幅器の実施
例を示してある。この電流増幅回路の温度特性補正はト
ランジスタのベース・ェミッタ間の温度特性を利用して
絶対温度に比例して電圧を取り出すようにしたものであ
る。この補正回路の原理を第５図Ａの回路を例にして詳
しく説明する。抵抗Ｒ３の両端にかかる電圧ＶｒはＲ３
・Ｖ８／（Ｒ３十Ｒ４）で与えられ温度に無関係に一定
である。トランジスタＱ３のベース・ェミッタ間電圧Ｖ
ＢＥとェミッタ電流ＩＥ（＝ｌｃただしＱ３のｈｆｅ＞
＞１）は次式で表わされる。
例を示してある。この電流増幅回路の温度特性補正はト
ランジスタのベース・ェミッタ間の温度特性を利用して
絶対温度に比例して電圧を取り出すようにしたものであ
る。この補正回路の原理を第５図Ａの回路を例にして詳
しく説明する。抵抗Ｒ３の両端にかかる電圧ＶｒはＲ３
・Ｖ８／（Ｒ３十Ｒ４）で与えられ温度に無関係に一定
である。トランジスタＱ３のベース・ェミッタ間電圧Ｖ
ＢＥとェミッタ電流ＩＥ（＝ｌｃただしＱ３のｈｆｅ＞
＞１）は次式で表わされる。
ＩＣ＝ＱＴｎｅｘｐ〔昔（ＶＢＥ−Ｖ軸）〕 ．・・．
・棚またある基準温度におけるコレクタ電流ｌｃｏとべ
−ス・ヱミッ夕闇電圧ＶＢＢｏは次式で表わされる。
・棚またある基準温度におけるコレクタ電流ｌｃｏとべ
−ス・ヱミッ夕闇電圧ＶＢＢｏは次式で表わされる。
ＩＣ。
＝ＱＴ８ｅＸｐ〔左（Ｖ側−Ｖ妙．・・．・棚｛５｝，
【６｝式においてｌｃ：温度Ｔ。
【６｝式においてｌｃ：温度Ｔ。
Ｋにおけるコレクタ電流ｌｃｏ：基準温度Ｔ８Ｋにおけ
るコレク夕電流Ｑ：構造で決まる定数Ｔ：絶対温度（〇
Ｋ） Ｔ。
るコレク夕電流Ｑ：構造で決まる定数Ｔ：絶対温度（〇
Ｋ） Ｔ。
：基準絶対温度（ＯＫ）ｑ：電子電荷
ｋ：ボルッマン定数
ＶＢＥ：温度ＴＫにおけるベースェミッタ間電圧Ｖ８。
。：基準温度ＴｏＫにおけるべ−スェミッタ間電圧ｎ：
作り方で決まる定数 Ｖ＆：絶対零度でのＳｉのエネルギーバンドギャップに
相当する電圧‘５｝，‘６｝式によりＶＢＥを求めると
、ＶＢＥ＝Ｖ＆（・−声）十Ｖ脚（声）十芋ｌｎ（害）
十竿ｌｎ（農） …・・・‘７）上式において最後の
２項は他に比較して小であるからこれを無視すると、Ｖ
ＢＥ＝Ｖ敷（・−声）Ｗ側（声）‐‐‐‐‐‐（７１′
０ 第５図Ａにおいて抵抗Ｒ８における電圧降下はトラ
ンジスタＱのＶＢＥとＲ５１８の和に等しいから、次式
が成立する。
作り方で決まる定数 Ｖ＆：絶対零度でのＳｉのエネルギーバンドギャップに
相当する電圧‘５｝，‘６｝式によりＶＢＥを求めると
、ＶＢＥ＝Ｖ＆（・−声）十Ｖ脚（声）十芋ｌｎ（害）
十竿ｌｎ（農） …・・・‘７）上式において最後の
２項は他に比較して小であるからこれを無視すると、Ｖ
ＢＥ＝Ｖ敷（・−声）Ｗ側（声）‐‐‐‐‐‐（７１′
０ 第５図Ａにおいて抵抗Ｒ８における電圧降下はトラ
ンジスタＱのＶＢＥとＲ５１８の和に等しいから、次式
が成立する。
Ｖｒ＝ＶＢＧ＋ＩＥＲ５ ………｛
８ーこの式を絶対温度について偏微分すると、Ｖｒ夕は
先に述べたようにＲ３とＲ４の分割比で決定される温度
に無関係な電圧であるから、許−葦低・舞。
８ーこの式を絶対温度について偏微分すると、Ｖｒ夕は
先に述べたようにＲ３とＲ４の分割比で決定される温度
に無関係な電圧であるから、許−葦低・舞。
・・．・・‐｛９｝式【７｝′について同様に偏微分
すると、芸＝−等＋＊ …．・側 側式と働式から Ｒ５．鼻千。
すると、芸＝−等＋＊ …．・側 側式と働式から Ｒ５．鼻千。
（ｖｇ。−ｖ肌） ．・・１．・血（１１）式からェミ
ッタ電流ＩＥの絶対温度に対する変化の割合は一定であ
ることがわかる。ヱミッタに挿入された抵抗Ｒ５の基準
温度Ｔｏより△Ｔだけ高い温度Ｔにおける両端子間の電
圧をＶｏ（Ｔ）とすると、Ｖｏ（Ｔ）は次の式で与えら
れる。
ッタ電流ＩＥの絶対温度に対する変化の割合は一定であ
ることがわかる。ヱミッタに挿入された抵抗Ｒ５の基準
温度Ｔｏより△Ｔだけ高い温度Ｔにおける両端子間の電
圧をＶｏ（Ｔ）とすると、Ｖｏ（Ｔ）は次の式で与えら
れる。
ただし次の式でＶｏはＶｏ（Ｌ）と同義に用いている。
Ｖ。（Ｔ）＝Ｖ。十Ｒ５（６１Ｅ／６Ｔ）△Ｔ．・・…
（９９）第１１式を用いて変形すると Ｖ。
（９９）第１１式を用いて変形すると Ｖ。
（Ｔ）Ｖ。
