JPS6041374A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は静止画撮影に適したフレーム・トランスファー
型撮像素子及びフレーム・トランスファー型撮像素子を
用いた撮像装置に関する。

（従来技術） 一般に固体撮像素子を用いて標準テレビジョン方式に適
したスチル画面を得る為には所謂インターレースした２
フィールド分のビデオ信号を得なければならない。

然し、フレーム−トランスファー型のＣＣＤ（Ｃｈａｒ
ｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｊ）ｅｖｉｃｅ　）に於てはこ
の様な読み出しは従来不可能とされていた。即ち、第１
図ｉ、Ｊ：従来のフレーム・トランスファーＷＣＣＤの
構成を示すもので、ｌは撮像部、２は蓄積部、３は水平
転送レジスタ、４は出力アンプ、５は信号出力端である
。

又、ＰＳはセルであって複数のセルが行及び列状に配列
される４」によって夫々撮像部１１蓄積部２を構成して
いる。各セルＰ　Ｓは図中縦方向Ｋｍ荷転送機能ｒ有し
、又、水平転送レジスタ３に於ては水平方向の転°送機
能を有する〇尚、φ１〜φ、は夫々撮像部、蓄積部、水
平転送部の転送りロックである。

又、撮像部以外、即ち、斜線の部分は遮光されている。

この様に構成された従来のＣＯＤでは、撮像部に入射し
だ像情報は各セルによって標本化されて、電荷情報とし
て蓄積される。

その後、クロックφ、〜φ、を供給する事によって撮像
部の電荷情報を蓄積部にそっくり高速で転送し、適当な
時間をかけて読み出す。

即ち、蓄積部の情報を１行ずつレジスタ３に転送シタ後
、この行情報をクロックφ３によって１水平走査期間か
けて読み出す事により標準テレビジョン信号に対応した
走査線信号が順次得られる訳であるが、標準テレビジョ
ン方式では２：１のインターレースを行なっている為−
＝　１フィールド目と２フイールド目とでモニタ画面上
の異なる位置を再生の為に走査する事になる。

従って撮像の段階で互いにインターレースした２フイー
ルドのビデオ信号を得ないと、再生時に画面プレを起こ
したり、解像度が低下するなどの問題が発生する。

然し、第１図示の様な構成の従来のフレーム・トランス
ファー型ＣＣＤでは一旦撮像した画面の内の奇数フィー
ルドと偶数フィールドとを別々に読み出す事は不可能と
されていた。

これに対し本出願人は特願昭５７−１８１８０９号によ
り水平セル数が撮像部のセル数の２倍以上の蓄積部を有
する新たなフレーム・トランスファー型撮像素子を提案
した。

このような素子によれば撮像部で形成された１画面分の
情報を蓄積部に垂直転送する際に前記１画面の情報の肉
寄数行の情報と偶数行の情報とを分離して蓄積する事が
可能となり、上記のような問題は基本的に解消する事が
できる。

（目　的） 本願の第１．第２．第４及び第５発明の目的は本件出願
人が先に特願昭５７−１８１８０９号で提案したフレー
ム・トランスファー型ＣＯＤの更なる改良として、歩留
りを高め得る簡単な構成を採用する事によって高解像度
のスチル画像の撮像が可能となる安価で且つ動作の確実
なフレーム・トランスファー型撮像素子及びこれを用い
た撮像装置を提供する事にある。

又、本願の第３．第６の発明の目的は更に蓄積部のセル
の情報を読み出すにあたシ、水平方向のセル数の増大に
拘らず転送幼木を高め、信号のサンプル・ホールドが容
易なフレーム・トランスファー型撮像素子及びフレーム
・トランスファー型撮像素子を用いだ撮像装置を提供す
る事にある。

（実施例） その為の本発明の撮像素子及び撮像装置の構成を実施例
に基づき詳細に説明する。

第２図は本発明の実施例の構成を説明する為の図で、第
１図と同じ符番のものは同じ要素を示す。尚、蓄積部２
の水平方向のセル数は撮像部ｌの水平方向のセル数の２
倍となっている。

又、本実施例では蓄積部２の垂直方向のセル数は撮像部
ｌの垂直方向のセル数の半分となっているが、一般的に
は蓄積部の水平方向のセル数は撮像部の２倍以上、垂直
方向は％以上あれば良いものである。

