JPS6040542A - 光メモリ媒体 - Google Patents
光メモリ媒体Info
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- JPS6040542A JPS6040542A JP14670183A JP14670183A JPS6040542A JP S6040542 A JPS6040542 A JP S6040542A JP 14670183 A JP14670183 A JP 14670183A JP 14670183 A JP14670183 A JP 14670183A JP S6040542 A JPS6040542 A JP S6040542A
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- Japan
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- film
- layer
- memory medium
- optical memory
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分骨）
本発明は、画像ファイル、文書ファイル、ディジタルデ
ータメモリ等の種々の用途に好適な書換え可能な光メモ
リ媒体に関し、特に、高能率で信号を読み出すだめの媒
体構成に関するものである。
ータメモリ等の種々の用途に好適な書換え可能な光メモ
リ媒体に関し、特に、高能率で信号を読み出すだめの媒
体構成に関するものである。
（従来技術）
光磁気記録方式における情報の記録は、例えば、結晶質
のＭｎＢ１薄膜、非晶質のＧｄｃｏ薄膜、ＴｂＦｅ薄膜
等の記録媒体に集束レーザ光を照射して局所的に温度を
上昇させると同時に外部から磁界を印加１ｙ 、その局
所領域の磁化を印加磁界の方向に向けることにより行な
われる。
のＭｎＢ１薄膜、非晶質のＧｄｃｏ薄膜、ＴｂＦｅ薄膜
等の記録媒体に集束レーザ光を照射して局所的に温度を
上昇させると同時に外部から磁界を印加１ｙ 、その局
所領域の磁化を印加磁界の方向に向けることにより行な
われる。
記録された磁化方向をレーザ光で読み出して情報の再生
を行うためには、光と磁気の相互作用である磁気カー効
果が用いられる。
を行うためには、光と磁気の相互作用である磁気カー効
果が用いられる。
現在、見出されている光磁気材料のカー効果は、一般に
、小さく、カー回転角は、多くの場合、ｏ３０程度であ
り、比較的大きなカー回転角を有するＭｎＢ１でも１０
に足らない。
、小さく、カー回転角は、多くの場合、ｏ３０程度であ
り、比較的大きなカー回転角を有するＭｎＢ１でも１０
に足らない。
そこで、このカー回転角を強調する（一般にカーエンハ
ンスメントと言われている）媒体構成が研究されている
。
ンスメントと言われている）媒体構成が研究されている
。
従来のカーエンハンスメントのだめの光メモリ媒体の構
成例を第１図および第２図に示す。
成例を第１図および第２図に示す。
第１図の構成は、基体ｌの上に、光磁気膜λ（例えばＭ
ｎＢ１膜）および干渉層３（例えばＳｉＯ膜）がこの順
序に積層されているものである。
ｎＢ１膜）および干渉層３（例えばＳｉＯ膜）がこの順
序に積層されているものである。
レーザ光ｌをレンズｊにより集束させて得た集束レーザ
党名を干渉層３に入射させると、とのレーザ光６が光磁
気膜コと干渉層３との境界面で反射する機会は、干渉層
３がない場合に比べて多くなるだめ、かかる媒体から出
射する光の偏光面の回転角が増大する。
党名を干渉層３に入射させると、とのレーザ光６が光磁
気膜コと干渉層３との境界面で反射する機会は、干渉層
３がない場合に比べて多くなるだめ、かかる媒体から出
射する光の偏光面の回転角が増大する。
かかる構成において、エンノ・ンスメン） 効果全極大
にせｌ−める要因としては、干渉層の膜厚と干渉層の屈
折率の大きさがある。
にせｌ−める要因としては、干渉層の膜厚と干渉層の屈
折率の大きさがある。
第２図に示す構成は、基体ｌの上に極薄（１００Å以下
）の光磁気膜／／（例えばＴｂＦｅ膜）、透明薄膜ｌλ
（例えばＳｉＯ膜）および金属膜／３（例えばＡｕ膜）
がこの順序に積層されているものである。
）の光磁気膜／／（例えばＴｂＦｅ膜）、透明薄膜ｌλ
（例えばＳｉＯ膜）および金属膜／３（例えばＡｕ膜）
がこの順序に積層されているものである。
レーザ光磁をレンズｊにより集束させて得た集束レーザ
