JPH04101391A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH04101391A JPH04101391A JP2218022A JP21802290A JPH04101391A JP H04101391 A JPH04101391 A JP H04101391A JP 2218022 A JP2218022 A JP 2218022A JP 21802290 A JP21802290 A JP 21802290A JP H04101391 A JPH04101391 A JP H04101391A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- phosphor
- fluorescent substance
- electric conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は発光素子、特にＭＩＭと螢光体を利用する発光
素子に関し、フラットパネルデイスプレィ等発光素子の
応用分野にはすべて利用できるものである。
素子に関し、フラットパネルデイスプレィ等発光素子の
応用分野にはすべて利用できるものである。
［従来の技術］
従来ＭＩＭ構造の発光素子か知られている。
この構造を第２図に示す。基板上にＡ１等の第１の金属
層を形成し、この表面に絶縁体層を形成し、更にこの表
面に形成したＡｕ等の第２の金属層から構成され、第１
の金属層と第２の金属層との間に電圧を印加することに
よって発光が得られる。
層を形成し、この表面に絶縁体層を形成し、更にこの表
面に形成したＡｕ等の第２の金属層から構成され、第１
の金属層と第２の金属層との間に電圧を印加することに
よって発光が得られる。
しかし、この発光素子の発光スペクトルは４００−１０
００ｎｍの範囲を示す非常にブロードな発光であり、そ
のため輝度の大きい３原色の素子か必要とされるデイス
プレィ装置等にこの発光素子を用いることかできなかっ
た。このような問題点を解決する方法として、特開昭６
３−２３２２９５がある。これによればその公報の第１
図に示すように螢光体層を第２電極と絶縁体層の間に挿
入することで、螢光体により決まる特定の波長か発光す
ると同時に、絶縁体層をトンネルした電子によっても直
接励起されて強い発光が生じるとある。
００ｎｍの範囲を示す非常にブロードな発光であり、そ
のため輝度の大きい３原色の素子か必要とされるデイス
プレィ装置等にこの発光素子を用いることかできなかっ
た。このような問題点を解決する方法として、特開昭６
３−２３２２９５がある。これによればその公報の第１
図に示すように螢光体層を第２電極と絶縁体層の間に挿
入することで、螢光体により決まる特定の波長か発光す
ると同時に、絶縁体層をトンネルした電子によっても直
接励起されて強い発光が生じるとある。
しかし、この構成では形成された絶縁体層の膜厚が２０
−３０２と非常に薄いため、螢光体層形成時の損傷が無
視できず、結果として素子の安定性や再現性に問題かあ
る。又、螢光体層の膜厚も１０−２０人と非常に薄く、
螢光体として十分な特性を得るためには、粒径が数μｍ
必要であることを考えれば、この膜厚では十分な発光強
度は得られない事が予想できる。更にトンネルした電子
による励起を考えたとき、電子のエネルギーは印加した
電圧によって決まり、一方、トンネルした電子は数ｅＶ
程度である二とから、用いる螢光体材料の特性によって
は発光しないことが考えられる。
−３０２と非常に薄いため、螢光体層形成時の損傷が無
視できず、結果として素子の安定性や再現性に問題かあ
る。又、螢光体層の膜厚も１０−２０人と非常に薄く、
螢光体として十分な特性を得るためには、粒径が数μｍ
必要であることを考えれば、この膜厚では十分な発光強
度は得られない事が予想できる。更にトンネルした電子
による励起を考えたとき、電子のエネルギーは印加した
電圧によって決まり、一方、トンネルした電子は数ｅＶ
程度である二とから、用いる螢光体材料の特性によって
は発光しないことが考えられる。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は高輝度でしかも安定で再現性よく作製できる発
光素子を提供しようとするものである。
光素子を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明の構成は、特許請求の
範囲に記載のとおりの発光素子である。
範囲に記載のとおりの発光素子である。
第１図に本発明による素子の構造を示す。本発明では図
に示すような位置に螢光体層を形成することで、従来技
術の欠点であった絶縁体層への損傷を回避し、安定でし
かも再現性のある素子が実現でき、かつ発光強度も向上
する。又、各螢光体層の組み合わせによって、各螢光体
の発光色の加色混合や、各螢光体の発光強度を印加電圧
によって調整することで、電圧制御による多色発光素子
か実現できる。
に示すような位置に螢光体層を形成することで、従来技
術の欠点であった絶縁体層への損傷を回避し、安定でし
かも再現性のある素子が実現でき、かつ発光強度も向上
する。又、各螢光体層の組み合わせによって、各螢光体
の発光色の加色混合や、各螢光体の発光強度を印加電圧
によって調整することで、電圧制御による多色発光素子
か実現できる。
螢光体の励起についてはＭＩＭ素子からの発光による励
起とトンネル電子による励起の２通りか考えられるか、
各螢光体層をトンネル電子で励起するためには、絶縁体
層、第１．２の導電体層それぞれの膜厚か非常に薄い必
要かある。
起とトンネル電子による励起の２通りか考えられるか、
各螢光体層をトンネル電子で励起するためには、絶縁体
層、第１．２の導電体層それぞれの膜厚か非常に薄い必
要かある。
特に絶縁体層は電子がトンネルする必要かあることから
、膜厚は数人から数百人、望ましくは２０から ２００
人、最適には２０から １００人程度か望ましい。更に
上記範囲の膜厚で、絶縁性を示す必要かあることはいう
までもない。絶縁体層の作製方法としては、上記範囲の
膜厚を制御できる作製方法であれば特に制限はない。又
、同時に各層それぞれが透光性を有する必要がある。
、膜厚は数人から数百人、望ましくは２０から ２００
人、最適には２０から １００人程度か望ましい。更に
上記範囲の膜厚で、絶縁性を示す必要かあることはいう
までもない。絶縁体層の作製方法としては、上記範囲の
膜厚を制御できる作製方法であれば特に制限はない。又