又、実際にはこれよりもはるかに多いものではあるが図
示の実施例では撮像部ｌは８行×４列の画素から成り、
蓄積部２は４行×８列の画素から成る。３１〜３３は夫
々第１−第３の水平シフトレジスタであり、各水平シフ
トレジスタは蓄積部２の所定の列の電荷を読み出すよう
後述の信号源７により制御される。尚、水平シフトレジ
スタは２本或いは４本以上であっても良い。Ｔ、は蓄積
部２と水平シフトレジスタ３１の間に設けられたゲート
、Ｔ、はレジスタ３１と３２　、Ｔｓはレジスタ３２と
３３の間に夫々設けられたゲートである。４１〜４３は
夫々水平シフトレジスタ３１〜３３から読み出される電
荷信号を電圧信号に変換して読み出す為の出力アンプで
ある０又、０は分配部であって蓄積部２のセルの電荷を
水平シフトレジスタに適宜振り分ける為のものである。

φ１は撮像部の電荷を垂直シフトする為のシフトパルス
、φ２０は蓄積部２の図中右側から第１．第４．第５．
第８列（以下この各列を２０１，２０４，２０５．２０
８　と呼ぶ）の電荷を垂直シフトする為のシフトノ（ル
ス、φ７．は図中右側から第２．第３．第６．第７列（
以下との各列を２０２．２０３．２０６．２０７と呼ぶ
）の電荷を垂直シフトする為のシフトノくルス、φＴは
ゲー）　Ｔ、　−Ｔ、及び分配部を制御する為のゲート
パルス、φ、１〜φ１．は夫々水平シフトレジスタ３１
〜３３の電荷を水平シフトする為のシフトパルスであり
、これらのノくルスは後述の信号源７より供給される。

尚、撮像部ｌの表面には例えば第３図示のような色分離
フィルタが粘付されている。

ここで几は赤、Ｂは青、Ｇは緑の色光を通す色フィルタ
ーである。勿論色分離フィルターの色パターンはこれに
限らない。

第４図は本発明の撮像素子を用いた撮像、記録、再生装
置の構成図であって撮像トリガースイッチ８の作動によ
って起動される信号源７は、モード切換スイッチ９のス
チル（Ｓ）　又はムービー（Ｍ）の各モードに応じて第
５図又は第６図。

第７図の如きタイミングの信号を形成する０又、撮像素
子の出力端を介して得られたビデオ信号Ｖｏｕｔ　３１
〜Ｖｏｕｔ　３３はプロセス回路１０に於てサンプルホ
ールド、γ補正、アノく−チャー補正等の信号処理を受
けた後、変調等を行なう記録回路１１及び記録ヘッド１
２を介して記゛録媒体１３に記録される。・□。又プロ
セス回路１０の出力をそのままテレψジョンモニタ１６
に於てモニタする事もできる。

又、１４は再生ヘッドで、該ヘッドによりピックアップ
された信号は再生回路で適宜の復調を施した後やはりモ
ニタ１６に於てモニタする事ができる。又、ＬＳは結像
光学系であり、被写体光を撮像部１に導ひき結像する。

第５図は第２図示素子の撮像部と蓄積部の境界周辺の模
式図であって単相駆動の例を示す。

Ｃ８はチャネル・ストッパー、ＰＳｌは撮像部ｌにパル
ス−１を供給する為のポリ・シリコン電極で、半導体基
板内の互いＶＣポテンシャル・しベルの異なるＡ領域と
Ｂ領域の表面を覆っている０ 又、ＰＳ２０とＰＳ２１は蓄積部内の互いにポテンシャ
ル・レベルの異なるＡ′領領域Ｂ′領領域表面を覆って
おシ、夫々パルスφ２ｏ、φ２１を蓄積部２の各列に印
加する為のものである。

又、撮像部のＣ領域及びＤ領域及び蓄積部のび領域Ｄ′
　領域は夫々イオン注入等により半導体基板内に形成さ
れた、ポテンシャル・レベルが一定の仮想電極（Ｖｉｒ
ｔｕａｔ！Ｅｚｅｃｔｒｏｄｅ　）領域であって、この
様な仮想電極構造は、例えば特開昭５５−１１３９４号
公報に見られる様なもので良い。

