JPS6042095A - 情報の記録用部材およびその製造方法 - Google Patents

情報の記録用部材およびその製造方法

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JPS6042095A
JPS6042095A JP58150148A JP15014883A JPS6042095A JP S6042095 A JPS6042095 A JP S6042095A JP 58150148 A JP58150148 A JP 58150148A JP 15014883 A JP15014883 A JP 15014883A JP S6042095 A JPS6042095 A JP S6042095A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はレーザ光等の記録用ビームによって、所定の基
板上に設けられた情報記録用薄膜に、たとえば映像や音
声などのアナログ信号をＦＭ変調したものや、たとえば
電子計算機のデータや、ファクシミリ信号やディジタル
オーディオ信号などのディジタル情報を、リアルタイム
で記録することを可能とする情報の記録用部材に関する
。
レーザ光によって薄膜に記録を行なう記録原理は種々あ
るが、膜材料の相転移、フオトダークニングなどの原子
配列変化による記録は、膜の変形をほとんど伴なわない
ので、２枚のディスクを直接貼シ合わせた両面ディスク
ができるという長所をもっている。また、組成を適当に
選べば記録の書き換えを行なうこともできる。この種の
記録に関する発明は多数出願されておシ、最も早いもの
は特公昭４７−２６８９７号公報に開示されている。
ここでは’ｌ’ｅ−Ｑｅ系、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、ＴＴ
ｅ−０系など多くの薄膜について述べられて°いる。ま
た、特公昭５０−３７２５号公報にもＴｅ−０系薄膜が
、特開昭５５−２８５３０号公報にはＴｅ−０−８ｅ系
およびＴｅ−０−８系薄膜について述べられている。し
かし、これらの材料はいずれも膜形成が極めて難しく、
非晶質状態の安定性も十分ではない。
〔発明の目的〕
したがって、本発明の目的は上記した従来技術の欠点を
なくシ、製造プロセスが簡単で再現性が良く、かつ長期
間安定な情報の記録用部材を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するために本発明の情報の記録用部材
においては、情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が一
般式ＭＸ’ｌ’ｅＹＳｅＺＱａｆ表わされるものとする
。ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ、２りＸ＜４０　、
３０＜Ｙ＜９５　、３＜Ｚ＜４５　。
０くα≦２０の範囲の値であ’）　、Ｍｆｄ、　Ａ　ｓ
　、Ｓ　ｂ　。
Ｂ　ｉ、Ｓ、Ｓ　ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ｈｔ＋　Ｇａ
＋Ｉｎ、Ｔｔ、Ｚｎ、Ｃｄ、ｋｕ１ｋｇ＋　Ｃ”＋Ｎｉ
