JPS6040617B2 - メモリ性デイスプレイ - Google Patents
メモリ性デイスプレイInfo
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- JPS6040617B2 JPS6040617B2 JP53127912A JP12791278A JPS6040617B2 JP S6040617 B2 JPS6040617 B2 JP S6040617B2 JP 53127912 A JP53127912 A JP 53127912A JP 12791278 A JP12791278 A JP 12791278A JP S6040617 B2 JPS6040617 B2 JP S6040617B2
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- voltage
- layer
- light
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/04—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions
- G09G3/06—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions using controlled light sources
- G09G3/12—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions using controlled light sources using electroluminescent elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
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- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ディスプレイ装置において、多種類の色を発光できれば
、1種の色を用いるよりも多量の情報を表示できる。
、1種の色を用いるよりも多量の情報を表示できる。
現在のシャドウマスクCRTはマスクのため解像度が犠
牲になっている。発光体の同一部分が異つた色を発生で
きれば解像度は向上する。この種のものにべネトレーシ
ョンCRTがあるが、発光のためのスイッチングが遅く
、信頼性も低い。発光部分にメモリ(記憶)機能をもた
せることは有利である。
牲になっている。発光体の同一部分が異つた色を発生で
きれば解像度は向上する。この種のものにべネトレーシ
ョンCRTがあるが、発光のためのスイッチングが遅く
、信頼性も低い。発光部分にメモリ(記憶)機能をもた
せることは有利である。
本発明の目的は、多種の色で発光し、しかもメモリ機能
のある電気発光体を用いた電界発光ディスプレイ装置を
与えることである。
のある電気発光体を用いた電界発光ディスプレイ装置を
与えることである。
この装置は発光体とアドレシング装置とからなっている
。
。
発光体は下記のような発光物質(EL)のサンドイッチ
状構造のものである。
状構造のものである。
アドレシング装置は、平面又は曲面状に配置した上記の
発光体の任意の場所で発光させるためのもので、直交座
標形式に配置された導線群又は電子ビーム放射によって
電圧又は頚射の供給を行なう。この他に保持電圧供給手
段等も含まれる。本発明の発光体は原則として2枚の層
からなりその一方(ELと呼ぶ)は、電気発光物質であ
ってしかも下記の性質をもつ。○} 閥値以下の電界、
又は電界と光、電子ビームによる韓射(以下電界等と呼
ぶ)のと同時印加によっては発光はない。
発光体の任意の場所で発光させるためのもので、直交座
標形式に配置された導線群又は電子ビーム放射によって
電圧又は頚射の供給を行なう。この他に保持電圧供給手
段等も含まれる。本発明の発光体は原則として2枚の層
からなりその一方(ELと呼ぶ)は、電気発光物質であ
ってしかも下記の性質をもつ。○} 閥値以下の電界、
又は電界と光、電子ビームによる韓射(以下電界等と呼
ぶ)のと同時印加によっては発光はない。
(2} 閥値以上の電界等をうけると特定のスペクトル
で発光する。
で発光する。
{3ー 発光する際、受けた電界等の強さによって種々
の輝度に発光する。
の輝度に発光する。
‘41 発光後に、電界等が減少(閥値以下の値迄)さ
れても、発光ヒステリシス性によって発光を保持する。
れても、発光ヒステリシス性によって発光を保持する。
‘5ー 発光した時、光導電性によって、その部分のイ
ンピーダンスが低下する。電界等が低下しても、発光し
ている限り、このインピーダンス低下は保持される。■
閥値より低い解尽電圧迄、電界等が下ると、保持され
た発光が止り、インピーダンスも元に戻る。
ンピーダンスが低下する。電界等が低下しても、発光し
ている限り、このインピーダンス低下は保持される。■
閥値より低い解尽電圧迄、電界等が下ると、保持され
た発光が止り、インピーダンスも元に戻る。
他方の層(EL2)は、閥値以上の電界等の印加により
特定の色に発光し、発光の輝度はすぐに飽和し、電界が
更に上昇してもあまり変化しない。
特定の色に発光し、発光の輝度はすぐに飽和し、電界が
更に上昇してもあまり変化しない。
発光のヒステリシス性は殆んどない材料が用いられる。
発光時のインピーダンスの低下も殆んどない。電界等が
閥値以下に下ると発光を停止する。ELの印加電圧と発
光輝度との関係を第IA図に示す。その発光スペクトル
は第IB図の如くである。これらはZnS:Mnを用い
た場合である。ELとしてZnS:Cu、AIを用いた
場合の特性を第2A図、第28図に示す。EL,の発光
する色は第3図の色度表中でx=0.5吸入 y=0.