尚、本実施例の場合領域Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ又はＡ’、　Ｂ
’、　Ｃ’、　Ｄ’によシｌセルが形成されている。

又、各領域Ａ、１３．　Ｃ，Ｄ、　Ａ’、　１３’、　
Ｃ’、　Ｄ’（Ｄ　％Ｌ　子カら見たポテンシャルレベ
ルＰ−（Ａ）、　Ｐ（Ｂ）。

Ｐ（Ｃ）、　Ｐ（Ｄ）、　Ｐ（Ａ’）、　Ｐ（Ｂ’）、
　Ｐ（Ｃ’）、　Ｐ（Ｄ’）　には例えば次の様な関係
がある。

即ち、各電極に加えられる電圧が同じであれＰ（Ａ）＝
Ｐ（Ａ’）、　Ｐ（Ｂ）−Ｐ（Ｂ’）、　Ｐ（Ｃ）、＝
Ｐ（Ｃ’）。

Ｐ（Ｄ）、、、Ｐ（Ｄ’） 又、電極ＰＳ１．Ｐ８２０．ＰＳ２１にローレベルの信
号が加わっている時 Ｐ（Ａ）＞Ｐ（ｆ３）＞ｆ’（Ｃ）＞Ｐ（Ｄ）Ｐ　（Ａ
’）＞Ｐ　（１３’）＞Ｐ　（Ｃ’）＞Ｐ　（Ｄ’）一
方電極Ｐｓｉ、ＰＳ２０．ＰＳ２１にハイレベルの信号
が加わっている時 Ｐ（Ｃ）＞Ｐ（Ｄ）＞Ｐ（Ａ））Ｐ（Ｂ）Ｐ　（Ｃ’）
＞Ｐ　（Ｄ’）＞Ｐ　（Ａ’）＞Ｐ　（Ｂ’）となる様
設定されている。

又５本発明の実施例では蓄積部２の各セルは所定の瞬接
する２つのセルずつに共通の電圧を印加するよう配線が
為されている。即ち、電極Ｐ８２０．．ＰＳ２１は夫々
隣接する所定の２つのセルに対して配置されており、電
極ＰＳ２０同士、電極ＰＳ２１同士は夫々配線によシ共
通に接続されている。

従って各セルのポテンシャルを制御する為の電極を大き
くできるので製造が簡単となる。又配線パターンも簡略
化される。

又、本実施例では蓄積部の一部のセルを残りのセルに対
して垂直方向にずらして配置しているので電極ＰＳ２０
とＰＳ２１を別々に配線する場合に同じ電極同士を水平
方向に結線できる。従って例えば電極Ｐ８２０を図中右
側を共通接続した水平方向のくし歯状の配線パターンに
ょシ結線し、ＰＳ２１を上記くし歯のすき間に設は左側
を共通接続したくし歯状の配線パターンによシ結線する
事ができ素子製造工程を簡略化できる。

第６図はこの様なポテンシャル・レベルノ状態を説明す
る為に第５図中の■−び断面を模式的に表わした図で、
実線は各電極にローレベルの信号を印加した時、破線は
ハイレベルの信号を印加した時の状態である。仮想電極
領域Ｃ１Ｄ、Ｃ’、Ｄ’は常に一定のポテンシャルに維
持されている。

又、ＩＬはＳｉｎ、（酸化シリコン）等の絶縁層、５Ｂ
ｉＳｉ（シリコン）等の半導体基板、ＶＥは仮想電極、
Ａ／２０．　ＡＩ！２１は夫々電極ＰＳ２０゜ＰＳ２１
にパルスφ２゜、φ２Ｉを印加する為のアルミニウム配
線である。

従って例えばクロックφ１を一旦ハイレベル圧シタ後ロ
ーレベルに落とすとこの立下りに於て領域Ｂに主に蓄積
されていた電荷は図の様にＤ領域に転送される。即ち、
各電極へのクロックの立下りに於てＢ　−＋　Ｄ又ハＢ
′→Ｄ′の転送が行なわれる。

又、Ｄ又はＤ′にある電荷は各電極をハイレベルにする
事によりＢ領域又はＢ′領領域転送される。即ちり西ツ
クの立上りに於てＤ−＋Ｂ又はＩ）′→１３′への転送
が行なわれる。