、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｃ’＋　Ｍｏ、ＷおよびＴａからなる群
から選ばれた少なくとも一種の元素（ただし、ＩｎとＧ
ｅの組合せは除外する）を表わす。
ｘ、ｙ、ｚおよびαのよシ好ましい範囲は、５くＸ≦２
５．４０＜Ｙ≦９０，５くＺく３５．αユ０である。
Ｍで表わされる元素のうちで特に好ましいものは、３ｎ
、　Ｉｎのうちの少なくとも一首、中でもＳｎは非晶質
状態の安定性を高くするので好ましい。ただし、膜形成
はＩ、ｎの方が容易である。次いで好ましいものはＡｓ
およびｓｂのうちの少なくとも一考である。Ａｓとｓｂ
のうちではｓｂＯ方が好ましい。Ｓｎ、Ｉｎｌ　Ａｓ、
Ｓｂのうち少なくとも一考と共存させて効果が得られる
元素はＱｅ、ｓｉ、　Ｂｉ、ｓ、ｐｂ、　Ａｔ、　Ｚｎ
、ｃｄ。
Ａｕ＊　Ａ　ｇ　＋　Ｃｕ　、　ｌ’Ｊ　ｓおよびｐｄ
のうち少なくとも一元素であって、中でも特にＧｅ、Ｂ
ｉおよびＰｂのうちの一元素が好ましい。
本発明の１宵報自己録用薄膜のうちの酸素を包む薄膜は
酸素を言まｚｔＡｔＶｘ’ｒｅＹＳｅＺで示さｎる薄膜
を形成後、このＲ膜に筒湿度の空気中または酸素中で熱
処理を行なうか、紫外照射を行なうことによって形成す
るのがよい。この場合、前記薄膜は少なくともその表面
付近で酸化され、場合によっては膜内部まで酸素が侵入
する。したがって、この薄膜の膜厚方向の平均組成は一
般式％ＸＴｅＹＳｅＺＱａで老わされ、αは０でなく、
２０以下の値となる。
このような方法で酸素を導入すると、酸化物を蒸着した
シ、スパッタする場合よシ組成の制御が容易である。
Ｍで表わきれる元素が２元素以上共任すると特性が同上
する場合が多く、たとえば、ＩｎとＳｂ、・Ｓｌｌと（
ｈｅ、ＰｂとＳｎ、　ＳｎとＨｉ、ＳｎとＳ。
ＪｏとＰｂ、ＬｆｌとＢｉｔ　ｓｂとＢｉ、ｓｂとＳ。
ｓｂとｐｂ、ｓｂと８ｎ、　ＳｂとＱｅ、ＡｓとＡＧｅ
、ＡｓとＳｎ、Ａ８とｓｂ、Ａ８とｐｂ。
Ａｓとｓ、ＡｓとＢｉの組合せが使用可能である。
中でもＳｎと池元素との組合せが好ましい。
Ｍで表わされる元素の含有量は、記録用薄膜のいずれか
一方の表面付近（他の層との界面である場合もある）に
おいて、その内側よシも増加しているのが好ましい。こ
れによって酸化した多結晶核の発生しやすい膜界面付近
からの間然結晶化の防止などの効果が得られる。同僚な
理由でｓｅの含有量も表面（界面）付近で増しているの
が好ましい。
酸素を含有しない膜は、膜形成が容易であｐ１結晶化温
匿が筒り、高い安定性が得られるという点で浸れている
。
本発明の記録膜の少なくとも一方の面は他の物質で密着
して保護されているのが好ましい。これらの保護！−は
、基板でもあるアクリル樹脂板やポリカーボネート樹脂
板など、ろるいは紫外線硬化樹脂、エポキシ不躾層剤、
アクリル樹脂、ポリス無機物よ膜形成されていてもよい
。ガラスわるいは石英、るるいはサファイアの基板は一
方の無機物保腫層として働き得る。無機物と密着してい
る方が耐熱性の面で好ましい。無機吻層の厚さケ厚くす
るのは、クンツク発生、透過率低下、感度低下を起こし
やすいので、上記の無機物ノーの記録膜と反対の側には
、厚い有儂物層が密着している方が好ましい。この有機
物ノーは基板であってもよい。
これ１こよって変形も起シにくくなる。有機物としては