402の点(澄色)にあり、ELの色はx=0.189
、y=0.556の点(緑色)にある。
発光時のインピーダンスの低下も殆んどない。電界等が
閥値以下に下ると発光を停止する。ELの印加電圧と発
光輝度との関係を第IA図に示す。その発光スペクトル
は第IB図の如くである。これらはZnS:Mnを用い
た場合である。ELとしてZnS:Cu、AIを用いた
場合の特性を第2A図、第28図に示す。EL,の発光
する色は第3図の色度表中でx=0.5吸入 y=0.
402の点(澄色)にあり、ELの色はx=0.189
、y=0.556の点(緑色)にある。
これ等の2つの材料の光放出スペクトルを粗合せる事に
よりZnS:Cu、AI及びZnS:Mnに対する2つ
の指定された点を接続する直線の破線に沿う色が得られ
る。従って合成色は燈から澄黄、黄、緑味黄、黄緑、黄
味緑を経て緑に変る。第IA図で、EL,の特性をみる
と、電圧が閥値VT,以下では通常発光しない。
よりZnS:Cu、AI及びZnS:Mnに対する2つ
の指定された点を接続する直線の破線に沿う色が得られ
る。従って合成色は燈から澄黄、黄、緑味黄、黄緑、黄
味緑を経て緑に変る。第IA図で、EL,の特性をみる
と、電圧が閥値VT,以下では通常発光しない。
VT,をこえると発光し、出力輝度は図示のように電圧
に比例して上昇する。図上多くの異なった線はそれぞれ
の線の右端の位置迄輝度が上昇された後、電圧が下降さ
れた時に発光を持続するヒステリシス特性の経路を示す
。例えば電圧をVT.をこえて、Bのある線の右端の所
で示された輝度迄発光させた後、電圧をVT,迄戻して
も、発光が持続し、V,迄下ってもBの輝度を保ち、更
にV,一△V迄下ってもB′の値に発光し、電圧をVe
xの鱗尽電圧迄下げてやっと発光停止をする。第2A図
がELの特性で、閥値VT2をこえる電圧で発光し、例
えばV2十△Vの値で墨′の輝度で発光する。
に比例して上昇する。図上多くの異なった線はそれぞれ
の線の右端の位置迄輝度が上昇された後、電圧が下降さ
れた時に発光を持続するヒステリシス特性の経路を示す
。例えば電圧をVT.をこえて、Bのある線の右端の所
で示された輝度迄発光させた後、電圧をVT,迄戻して
も、発光が持続し、V,迄下ってもBの輝度を保ち、更
にV,一△V迄下ってもB′の値に発光し、電圧をVe
xの鱗尽電圧迄下げてやっと発光停止をする。第2A図
がELの特性で、閥値VT2をこえる電圧で発光し、例
えばV2十△Vの値で墨′の輝度で発光する。
電圧をVT2より下に下げると発光を停止する。閥値電
圧はEL,、EL2の層の厚さ等によって制御できる。
EL,とEL2の間並びに外側には適当な抵抗値の薄い
絶縁体を入れてもよいが、電極によってこれら全体に亘
つて厚さ方向に電圧がかけられた際に、EL,とEL2
とがそれぞれの抵抗値に応じて電圧を分担するようにな
っている。(第3図がその構造を示す)。前記のように
EL,の抵抗値は発光前と発光後で変り、ELのそれは
変らない。
圧はEL,、EL2の層の厚さ等によって制御できる。
EL,とEL2の間並びに外側には適当な抵抗値の薄い
絶縁体を入れてもよいが、電極によってこれら全体に亘
つて厚さ方向に電圧がかけられた際に、EL,とEL2
とがそれぞれの抵抗値に応じて電圧を分担するようにな
っている。(第3図がその構造を示す)。前記のように
EL,の抵抗値は発光前と発光後で変り、ELのそれは
変らない。
従って、或る一定電圧をEL,、ELの直列接続してい
る方向(厚さ)にかけておいても、BLの発光前と後と
では、EL、EL2の各々にかかる電圧は変化する。E
Lは電圧が低くなり、その分EL2の電圧が高くなる。
この高くなったELの電圧をELが発光する電圧になる
よう選ぶ事ができる。上記のEL,、EL2の発光体に
は発光時に発光を保持する支持電圧がかけられる。
る方向(厚さ)にかけておいても、BLの発光前と後と
では、EL、EL2の各々にかかる電圧は変化する。E
Lは電圧が低くなり、その分EL2の電圧が高くなる。
この高くなったELの電圧をELが発光する電圧になる
よう選ぶ事ができる。上記のEL,、EL2の発光体に
は発光時に発光を保持する支持電圧がかけられる。
その値はEL,の閥値△T,より低いV,と、EL2の
閥値VT2より低いV2との和Vsであり、かっこの電
圧が全体にかけられた時、EL,にはV,、ELにはV
2が分担されるように、各層の固有抵抗値を選んでおく
。どこも発光していない。ここで本発明の多色発光書き
こみ動作が行われる。ァドレッシング手段によって、発
光させるべき層部分に追加の電圧△Vsを加える。これ
はEL,とELの電圧をそれぞれ第IA図と第2A図で
関値以上に上昇させる。EL.はBののっている線の右
端迄励起され発光する。EL2もVT2をこえて電圧を
加えられB2′近辺の輝度で発光する。この時ELの抵
抗(インピーダンス)は低下する。そこでELの方に更
に高い電圧が加わる。この点で、△Vsが除かれる。
閥値VT2より低いV2との和Vsであり、かっこの電
圧が全体にかけられた時、EL,にはV,、ELにはV
2が分担されるように、各層の固有抵抗値を選んでおく
。どこも発光していない。ここで本発明の多色発光書き
こみ動作が行われる。ァドレッシング手段によって、発
光させるべき層部分に追加の電圧△Vsを加える。これ
はEL,とELの電圧をそれぞれ第IA図と第2A図で
関値以上に上昇させる。EL.はBののっている線の右
端迄励起され発光する。EL2もVT2をこえて電圧を
加えられB2′近辺の輝度で発光する。この時ELの抵
抗(インピーダンス)は低下する。そこでELの方に更
に高い電圧が加わる。この点で、△Vsが除かれる。