この械に（１４成されているのでクロックφ１に同期し
てクロックφ２ｏとφ、１を交互に供給すれば第５図の
撮像部の各行の情報は蓄積部の所定の列に振り分けられ
る。

第７図は第２図示撮像素子の蓄積部２と水平シフトレジ
スタ３１〜３３の境界周辺の電極パターンの例を示す図
であって図中第５図と同じ符番のものは同じ要素を示す
。

尚領域Ａ”　、　Ｈ”、　Ｃ“、Ｄ″、Ａ′″、Ｂ′″
、ｃ′″、　Ｄ”’　（７）ＩＥ子に対するポテンシャ
ル・レベ／Ｉ／Ｐ（Ａ″）、　Ｐ（Ｂ“）。

Ｐ（Ｃ゛′）、　Ｐ（Ｄ”）、　ｐ（Ａ″’）”、　Ｐ
（Ｂ″’）、　、Ｐ（Ｃ’″）、Ｐ（Ｄ’″）は各軍４
Ｉｉに加わる電圧が同じ場合にはが成シ立つ。父、Ａ″
、Ｂ″、Ｃ″、Ｄ″の組み合わせ又ｉｄＡ、　Ｂ、　Ｃ
，Ｄ　の組み合わせにょシ夫々１セルが形成されている
。

尚、第７図示のように蓄積部と複数の水平シフトレジス
タとを連結する場合に分配部０を設け、この分配部Ｏ内
で蓄積部と水平シフトレジスタとの境界近傍のセルを垂
直方向にずらして配置しているので蓄積部の各セルの電
荷を各水平シフトレジスタに振り分ける際に電極同士を
立体的に交差させる必要がなく、ノイズ忙対して強くな
ると共に、製造工程も簡単となる。即ち分配部０は蓄積
部の最下行とゲート電極Ｔ３等によって構成されておシ
、蓄積部内を同じタイミングで垂直転送されてきた複数
列の電荷を所定の列毎に所定の異なる遅延を与える事に
より時系列的な一列の信号に変換し、これを順次水平シ
フトレジスタに取り込むようにする０換言すればこの分
配部Ｏは並列に転送されて来た電荷を直列に転送する為
の並列−直列変換手段である。

尚、本実施例では分配部に於てゲー）　１１極Ｔ。

により並列直列変換を行なっているが、単に蓄積部２の
各列の長さを少しずつ変えると共に複数列の情報を１列
のセルに導びくように構成する事によって分配部を形成
しても良い。本願の第６発明はこのようなものも含む。

又、本実施例では蓄積部の一部セルを他のセルに対して
垂直方向にずらしているが、分配部の構造はこのような
蓄積部の構造に限定されない。例えば特願昭５７−１８
１８０９号の第７図示のような蓄積部構造であっても適
用可能である。

次に動作につき説明する。

第８図−第４図示構成に於ける信号源７の出力タイミン
グの一例を示す図である。図中パルスφ１．φ２ｏ、φ
２５．φ、ｌ〜φ１８．φＴは前述のようにハイレベル
の時に撮像素子内の各画素のポテンシャルレベルを電子
に対、シて低くシ、ローレベルの時ポテンシャルレベル
を高くする様構成されている。撮像トリガースイッチ８
を作動させると、先ず高速のパルス１６ｓ　＋　１６ｔ
ｏ　＊　１’２１　＋φＴ、φ１．〜≠１．を供給する
事によって不要な電荷が排出される。

次いで所定の蓄積時間ＴＩＮＴが経過すると〔期間（４
−０）：］、その後期間（４−１）においてパルスφ、
によシ撮像部ｌの電荷を１行ずつ高速で第２図中下方に
シフトする。

又、この時シフトされる各行の情報のうち奇数行の情報
はパル亥φ□により列２０１，２０４゜２０５、２０８
　に転送され、偶数行の情報はパルスφ、０により列２
０２，２０３，２０６．２０７　に転送され蓄積される
。撮像部の１フレ一ム分の情報をこの様にして振シ分け
て蓄積部に移した状態は第２図に示される。

又、この状態に於て蓄積部の図中最下行の電荷は第７図
中ウェル３０５，３２５，３２９，３３８゜３４６．３
５０　に蓄積されている○ 又、この各ウェルに蓄積されている電荷を第２図の電荷
Ａ４．Ｂ４．　Ｂ３．Ａ３．Ａ２．Ｂ２と対応づけて考
える。

