JPS6041147B2 - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6041147B2 JPS6041147B2 JP9284677A JP9284677A JPS6041147B2 JP S6041147 B2 JPS6041147 B2 JP S6041147B2 JP 9284677 A JP9284677 A JP 9284677A JP 9284677 A JP9284677 A JP 9284677A JP S6041147 B2 JPS6041147 B2 JP S6041147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sputter
- integrated power
- power
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパッチ式スパッタ装置の改良に関する。
スパッタ膜厚の制御方法として従来の二極スパッタ方式
ではスパッタ電圧を一定にしスパッタ時間で制御する方
法が一般的に良く用いられている。
ではスパッタ電圧を一定にしスパッタ時間で制御する方
法が一般的に良く用いられている。
しかし、マグネトロンスパッタ方式では次のような問題
があった。すなわち、第１にターゲット材が局部的に減
少してゆくため長時間スパッタを行なうとスパッタ電圧
を一定に保持してもスパッタ電流が変化し、かつスパッ
タ速度が変化すること、第２に、スパッタ時アルゴンガ
ス圧の若干の変化がスパッタ電流の増減に与える影響が
大きいこと等の問題点があった。このため、前記膜厚制
御方法では能率良く膜厚の均一な薄膜を作成することが
困難であった。本発明は上記欠点を除き、スパッタ電圧
及び電流が変化しても所望膜厚のスパッタ膜を再現性良
くしかも能率良く得ることのできるスパッタ装置を提供
するものである。
があった。すなわち、第１にターゲット材が局部的に減
少してゆくため長時間スパッタを行なうとスパッタ電圧
を一定に保持してもスパッタ電流が変化し、かつスパッ
タ速度が変化すること、第２に、スパッタ時アルゴンガ
ス圧の若干の変化がスパッタ電流の増減に与える影響が
大きいこと等の問題点があった。このため、前記膜厚制
御方法では能率良く膜厚の均一な薄膜を作成することが
困難であった。本発明は上記欠点を除き、スパッタ電圧
及び電流が変化しても所望膜厚のスパッタ膜を再現性良
くしかも能率良く得ることのできるスパッタ装置を提供
するものである。
本発明のスパッタ装置は、スパッタ電流とスパッタ電圧
とからスパッタ積算電力を求める積算電力検出部と、あ
らかじめ所望積算電力を設定できる設定積算電力計と、
前記スパッタ積算電力を前記設定積算電力値と比較し、
一致したときに電源に信号を送ることのできる比較器と
を具備していることを特徴とする。
とからスパッタ積算電力を求める積算電力検出部と、あ
らかじめ所望積算電力を設定できる設定積算電力計と、
前記スパッタ積算電力を前記設定積算電力値と比較し、
一致したときに電源に信号を送ることのできる比較器と
を具備していることを特徴とする。
本発明のスパッタ装置を用いるとスパッタ電流、電圧が
変動しても所望膜厚のスパッタ膜を再現性良く、能率良
く得ることができる。
変動しても所望膜厚のスパッタ膜を再現性良く、能率良
く得ることができる。
本発明を実施例により説明する。
図は本発明の１実施例のマグネトロンスパツタ装置の構
成を説明する系統図である。
成を説明する系統図である。
図において、真空容器１内にガス導入弁、スパッタ電極
３が取付けられており、該電極３からスパッタ電流計８
を介してスパッタ制御電源１３が高圧ケーブル１４で接
続されている。
３が取付けられており、該電極３からスパッタ電流計８
を介してスパッタ制御電源１３が高圧ケーブル１４で接
続されている。
また真空容器内にはスパッタ電極３にスパッタ材料４が
取付けられ、基板ホルダー５に被スパッタ基板６がセッ
トされており、スパッタ材料４と被スパッタ基板６との
間にシャツ夕７が設けられている。図では真空排気系は
略してある。真空容器１とスパッタ制御電源１３との間
にスパッタ電圧計９、スパッタ電流と電圧から電力を求
める電力計１０、該電力を積算する積算回路１１、あら
かじめ所望電力値を設定できる設定積算電力計１５、前
記積算回路１１の電力値と設定積算電力値とを比較して
一致したときにスパッタ制御電源１３に信号を送る比較
器１２が取付けられる。
取付けられ、基板ホルダー５に被スパッタ基板６がセッ
トされており、スパッタ材料４と被スパッタ基板６との
間にシャツ夕７が設けられている。図では真空排気系は
略してある。真空容器１とスパッタ制御電源１３との間
にスパッタ電圧計９、スパッタ電流と電圧から電力を求
める電力計１０、該電力を積算する積算回路１１、あら
かじめ所望電力値を設定できる設定積算電力計１５、前
記積算回路１１の電力値と設定積算電力値とを比較して
一致したときにスパッタ制御電源１３に信号を送る比較
器１２が取付けられる。
このマグネトロンスパツタ装置は次のように操作する。
真空容器１内を高真空（通常１〜５×１０‐６Ｔｏｒｒ
）に排気した後ガス導入弁２を徐々に開いてガス（通常
アルゴン）を導入し、真空度を放電可能な領域（通常３
〜６×１０‐３Ｔｏｎ）まで低くする。次に、スパッタ
制御電源１３の高圧スイッチをＯＮ‘こし、スパッタ電
極３に高圧（通常−５００Ｖ〜−８００Ｖ）を印加する
。
）に排気した後ガス導入弁２を徐々に開いてガス（通常
アルゴン）を導入し、真空度を放電可能な領域（通常３
〜６×１０‐３Ｔｏｎ）まで低くする。次に、スパッタ
制御電源１３の高圧スイッチをＯＮ‘こし、スパッタ電
極３に高圧（通常−５００Ｖ〜−８００Ｖ）を印加する
。
予備スパッタ終了後、シャツ夕７を開き、被スパッタ基
板６に膜を彼着せしめる。このときのスパッタ電流と電
圧が電流計８と電圧計９によって検出され、この電流値
と電圧値からスパッタ電力を電力計１０で求める。この
電力とスパッタ時間とを積算回路１１で積算し、この値
を比較器１２に送る。比較器１２はこの積算電力値と、
設定積算電力計１５にあらかじめ設定しておいた値とを
比較し、一致したときにスパッタ制御電源１３に信号を
送り、高圧の印加を停止させる。以上説明したように、
本発明のスパッタ装直を用いるとスパッタ積算電力を制
御できるので、所望膜厚のスパッタ膜を再現性良く、し
かも能率良く得ることができ、その効果は著しい。
板６に膜を彼着せしめる。このときのスパッタ電流と電
圧が電流計８と電圧計９によって検出され、この電流値
と電圧値からスパッタ電力を電力計１０で求める。この
電力とスパッタ時間とを積算回路１１で積算し、この値