発光は持続する。この時、ELの抵抗値は発光前と異な
るのでELにかかる電圧は発光前のV,より低い。この
低くなった値を△Vとする。支持電圧の値は一定なので
、この分だけEL2に余計電圧がかかる。EL2はV2
十△Vをうけて、若しこの値がVT2をこえていれば発
光し、結局△Vsが加えられていた時から発光をつづけ
る。ELは電圧がV,一△Vになり、しかしB′の値で
発光をつづける。この書込みの結果、支持電圧だけをう
けているEL、EL2から、各々B,′(10.76×
10‐3ランバート)、及びQ′(43.04×10‐
3ランバート)で発光され、全体では各々の色を各々の
輝度で混合した色(緑に近い)になる。
るのでELにかかる電圧は発光前のV,より低い。この
低くなった値を△Vとする。支持電圧の値は一定なので
、この分だけEL2に余計電圧がかかる。EL2はV2
十△Vをうけて、若しこの値がVT2をこえていれば発
光し、結局△Vsが加えられていた時から発光をつづけ
る。ELは電圧がV,一△Vになり、しかしB′の値で
発光をつづける。この書込みの結果、支持電圧だけをう
けているEL、EL2から、各々B,′(10.76×
10‐3ランバート)、及びQ′(43.04×10‐
3ランバート)で発光され、全体では各々の色を各々の
輝度で混合した色(緑に近い)になる。
もし、より大きなスイッチング・インクレメント値△V
sが選択されると、結果の光放出はB,″及びB2″と
なる。
sが選択されると、結果の光放出はB,″及びB2″と
なる。
例えばB,″=107.6×10‐3ランバ−ト及び弦
″=59.18×10‐3ランバートは燈黄色を与える
。上記のように、本発明は、発光輝度ヒステリシス性(
色に関して多重性のある)及び光導電性によるインピー
ダンス変化性を持つEL,層と、電界発光性をもつEL
層の、各々の発光闇値、固有抵抗値支持電圧、スイッチ
ング用の追加インクレメソト電圧値を適正に選択するこ
とにより、多種の色の1つを発光し、その状態を保つメ
モリ性を有する発光体構造を与える。
″=59.18×10‐3ランバートは燈黄色を与える
。上記のように、本発明は、発光輝度ヒステリシス性(
色に関して多重性のある)及び光導電性によるインピー
ダンス変化性を持つEL,層と、電界発光性をもつEL
層の、各々の発光闇値、固有抵抗値支持電圧、スイッチ
ング用の追加インクレメソト電圧値を適正に選択するこ
とにより、多種の色の1つを発光し、その状態を保つメ
モリ性を有する発光体構造を与える。
これ迄に澄EL放射ZnS:Mnに対するB一Vヒステ
リシス効果が説明された。
リシス効果が説明された。
類似の効果は他のEL材料においても得られ得る。従っ
て、他のメモリEL薄膜がZ鷹:Mnに代って使用され
得る。ZnS:MnメモリELの場合、青色、白色から
樽色に至る多重色変動が達成され得る様に(第3図)E
L(ZnS:Cu、AI緑色)に代ってZnS:Cu、
Mn(例えば、1%Cu、0.02一0.05%Mn)
(第3図に示された如き青色放射)を使用する事が可能
である。もしくはZnS:Mn、TbF3青色ELが選
択され得る。色選択のより大きな柔軟性を得るために本
発明の実施例のために、より一般的配列体においては上
述の場合と同様にして3もしくはそれ以上のEL層がア
ドレスされ得る。
て、他のメモリEL薄膜がZ鷹:Mnに代って使用され
得る。ZnS:MnメモリELの場合、青色、白色から
樽色に至る多重色変動が達成され得る様に(第3図)E
L(ZnS:Cu、AI緑色)に代ってZnS:Cu、
Mn(例えば、1%Cu、0.02一0.05%Mn)
(第3図に示された如き青色放射)を使用する事が可能
である。もしくはZnS:Mn、TbF3青色ELが選
択され得る。色選択のより大きな柔軟性を得るために本
発明の実施例のために、より一般的配列体においては上
述の場合と同様にして3もしくはそれ以上のEL層がア
ドレスされ得る。
本発明のマトリックス・アドレス実施例が第4図を参照
して説明され得る。
して説明され得る。
これは透明基板12、例えばガラスより成り、これを通
して究極的表示が眼13等によって知覚される。複数個
のX方向にアドレスされる電極X,,X2・・・・・・
・…・…・Xnが基板12上に形成され、電極は同様に
透明であり、例えばSn02でありもしくは例えばアル
ミニウムの金属薄膜であり得る。×方向導体上には例え
ばチタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化イットリ
ウムもしくは窒化ケイ素より成る絶縁体薄膜16が付着
される。サンドイッチ実施例10中で次に例えばZnS
:Cu、N:もしくはZnS:CいMn;もしくはZn
S:Mh、TbF3より成るEL2層が釆 る 。th
e Joint Electron DeviceEn
gineenng Counselsによって登録され
、P肋比ationNo.1に(Aug雌t28、19
75)中に発表されたものと類似の多くの蟹光体がEL
薄膜18として使用されるのに適している。他の絶縁層
20がEL2薄膜に接して形成され得、これは絶縁層1
6に対して既に同定されたものと類似の材料より成る。
して究極的表示が眼13等によって知覚される。複数個
のX方向にアドレスされる電極X,,X2・・・・・・
・…・…・Xnが基板12上に形成され、電極は同様に
透明であり、例えばSn02でありもしくは例えばアル
ミニウムの金属薄膜であり得る。×方向導体上には例え
ばチタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化イットリ
ウムもしくは窒化ケイ素より成る絶縁体薄膜16が付着