光６が光磁気膜／／を透過して（この際にファラデイ効
果（でより偏光面が回転する）、透明薄膜１２にとじ込
められ、透明薄膜／２と光磁気膜／／との境界面でのカ
ー効果と光磁気膜／／を通過する際のファラデイ効果と
が重畳され、かかる媒体から出射する反射光の偏光面の
回転角は増大される。
光６が光磁気膜／／を透過して（この際にファラデイ効
果（でより偏光面が回転する）、透明薄膜１２にとじ込
められ、透明薄膜／２と光磁気膜／／との境界面でのカ
ー効果と光磁気膜／／を通過する際のファラデイ効果と
が重畳され、かかる媒体から出射する反射光の偏光面の
回転角は増大される。
第１図に示しだ構成では、前述の如く、干渉層λの屈折
率が大きいことがエンハンスメント効果をより大きくす
るために必要なことであるが、高屈折率（好丑しくけ３
以上）の薄膜を形成することは困難であり、大抵の場合
には、ＳｉＯ膜（屈折率２）が用いられている。
率が大きいことがエンハンスメント効果をより大きくす
るために必要なことであるが、高屈折率（好丑しくけ３
以上）の薄膜を形成することは困難であり、大抵の場合
には、ＳｉＯ膜（屈折率２）が用いられている。
また、第２図の構成では、光磁気膜ｌ／が極めて薄いた
め、酸化による劣化のために媒体を作成してから約１０
日後に情報の記録・再生機能が消失してしまうという欠
点があった。さらに加えて、光磁気膜／／が極めて薄い
ことに起因して、ピンホールを生じやすく、これがため
、情報の欠陥、すなわちドロップアウトが多く、エラー
率が高いという欠点があった。
め、酸化による劣化のために媒体を作成してから約１０
日後に情報の記録・再生機能が消失してしまうという欠
点があった。さらに加えて、光磁気膜／／が極めて薄い
ことに起因して、ピンホールを生じやすく、これがため
、情報の欠陥、すなわちドロップアウトが多く、エラー
率が高いという欠点があった。
（目 的）
本発明は、これら従来の光磁気媒体の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、十分に厚い光磁気膜と、
透明膜と極薄の金属膜を組合せだ干渉層とにより構成さ
れ、大きなカーエンノ・ンスメント効果を有し、高能率
で信号を再生し、かつ安全性に優れた書換え可能な光メ
モリ媒体を提供することにある。
れたものであり、その目的は、十分に厚い光磁気膜と、
透明膜と極薄の金属膜を組合せだ干渉層とにより構成さ
れ、大きなカーエンノ・ンスメント効果を有し、高能率
で信号を再生し、かつ安全性に優れた書換え可能な光メ
モリ媒体を提供することにある。
（発明の構成）
かかる目的を達成するために、本発明では、磁気光学材
料から成る第７層、透明材料から成る第（１） ２層、および金属材料から成り膜厚が７０〜２００人で
ある第３層をこの順序に配置し、前記第１層にレーザ光
を入射可能となして情報の記録、再生および消去を行う
ように構成する。
料から成る第７層、透明材料から成る第（１） ２層、および金属材料から成り膜厚が７０〜２００人で
ある第３層をこの順序に配置し、前記第１層にレーザ光
を入射可能となして情報の記録、再生および消去を行う
ように構成する。
本発明の好適例では、平坦に加工された基体上に、前記
第７層、前記第一層および前記第３層をこの順序に配置
し、前記第３層側から前記第１層にレーザ光を入射可能
とする。
第７層、前記第一層および前記第３層をこの順序に配置
し、前記第３層側から前記第１層にレーザ光を入射可能
とする。
本発明の他の好適例では、平坦に加工された透明基体上
に、前記第３層、前記第２層および前記第１層をこの順
序に配置し、前記透明基体側から前記第１層にレーザ光
を入射可能とする。
に、前記第３層、前記第２層および前記第１層をこの順
序に配置し、前記透明基体側から前記第１層にレーザ光
を入射可能とする。
ここで、前記レーザ光の入射される側の表面上に透明材
料から成る保護層を配置することができる０ （実施例） 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
料から成る保護層を配置することができる０ （実施例） 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明光メモリ媒体の第１の実施例を示す図で
あり、ここで、／は直径Δので厚み／、２闘の平坦に加
工されたガラス基体、ｎは磁気光学（ぶ） 材料、例えばＴｂ２．Ｆｅ、、から成る光磁気膜、Ｂは