十（△Ｔ／Ｔ）（Ｖ軟一Ｖ ＢＥＯ）．・・‐‐‐（１
００） 前記Ｖｏ（Ｔ）が絶対温度に比例した電圧であるために
はＶｏ（Ｔ）とＶｏとの間に以下の関係が成立する必要
がある。
００） 前記Ｖｏ（Ｔ）が絶対温度に比例した電圧であるために
はＶｏ（Ｔ）とＶｏとの間に以下の関係が成立する必要
がある。
Ｖ。
（Ｔ）／Ｖ。＝Ｔ／Ｔ。
＝（Ｔ。十△Ｔ）／Ｔ。．．．．．．（１０１）前記（
１００）式と（１１１）式からＶＯニＶ歌一Ｖ ＢＥ０
・・．・・・・．・（１１２）を成立させ
れば絶対温度に比例する電圧が得られる。
１００）式と（１１１）式からＶＯニＶ歌一Ｖ ＢＥ０
・・．・・・・．・（１１２）を成立させ
れば絶対温度に比例する電圧が得られる。
これはェミッタに挿入した抵抗Ｒ５の両端電圧をＶｇ，
一Ｖ ＢＥＯにすることに他ならない。
一Ｖ ＢＥＯにすることに他ならない。
このときトランジスタＱのェミッ夕電流ＩＥは絶対温度
に比例することになる。（１１）式を参照してさらに説
明する。
に比例することになる。（１１）式を参照してさらに説
明する。
（１１）式において基準温度を３０ぴＫとし、Ｖｇｏ＝
１．２Ｖ，ｖ ＢＥＯ＝０．６Ｖとする。
１．２Ｖ，ｖ ＢＥＯ＝０．６Ｖとする。
ＪＲ５ （６１Ｅ／６Ｔ）＝（１．２
一０．６）・（１／３００） ＝２ｎＶ／。
一０．６）・（１／３００） ＝２ｎＶ／。
Ｋすなわち温度１０の変化に対して抵抗Ｒ５の端子間電
圧は２ｈＶ変化することになる。
圧は２ｈＶ変化することになる。
そこで、ヱミッ夕に０．６Ｖの電圧が発生するようにベ
ースに１．２Ｖ電圧をＥ肋ロしておけば、ェミッ外こ挿
入した抵抗から前述のように絶対温度に比例した電圧を
得ることができる。
ースに１．２Ｖ電圧をＥ肋ロしておけば、ェミッ外こ挿
入した抵抗から前述のように絶対温度に比例した電圧を
得ることができる。
トランジスタＱ３の電流増幅率ｈｆｅ＞〉１であればＩ
Ｅ＝ｌｃとして良いから電圧Ｖ（第５図Ａ）の絶対温度
に対する変化率△Ｖ／△Ｔは次式で与えられる。
Ｅ＝ｌｃとして良いから電圧Ｖ（第５図Ａ）の絶対温度
に対する変化率△Ｖ／△Ｔは次式で与えられる。
ただしＲ？は可変抵抗器ＶＲ，とＶＲ２の抵抗値の和の
抵抗値を示す。
抵抗値を示す。
一−．−．（Ｖ歌一ＶＢＥＯ），．…．（１詩＝Ｒ７△
△羊亀ＴＩ。
△羊亀ＴＩ。
２）
（１２）式の右辺は温度に無関係な定数であるからＶ‘
ま絶対温度に比例して変化して いることがわかる。
ま絶対温度に比例して変化して いることがわかる。
またＶ，．Ｖ２はＶの一部であるから、Ｖ２一Ｖ，は絶
対温度に比例して変化する。したがって最初に示した（
４｝式のｅｘｐｑ／ｋＴ（Ｖ，一Ｖ２）は温度に無関係
な一定値となって電流増幅率は一定に保たれる。Ｖ，ま
たはＶ２の温度に対する変化は直線となる。この状態（
直線ａ）を第７図にサーミスタ補正の場合の曲線ｂと比
較して示してある。温度補償回路は第５図Ｂに示すよう
にＮＰＮトランジスタＱ４を用いても同様に構成するこ
とが可能である。第６図は本発明による直流増幅器の第
２の実施例を示す回路図である。
対温度に比例して変化する。したがって最初に示した（
４｝式のｅｘｐｑ／ｋＴ（Ｖ，一Ｖ２）は温度に無関係
な一定値となって電流増幅率は一定に保たれる。Ｖ，ま
たはＶ２の温度に対する変化は直線となる。この状態（
直線ａ）を第７図にサーミスタ補正の場合の曲線ｂと比
較して示してある。温度補償回路は第５図Ｂに示すよう
にＮＰＮトランジスタＱ４を用いても同様に構成するこ
とが可能である。第６図は本発明による直流増幅器の第
２の実施例を示す回路図である。
ダイオードＤ，の代りにトランジスタＱ７のベースエミ
ツタ間ダイオードをダイオードＤ２の代りにトランジス
タＱのベースヱミッタ間ダイオードを使用している。こ
のような構成によれば可変抵抗ＶＲ，，ＶＲ２に大きな
電流を供給しなくても良いという長所が得られる。以上
の説明から本発明による電流増幅回路では、完全な温度
補正がなされていることがわかる。この温度補正は電流
増幅回路の利得（Ｖ，一Ｖ２の値を調節することにより
任意に設定できる）を変化させても常に正確に行なわれ
る。したがって本発明による直流増幅回路は第２図、第
３図を参照して説明した応用例に適用すれば正確な明る
