JPS6029123B2 - 電子回路 - Google Patents
電子回路Info
- Publication number
- JPS6029123B2 JPS6029123B2 JP53094203A JP9420378A JPS6029123B2 JP S6029123 B2 JPS6029123 B2 JP S6029123B2 JP 53094203 A JP53094203 A JP 53094203A JP 9420378 A JP9420378 A JP 9420378A JP S6029123 B2 JPS6029123 B2 JP S6029123B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- circuit
- stabilized
- transistor
- fluctuations
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路に加えられるバイアス電圧の
ような安定化定電圧を供給する電源として好適な電子回
路に関する。
ような安定化定電圧を供給する電源として好適な電子回
路に関する。
一般に、半導体集積回路を安定に動作させるには、温度
変化、電源変動に対して充分に補償されたバイアス電圧
を印加することが不可欠である。
変化、電源変動に対して充分に補償されたバイアス電圧
を印加することが不可欠である。
従来、前記目的を達成する安定化定電圧電源として第１
図に見られる回路が知られている。図に於いて、Ｔ，，
Ｌ，Ｔ３はトランジスタ、Ｄ，はダイオード、Ｒ，，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は抵抗、ＶＥＥ，Ｖｃｃは第１及
び第２の電源ライン、ＶＲは安定化しベルをそれぞれ示
す。尚、Ｖｃｃはこの場合０〔Ｖ〕である。この回路に
含まれる安定化電源回路（第１の安定化電源回路）は電
源変動、温度変化に対して安定化しベルＶＲの変動率が
小さく抑えられるように構成されている。
図に見られる回路が知られている。図に於いて、Ｔ，，
Ｌ，Ｔ３はトランジスタ、Ｄ，はダイオード、Ｒ，，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は抵抗、ＶＥＥ，Ｖｃｃは第１及
び第２の電源ライン、ＶＲは安定化しベルをそれぞれ示
す。尚、Ｖｃｃはこの場合０〔Ｖ〕である。この回路に
含まれる安定化電源回路（第１の安定化電源回路）は電
源変動、温度変化に対して安定化しベルＶＲの変動率が
小さく抑えられるように構成されている。
即ち、ＶＲ−ＶＥＥが一定に保たれるようにしている。
この回路に於いて、電源変動の吸収は、トランジスタＴ
，、抵抗Ｒ２，Ｒ３からなる増幅器で行なっている。
この回路に於いて、電源変動の吸収は、トランジスタＴ
，、抵抗Ｒ２，Ｒ３からなる増幅器で行なっている。
即ち、ＶＲの変動を抵抗Ｒ２，Ｒ３で検出し、それをト
ランジスタＴ，に与え、負帰還をかけて常にＶＲが一定
に保たれるようにしている。また、ＶＲはトランジスタ
Ｔ，のベース・ヱミツタ間電位ＶＢＥを抵抗Ｒ２，Ｒ３
で外分した値で決まる為、ＶＲトランジスタＴ，の温度
特性の影響が現われるので、それを補償する為、ダイオ
ードＤ，、トランジスタＴ３、抵抗Ｒ４，Ｒ５等からな
る温度補償回路が設けられている。この温度補償回路は
電源変動を受けると無意味になるので、安定化しベルＶ
Ｒと電源ＶＥＥの間に挿入されている。ところが、この
回路には、抵抗Ｒ５→トランジスタＬ→トランジスタＴ
，→抵抗Ｒ，なる正帰還ループ（二重の負帰還）が存在
し、不安定要素を含んでいる。従って、場合に依っては
発振を生ずる煤れがある。そこで、このような正帰還ル
−プを排除する為、第２図に見られるような回路が提案
されている（詳細には実腰昭５２一１７７５６ぴ号参照
）。
ランジスタＴ，に与え、負帰還をかけて常にＶＲが一定
に保たれるようにしている。また、ＶＲはトランジスタ
Ｔ，のベース・ヱミツタ間電位ＶＢＥを抵抗Ｒ２，Ｒ３
で外分した値で決まる為、ＶＲトランジスタＴ，の温度
特性の影響が現われるので、それを補償する為、ダイオ
ードＤ，、トランジスタＴ３、抵抗Ｒ４，Ｒ５等からな
る温度補償回路が設けられている。この温度補償回路は
電源変動を受けると無意味になるので、安定化しベルＶ
Ｒと電源ＶＥＥの間に挿入されている。ところが、この
回路には、抵抗Ｒ５→トランジスタＬ→トランジスタＴ
，→抵抗Ｒ，なる正帰還ループ（二重の負帰還）が存在
し、不安定要素を含んでいる。従って、場合に依っては
発振を生ずる煤れがある。そこで、このような正帰還ル
−プを排除する為、第２図に見られるような回路が提案
されている（詳細には実腰昭５２一１７７５６ぴ号参照
）。
この回路では、電源変動を吸収する増幅器である抵抗Ｒ
２，Ｒ３、トランジスタＴ，からなる回路にダイオード
Ｄ，、抵抗Ｒ４からなる温度補償回路が接続され、正帰
還ループは存在しないものの、温度補償回路は電源変動
の影響を直接受けることになり、電源特性は劣化する。