、同時に各層それぞれが透光性を有する必要がある。
又、第２の螢光体層の作製方法としては、下地への損傷
が小さい方か望ましく、そのため塗布法もしくは真空蒸
着法やＣＶＤ法などが望ましい。
が小さい方か望ましく、そのため塗布法もしくは真空蒸
着法やＣＶＤ法などが望ましい。
基板については特に制限はないが、発光の取り出し方向
を基板側とした場合、透光性を有する必要がある。その
際は第１の螢光体層も、透光性を有する必要がある。又
、膜形成側から発光を取り出す場合、第２の螢光体層が
透光性を有する必要がある。
を基板側とした場合、透光性を有する必要がある。その
際は第１の螢光体層も、透光性を有する必要がある。又
、膜形成側から発光を取り出す場合、第２の螢光体層が
透光性を有する必要がある。
［実施例］
以下、本発明を実施例によって、具体的に説明する。
実施例１
ここでは、第１図に示すような素子構造を有する発光素
子を作製した。基板１にはガラス基板を用いた。基板の
上に第１の螢光体層５として、低速電子線用螢光体材料
であるＺｎＯ：Ｚｎを塗布法により形成した。次に第１
の導電体層６としてＡ１薄膜を約１００人、抵抗線加熱
により形成した。次に絶縁体層７として空気中で約１５
０−２００℃、４０分間加熱を行い、Ａ１の表面に約３
Ｏ−５ＯＡの表面酸化層を形成した。
子を作製した。基板１にはガラス基板を用いた。基板の
上に第１の螢光体層５として、低速電子線用螢光体材料
であるＺｎＯ：Ｚｎを塗布法により形成した。次に第１
の導電体層６としてＡ１薄膜を約１００人、抵抗線加熱
により形成した。次に絶縁体層７として空気中で約１５
０−２００℃、４０分間加熱を行い、Ａ１の表面に約３
Ｏ−５ＯＡの表面酸化層を形成した。
更に第２の導電体層８としてＡｕ薄膜を約１００人、抵
抗線加熱により形成した。そして最後に第２の螢光体層
９として、第１の螢光体層５と同様にＺｎＯ：Ｚｎを形
成した。
抗線加熱により形成した。そして最後に第２の螢光体層
９として、第１の螢光体層５と同様にＺｎＯ：Ｚｎを形
成した。
このようにして作製した素子を、交流電圧を用い、各導
電体層に印加した。その結果、良好なＺｎＯ： Ｚｎ螢
光体の発光が得られた。
電体層に印加した。その結果、良好なＺｎＯ： Ｚｎ螢
光体の発光が得られた。
なお、本実施例では、絶縁体層の材料として第１の導電
体層であるＡＩ薄膜の表面酸化であるＡｌ２Ｏ３を用い
たが、本発明の効果は、これらに制限はされず、他の材
料や作製方法でも同様な効果は得られた。
体層であるＡＩ薄膜の表面酸化であるＡｌ２Ｏ３を用い
たが、本発明の効果は、これらに制限はされず、他の材
料や作製方法でも同様な効果は得られた。
実施例２
ここでは、実施例１における絶縁体層７であるＡｌ２Ｏ
３層の替わりに有機絶縁体材料であるポリイミドをＬＢ
法により約３０〜５０人形成した以外は、実施例１と同
じ条件で発光素子を作製した。
３層の替わりに有機絶縁体材料であるポリイミドをＬＢ
法により約３０〜５０人形成した以外は、実施例１と同
じ条件で発光素子を作製した。
その結果は実施例１と同じく、良好なＺｎＯ：Ｚｎ螢光
体の発光か得られた。
体の発光か得られた。
また、他の材料や作製方法でも同様な効果が得られた。
［発明の効果］
以上、説明したように、本発明の発光素子は安定で再現
性が良く、輝度の高い発光をすることができる。
性が良く、輝度の高い発光をすることができる。
第１図は本発明の発光素子の構成を示す断面の模式図、
第２図は、従来のＭＩＭ構造の発光素子の構成を示す断
面の模式図である。
面の模式図である。
Claims (2)
- （１）基板上に第１の螢光体層を有し、その表面に第１
の導電体層とその表面に形成した無機材料からなる絶縁
体層を有し、更にこの絶縁体層の表面に第２の導電体層
を有し、更にこの導電体層の表面に、第２の螢光体層を
有し、前記第１の導電体層と第２の導電体層の間に電圧
を印加するような構成を有することを特徴とする発光素
子。 - （２）第１の導電体層の表面に形成した無機材料からな
る絶縁体層の替わりに、有機材料からなる絶縁体層を有
することを特徴とする請求（１）記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218022A JPH04101391A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218022A JPH04101391A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101391A true JPH04101391A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16713405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2218022A Pending JPH04101391A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04101391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960005734A (ko) * | 1994-07-26 | 1996-02-23 | 윤종용 | 평판 표시소자 |
| WO2003093897A1 (en) * | 2002-04-29 | 2003-11-13 | General Electric Company | A polymeric substrate for display and light emitting devices |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP2218022A patent/JPH04101391A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960005734A (ko) * | 1994-07-26 | 1996-02-23 | 윤종용 | 평판 표시소자 |
| WO2003093897A1 (en) * | 2002-04-29 | 2003-11-13 | General Electric Company | A polymeric substrate for display and light emitting devices |
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