される。サンドイッチ実施例10中で次に例えばZnS
:Cu、N:もしくはZnS:CいMn;もしくはZn
S:Mh、TbF3より成るEL2層が釆 る 。th
e Joint Electron DeviceEn
gineenng Counselsによって登録され
、P肋比ationNo.1に(Aug雌t28、19
75)中に発表されたものと類似の多くの蟹光体がEL
薄膜18として使用されるのに適している。他の絶縁層
20がEL2薄膜に接して形成され得、これは絶縁層1
6に対して既に同定されたものと類似の材料より成る。
第2の電界発光薄膜ELが絶縁層20に隣接して形成さ
れ、これはその輝度対電圧曲線中においてヒステリシス
特性を有し、蟹光材料ZnS:Mnによって例示される
。例示的ZnS:Mh蟹光材料中のヒステリシス特性に
関する参考文献はY.Yam凪uchietal著の伍
EE、lEDMDigest、1974pp.348一
351中の論文である。本発明の実施例は記憶効果を有
する上音Z船:Mhの使用に制限されない。
れ、これはその輝度対電圧曲線中においてヒステリシス
特性を有し、蟹光材料ZnS:Mnによって例示される
。例示的ZnS:Mh蟹光材料中のヒステリシス特性に
関する参考文献はY.Yam凪uchietal著の伍
EE、lEDMDigest、1974pp.348一
351中の論文である。本発明の実施例は記憶効果を有
する上音Z船:Mhの使用に制限されない。
比肩さるべきヒステリシス効果特性を有する他の材料が
、ヒステリシス効果の現われる基が、ェネルギ入力の結
果として材料内に電子及び正孔の分極に関連する物理的
機構として潜在的に使用可能である。例えば第4図の実
施例の場合には、ェネルギは外部電場から生ずる。第5
A図及び第5B図に示された実施例の場合には、必要と
される露場の一部は外部的に印加され、その他の部分は
放射の形のェネルギ、例えばレーザ・ビ−ムもしくは電
子ビームのェネルギの形で誘導される実施例10の場合
、その組成が上記の絶縁層16及び20のものと類似の
ものである他の絶縁層24が続く。次に、Y方向駆動電
極Y,Y2…・・・・・…・・・・Ynが絶縁層24上
に形成され×方向駆動電極と同一数存在するものとして
示されている。しかしながら、上記×方向及びY方向駆
動電極の数は所望の面形状の寸法に依存して異なり得る
。実施例10のサンドイッチ構造の最終層は透明であっ
てもなくてもよい。視点13と反対方向の側から眺める
必要のない場合には透明でない事が好ましい絶縁層28
である。夫々一対の×駆動電極及びY駆動電極によって
形成される各交差点は本発明に従い予定の色特性を有す
る光放出領域を決定する。実施例10を完結する構造素
子がここで説明される。
、ヒステリシス効果の現われる基が、ェネルギ入力の結
果として材料内に電子及び正孔の分極に関連する物理的
機構として潜在的に使用可能である。例えば第4図の実
施例の場合には、ェネルギは外部電場から生ずる。第5
A図及び第5B図に示された実施例の場合には、必要と
される露場の一部は外部的に印加され、その他の部分は
放射の形のェネルギ、例えばレーザ・ビ−ムもしくは電
子ビームのェネルギの形で誘導される実施例10の場合
、その組成が上記の絶縁層16及び20のものと類似の
ものである他の絶縁層24が続く。次に、Y方向駆動電
極Y,Y2…・・・・・…・・・・Ynが絶縁層24上
に形成され×方向駆動電極と同一数存在するものとして
示されている。しかしながら、上記×方向及びY方向駆
動電極の数は所望の面形状の寸法に依存して異なり得る
。実施例10のサンドイッチ構造の最終層は透明であっ
てもなくてもよい。視点13と反対方向の側から眺める
必要のない場合には透明でない事が好ましい絶縁層28
である。夫々一対の×駆動電極及びY駆動電極によって
形成される各交差点は本発明に従い予定の色特性を有す
る光放出領域を決定する。実施例10を完結する構造素
子がここで説明される。
同様に30一1,30−2・・・・・・・…・…・30
−nと番号の付されたX駆動電極は、X1、X2・・・
…・・…・…Xn駆動電極によって決定される如きディ
スプレイの空間及び時間的特性を確立するための必要な
すべての電子装置より成る。Y駆動電極は同機に34一
1,34−2……………34一nと番号され、Y駆動回
路36に接続される。回路36はY方向電極によって制
御されるディスプレイの文字を決定するためのすべての
必要な電子装置より成る。従って×駆動回路32及びY
駆動回路36の協同動作により色特性のみならず時間及
び空間的特性において変動する実施例1川こよって多重
色ディスプレイが形成される。第4図に示された実施例
10の実際の構造の場合には、EL,層22及びEL2
層18並びに絶縁層16,20及び24は通常の手順に
より葵着及びスパックリングのいずれかにより各々形成
され得る。
−nと番号の付されたX駆動電極は、X1、X2・・・
…・・…・…Xn駆動電極によって決定される如きディ
スプレイの空間及び時間的特性を確立するための必要な
すべての電子装置より成る。Y駆動電極は同機に34一
1,34−2……………34一nと番号され、Y駆動回
路36に接続される。回路36はY方向電極によって制
御されるディスプレイの文字を決定するためのすべての
必要な電子装置より成る。従って×駆動回路32及びY
駆動回路36の協同動作により色特性のみならず時間及
び空間的特性において変動する実施例1川こよって多重
色ディスプレイが形成される。第4図に示された実施例
10の実際の構造の場合には、EL,層22及びEL2
層18並びに絶縁層16,20及び24は通常の手順に