透明材料、例えば５ｊ−０から成る透明薄膜、２ＩＩは
金属材料、例えばＡｌから成る極薄の金属膜である。
あり、ここで、／は直径Δので厚み／、２闘の平坦に加
工されたガラス基体、ｎは磁気光学（ぶ） 材料、例えばＴｂ２．Ｆｅ、、から成る光磁気膜、Ｂは
透明材料、例えば５ｊ−０から成る透明薄膜、２ＩＩは
金属材料、例えばＡｌから成る極薄の金属膜である。
光磁気膜ｎであるＴｂ −Ｆｅ膜は、複合ターゲットを
用いた高周波マグネトロン・スパッタリング法で作製し
、その膜厚は約１００人とした。引続き、真空蒸着法に
より透明薄膜ｎとしてのＳｉｎ膜および極薄金属膜２グ
としての１膜を積層し、ここで膜厚は各々３３０人およ
び３０λとした。
用いた高周波マグネトロン・スパッタリング法で作製し
、その膜厚は約１００人とした。引続き、真空蒸着法に
より透明薄膜ｎとしてのＳｉｎ膜および極薄金属膜２グ
としての１膜を積層し、ここで膜厚は各々３３０人およ
び３０λとした。
カー回転角のエンハンスメント効果を決める主要因は、
透明薄膜ｎの膜厚である。透明薄膜ｎとしてのＳｉｎ膜
の膜厚、３３０人を決定するにあたり、Ｓｉｎ膜の膜厚
を変え、カー回転角を測定した結果を、極薄金属膜２グ
としてのＡｌ膜がある場合とｆ／膜がない場合とを比較
して第７図に示す。ここで、測定光は極薄金属膜２グ側
から入射させ測定した。
透明薄膜ｎの膜厚である。透明薄膜ｎとしてのＳｉｎ膜
の膜厚、３３０人を決定するにあたり、Ｓｉｎ膜の膜厚
を変え、カー回転角を測定した結果を、極薄金属膜２グ
としてのＡｌ膜がある場合とｆ／膜がない場合とを比較
して第７図に示す。ここで、測定光は極薄金属膜２グ側
から入射させ測定した。
第９図から明らか々ように、Ａｌ膜（５０人）を装荷し
た場合（曲線Ａ）、カー回転角は、膜厚約３１０人のＳ
ｉｎ膜の場合に極大値コ、〆を示し、Ａｌ膜を装荷しな
い場合（曲線Ｂ）、すなわち第１図に示した従来の構成
に比べ、極大値ンＪ、約へＳ倍大きいという結果が得ら
れた。
た場合（曲線Ａ）、カー回転角は、膜厚約３１０人のＳ
ｉｎ膜の場合に極大値コ、〆を示し、Ａｌ膜を装荷しな
い場合（曲線Ｂ）、すなわち第１図に示した従来の構成
に比べ、極大値ンＪ、約へＳ倍大きいという結果が得ら
れた。
本発明の構成における五！極薄金属膜２グは、半透明で
あることが要求される。すなわち、入射光としての集束
レーザ光６がＡ／極薄金属膜２グを透過し、透明薄膜ｎ
を経て、光磁気膜ｎに到達した後、透明薄膜ｎ内を多重
繰返し反射するととにより、カー回転角がエンハンスメ
ントされるようにすることが必要である。
あることが要求される。すなわち、入射光としての集束
レーザ光６がＡ／極薄金属膜２グを透過し、透明薄膜ｎ
を経て、光磁気膜ｎに到達した後、透明薄膜ｎ内を多重
繰返し反射するととにより、カー回転角がエンハンスメ
ントされるようにすることが必要である。
従って、ＡＩ極薄金属膜２ゲの膜厚としては、／θ〜、
２００人が好壕しく、この範囲外の膜厚では、エンハン
スメント効果は減少する。−上述した第１の実施例では
、Ａｌ膜を用いたが、ＡＩ以外の金属膜、例えばＡｇ
、 Ａｕ 、 Ｏｕ 、 Ｏｒなどの場合にも以−トと
同様のことがあてはまる。
２００人が好壕しく、この範囲外の膜厚では、エンハン
スメント効果は減少する。−上述した第１の実施例では
、Ａｌ膜を用いたが、ＡＩ以外の金属膜、例えばＡｇ
、 Ａｕ 、 Ｏｕ 、 Ｏｒなどの場合にも以−トと
同様のことがあてはまる。
また、光磁気膜であるＴｂ −Ｆｅ膜の膜厚は、透過性
がない程度の膜厚にすることが必要であり、しかも、酸
による劣化を防ぐために、膜厚としてＳＯＯÅ以上に定
めるのが好ましい。
がない程度の膜厚にすることが必要であり、しかも、酸
による劣化を防ぐために、膜厚としてＳＯＯÅ以上に定
めるのが好ましい。
以上の第１の実施例に示しだ光デイスク媒体について、
レーザダイオードを用いた情報記録再生試験装置により
、再生Ｓ／Ｎ 、および再生Ｓ／Ｍの経時変化を評価し
た結果、Ｓ／Ｎと１〜てＩＩコｄＢを得た。
レーザダイオードを用いた情報記録再生試験装置により
、再生Ｓ／Ｎ 、および再生Ｓ／Ｍの経時変化を評価し
た結果、Ｓ／Ｎと１〜てＩＩコｄＢを得た。
これは、従来の構成の場合に比べて約７ （ｉＢのＥ、
／Ｎ向上になる。さらにまだ、このＳ／Ｎ値は上述の第
１の実施例の媒体を製作した後に９０日を経過した時点
でも、劣化は全く認められず、第２図に示した従来の媒
体よりも安定性に優れていることが確認された。