即ち、第３図示のストライブ状色分離フィルタを設けて
いるので電荷Ａ４．ＩＪ４は赤に対応する１Ｌ荷、Ｂ３
．Ａ３は緑に対応する電荷、Ａ２、Ｂ２は肯に対応する
重曹である。

次いで上記の過程を経て蓄積部２に蓄積された情報のう
ち、列２０８，２０５，２０４，２０１　に蓄（ζされ
た情報の読み出しをパルスφ、１．φ３１〜φ３、及び
φ１により行なう。

ｆｆ１Ｊぢ、先ず期間（４−２）に於て≠Ｔを３発供給
する事によりウェル３０５，３３８，３４６　内の電荷
は順次垂直にシフトされ、最終的にウェル３１７．３１
３．３０９　に夫々収納される。

次に期間（４−３）でパルスφＴをローレベルとしたま
までパルスφ３．〜φ８．として高速のパルスを供給す
る事によりウェル３１７．３１３．３０９にあった電荷
は第７図中左方向に水平シフトされていく。この期間（
４−２）と（４−３）との合計は例えばｌ水子期間（ｌ
　Ｈ）に設定されている。従って期間（４−０）に撮像
部１に蓄積された画像はその第１行の信号か期間（４−
３）に於て読み出される。

又、この期間（４−３）中にパルスφ、１が１パルス加
えられる。事によって第７図中のウェル３０１．３３４
．３４２　内の電荷は夫々ウェル３ｏ５゜３３８、．３
４６　に収納される。

従って期間（４−４）で−Ｔを３パルス供給すると期間
（４−２）と同様ウェル３０５．３３８゜３４６内の電
荷は水平シフトレジスタ３３，３２゜３１に取り込まれ
る。

以下の期間（４−５）は同様のシーケンスを繰り返す事
によって列２０８，２０５，２０４　等の電荷即ち撮像
部ｌの奇数行に対応する電荷だけが順次読み出される。

これらの期間（４−１）〜（４−５）の合計はちょうど
ｌ垂直期間に相当するよう設定されている。次に１垂直
期間（４−６）に於て今度はパルスφ、。、φＴ、φ１
．〜φ、３により列２０７，２０６，２０３，２０２．
等の電荷が同様に順次１行ずつ読み出される。

このように本発明のスチルモードに於ては撮像部で同時
に形成された２フィールド分の信号′ｆ：１フィールド
ずつ順次インタレースして読み出す事ができるので高解
像麿でしがもプレのないスチルｌ［！ｊ像信号を得る事
ができる。

次に、第９図ｉｄ紀４図示スイッチ９をムービー撮隙モ
ード（Ｍ）側に切換えた場合の信号源の出力パルスのタ
イミング図で、第８図の期間（９−１）の間に第８図の
期間（４−１）と同様に、撮像部の奇数行の情報を蓄積
部の列２０１゜２０４．２０５，２０８　に、偶数行の
情報を列２ｏ２゜２０３．２０６，２０７　に振シ“分
けて蓄積させ、期間（９−２）に於て先ずパルスφ、０
を１パルス与える事によりウェル３０５と３２５．．３
３８と３２９．３４６と３５０の電荷を加算する。即ち
第２図の電荷Ａ４とＢ４、Ｂ３とＡ３、Ａ２とＢ２、Ａ
ＩとＢｔとを加算し、次にパルスφＴ　を３パルス与え
て電荷をレジスタ３３〜３１に取シ込む。

次に期間（９−３）でパルスφ３、〜φ１．によりこれ
を水平転送すると共にパルスφ２０ｓφ２Ｉを夫々１パ
ルス与える事によシ第２耐の電荷Ｃ４とＢ４、Ｂ３とＣ
３、Ｃ２とＢ２．ＤＩとＣ１を加算し、以降このシーケ
ンスを繰シ返してｌフィールド信号とする。尚期間（９
−１）〜（９−３）の合計が１垂直期間となるよう設定
する。

その後期間（９−４）に於て再び撮像部の情報を蓄積部
に転送する事によって、期間（９−２）から（９−３）
迄の間に撮像部に形成されていた電荷信号は蓄積部内に
期間（９７１）と同様の方法で振り分けられて蓄積され
る。