従って、第２図の回路は、電源変動の吸収と温度補償と
を或程度の水準で妥協しなければ実用に供し得ない。本
発明は、電源変動、温度変化に対する補償を第１図に見
られる回路と同様に充分に行なうことができるように、
しかも、正帰還ループは生じないようにするものであり
、以下これを詳細に説明する。
２，Ｒ３、トランジスタＴ，からなる回路にダイオード
Ｄ，、抵抗Ｒ４からなる温度補償回路が接続され、正帰
還ループは存在しないものの、温度補償回路は電源変動
の影響を直接受けることになり、電源特性は劣化する。
従って、第２図の回路は、電源変動の吸収と温度補償と
を或程度の水準で妥協しなければ実用に供し得ない。本
発明は、電源変動、温度変化に対する補償を第１図に見
られる回路と同様に充分に行なうことができるように、
しかも、正帰還ループは生じないようにするものであり
、以下これを詳細に説明する。
第３図は本発明一実施例の要部回路図であり、図では、
第１図及び第２図に関して説明した部分と同部分は同記
号で指示してある。
第１図及び第２図に関して説明した部分と同部分は同記
号で指示してある。
本実施例が従釆技術、特に第１図の回路と相違する点は
、ダイオードＤ，、トランジスタＴ３、抵抗Ｒ４，Ｒ５
からなる温度補償回路を、独立して設けた第２の安定化
電源回路に接続し、安定化しベルＶＲから切離している
ことである。
、ダイオードＤ，、トランジスタＴ３、抵抗Ｒ４，Ｒ５
からなる温度補償回路を、独立して設けた第２の安定化
電源回路に接続し、安定化しベルＶＲから切離している
ことである。
即ち、トランジスタＬ，Ｌ，Ｔ６、抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ
８からなる第２の安定化電源回路の安定化出力を温度補
償回路に於けるトランジスタＬのベースにバイアス電圧
として印加するようにし、安定化しベルＶＲは該ベース
から切離されている。従って温度補償回路は正帰還ルー
プを構成することはなく、また、電源変動を受けること
もない。新たに附設した第２の安定化電源回路の動作は
従来の回路と全く同様であり、トランジスタＴ４及びＴ
５のヱミッタ出力の変動を抵抗Ｒ６，Ｒ，で検出し、そ
の検出信号をトランジスタＴ６のベースに加え、そのト
ランジスタＴ６の動作でトランジスタＴ４に負帰還をか
けているものである。
８からなる第２の安定化電源回路の安定化出力を温度補
償回路に於けるトランジスタＬのベースにバイアス電圧
として印加するようにし、安定化しベルＶＲは該ベース
から切離されている。従って温度補償回路は正帰還ルー
プを構成することはなく、また、電源変動を受けること
もない。新たに附設した第２の安定化電源回路の動作は
従来の回路と全く同様であり、トランジスタＴ４及びＴ
５のヱミッタ出力の変動を抵抗Ｒ６，Ｒ，で検出し、そ
の検出信号をトランジスタＴ６のベースに加え、そのト
ランジスタＴ６の動作でトランジスタＴ４に負帰還をか
けているものである。
なおトランジスタＬ及びＴ５を一つのトランジスタで代
用することも特性を損うことなく可能である。本発明で
は、第３図に示した実施例以外にも、多くの改変を考え
ることができる。例えば第４図に見られるように、ダイ
オードは及びはと抵抗Ｒ６とで電源電圧を分割して温度
補償回路に印加することができる。このようにすると構
成は簡単であるが電圧安定化の特性は若干低下する。第
５図は、ｐｎｐ型トランジスタＴ７を用いた定電流源か
らダイオードＤ，に対して定電流を流し込むようにした
ものである。第６図は、温度補償回路の安定化電源回路
として第２図に示した従来例をそのまま利用するもので
ある。以上の説明で判るように、本発明に依れば、電源
変動を吸収する第１の安定化電源回路に於ける電源変動
検出用能動素子に対する温度補償回路を前記電源変動吸
収回路の安定化しベルから切離し、別個に設けた第２の
安定化電源回路に接続するようにしてあるので、温度補
償回路のバイアス電圧は充分に安定化され、また該回路
の存在が正帰還ループを形成することもないので「回路
全体は発振を生ずる幌れはなく安定に動作し、例えば論
麹回路などの半導体集積回路装置に安定化されたバイア
ス電圧を供給するのに好適である。
用することも特性を損うことなく可能である。本発明で
は、第３図に示した実施例以外にも、多くの改変を考え
ることができる。例えば第４図に見られるように、ダイ
オードは及びはと抵抗Ｒ６とで電源電圧を分割して温度
補償回路に印加することができる。このようにすると構
成は簡単であるが電圧安定化の特性は若干低下する。第
５図は、ｐｎｐ型トランジスタＴ７を用いた定電流源か
らダイオードＤ，に対して定電流を流し込むようにした
ものである。第６図は、温度補償回路の安定化電源回路
として第２図に示した従来例をそのまま利用するもので
ある。以上の説明で判るように、本発明に依れば、電源
変動を吸収する第１の安定化電源回路に於ける電源変動
検出用能動素子に対する温度補償回路を前記電源変動吸
収回路の安定化しベルから切離し、別個に設けた第２の
安定化電源回路に接続するようにしてあるので、温度補
償回路のバイアス電圧は充分に安定化され、また該回路