さの測定あるいはそれを応用した制御を行なうことがで
きる。以上詳しく説明した実施例につきさらに種々の変
形を施すことができるものである。
ツタ間ダイオードをダイオードＤ２の代りにトランジス
タＱのベースヱミッタ間ダイオードを使用している。こ
のような構成によれば可変抵抗ＶＲ，，ＶＲ２に大きな
電流を供給しなくても良いという長所が得られる。以上
の説明から本発明による電流増幅回路では、完全な温度
補正がなされていることがわかる。この温度補正は電流
増幅回路の利得（Ｖ，一Ｖ２の値を調節することにより
任意に設定できる）を変化させても常に正確に行なわれ
る。したがって本発明による直流増幅回路は第２図、第
３図を参照して説明した応用例に適用すれば正確な明る
さの測定あるいはそれを応用した制御を行なうことがで
きる。以上詳しく説明した実施例につきさらに種々の変
形を施すことができるものである。
例えば帰還回路も第３図に示したよ，うにコンデンサＣ
を用いて構成することも可能である。その場合において
も完全な温度補償ができる。要するに本発明の範囲は特
許請求の範囲記載のすべてにおよぶものとする。
を用いて構成することも可能である。その場合において
も完全な温度補償ができる。要するに本発明の範囲は特
許請求の範囲記載のすべてにおよぶものとする。
第１図は温度補償の対象である増幅器を示す回路図、第
２図および第３図は前述した増幅器の応用例を示す回路
図、第４図は本発明による温度補償された電流増幅器の
実施例を示す回路図、第５図Ａは第４図に示した回路の
補償回路を説明するための回路図、第５図Ｂは温度補償
回路の他の構成例を示す回路図、第６図は本発明による
温度補償された電流増幅器の第２の実施例を示す回路図
、第７図は温度補償特性を示すグラフ、第８図は一般的
なダイオードの温度特性を示すグラフである。 タ Ａ，，ん，Ａ３・・・・・・演算増幅器、Ａ４・…
・・コンパレータ、Ｄ，，Ｄ２”““ダイオード、、Ｒ
，，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ８・・・・・・抵抗器、ＲＬ・・・
…リレー、Ｔｈ・・・・・・サーミスタ、Ｃ……コンデ
ンサ、Ｑ，，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ，Ｑ７，Ｑ８・・・
・・・トランジスタ、ＣＶＳ・・・・・・定電圧電０源
。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
２図および第３図は前述した増幅器の応用例を示す回路
図、第４図は本発明による温度補償された電流増幅器の
実施例を示す回路図、第５図Ａは第４図に示した回路の
補償回路を説明するための回路図、第５図Ｂは温度補償
回路の他の構成例を示す回路図、第６図は本発明による
温度補償された電流増幅器の第２の実施例を示す回路図
、第７図は温度補償特性を示すグラフ、第８図は一般的
なダイオードの温度特性を示すグラフである。 タ Ａ，，ん，Ａ３・・・・・・演算増幅器、Ａ４・…
・・コンパレータ、Ｄ，，Ｄ２”““ダイオード、、Ｒ
，，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ８・・・・・・抵抗器、ＲＬ・・・
…リレー、Ｔｈ・・・・・・サーミスタ、Ｃ……コンデ
ンサ、Ｑ，，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ，Ｑ７，Ｑ８・・・
・・・トランジスタ、ＣＶＳ・・・・・・定電圧電０源
。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 出力から反転入力端子に帰還回路が形成されている
演算増幅器の一方の入力端子に接続された第１のＰＮ接
合構造に順方向に信号電流を与え、他方の入力端子また
は出力端子に接続された第２のＰＮ接合構造の順方向に
前記信号電流に比例する電流を得るために前記第１およ
び第２のＰＮ接合構造の他端にバイアス電圧を与えるよ
うに構成した電流増幅器であつて、前記バイアス電圧を
発生するバイアス電圧発生回路のトランジスタのベース
電圧を基準電位点に対して一定に固定し、前記トランジ
