JPH04355234A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04355234A JPH04355234A JP12998391A JP12998391A JPH04355234A JP H04355234 A JPH04355234 A JP H04355234A JP 12998391 A JP12998391 A JP 12998391A JP 12998391 A JP12998391 A JP 12998391A JP H04355234 A JPH04355234 A JP H04355234A
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- JP
- Japan
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- layer
- magneto
- laser beam
- optical
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の書込または読出を行う光磁気
ディスク等の光磁気記録媒体に関する。
てレーザー光により情報の書込または読出を行う光磁気
ディスク等の光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の書込または読出
を行う光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量
記憶装置として優れた特徴を有している。一般に書換可
能な光ディスク等の光記録媒体としては、カー効果を利
用した光磁気形のものが用いられている。
を行う光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量
記憶装置として優れた特徴を有している。一般に書換可
能な光ディスク等の光記録媒体としては、カー効果を利
用した光磁気形のものが用いられている。
【０００３】図３に代表的な光磁気記録媒体の従来例を
示す。
示す。
【０００４】図３に示す光磁気記録媒体は、基板１１の
上に第１の透明干渉層１２、その上に鉄族遷移金属と希
土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂
直磁化可能な光磁気層１３、その上に第２の透明干渉層
１４、その上に反射層１５を順に設けたものである。
上に第１の透明干渉層１２、その上に鉄族遷移金属と希
土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂
直磁化可能な光磁気層１３、その上に第２の透明干渉層
１４、その上に反射層１５を順に設けたものである。
【０００５】書込および読出用のレーザー光は基板１１
を通して入射し、光磁気層１３の近傍でおよそφ１．４
μｍ になるようにフォーカシング・サーボにより集光
される。レーザー光源としては波長８３００オングスト
ローム前後の半導体レーザーが用いられる。
を通して入射し、光磁気層１３の近傍でおよそφ１．４
μｍ になるようにフォーカシング・サーボにより集光
される。レーザー光源としては波長８３００オングスト
ローム前後の半導体レーザーが用いられる。
【０００６】情報の書込は、情報に対応させて高パワー
のレーザー光を照射することにより、光磁気層１３にレ
ーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギー
に変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この部分
を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことにより
、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめ
ることにより情報の書込を行う。
のレーザー光を照射することにより、光磁気層１３にレ
ーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギー
に変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この部分
を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことにより
、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめ
ることにより情報の書込を行う。
【０００７】情報の読出は、直線偏光した集束レーザー
光を光磁気層１３に照射し、そこからの反射光を検光子
を介して光学的に検出することによる。光磁気膜はカー
効果により反射光の偏光面を回転させる効果があるので
、反射光の偏光面の回転角θｋ が光磁気層１３の垂直
磁化の向きにより異なることを利用して、反射光が光検
出器に入る前に検光子を通し、磁化の向きに対応した情
報を光量変化として読出すことができる。
光を光磁気層１３に照射し、そこからの反射光を検光子
を介して光学的に検出することによる。光磁気膜はカー
効果により反射光の偏光面を回転させる効果があるので
、反射光の偏光面の回転角θｋ が光磁気層１３の垂直
磁化の向きにより異なることを利用して、反射光が光検
出器に入る前に検光子を通し、磁化の向きに対応した情
報を光量変化として読出すことができる。
【０００８】光磁気層１３の材料としては、ＴｂＦｅＣ
ｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案されてい
る（特公平１−２３９２７）。このような光磁気材料は
非常に酸化されやすいので、第１の透明干渉層１２と第
２の透明干渉層１４とで挾みこむことにより光磁気層１
３が酸化することを防いでいる。通常、第１の透明干渉
層１２や第２の透明干渉層１４としては、窒化シリコン
膜が用いられている。
ｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案されてい
る（特公平１−２３９２７）。このような光磁気材料は
非常に酸化されやすいので、第１の透明干渉層１２と第
２の透明干渉層１４とで挾みこむことにより光磁気層１
３が酸化することを防いでいる。通常、第１の透明干渉
層１２や第２の透明干渉層１４としては、窒化シリコン
膜が用いられている。
【０００９】光磁気材料のθｋ は小さいので、第１の
透明干渉層１２と第２の透明干渉層１４と反射層１５と
による多重干渉効果による読出信号の増幅が行われる。 反射層１５としては、通常Ａ１合金が用いられる。
透明干渉層１２と第２の透明干渉層１４と反射層１５と
による多重干渉効果による読出信号の増幅が行われる。 反射層１５としては、通常Ａ１合金が用いられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の光磁気記録媒体では、レーザー光を基板側から入
射した場合のレーザー光の反射率を調整することができ
ず、かつ、高温高湿環境に長い時間保存しておくと基板