、り１１えば、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤
として知られている、エチレン−酢酸ビニル共重合体な
ど、および粘着性接着剤などが用いられる。紫外、１１
便化樹樹脂もよい。無機物より成る保護層の場合は、金
属、半金属、半導体の少なくとも一元素よシなる膜を形
成した咬、酸素、硫黄１窒系のうちの少なくとも一考と
反応させるようにすると装造が容易である。無嘘物ｖ１
．一層の−を挙げると、主成分力Ｃｅ　Ｏｘ　ｒ　Ｌ　
ａ２０ｓ　＋　Ｓ　’　０　＋８１０ｚ　＠　Ｉ　’　
２０ｔｒ　＃　Ａｔ−ｘ　Ｕｓ　＋　Ｇ　ｅ　Ｏｒ　Ｇ
ｅＯｘ、　＋　Ｐ　ｂ　ＯｒＳ　”ＯＨＳ　”０２１　
Ｂ　ｊ＊０３１　ＴｅＯ２＊　ＷＯｚ　ｌ　ＷＯｓ　ｌ
　ｃｃｉｓ。
ＺｎＳ、　ＣｄＳｅ、　Ｚｎ５ｅ、　１ｆｌｔ８ｓ　、
　Ｉｎ＊Ｓｅｓ　、　５ｂｔ８’ｓ　＊５ｂ２８ｅａ、
（）ａｚｓｓ＋Ｇａｘｓｅｓ、ＭｇＦｔ＊ＣｅＦｓ＋Ｃ
ａＦ２．Ｇｅｍ、ＱｅＳｅ、ＧｅＳｅｚ　、ｓｎｓ、８
ｎ８ｅ。
ＰｂＳ、　Ｐｂ５ｅ、　ＢｊｔＳｅａ　＋　Ｂ”ｚＳｓ
　＊　ＴａＮ＋　Ｃのうちの一考に近い組成ケもったも
のでめる。
これらの中では真空蒸着が容易でめり、狭面反射率があ
まル藁くなく、膜が安定である点で（ＪｅＯｚまたはＡ
ム０３に近い組成のものが好ましい。久いで好ましいの
は５ｉ０２に近い組成のものでるる。
相転移によって６己録を行なう場合、記録膜の全面をあ
らかじめ結晶化させておくのが好ましいが、基板に有機
物を用いている場合には、基板を高１晶にすることがで
きないので、他の方法で結晶化させる必装がある。その
場合、紫外−照射と加熱、フラッシュラングよシの光の
照射などを行なうのが好ましい。結晶化は記録トラック
上のみで起らせ、トラック間は非晶買のままとしてもよ
い。非晶買状態の記録用薄膜に結晶化によって８己録す
ることももちろん可能である。
一般に相転移などの原子配列変化によって記録を行なう
記録膜の場合、記録膜に近接して光反射（吸収）層を設
けると、続出し信号強度、あるいは変調度を大きくでき
るという効果がある。しかし、多数回の記録書替えや、
高過ぎるパワーのビームで記録を行なった場合には、記
録膜と光反射層との相互拡散や反応も起シ得るので、光
反射層と記録膜との間に安定な酸化物、硫化物、弗化物
、窒化物などの中間層を設けるのが好ましい。この層の
耐点および沸点（昇華点）は少なくとも記録膜の耐点よ
シ高いのが好ましい。記録膜の光臥収が少なく、光反射
層で記録光を吸収し、発生した熱を記録膜に伝えて記録
を行なう場合には、熱伝達の効率を良くするために、上
記の中間層の膜厚は１０００　ｍ　（０，１μｍ）以下
であるのが好ましく、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である
のが特に好ましい。中間層には、保護ノーとして用いう
るＧｅ０ｇ　。
Ａ４０ｓなどの無機物がすべて使用可能であ乙。
各部の膜厚の好ましい範囲は下記のとおシである。
記録膜：３ｎｍ以上、３００ｎｍ以下 無機物保護層：ｌｎｍ以上、５μｍ以下（ただし無機物
基板自体で保護する時 は、０．１〜２０Ｂ） 有機物保護層：１００ｍ以上、１０咽以下光反射層：５
ｎｍ以上、３００ｎｍ以下以上の各層の形成方法は、真