スタのエミツタに抵抗を挿入し、前記抵抗の端子間電圧
（Ｖ＿０）を下記のとおり設定することにより、前記端
子間に絶対温度に比例する電圧を発生させ、絶対温度に
比例する電圧の全部または一部を前記第１および第２の
ＰＮ接合構造の他端にバイアス電圧として接続し、バイ
アス電圧に応じて前記信号電圧の増幅度を決定するよう
に構成したことを特徴とする温度補償された直流増幅器
。 記 （Ｖ＿０）＝（Ｖｇ＿０−ＶＢＥＯ） ただし、 Ｖｇ＿０：絶対零度での前記トランジスタの半導体のエ
ネルギーバンドギヤツプに相当する電圧ＶＢＥＯ：基準
温度Ｔ＿０における前記トランジスタのベースエミツタ
間電圧Ｖ＿０：任意の温度Ｔ（＝Ｔ＿０＋△Ｔ）におけ
る前記抵抗の端子間電圧
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50076996A JPS6040207B2 (ja) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | 温度補償された直流増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50076996A JPS6040207B2 (ja) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | 温度補償された直流増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS522254A JPS522254A (en) | 1977-01-08 |
| JPS6040207B2 true JPS6040207B2 (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=13621378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50076996A Expired JPS6040207B2 (ja) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | 温度補償された直流増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040207B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029123B2 (ja) * | 1978-08-02 | 1985-07-09 | 富士通株式会社 | 電子回路 |
| JPS55147827A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | Signal extracting circuit |
| JPS5977344U (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | ヤンマー農機株式会社 | コンバインにおける脱穀装置 |
| US6310519B1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-10-30 | Mitsubishi Electric & Electronics U.S.A., Inc. | Method and apparatus for amplifier output biasing for improved overall temperature stability |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48100053A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 |
-
1975
- 1975-06-24 JP JP50076996A patent/JPS6040207B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS522254A (en) | 1977-01-08 |
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