／Ｎ向上になる。さらにまだ、このＳ／Ｎ値は上述の第
１の実施例の媒体を製作した後に９０日を経過した時点
でも、劣化は全く認められず、第２図に示した従来の媒
体よりも安定性に優れていることが確認された。
本発明の第２の実施例を第５図に示す。ここで、／けデ
ィスク状のガラス基体でおり、直径３θいで厚さ八、２
門とした。３２はガラス基体／上に配置したＡ）による
極薄金属膜であり、その厚さは３０人とした。３３は極
薄金属膜３２上に配置したＳｉｎ、、透明薄膜であり、
約２００人の膜厚としだ。３グは透明膜３３−Ｆに配置
した光磁気薄膜としてのＧｄ、、、Ｏｏ、、膜であり、
その膜厚は１００人とした。以上の３層膜を同一スパッ
タリング装置において連続してガラス基体／上に積層し
て形成した。
ィスク状のガラス基体でおり、直径３θいで厚さ八、２
門とした。３２はガラス基体／上に配置したＡ）による
極薄金属膜であり、その厚さは３０人とした。３３は極
薄金属膜３２上に配置したＳｉｎ、、透明薄膜であり、
約２００人の膜厚としだ。３グは透明膜３３−Ｆに配置
した光磁気薄膜としてのＧｄ、、、Ｏｏ、、膜であり、
その膜厚は１００人とした。以上の３層膜を同一スパッ
タリング装置において連続してガラス基体／上に積層し
て形成した。
このようにして得た光デイスク媒体について、（９）
第ｌの実施例の場合と同様に、レーザダイオードを用い
た情報記録再生試験装置によりＳ／Ｎを測定した。ただ
し、この場合、レーザ光６を基体／の側より入射させた
。本例では、Ｓ／Ｎとして１１０ ｄＢの値が得られた
。Ｓ／’Ｈの経時変化についても、第１の実施例の場合
と同様に、ディスク媒体を製作した後、９０日を経過し
た時点でも劣化は全く認められなかった。
た情報記録再生試験装置によりＳ／Ｎを測定した。ただ
し、この場合、レーザ光６を基体／の側より入射させた
。本例では、Ｓ／Ｎとして１１０ ｄＢの値が得られた
。Ｓ／’Ｈの経時変化についても、第１の実施例の場合
と同様に、ディスク媒体を製作した後、９０日を経過し
た時点でも劣化は全く認められなかった。
また、以上に示した第１および第２の実施例の媒体の受
光表面上に、透明材料、例えば紫外線硬化性のアクリル
樹脂を塗布して硬化する方法により、３０μｍ１１の透
明な保護膜を形成することにより、指紋付着等によるＳ
／Ｎ低下を防止する構造とすることもできる。
光表面上に、透明材料、例えば紫外線硬化性のアクリル
樹脂を塗布して硬化する方法により、３０μｍ１１の透
明な保護膜を形成することにより、指紋付着等によるＳ
／Ｎ低下を防止する構造とすることもできる。
（効 果）
以上説明したように、本発明によれば、十分に厚い光磁
気膜に対して極薄金属膜と透明膜とからなる干渉層を積
層して光デイスク媒体を形成することにより、磁気光学
カー回転角が増大され、かつその効果は従来のものに比
べて大きく、その結（／θ） 果、Ｓ／Ｎを向上させることができるという利点がある
。さらにまた、光磁気膜の膜厚が十分に厚いので、酸化
劣化によるＳ／Ｎの経時低下が大幅に改善されるという
実用的な利点がある。
気膜に対して極薄金属膜と透明膜とからなる干渉層を積
層して光デイスク媒体を形成することにより、磁気光学
カー回転角が増大され、かつその効果は従来のものに比
べて大きく、その結（／θ） 果、Ｓ／Ｎを向上させることができるという利点がある
。さらにまた、光磁気膜の膜厚が十分に厚いので、酸化
劣化によるＳ／Ｎの経時低下が大幅に改善されるという
実用的な利点がある。
第１図および第２図は従来の光メモリ媒体の構造の一例
を示す断面図、 第３図は本発明光メモリ媒体の第１の実施例を示す断面
図、 第９図は本発明の詳細な説明するための、磁気光学カー
効果エンハンスメントの実験結果を示す特性曲線図、 第３図は本発明光メモリ媒体の第λの実施例を示す断面
図である。 ／・・・基体、 コ・・・光磁気膜、 ３・・・干渉層、 ダ・・・レーザ光、 Ｓ・・・レンズ、 ６・・・集束レーザ光、 ｌ／・・・光磁気膜、 ／２・・・透明薄膜、 ／３・・・金属膜、 ｎ・・・光磁気膜（第１層）、 Ｂ・・・透明薄膜（第２層）、 ２１・・・極薄金属膜（第３層）、 ３２・・・極薄金属膜（第７層）、 ３３・・・透明膜（第２層）、 ３Ｉｌ・・・光磁気膜（第３１帰）。 特許出願人 日本電信電話公社 第１図 第２図 第３図 一一へ−７１ 第４図 ＳｉＯ悶（Ｊ、＋ｍ）
を示す断面図、 第３図は本発明光メモリ媒体の第１の実施例を示す断面
図、 第９図は本発明の詳細な説明するための、磁気光学カー