空蒸着、ガス中蒸看、スパッタリング、イオンビーム蒸
着、イオンブレーティング、亀子ビーム蒸着、射出、成
形、キャスティング、回転塗布、プラズマ重合などのう
ちのいずれかを適宜選ぶものである。
本発明の記録用部材は、ディスク状としてはかシでなく
、テープ状などの他の形態でも使用可能である。
〔発明の実施例〕
以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例　１ 直径３０ｃＩｎ、厚さ１．２　ｍのディスク状化学強化
ガラス板の表面に紫外線硬化樹脂とセルロースアセテー
トによってトラッキング用の溝のレプリカを形成し、−
周を６４セクターに分割し、セクターの始まシに凹凸の
形でセクターアドレスを入れた塾板１４を第１図に示し
たような内部構造の真空蒸着装置中に配置した。蒸着装
置中には、４つの蒸着用ポーＩｔ、２，３．４が配置さ
れている。
これらのボートは、基板１４に情報を記録しようとする
部分の下であって、基板回転の中心軸５と中心を同一に
する円周上にほぼ位置する。４つのボートにはそれぞれ
、Ｔｅ、Ｓｅ、ＳｎおよびＧｅ０ｚを入れた。各ボート
と基板の間にはそれぞれ、扇形のスリットをもつマスク
６．７，８．９とシャッター１０．１１，１２．１３が
配置され”ている。基板１４を１２Ｏｒ１ｍで回転させ
ておいて、各ボートに１流を流し、ボート中の蒸着原料
を蒸元させた。
谷ボートからの蒸発量は水晶振動子式膜厚モニター１５
．１６，１７．１８で検出し、蒸発速匿が一定になるよ
うにボートに流すｔｇ＝−をｌｌ１ｌＪ呻した。
第２図に示したように、まず基板１９上にＧｅＯ２に近
い組成の膜厚的８Ｑ　ｎ　ｍの保護層２０を形成した。
次に８ｎｔｏＴｅｇｓＳｅｔｓの組成の記録用膜２１を
約５０ｎｍの膜厚に蒸着した。続いて再びＧｅ０ｚに近
い組成の保映ノー２２を約Ｂ□ｎｍの膜厚に蒸着した。
同様にしてもう１枚の同様な基板ｌｑ上にＧｅＯ２に近
い組成の保護層２０′５ｎｌＯ’Ｉ’　ｅｓ＃ｓｅ２’
ｓの組成の記録用膜２１　’　、ＧｅＯ２に近い組成の
・保護層２２′を蒸着した。このようにして得た２枚の
基板１’ｌ、１９’のそれぞれの蒸着膜上にポリスチレ
ン層２３．２３’を約０．５μｍの厚さに塗布、形成し
た陵、両者をポリスチレン層側を内側にして有機物接着
剤層２４によって貼シ合せてディスクを２作製した。。
上記のようにして作製したディスクには、両面からフラ
ッシュランプの光を反り照射して５ｎｔｏＴｅｓｓ　５
ｅ２ｓ’録膜２１，２１′を十分結晶化させる。記録は
次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒｐｅで
回転させ、半導体レーザ（波長８２００ｍ）の光を記録
が行なわれないレベルに保って、記録ヘッド中のレンズ
へ集光して基板を通して一方の記録）漠に照射し、反射
光を検出することによって、トラッキング用の溝の中心
と光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動
した。このようにトラッキングを行ないながら。
さらに記録膜上に焦点が米るように自動点点合わせを行
ない、ノーザバヮーを情報信号に従って強めたシ、元の
レベルに戻したシすることによって記録を行なった。ま
た、必要に応じて別の溝にジャンプして記録を行なった
