JPS604207A - インタデイジタルキヤパシタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、マイクロ波集積回路でなるインタディジタ
ルキャパシタの改良に関するものである。

従来のインタディジタルキャパシタの構造を第１図及び
第２図に示す。第１図は斜視図であり。

第２図は第１図をＡ　−Ａ’面で切断した場合の噺面図
である。第１図中、（ｌ）は誘電体基板、（２）は接地
導体、（３）は第１の端子、（４）は第２の姑子、（５
）は第１のフィンガー、（６）は第２のフィンガー、（
７）はターミナル線路である。

接地導体（２）、第１の端子（３）、第２の端子（４）
、第１のフィンガー（５）、第２のフィンガーｆ６）、
及びターミナル線路（７）は誘電体基板（１）上に蒸着
等により金属膜を設けることにより構成する。

ところで１以上の構成のインタディジタルキャパシタで
隣接したフィンガー間の容量を大きくする必要のある場
合がある。

しかし、従来のインタディジタルキャパシタでは、対向
する第１のフィンガー（５）と第２のフィンガー（６）
の間隙部分のと半面が空気となっているだめ、フィンガ
ー間の容量を大きくすることが難しい欠点があった。

また、フィンガーを構成する金属膜が直接外界に接して
いるので、傷つきやすい等の欠点もあった。

この発明は、これらの欠点を除去するために。

誘電体基板（１）に掘り込みを設け、対向する第１のフ
ィンガー（５）と第２のフィンガー（６）の間隙部分に
誘電体が存在する状寒を実現シ５．隣接す５フィンガー
間の容喰を大きくすることを可能とし、かつ金属）漢が
傷つきにくい楢造としている。以下図面について説明す
る。

第３図は、この発明に係るインタディジタルキャパシタ
の斜視図であり１第４図は第３図をＡ−Ａ而で切断した
断面図である。

第４図に：Ｉ？いて、（８）は第１のフィンガー（５）
及び第２のフィンガー（６）を誘電体基板（１）に埋め
込むだめに設けた掘り込みである。

堀り込み（８）を設ける方法としては、エツチング加工
９磯砿加工等が考えらＪする。この発明に係るインタデ
ィジタルキャパシタでは、対向する第１のフィンガー（
５）と第２のフィンガー（６）の間隙部分に誘電体が存
在するだめ、従来のインタディジタルキャパシタと比較
すると、大きなフィンガー間の各階を実現できる利点が
ある。また、金属膜が掘り込みの内部に存在するだめフ
ィンガ一部分を傷つける問題がなくなる。

なお１以上（ハ、インタディジタルキャパシタの、鳴合
について説明し７たが、この発明はこれに限らず、結合
線路などの回路素子に使用してもよい。

また、この発明はモノリシックマイクロ波集積回路に用
いてもよいっ 以上のように、この発明に係るインタディジタルキャパ
シタでは、掘り込み（８）を設けることによって、対向
する第１のフィンガー（５）と第２のフィンガー（６）
の間隙部分に誘電体が存在する状態を実現することによ
って、フィンガー間の容量を大きくすることが可能とな
り、まだ、フィンガ一部分を傷つける問題がなくなる利
点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のインタディジタルキャパシタの斜視図、
第２図は第１図をＡ−Ａ面で切断した場合の断面図、第
３図はこの発明に係るインタディジタルキャパシタの斜
視図、第４図は第３図をＡ−Ａ／面で切断した断面図で
あり、（１）は誘電体基板。 （２）は接地導体、（３）は第１の端子、（４）は第２
の端子。 （５）は第１のフィンガー、（６）は第２のフィンガー
。 （７）はターミナル線路、（８）は堀り込みである。 なお９図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。 代理人　大　岩　増　雄 ＠　１　国 需　２　商 第　３　図 だ　４　選

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数のフィンガー（Ｆｉｎｇｅｔ　）を有する２本のス
   トリップ導体を誘電体基板トに互いに対向して配置して
   構成したマイクロ波集積回路でなるインタディジタルキ
   ャパシタにおいて、誘電体基板上に複数の掘り込みを設
   け、上記の各堀り込み内に各フィンガーを配置したこと
   を２１￥徴とするインタディジタルキャパシタ。