より葵着及びスパックリングのいずれかにより各々形成
され得る。
本発明の他の実施例は第5A図及び第5B図を参照して
説明される。
説明される。
第5A図は本発明の原理に従い放射線例えば電子ビーム
もしくはレーザ・ビームにより電界発光ディスプレイを
アドレスするためのビーム管の一般的特徴を示す。第5
8図はディスプレイの目的のために第5A図の管42中
に搭載される電界発光サンドイッチ40の構造を示す。
第5B図に示された構造4川ま第4図の具体例10のデ
ィスプレイ部分構造体と類似のものであり、例外として
電極が連続的でありその上に本発明に従い多重色ディス
プレイを与えるためのサンドイッチ構造体が固定される
管42のためのフロント・ガラス板44が更に存在する
。説明の便利のために、第5B図における対応素子は第
4図に与えられたものと同一番号にプライムが付されて
いる。第5A図に示された表示管42の構造体は表示部
40を除き通常のものであり、本明細書では一般的にの
み説明される。ビーム管42はその中にディスプレイを
アドレスするためのビームを与えるための構造体48が
存在するハウジング46より成る。
もしくはレーザ・ビームにより電界発光ディスプレイを
アドレスするためのビーム管の一般的特徴を示す。第5
8図はディスプレイの目的のために第5A図の管42中
に搭載される電界発光サンドイッチ40の構造を示す。
第5B図に示された構造4川ま第4図の具体例10のデ
ィスプレイ部分構造体と類似のものであり、例外として
電極が連続的でありその上に本発明に従い多重色ディス
プレイを与えるためのサンドイッチ構造体が固定される
管42のためのフロント・ガラス板44が更に存在する
。説明の便利のために、第5B図における対応素子は第
4図に与えられたものと同一番号にプライムが付されて
いる。第5A図に示された表示管42の構造体は表示部
40を除き通常のものであり、本明細書では一般的にの
み説明される。ビーム管42はその中にディスプレイを
アドレスするためのビームを与えるための構造体48が
存在するハウジング46より成る。
ビーム形成部48は実施例の1つの形では電子ビームを
与え他の形ではしーザ・ビームを与えるビーム源50を
含む。真空ェンベロープ46はしーザ・ビーム・アドレ
ス構成には必要とされない。ビーム形成部8は同様に電
子ビームの場合は水平及び垂直偏向電極もしくは磁気偏
向装置を含み及びレ−ザ・ビーム偏向の場合にはしーザ
・ビームの偏向を生ずる電場付勢材料を含む偏向装置5
2より成る。X方向偏向回路54は導線56によってビ
−ム偏向ユニット52に接続され、Y方向偏向回路58
は導線6川こよってビーム偏向ユニット52に接続され
ている。第5A図の実施例は次のように動作する。回路
62から導線64,66によって基板12′,28′の
上の電極に電圧が加えられ、その値は絶縁体薄膜16′
,20′,24′を通してEL層18′、とEL,層2
2′に加えられる電圧が各々に閥値以下の電界しか与え
ないような値である。電子ビーム又はしーザ・ビームを
与えるビーム源50からのビームが偏向装置52により
制御されて、EL,層18′のうち所望の箇所に衝突し
、この個所の閥値をこえる値の、電界と鰭射の同時印加
を与える。EL,層のこの個所が発光する。この発光に
よりインピーダンスが低下し、EL層のこの個所に絶縁
体薄膜を介して接するEL層にかかる電界が上昇して閥
値をこえ、発光させる。ここで、EL,層もEL2層も
同じ個所で発光する。ビームが取り去られてもEL,層
のインピーダンス低下により、発光が保たれる。ビーム
源50‘こは導線7川こよりビーム駆動回路68からェ
ネルギが与えられ、構造体40を打撃するビームが発生
される。
与え他の形ではしーザ・ビームを与えるビーム源50を
含む。真空ェンベロープ46はしーザ・ビーム・アドレ
ス構成には必要とされない。ビーム形成部8は同様に電
子ビームの場合は水平及び垂直偏向電極もしくは磁気偏
向装置を含み及びレ−ザ・ビーム偏向の場合にはしーザ
・ビームの偏向を生ずる電場付勢材料を含む偏向装置5
2より成る。X方向偏向回路54は導線56によってビ
−ム偏向ユニット52に接続され、Y方向偏向回路58
は導線6川こよってビーム偏向ユニット52に接続され
ている。第5A図の実施例は次のように動作する。回路
62から導線64,66によって基板12′,28′の
上の電極に電圧が加えられ、その値は絶縁体薄膜16′
,20′,24′を通してEL層18′、とEL,層2
2′に加えられる電圧が各々に閥値以下の電界しか与え
ないような値である。電子ビーム又はしーザ・ビームを
与えるビーム源50からのビームが偏向装置52により
制御されて、EL,層18′のうち所望の箇所に衝突し
、この個所の閥値をこえる値の、電界と鰭射の同時印加
を与える。EL,層のこの個所が発光する。この発光に
よりインピーダンスが低下し、EL層のこの個所に絶縁
体薄膜を介して接するEL層にかかる電界が上昇して閥
値をこえ、発光させる。ここで、EL,層もEL2層も
同じ個所で発光する。ビームが取り去られてもEL,層
のインピーダンス低下により、発光が保たれる。ビーム
源50‘こは導線7川こよりビーム駆動回路68からェ
ネルギが与えられ、構造体40を打撃するビームが発生
される。
第IA図は本発明に使用される1つの電界発光材料の輝
度対印加電圧のヒステリシス曲線の絹を示した図である
。 第IB図はMnが添加されたZnSの如き材料からの特
性強度を波長の関数として示した図である。第2A図は
本発明に使用される他の電界発光材料のための特性輝度
対電圧飽和曲線を示した図である。第28図はCu及び
山が添加されたZnSの如き材料(ZnS:Cu、AI