。上記の記録によって、記録膜には非晶質に変化したこ
とによると思われる反射率変化を生じた。この記録膜で
は、トラック方向の長さが記録光スポットよりも長く、
隣接するトラック方向への広がシは記録光スポットと同
根１ｆのレーザ光を照射することによって記録を消去す
ることもできる。ただし、消去光を別のヘッドから照射
する場合は、消去光スポットによってもトラックやセク
ターのアドレスが絖めるように、アドレスを表わすピッ
トの最隣候ピット間の距離は、消去用光スポットのトラ
ック方向の長さの１／２以上とするのが良い。そして、
消去用光スポットの２倍以下の長さとするのが好ましい
。
アドレスを表わすピットの長さも、消去光スポットのト
ラック方向の長さの１／２以上であるのが好ましい。ヘ
ッダ一部に設けられるその他のピットも同様である。
読出しは次のようにして行なった。ディスクを１ｓｏｏ
ｒｐｍで回転させ、記録時と同じようにトラッキングと
自動焦点合わせを行ないながら、記録や消去が起らない
ようなレーザパワーで反射光の弦弱を検出し、情報を再
生した。本実施例では約１×１０″のエラーレイトが得
られた。さらに、ＧｅＯ１湿度９５％、６ケ月の寿命試
験で、エラーレイトは２　Ｘ　１０−’に増加したが、
実用上問題はない。
Ｓｎｘ’ｌ’ｅＹＳｅＺ系記録膜において、その組成を
変化させた時、ＧｅＯ１湿度９５％、６ケ月の寿命試験
後のエラーレイトは次のようになった。ＸをＳｎの原子
数パーセント、ＺをＳｅの原子数パーセントとして、Ｘ
＝１０のとき、 ｚ＝０：〜５〜１０−’、　Ｚ＝３：〜１×１０１ｚ＝
５二〜２Ｘ１０−６．　Ｚ＝３５：〜２Ｘ１０−’Ｚ＝
４５二〜１×１Ｏ−１ｌｌ　Ｚ−６０：〜５Ｘ１０−５
２の値が小さいところでエラーレイトが太きいのは酸化
によるもの、Ｚの値が大きいところでエラーレイトが大
きいのは自然結晶化によるものである。
Ｚを一定１直２５として、Ｘを変化させると、Ｘが４０
を越えると結晶から非晶質への変化が困難となった。Ｘ
が２未満では結晶粒が大きく、ノイズのためにエラーレ
イトが１０＝台に達しなかった。また、Ｘが５以上では
、エラーレイトが２×１０１以下となった。なお、Ｘが
２５、Ｚが３５までの範囲では、ＸとＺのいずれか一方
または両方が大さくなると結晶化温度が高くなシ、安定
化した。
５ｎ−Ｔｅ−８ｅ系記録膜の膜厚は安定性と読出しに必
要なコントラストを１弄るために３０１１１以上が必ｄ
であり、３００ｎ口】以下にしないと熱伝導のために感
度が低くなる。よシ好ましい範囲は３　Ｑ　ｎ　ｒｎ以
上、１５０　ｎ　ｒｎ以下の範囲である。
Ｇ　ｅ　０２による保一層の厚さは、効果を得るために
１ｎｌｎ以上が必要であシ、クラックの発生などを防ぐ
だめに５μｍ以下でβるのがよい。苛酷な条件下の保管
にも耐えられる膜厚４囲は、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ
以下の範囲でるる。ＧｅＯ２層の外側の有機物層は、効
果を発揮するためにはｌＱｎｍ以上の膜厚が必要であシ
、１０μｉｎ以上の厚さであるのが特に好ましい。さら
に、レンズによる光の渠光が可能であるように、１０關
以下である必要がある。Ｇ　ｅ　Ｏｚ層の代わシにｋｔ
２ｏＩ層を用いると、膜形成は困難であるが記録書換え