と第１の透明干渉層とが剥がれやすいという問題があっ
た。
従来の光磁気記録媒体では、レーザー光を基板側から入
射した場合のレーザー光の反射率を調整することができ
ず、かつ、高温高湿環境に長い時間保存しておくと基板
と第１の透明干渉層とが剥がれやすいという問題があっ
た。
【００１１】本発明の課題は、レーザー光を基板側から
入射した場合のレーザー光の反射率を容易に調整するこ
とができ、かつ、高温高湿環境に長い時間保存しても基
板と第１の透明干渉層とが剥がれにくい光磁気記録媒体
を提供することにある。
入射した場合のレーザー光の反射率を容易に調整するこ
とができ、かつ、高温高湿環境に長い時間保存しても基
板と第１の透明干渉層とが剥がれにくい光磁気記録媒体
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に少なくとも第１の透明干渉層と光磁気層と第２の透明
干渉層と反射層とをこの順に設け、レーザー光を前記基
板を通して前記光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を前記基板を通して前記
光磁気層に集束して移動させながら照射することにより
情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体において、
前記第１の透明干渉層はＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
の層と、窒化シリコン層との２層からなり、前記読出用
レーザー光の波長での屈折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２
との混合物の層と、前記窒化シリコン層とで異なるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
に少なくとも第１の透明干渉層と光磁気層と第２の透明
干渉層と反射層とをこの順に設け、レーザー光を前記基
板を通して前記光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を前記基板を通して前記
光磁気層に集束して移動させながら照射することにより
情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体において、
前記第１の透明干渉層はＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
の層と、窒化シリコン層との２層からなり、前記読出用
レーザー光の波長での屈折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２
との混合物の層と、前記窒化シリコン層とで異なるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
【００１３】また、本発明によれば、前記光磁気記録媒
体において、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と
、前記窒化シリコン層との前記読出用レーザー光の波長
での屈折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層
の屈折率の方を大きくしたことを特徴とする光磁気記録
媒体が得られる。
体において、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と
、前記窒化シリコン層との前記読出用レーザー光の波長
での屈折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層
の屈折率の方を大きくしたことを特徴とする光磁気記録
媒体が得られる。
【００１４】また、本発明によれば、前記光磁気記録媒
体において、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と
、前記窒化シリコン層との前記読出用レーザー光の波長
での屈折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層
の屈折率の方を小さくしたことを特徴とする光磁気記録
装置が得られる。
体において、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と
、前記窒化シリコン層との前記読出用レーザー光の波長
での屈折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層
の屈折率の方を小さくしたことを特徴とする光磁気記録
装置が得られる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１６】図１は本発明の一実施例を示す概略断面図
である。
である。
【００１７】図１に示す光磁気記録媒体は、基板１の上
にＺｎＳとＳｉＯ２との混合物の層２を設け、その上に
窒化シリコン層３を設け、その上に鉄族遷移金属と希土
類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂直
磁化可能な光磁気層４を設け、その上に窒化シリコンの
第２の透明干渉層５を設け、かつ、その上にＡｌ合金の
反射層６を少なくとも設ける。
にＺｎＳとＳｉＯ２との混合物の層２を設け、その上に
窒化シリコン層３を設け、その上に鉄族遷移金属と希土
類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂直
磁化可能な光磁気層４を設け、その上に窒化シリコンの
第２の透明干渉層５を設け、かつ、その上にＡｌ合金の
反射層６を少なくとも設ける。
【００１８】光磁気記録媒体は図１のような構成のまま
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の書込・読出を行う場合もあるが、反射層６の上にホ
ットメルト剤を塗布することにより図１の光磁気記録媒
体２組を基板１が外側になるように貼合わせて書込・読
出を行う場合もある。この場合、反射層６の上にはＵＶ
硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合わせても
よい。
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の書込・読出を行う場合もあるが、反射層６の上にホ
ットメルト剤を塗布することにより図１の光磁気記録媒
体２組を基板１が外側になるように貼合わせて書込・読
出を行う場合もある。この場合、反射層６の上にはＵＶ
硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合わせても
よい。
【００１９】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、光磁気層４の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光する
。 レーザー光源としては波長６７００〜８３００オングス
トローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、光磁気層４の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光する
。 レーザー光源としては波長６７００〜８３００オングス
トローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００２０】基板１としては、ポリカーボネート樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【００２１】光磁気層４としては、ＴｂＦｅＣｏＴｉ，
ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦ
ｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＮｄ
ＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＮｄＦｅＣ
ｏＮｉＣｒ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＴａ，ＴｂＮｄＦｅＣｏ
Ｎｄ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，
ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧ
ｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔが望ましい。
ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦ
ｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＮｄ
ＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＮｄＦｅＣ
ｏＮｉＣｒ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＴａ，ＴｂＮｄＦｅＣｏ
Ｎｄ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，
ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧ
ｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔが望ましい。
【００２２】第２の透明干渉層５としては、窒化シリコ
ンが最も望ましいが、これに限定されない。反射層６と
しては、Ａｌ合金が最も望ましいが、反射性の高い材料
であればよい。
ンが最も望ましいが、これに限定されない。反射層６と
しては、Ａｌ合金が最も望ましいが、反射性の高い材料
であればよい。
【００２３】本発明の光磁気記録媒体は、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ２ との混合物の層２と、窒化シリコン層３との２つ
の層が第１の透明干渉層を構成しており、これが従来の
光磁気記録媒体（図３）の第１の透明干渉層１２と同じ
役割をしている。
Ｏ２ との混合物の層２と、窒化シリコン層３との２つ
の層が第１の透明干渉層を構成しており、これが従来の
光磁気記録媒体（図３）の第１の透明干渉層１２と同じ
役割をしている。
【００２４】光磁気層４が２００オングストローム厚の
ＴｂＦｅＣｏＴｉであり、第２の透明干渉層５が２５０
オングストローム厚の窒化シリコンであり、反射層６が
４００オングストローム厚のＡｌ合金であり、書込・読
出用のレーザー光の波長が８３００オングストロームの
場合、ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層２のＳｉＯ２
の含有量をおよそ６５モル％にして、ＺｎＳとＳｉＯ
２ との混合物の層２と窒化シリコン層３の厚さをそれ
ぞれ０〜１０００オングストロームに変化させて光磁気
記録媒体を作製し、その反射率を測定すると図２となる
。この結果より、本発明により反射率を大きくすること
のできることがわかる。例えば、従来の第１の透明干渉
層３２を８００オングストローム厚の窒化シリコン膜で
形成していたのを、本発明の光磁気記録媒体のようにＺ
ｎＳとＳｉＯ２ との混合物（ＳｉＯ２ の含有量はお
よそ６５モル％）の層２を７００オングストローム厚で
形成し、その上に窒化シリコン層３を３００オングスト
ローム厚形成して２層の第１の透明干渉層とすることに
より、反射率は１８％から２２％と大きくすることがで
きる。
ＴｂＦｅＣｏＴｉであり、第２の透明干渉層５が２５０
オングストローム厚の窒化シリコンであり、反射層６が
４００オングストローム厚のＡｌ合金であり、書込・読
出用のレーザー光の波長が８３００オングストロームの
場合、ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層２のＳｉＯ２
の含有量をおよそ６５モル％にして、ＺｎＳとＳｉＯ
２ との混合物の層２と窒化シリコン層３の厚さをそれ
ぞれ０〜１０００オングストロームに変化させて光磁気
記録媒体を作製し、その反射率を測定すると図２となる
。この結果より、本発明により反射率を大きくすること
のできることがわかる。例えば、従来の第１の透明干渉
層３２を８００オングストローム厚の窒化シリコン膜で
形成していたのを、本発明の光磁気記録媒体のようにＺ
ｎＳとＳｉＯ２ との混合物（ＳｉＯ２ の含有量はお
よそ６５モル％）の層２を７００オングストローム厚で
形成し、その上に窒化シリコン層３を３００オングスト
ローム厚形成して２層の第１の透明干渉層とすることに
より、反射率は１８％から２２％と大きくすることがで
きる。
【００２５】このように反射率を大きくできるのは、窒
化シリコン層３の屈折率よりも混合物の層２の屈折率の
方を小さくした場合だけである。
化シリコン層３の屈折率よりも混合物の層２の屈折率の
方を小さくした場合だけである。
【００２６】一方、光磁気層４が２００オングストロー
ム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉであり、第２の透明干渉層５が
２５０オングストローム厚の窒化シリコンであり、反射
層６が４００オングストローム厚のＡｌ合金であり、書
込・読出用のレーザー光の波長が８３００オングストロ
ームの場合、ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層２のＳ
ｉＯ２ の含有量を１５モル％にして、ＺｎＳとＳｉＯ
２ との混合物の層２と窒化シリコン層３の厚さをそれ
ぞれ０〜１０００オングストロームに変化させて光磁気
記録媒体を作製し、その反射率を測定すると図３となる
。この結果より、本発明により反射率を小さくすること
のできることがわかる。例えば、従来の第１の透明干渉
層３２を８００オングストローム厚の窒化シリコン膜で
形成していたのを、本発明の光磁気記録媒体のようにＺ
ｎＳとＳｉＯ２ との混合物（ＳｉＯ２ の含有量は１