′　その後期間（９−５＞に於てこの蓄積された情報を
加算しつつ読み出す訳であるが、この時、７、 パルスφ、０とφ２１　とを１バヘ分ずらす事によって
加算されるべき電荷情報の組み合わせが変化する様にし
て因る。

即ち、期間（９−２）とは違いパルスφ２゜をφ７．よ
り先行して１パルス出力するようにしているので、撮像
部の（ＡＩ−Ａ４）はそのまま加算されずに読み出され
、（Ｂｌ−８４）と（Ｃ１−Ｃ４）、（ＤＩ−Ｂ４）と
（Ｅｌ−Ｈ４）、ＣＦｌ−Ｆ’４）と（Ｇｔ〜Ｇ４）夫
々が加勢されて１行として読み出され、最後に（Ｈｌ−
Ｈ４）が１行として読み出される。

従って期間（９−２）、（９−３）に於て読み出される
信号と（９−５）に於て読み出される信号とは互いにイ
ンターレースした関係となる。しかも２行分加算してい
るから素子の感度も向上する。

次に第１０図はムービーモードの信号読み出しタイミン
グの第２の実施例を示す図である。

本実施例では奇数行と偶数行を加算するに際し、撮像部
と蓄積部の境界でこれを行なうものである。

期間（１０−１）に撮像部で蓄積された□電荷は期間（
，１Ｏ−２）に於てパルスφ１．φ２゜、φ２Ｉにより
蓄積部２に転送されるがその際φ、の２パルスにつきφ
、。、φ、Ｉを１パルス同′時に与える事により加算さ
れた電荷を蓄積部の一対ずつの列にほぼ均等に転送する
。そして期間、（１０−３）だ於て先ずパルスφ２゜を
ｌパルス与える事によ＃）第７図のウェル３０５に列２
０８と２０７、ウェル３３８に列２０６と２０５、ウェ
ル３４６に列２０４と２０３の電荷を集めて加算し、そ
の後φ丁によりこれらの電荷を水平シフトレジスタ３１
〜３３に移し、更にφ、ｌ〜φ３．により水平方向に読
み出す。後はｌＨ毎にパルスφ、０とφ２゜を１つずつ
与えてから同様の読み出しを行なって加算出力を順次読
み出す。

次に期間（１０−３’）、Ｃ１，０−４）眞於て撮像部
に蓄積された電荷は期間（１０−５）Ｋ再び垂直転送さ
れるが、このときパルスφ、とφ、ｏ。

φ２Ｉのタイミングを期間（１０−２）の場合とずらす
里によって撮像部と蓄積部の境界近傍で加算される電荷
の組み合わせが１行分ずれるのティンターレース効果を
得られる。

期間（１，０−６）以降は期間（１０−３）、（１０−
４）と同様の読み出しが行なわれる。

このように蓄積部の各セルの容量が小ざくても加算出力
を一旦分割してから各セルに蓄積するように制御してい
るので電荷がオーバーフローする事がない。

（効　果） 以上説明した如く、本発明によればフレーム・トランス
ファー型の撮像素子に於て蓄積部の水平方向のセル数を
撮像部の水平方向セル数の２倍以上とすると共に、本較
の第１の発明では酊積部の所定の隣接する２つずつのセ
ルに夫々共通の電圧を印加する為の複数の独立した電極
を設けでいるので蓄４（４部のセルを制御する為の電極
を比較的大きなものとでき、製造が容易であり歩留りを
向上できる。

又、本願の第２の発明では蓄積部の一部のセルと他のセ
ルとを互いに垂直方向にずらしているので各セルを独立
に制御する場合に結線パターンを容易に製造できる。

更に又、本願の第３の発明では水平シフトレジスタを複
数設は蓄積部の所定の列の情報を所定の対応する水平シ
フトレジスタに分配する為に蓄積部と水平シフトレジス
タ間に設けられた分配部を有するので水平読み出し周波
数を低く抑える事ができ、転送効藁が高く、又信号処理
が容易となる。