時に高い保護効果が得られる。仄いで好ましいのは５ｊ
０２層である。
ｆ３　ｎ−Ｔｅ−８ｅ系記録用膜はその蒸着中に各シャ
ッタの開き角を変えることによって基板側のＧ　ｅ　０
２に近い組成の保護層との界面付近および基板と反対側
のＧ　ｅ　Ｏ２に近い組成の深護１−との界面付近のう
ちの少なくとも一方でＳｎおよびＳｅのうちの少なくと
も一方のき有量が増した・唄域を形成することによって
耐酸化性を増し、かつ保管中の結晶化を防ぐことができ
だ。
Ｓｎの一部を置換して、■ｎ、ＡＳＪ　１３ｉ、Ｓ。
Ｓ　ｉｔ　Ｇｅ、Ｐｂ、ｋｔ＋　Ｇａ＋　８ｂ＋　Ｔ７
＋ｚｎ、ｃｄ、Ａ１１．Ａｇｌ　ｃｕ、Ｎｔ、ｐｄ。
Ｒｈ＋　ＣｒＨＭｏ＋　ＷおよびＴａのうちの少なくと
も一者が添加可能であり、その添加可能量はＳｎの場合
に準するが、元系によって長所、短所がめる。たとえば
Ｇｅおよび３ｉの場合には再現性の良い真壁蒸着が困難
であり、Ａｓの場合には再現性の良い真空蒸着が困難で
ある上皇性も強く、盛庸時に粉塵が発生し易い、Ｂｉの
場合には非晶質状態の安定性が悪い、Ｉ　”ｌ　Ｑａ、
ＴｔＩ　Ｚ”ＩＣｄ、Ｐｂ、ＡｇｃＩ）場合には酸化さ
れ易い。Ｓの場合には蒸着が難しい。ｓｂの場合には酸
化すると毒性が強い、などの問題点がある。Ａ　ｕ等の
他の金属元素は膜の熱伝導率を高くして感度を低下させ
るという問題がある。しかし、ｉｎ、Ｓｂ。
Ａｓ、＜Ｊｅおよび３ｉは非晶質状態の安定化に役立つ
。ＩｎはＳｎよシも真空蒸着が６易であるとい９長所が
ある。
少なくとも一方の上記ＧｅＯ２保護層の代シに、主成分
が先に述べたＡｔ＊Ｏｓおよび５ｊ０２の他、ｃｅｏ２
　、　Ｌａ２Ｏ３、８ｊＯ＋　Ｉ　ｎｌｌ０ｍ　＋　Ａ
！４０ａ　＋　Ｇｅ（ＬＧｅＯｚ　、ＰｂＯ，ＳｎＯ，
５ｎＯｚ　ｌ　ＴｅＯ２＋Ｗｏ２＊　ＷＯｓ　＋　Ｃｄ
Ｓ、ｚｎｓ、Ｃｃｌｓｅ、Ｚｎ５ｅ。
Ｉｎ２Ｓ３．Ｉｎ！Ｓｅ３．Ｓｂ２Ｓ３．５ｂ２Ｓｅ３
１Ｇａ２Ｓ３゜Ｇａ２Ｓｅｓ　１ＭｇＦｚ　ｒ　ＣｅＦ
ｓ　＋　ＧａＦ２ｒ　Ｇｅｎｅ　ＧｅＳｅ＋ＧｅＳｅｚ
　ｌ　ＳｎＳ、５ｎＳｅ、ＰｂＳ、Ｐｂ５ｅ、Ｂｉ２５
ｅａ　１Ｂｉｎ　Ｓａ　＋　ＴａＮ、　Ｃのうちの少な
くとも一者よシ成る層を用いてもよい。ただし、炭素等
を光入射側に用いる時は膜を薄くしなければならない。
実施例　２ 基板として、射出成形法によってアクリル樹脂板の表面
にトラッキング用の溝を形成したものを用い、実施例１
と同様にして基板上にＧ　ｅ　０２膜、Ｈ己録膜の蒸着
を行なうが、厚さ約１３ＱｎｍのＳｎ１◎Ｔｅ５ｓ８ｅ
２６記録Ｊ莫を形成した後、基板を−たん真空槽から取
シ出し、２５０　Ｎ湿度８０％の雰囲気中で紫外線を照
射することによって膜を酸化させた。酸化は当然表面付
近はど強く起り、この部分でＳｎや３ｅの言有量が賊少
するが、膜内部も酸化され、膜厚方向の平均組成はおよ
そＳ　ｎｇ’ｌ’　ｅｓｓｓ　ｅｚｇＯ＋ｏとなった。
続イテ再ヒ基板ｔ＝真空蒸着装置内に入れ、配録膜上に
Ｇ　ｅ　０２に近い組成の膜を約８００ｍの膜厚に蒸着
した。同様にしてさらＫもう一枚の基板を作製し、それ
ぞれのＧ　ｅ　０２に近い組成の蒸着１漠上にアクリル
樹脂を約０．５μｍの厚さに塗布した後、塗布したアク
リル樹脂ノーを内側にして両基板を有機接漕剤により貼
シ合せてディスクを作製した。
結晶化方法、記録方法、消去方法、読出し方法は実施例