)からの光放出の特性強度を波長の関数として示した図
である。第3図は本発明のディスプレイ装置の色彩能力
を示した、赤、緑及び青の3原色源の種々の組合せに対
する色領域を示した代表的ケリー・チャートの図である
。第4図は本発明に従う異なる電界発光材料の2層を含
む層構造体の夫々の領域を付勢する2つのアドレス用直
交導体マトリックスによって表示が得られる事を示した
本発明の実施例の概略的透視図である。10…・・・多
重色ディスプレイ装置実施例、12・・・・・・透明基
板、13・・・・・・眼、14…・・・×方向アドレス
電極、16・・・・・・絶縁層、18・・・…EL2層
、20・・・・・・絶縁層、22・・・・・・EL層、
24・・・・・・絶縁層、26・・・・・・Y方向アド
レス電極、32・・・・・・×駆動回路、36・・・・
・・Y駆動回路。 第5A図は本発明の他の実施例の概略図である。第5B
図は第5A図の実施例において使用される層構造体を示
す。FIG.IA F量G・IB FIG.2A FIG.28 FIG.S F!G.4 FIG.5A FIG.5B
度対印加電圧のヒステリシス曲線の絹を示した図である
。 第IB図はMnが添加されたZnSの如き材料からの特
性強度を波長の関数として示した図である。第2A図は
本発明に使用される他の電界発光材料のための特性輝度
対電圧飽和曲線を示した図である。第28図はCu及び
山が添加されたZnSの如き材料(ZnS:Cu、AI
)からの光放出の特性強度を波長の関数として示した図
である。第3図は本発明のディスプレイ装置の色彩能力
を示した、赤、緑及び青の3原色源の種々の組合せに対
する色領域を示した代表的ケリー・チャートの図である
。第4図は本発明に従う異なる電界発光材料の2層を含
む層構造体の夫々の領域を付勢する2つのアドレス用直
交導体マトリックスによって表示が得られる事を示した
本発明の実施例の概略的透視図である。10…・・・多
重色ディスプレイ装置実施例、12・・・・・・透明基
板、13・・・・・・眼、14…・・・×方向アドレス
電極、16・・・・・・絶縁層、18・・・…EL2層
、20・・・・・・絶縁層、22・・・・・・EL層、
24・・・・・・絶縁層、26・・・・・・Y方向アド
レス電極、32・・・・・・×駆動回路、36・・・・
・・Y駆動回路。 第5A図は本発明の他の実施例の概略図である。第5B
図は第5A図の実施例において使用される層構造体を示
す。FIG.IA F量G・IB FIG.2A FIG.28 FIG.S F!G.4 FIG.5A FIG.5B
Claims (1)
- 1 透明基板上に配置した透明な第1の電極と、上記第
1の電極上に付着された透明な第1の絶縁体薄膜と、上
記第1の絶縁薄膜上に置かれ、閾値以上の電界をうけて
第1の色を発光し、電界等の値が増大してもその輝度が
比較的変わらない第1の電界発光体層と、上記第1の電
界発光体層の上に付着された透明な第2の絶縁体薄膜と
、上記第2の絶縁体薄膜上に配置され、閾値以上の電界
或は電界と輻射の同時印加(以下電界等と称す)をうけ
て発光し、かつ電界等の値に応じて異なる輝度の第2の
色を発光し、異なる量のインピーダンス低下を発生し、
その後電界等が閾値以下に低下しても、上記の発光とイ
ンピーダンス低下を保持するヒステリシス性を有する第
2の電界発光体層と、上記第2の電界発光体層上に付着
された第3の絶縁体薄膜と、基板上に付着され上記第3
の絶縁体薄膜を介して上記第2の電界発光体層に電界を
印加するよう配置された第2の電極と、上記第1の電極
と上記第2の電極との間に、上記第1の発光体層と上記
第2の発光体層の各々のインピーダンスに応じて分担さ
れ、且つ各々の閾値に至らない値の電界をそれぞれに印
加する電圧を加える第1の印加手段と、上記第2の発光
体層に対してその閾値をこえる電界を与えるように上記
第1の印加手段の電圧に付加される第2の電圧を印加す
るか、或は上記第2の発光体層に対してその閾値をこえ
るような電界と輻射の同時印加を与えるように上記第1
の印加手段の電圧に加えて電子ビーム又はレーザ・ビー
ムを印加することにより上記第2の発光体層が所望の輝
度で発光し、この輝度ヒステリシス特性に対応するイン
ピーダンス低下が発生し、それにより第2の発光体層の
分担する電圧が低下し、第1の発光体層の分担する電圧
がそれだけ増加してその閾値をこえ、そのためこの追加
して印加された電界等が除去された後も上記第1の発光
体層の発光と第2の発光体層の発光が接続するようなス
イツチング手段を含むメモリ性デイスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/861,597 US4155030A (en) | 1977-12-19 | 1977-12-19 | Multicolor display device using electroluminescent phosphor screen with internal memory and high resolution |
| US861597 | 1977-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5487432A JPS5487432A (en) | 1979-07-11 |
| JPS6040617B2 true JPS6040617B2 (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=25336238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53127912A Expired JPS6040617B2 (ja) | 1977-12-19 | 1978-10-19 | メモリ性デイスプレイ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4155030A (ja) |