５モル％）の層２を４００オングストローム厚で形成し
、その上に窒化シリコン層３を３００オングストローム
厚形成して２層の第１の透明干渉層とすることにより、
反射率は１８％から１５％と小さくすることができる。
ム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉであり、第２の透明干渉層５が
２５０オングストローム厚の窒化シリコンであり、反射
層６が４００オングストローム厚のＡｌ合金であり、書
込・読出用のレーザー光の波長が８３００オングストロ
ームの場合、ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層２のＳ
ｉＯ２ の含有量を１５モル％にして、ＺｎＳとＳｉＯ
２ との混合物の層２と窒化シリコン層３の厚さをそれ
ぞれ０〜１０００オングストロームに変化させて光磁気
記録媒体を作製し、その反射率を測定すると図３となる
。この結果より、本発明により反射率を小さくすること
のできることがわかる。例えば、従来の第１の透明干渉
層３２を８００オングストローム厚の窒化シリコン膜で
形成していたのを、本発明の光磁気記録媒体のようにＺ
ｎＳとＳｉＯ２ との混合物（ＳｉＯ２ の含有量は１
５モル％）の層２を４００オングストローム厚で形成し
、その上に窒化シリコン層３を３００オングストローム
厚形成して２層の第１の透明干渉層とすることにより、
反射率は１８％から１５％と小さくすることができる。
【００２７】このように反射率を小さくできるのは、窒
化シリコン層３の屈折率よりも混合物の層２の屈折率の
方を大きくした場合だけである。
化シリコン層３の屈折率よりも混合物の層２の屈折率の
方を大きくした場合だけである。
【００２８】さらに、本発明の実施例としての光磁気記
録媒体を８０℃９０％という高温高湿の劣悪環境に１０
００時間保存しても膜が剥がれるということはないこと
が確認できた。
録媒体を８０℃９０％という高温高湿の劣悪環境に１０
００時間保存しても膜が剥がれるということはないこと
が確認できた。
【００２９】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、レーザー光
を基板側から入射した場合のレーザー光の反射率を容易
に調整することができ、かつ、高温高湿環境に長い時間
保存しても基板と第１の透明干渉層とが剥がれにくい。
を基板側から入射した場合のレーザー光の反射率を容易
に調整することができ、かつ、高温高湿環境に長い時間
保存しても基板と第１の透明干渉層とが剥がれにくい。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための反射率の膜
厚依存性を示す図である。
厚依存性を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例を説明するための反射率の
膜厚依存性を示す図である。
膜厚依存性を示す図である。
【図４】従来の光磁気記録媒体の一例を示す概略断面図
である。
である。
１ 基板
２ ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層３
窒化シリコン層 ４ 光磁気層 ５ 第２の透明干渉層 ６ 反射層
窒化シリコン層 ４ 光磁気層 ５ 第２の透明干渉層 ６ 反射層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも第１の透明干渉層
と光磁気層と第２の透明干渉層と反射層とをこの順に設
け、レーザー光を前記基板を通して前記光磁気層に集束
して照射することにより情報の書込を行い、レーザー光
を前記基板を通して前記光磁気層に集束して移動させな
がら照射することにより情報の読出を行うようにした光
磁気記録媒体において、前記第１の透明干渉層はＺｎＳ
とＳｉＯ２ との混合物の層と、窒化シリコン層との２
層からなり、前記読出用レーザー光の波長での屈折率は
、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と、前記窒化
シリコン層とで異なることを特徴とする光磁気記録媒体
。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体にお
いて、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と、前記
窒化シリコン層との前記読出用レーザー光の波長での屈
折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層の屈折
率の方を大きくしたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光磁気記録媒体にお
いて、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層と、前記
窒化シリコン層との前記読出用レーザー光の波長での屈
折率は、前記ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の層の屈折
率の方を小さくしたことを特徴とする光磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12998391A JPH04355234A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12998391A JPH04355234A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355234A true JPH04355234A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=15023262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12998391A Pending JPH04355234A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04355234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030087A1 (en) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optic (mo) recording medium |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP12998391A patent/JPH04355234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030087A1 (en) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optic (mo) recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990623 |