更に又、本願の第４の発明では蓄５債部の所定の隣接す
る２つずつのセルを共通に制御する為の電極を設け、撮
像部の所定のセルの信号を蓄積部の対応するセルに振り
分ける為の制御信号を形成する信号源を設けているので
一度に形成されたｌｌＩ！ｉｉ面の情報をインターレー
スしだ２フイールドの信号として分離して蓄積可能な撮
像を池のセルに対して垂直方向にずらして配置し、かつ
、所定のセルと他のセルとに夫々独立した制御信号を与
える為の信号源を設けたので互いにインターレースした
２つのフィールド信号を１回の撮像信号から得る事がで
き、而も動画撮像に於ても各フィールドの信号を互いに
インターレースさせる小ができる。而もこの場合に感囲
も向−ヒさせ得る撮像装置を提供する事ができる０ フレーム・トランスファー型撮像素子を用いた撮像装置
に於て、撮像部と、水平方向のセル数を撮像部の２倍以
上とした蓄積部と、該蓄積との間に設けられ前記蓄積部
の所定のセルの情報を各水平シフトレジスターに振シ分
ける為の分配部とを有するフレーム・トランスファー型
撮像素子と、前記蓄積部の所定の垂直方向のセルの情報
を対応する水平シフトレジスターに振り分けるよう前記
分配部を制御する信号源とを設けているので水平転送周
波数を下げる事ができしかも読み出された信号のサンプ
ルホールドも容易となる。又、クロックパルス周波数が
下がるので信号源の消費電力も節約できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のフレーム・トランスファー型撮１象素子
の構成図、 第２図は本発明のフレーム・トランスファー型撮像素子
の構成模式図、 第３図は色分離フィルターの実施例図、第４図（ｄ本発
明の撮像素子を用いた撮像、記録、再生装置の概略図、 第５図は第２図示素子の撮像部と蓄積部境界近傍の電極
パターン図、

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）撮像部と蓄積部とを有するフレーム・トランスフ
   ァー型撮像素子に於て、蓄積部の水平方向のセル数を撮
   像部の水平方向のセル数の２倍以上とすると共に、蓄積
   部の所定の隣接する２つずつのセルに夫々共通で且つ他
   と分離された電極を設けたフレーム・トランスファー型
   撮像素子。
2. （２）撮像部と蓄積部とを有するフレーム・トランスフ
   ァー型撮像素子に於て、蓄積部の水平方向のセル数を撮
   像部の水平方向のセル数の２倍以上とし、前記蓄積部の
   一部のセルを他のセルに対して垂直方向にずらしたフレ
   ーム・トランスファー型撮像素子。
3. （３）撮像部と、水平方向のセル数を撮像部の水平方向
   のセル数の２倍以上とした蓄積部と、該蓄積部のセルの
   情報を読み出す為の複数の水平シフトレジスターと、前
   記蓄積部と水平シフトレジスターとの間に設けられ前記
   蓄積部の所定の垂直方向のセルの情報を対応する水平シ
   フトレジスターに振り分ける為の分配部とを有するフレ
   ーム・トランスファー型撮像素子。
4. （４）撮像部と、水平方向のセル数を撮像部の２倍以上
   とした蓄積部と、 該蓄積部の所定の隣接する２つずつのセルを共通に制御
   する為の電極とを有するフレーム・トランスファー型撮
   像素子と、撮像部の所定のセルの信号を蓄積部の対応す
   るセルに振り分ける為の制御信号を形成する信号源とを
   有するフレーム・トランスファー型撮像素子を用いだ撮
   像装置。
5. （５）　撮像部と、水平方向のセル数を撮像部の２倍以
   上とした蓄積部とを有し、該蓄積部の所定のセルを他の
   セルに対して垂直方向にずらしたフレーム・トランスフ
   ァー型撮像素子と、上記所定のセルと他のセルとに独立
   した制御信号を与える為の信号源とを有するフレーム・
   トランスファー型撮像素子を用いた撮像装置。
6. （６）撮像部と、水平方向のセル数を撮像部の２倍以上
   とした蓄積部と、 該蓄積部のセルの情報を読み出す為の複数前記蓄積部と
   水りぞシスターとの間に設けられ前記蓄積部の所定のセ
   ルの情報を各水平シフトレジスターに振り分ける為の分
   配部とを有するフレーム・トランスファー型撮像素子と
   。 前記蓄積部の所定の垂直方向のセルの情報を対応する水
   平シフトレジスターに振り分け