を比較器１２に送る。比較器１２はこの積算電力値と、
設定積算電力計１５にあらかじめ設定しておいた値とを
比較し、一致したときにスパッタ制御電源１３に信号を
送り、高圧の印加を停止させる。以上説明したように、
本発明のスパッタ装直を用いるとスパッタ積算電力を制
御できるので、所望膜厚のスパッタ膜を再現性良く、し
かも能率良く得ることができ、その効果は著しい。
上記実施例はマグネトロンスパッタ装置で説明したが、
この膜厚制御装置は二極スパッタ装置にも適用できる。
この膜厚制御装置は二極スパッタ装置にも適用できる。
図面の簡単な説明図は本発明の１実施例のマグネトロン
スパッタ装瞳の構成を説明する系統図である。
スパッタ装瞳の構成を説明する系統図である。
１・・・・・・真空容器、２・・・・・・ガス導入弁、
３・・・・・・スパッタ電極、４・・・・・・スパッタ
材料、５…・・・基板ホルダー、６……被スパッタ基板
、７・・・・・・シャツ夕、８・・・・・・電流計、９
・・・・・・電圧計、１０・・・・・・電力計、１１・
・・・・・積算回路、１２・・・・・・比較器、１３・
・・・・・スパッタ制御電源、１４……高圧導入ケーブ
ル、１５……設定積算電力計。
３・・・・・・スパッタ電極、４・・・・・・スパッタ
材料、５…・・・基板ホルダー、６……被スパッタ基板
、７・・・・・・シャツ夕、８・・・・・・電流計、９
・・・・・・電圧計、１０・・・・・・電力計、１１・
・・・・・積算回路、１２・・・・・・比較器、１３・
・・・・・スパッタ制御電源、１４……高圧導入ケーブ
ル、１５……設定積算電力計。
Claims (1)
- １ スパツタ電流とスパツタ電圧とからスパツタ積算電
力を求める積算電力検出部と、あらかじめ所望積算電力
を設定できる設定積算電力計と、前記スパツタ積算電力
と設定積算電力とを比較し、一致したときに電源に信号
を送ることのできる比較器とを具備していることを特徴
とするスパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9284677A JPS6041147B2 (ja) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9284677A JPS6041147B2 (ja) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5426973A JPS5426973A (en) | 1979-02-28 |
| JPS6041147B2 true JPS6041147B2 (ja) | 1985-09-14 |
Family
ID=14065783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9284677A Expired JPS6041147B2 (ja) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041147B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157469U (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-22 | ロ−ム株式会社 | スパツタ用タ−ゲツト消耗監視装置 |
-
1977
- 1977-08-01 JP JP9284677A patent/JPS6041147B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5426973A (en) | 1979-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1495480A (en) | Forming a sputtered polymeric coating | |
| ATE183019T1 (de) | Vorrichtung zum beschichten von substraten im vakuum | |
| JPS5916970A (ja) | イオンプレ−テイングにおける蒸発材の蒸発量検知及び制御方法 | |
| US5380419A (en) | Cathode-sputtering apparatus comprising a device for measuring critical target consumption | |
| JPH11152564A (ja) | プリスパッタ方法および装置 | |
| JPS6211492B2 (ja) | ||
| JPH1030178A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
| JPS61231172A (ja) | スパツタ方法及び装置 | |
| JPS6070174A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS58108747A (ja) | スパツタ成膜装置 | |
| JPH0570949A (ja) | アークイオンプレーテイング装置における蒸発量検出装置 | |
| KR200177269Y1 (ko) | 자석회전속도 제어장치 | |
| JPH06101392B2 (ja) | プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法 | |
| JPS55141721A (en) | Sputtering apparatus for magnetic body | |
| JPH09316634A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JP2587887B2 (ja) | グロー放電を利用した表面処理方法およびその装置 | |
| JPS5455377A (en) | End point detection method in dry etching | |
| JPH0375967B2 (ja) | ||
| JPH04165068A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS58204811A (ja) | イオン化成膜装置 | |
| JPH0250958A (ja) | スパッタリング法による成膜装置 | |
| JPH077758B2 (ja) | スパッタリング装置用圧力制御装置 | |
| JPS5716166A (en) | Sputtering apparatus | |
| JPS5462272A (en) | Method of covering plastics with metal | |
| JPS6426366U (ja) |