の存在が正帰還ループを形成することもないので「回路
全体は発振を生ずる幌れはなく安定に動作し、例えば論
麹回路などの半導体集積回路装置に安定化されたバイア
ス電圧を供給するのに好適である。
第１図及び第２図は従来の回路図、第３図乃至第６図は
本発明に於けるそれぞれ異なる実施例の要部回路図であ
る。 図に於いて、Ｔ，〜Ｔ６はトランジスタ、Ｄ，はダイオ
ード、Ｒ，〜Ｒ８は抵抗、ＶＥＥ，Ｖｃｃは電源ライン
、ＶＲは安定化しベルである。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
本発明に於けるそれぞれ異なる実施例の要部回路図であ
る。 図に於いて、Ｔ，〜Ｔ６はトランジスタ、Ｄ，はダイオ
ード、Ｒ，〜Ｒ８は抵抗、ＶＥＥ，Ｖｃｃは電源ライン
、ＶＲは安定化しベルである。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 第１及び第２の電源ラインと、該第１及び第２の電
源ライン間に介挿されて電源電圧の変動を検出するトラ
ンジスタを含み且つ前記変動を吸収して安定化レベルを
出力する第１の安定化電源回路と、温度変化に対応して
前記トランジスタに負帰還をかけるトランジスタを含ん
で前記第１の安定化電源回路の温度補償を行う温度補償
回路と、前記第１及び第２の電源ライン間に介挿されて
電源電圧の変動を検出且つ吸収して前記温度補償回路の
トランジスタに印加する為の安定化されたバイアス電圧
を供給する独立した第２の安定化電源回路とを備えてな
ることを特徴とする電子回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53094203A JPS6029123B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 電子回路 |
| DE7979301492T DE2961973D1 (en) | 1978-08-02 | 1979-07-26 | A stabilising bias circuit having a desired temperature dependence |
| EP79301492A EP0007804B1 (en) | 1978-08-02 | 1979-07-26 | A stabilising bias circuit having a desired temperature dependence |
| US06/062,312 US4322676A (en) | 1978-08-02 | 1979-07-30 | Bias circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53094203A JPS6029123B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 電子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5523515A JPS5523515A (en) | 1980-02-20 |
| JPS6029123B2 true JPS6029123B2 (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=14103735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53094203A Expired JPS6029123B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 電子回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4322676A (ja) |
| EP (1) | EP0007804B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6029123B2 (ja) |
| DE (1) | DE2961973D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795918A (en) * | 1987-05-01 | 1989-01-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit |
| JPH0379123A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 定電流源回路 |
| KR940003406B1 (ko) * | 1991-06-12 | 1994-04-21 | 삼성전자 주식회사 | 내부 전원전압 발생회로 |
| JP2799535B2 (ja) * | 1992-10-16 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | 基準電流発生回路 |