| EP (1) | EP0003250B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6040617B2 (ja) |
| CA (1) | CA1122640A (ja) |
| DE (1) | DE2860919D1 (ja) |
| IT (1) | IT1160351B (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108570A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Method of fabricating fluorescent display unit |
| US4303913A (en) * | 1978-08-25 | 1981-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fluorescent display device and display apparatus using the same |
| FR2447607A1 (fr) * | 1979-01-29 | 1980-08-22 | Tarragon Denis | Transducteur electroluminescent chromatique et ses applications en synthese additive |
| JPS56107289A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| FR2513438A1 (fr) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | Thomson Csf | Tube intensificateur d'images a memoire et mode de mise en oeuvre |
| US4442136A (en) * | 1982-03-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Electroluminescent display with laser annealed phosphor |
| JPS60202685A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 固体発光装置 |
| US5019807A (en) * | 1984-07-25 | 1991-05-28 | Staplevision, Inc. | Display screen |
| US4646079A (en) * | 1984-09-12 | 1987-02-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-scanning electroluminescent display |
| US4719385A (en) * | 1985-04-26 | 1988-01-12 | Barrow William A | Multi-colored thin-film electroluminescent display |
| FR2582130B1 (fr) * | 1985-05-20 | 1987-08-14 | Menn Roger | Ecran matriciel electroluminescent trichrome et procede de fabrication |
| JPS62122094A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | アルプス電気株式会社 | カラ−薄膜el表示素子 |
| US4689522A (en) * | 1985-12-03 | 1987-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administator Of The National Aeronautics And Space Administration | Flat-panel, full-color, electroluminescent display |
| US4900584A (en) * | 1987-01-12 | 1990-02-13 | Planar Systems, Inc. | Rapid thermal annealing of TFEL panels |
| JPH0632298B2 (ja) * | 1987-08-31 | 1994-04-27 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置 |
| GB2214706B (en) * | 1988-01-29 | 1992-06-03 | Ferranti Plc | Colour-monochrome visual display device |
| JP2582644B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1997-02-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 平面型画像表示装置 |