効果エンハンスメントの実験結果を示す特性曲線図、 第３図は本発明光メモリ媒体の第λの実施例を示す断面
図である。 ／・・・基体、 コ・・・光磁気膜、 ３・・・干渉層、 ダ・・・レーザ光、 Ｓ・・・レンズ、 ６・・・集束レーザ光、 ｌ／・・・光磁気膜、 ／２・・・透明薄膜、 ／３・・・金属膜、 ｎ・・・光磁気膜（第１層）、 Ｂ・・・透明薄膜（第２層）、 ２１・・・極薄金属膜（第３層）、 ３２・・・極薄金属膜（第７層）、 ３３・・・透明膜（第２層）、 ３Ｉｌ・・・光磁気膜（第３１帰）。 特許出願人 日本電信電話公社 第１図 第２図 第３図 一一へ−７１ 第４図 ＳｉＯ悶（Ｊ、＋ｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 旬 磁気光学材料から成る第１層、透明材料から成る第
２層、および金属材料から成り膜厚が１０−２００Ａで
ある第３層をこの順序に配置し、前記第１層にレーザ光
を入射可能となして情報の記録、再生および消去を行う
ようにしたことを特徴とする光メモリ媒体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光メモリ媒体において
、平坦に加工された基体上に、前記第１層、前記第一層
および前記第３層をこの順序に配置し、前記第３層側か
ら前記第１層にレーザ光を入射可能としたことを特徴と
する光メモリ媒体。 ５）特許請求の範囲第１項記載の光メモリ媒体において
、平坦に加工された透明基体上に、前記第３層、前記第
２層および前記第１層をこのｊ＠序に配置し、前記透明
基体側から前記酊／層にレーザ光を入射可能としたこと
を特徴とする光磁化り媒体。 ４）特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかの項
に記載の元メモリ媒体において、前記レーザ光の入射さ
れる側の表面」二に透明材料から成る保護層を配置した
ことを特徴とする光メモリ媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14670183A JPS6040542A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 光メモリ媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14670183A JPS6040542A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 光メモリ媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6040542A true JPS6040542A (ja) | 1985-03-02 |
Family
ID=15413595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14670183A Pending JPS6040542A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 光メモリ媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134604A (en) * | 1990-01-11 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Combination optical data medium with multiple data surfaces and cassette therefor |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14670183A patent/JPS6040542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134604A (en) * | 1990-01-11 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Combination optical data medium with multiple data surfaces and cassette therefor |
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