| AT400642B (de) * | 1993-03-25 | 1996-02-26 | Vaillant Gmbh | Geregelte stromversorgung für einen elektrischen raumtemperaturregler |
| RU2116693C1 (ru) * | 1996-07-04 | 1998-07-27 | Новосибирский государственный технический университет | Устройство стабилизации режима транзистора |
| JP4374388B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2009-12-02 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 電圧制御回路 |
| RU2727713C1 (ru) * | 2019-12-23 | 2020-07-23 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Стабилизатор напряжения питания электронных схем |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3828241A (en) * | 1971-07-30 | 1974-08-06 | Sony Corp | Regulated voltage supply circuit which compensates for temperature and input voltage variations |
| IT938776B (it) * | 1971-08-25 | 1973-02-10 | Ates Componenti Elettron | Stabilizzatore di tensione inte grato per basse tensioni di uscita |
| US3886435A (en) * | 1973-08-03 | 1975-05-27 | Rca Corp | V' be 'voltage voltage source temperature compensation network |
| US3956661A (en) * | 1973-11-20 | 1976-05-11 | Tokyo Sanyo Electric Co., Ltd. | D.C. power source with temperature compensation |
| JPS5175943A (en) * | 1974-12-26 | 1976-06-30 | Nippon Kogaku Kk | Ondotokuseio jusuruteidenatsukairo |
| JPS6040207B2 (ja) * | 1975-06-24 | 1985-09-10 | 京セラ株式会社 | 温度補償された直流増幅器 |
| GB1549689A (en) * | 1975-07-28 | 1979-08-08 | Nippon Kogaku Kk | Voltage generating circuit |
| US4061959A (en) * | 1976-10-05 | 1977-12-06 | Rca Corporation | Voltage standard based on semiconductor junction offset potentials |
| US4157493A (en) * | 1977-09-02 | 1979-06-05 | National Semiconductor Corporation | Delta VBE generator circuit |
-
1978
- 1978-08-02 JP JP53094203A patent/JPS6029123B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-07-26 DE DE7979301492T patent/DE2961973D1/de not_active Expired
- 1979-07-26 EP EP79301492A patent/EP0007804B1/en not_active Expired
- 1979-07-30 US US06/062,312 patent/US4322676A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0007804B1 (en) | 1982-01-27 |
| US4322676A (en) | 1982-03-30 |
| JPS5523515A (en) | 1980-02-20 |
| DE2961973D1 (en) | 1982-03-11 |
| EP0007804A1 (en) | 1980-02-06 |
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