| US5644327A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate |
| US6069597A (en) * | 1997-08-29 | 2000-05-30 | Candescent Technologies Corporation | Circuit and method for controlling the brightness of an FED device |
| GB2329740A (en) | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Sharp Kk | A display device and a method of driving a display device |
| US6897855B1 (en) * | 1998-02-17 | 2005-05-24 | Sarnoff Corporation | Tiled electronic display structure |
| JP2000133452A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分散型多色発光elランプおよびこれを用いたelランプユニット |
| US6498592B1 (en) | 1999-02-16 | 2002-12-24 | Sarnoff Corp. | Display tile structure using organic light emitting materials |
| CN1327473C (zh) * | 2000-10-25 | 2007-07-18 | 松下电器产业株式会社 | 电场发射型电子源元件、电子枪、阴极射线管装置以及阴极射线管的制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB818106A (en) * | 1957-02-25 | 1959-08-12 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to cathode ray tubes |
| USRE24540E (en) | 1951-04-10 | 1958-09-23 | Electroluminescent light means | |
| US3388277A (en) * | 1966-09-27 | 1968-06-11 | Navy Usa | Electroluminescent device comprising electroluminescent films emitting light of complementary colors |
| US3600172A (en) * | 1968-12-11 | 1971-08-17 | Polaroid Corp | Process for producing image patterns in layers comprising electrophotoluminescent materials |
| US3786373A (en) * | 1971-10-01 | 1974-01-15 | Raytheon Co | Temperature compensated acoustic surface wave device |
| JPS5437800B2 (ja) * | 1973-06-19 | 1979-11-16 | ||
| US4035774A (en) * | 1975-12-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | Bistable electroluminescent memory and display device |
-
1977
- 1977-12-19 US US05/861,597 patent/US4155030A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-08-25 CA CA310,050A patent/CA1122640A/en not_active Expired
- 1978-10-19 JP JP53127912A patent/JPS6040617B2/ja not_active Expired
- 1978-12-01 EP EP78300704A patent/EP0003250B1/en not_active Expired
- 1978-12-01 DE DE7878300704T patent/DE2860919D1/de not_active Expired
- 1978-12-15 IT IT7830879A patent/IT1160351B/it active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1160351B (it) | 1987-03-11 |
| JPS5487432A (en) | 1979-07-11 |
| US4155030A (en) | 1979-05-15 |
| EP0003250B1 (en) | 1981-08-05 |
| DE2860919D1 (en) | 1981-11-05 |
| EP0003250A1 (en) | 1979-08-08 |
| CA1122640A (en) | 1982-04-27 |
| IT7830879A0 (it) | 1978-12-15 |
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