１とほぼ同様でるる。
記録膜中への酸素の導入は、Ｔｅの蒸発原料の代シにＴ
ｅ酸化物を用いることによって行なってもよいが、蒸着
の再現性が悪く、制岬が離しい。
記録膜の平均組成を３ｎＸ’ｌ’ｅＹＳｅＺ□ｙとした
とき、Ｘおよび２の好ましい範囲は実施列１とほぼ同じ
である。ただし、αをおよそ１０に固定して実、挾を行
なった。αの好ましい範囲は２０“九以下であって、２
０％を越え、３５％以下では膜の内部応力増加によると
思われるシワやクラックの発生が起り易くなるが、記録
、再生、消去特性は使用可能なレベルである。酸素瀘が
３５％を越すと著しく感ｋが低下する。
Ｓｎの一部または全部全置換してｓｂなどの他の元素の
うちの少なくとも一者が添加可能であることやＧ　ｅ　
Ｏｘ層の代シにＡ　ｔ２０３１ｍ　’Ｚどが使用可能で
めることは実施例１と同様である。
また、各膜の好ましい膜厚も実施例１と同１求である。
本実施例で得られた記録用部材も実施例１のものと同様
長寿命であった。
実施例　３ 第３図に示したように１実施例２と同僚な基板２５上に
実施例２と同様にしてＧ　６０２層２６と厚さ約４Ｑｎ
ｍのＳｎ　１０　Ｔ　ｅａｓｓ　ｅ２ｓ膜を形成した上
これを酸化してＢ　ｎ　−Ｔ　ｅ−８ｅ−ＯＮとした後
、この主に再びＧ　ｅ　Ｏ＊膜２８を形成するが、この
上部のＧｅ０ｚ膜２８は厚さを約ＩＱｎｍとし、この上
に厚さ約３０ｎｍのＢｊｚＴｅｓに近い組成の層２９を
形成した。この上にさらにＧｅｏｉ層３０を約８９ｎｍ
の厚さに蒸着した。ここまでの膜形成は真空蒸着法によ
って行なった。同様な方法でもう一枚の基板を作製し、
両基板の最上部のＯ６０２層３０．３０’上にそれぞれ
紫外線硬化樹ＩＩＮ盾３１．３１’を約５０μｍの厚さ
に塗層して硬化させた淡、塗布した紫外１課硬化樹脂ノ
ー側を内側にして粘着性有機物で両基板を貼シ合せてデ
ィスクを作製した。
結晶化方法、記録方法、消去方法、抗出し方法は′５１
！施例１とほぼ同様である。本実施例の膜においては記
録膜はＧ　ｅ　Ｏ２層との界面付近においてＴｅの選択
的な酸化によりＳｎおよびＳｅの含有量は減少している
。
本実施例ではＳ　ｎ　−’ｐ　ｅ　−Ｓｅ　−Ｑノーの
光吸収は少ないので、記録光はＢｉ２’ｌ’ｅ３層で多
く吸収され、発生した熱がＳｎ−’ｌ’ｅ−８ｅ　−０
膜に伝えられる。５ｎ−Ｔ６−８ｅ−ＯｌｄとＢｉ２Ｔ
ｅ３層との中間のＧ　ｅ　Ｏ２層は記録の曹込み、消去
を繰返す時、これらの層が相互拡散するのを防止するた
めに設けられており、この層をあまシ厚くするとＢＩｚ
ＴｅｓｌｆｉからＢ　Ｈ−Ｔｅ−Ｓｅ　Ｏ膜への熱の伝
達効率が悪くなシ、記録感度が低下する。実用的な記録
感度を得るには、ＧｅＯ２ノーのｌ膜厚は５Ｑｎｍ以下
であるのが好ましい。この；−にＡｔｚＯｓ　、　Ｓ　
ｊ０２等の他の透明物質を用いた場合にもほぼ同様であ
り、ＧｅＯ２層の代シに主成分がＧｅＯ２などからなる
層勿用いてもよいこととは実施例１と同様である。また
、この実施列では５ｎ−Ｔｅ−８ｅ−０膜の代シに半導
体レーザ光の吸収がほとんど無いが相転移による記録が
可能な膜、たとえばＳ　ｂ２　Ｓ　ｅ８を主成分とする
膜を使用することが可能である。もちろん、実施例１と
同様にＳ　ｎ−Ｔｅ−８ｅ−０膜あるいは５ｎ−Ｔｅ−
８ｅ膜のＳｎをｉｎなどの他元素のうちの少なくとも一
者で置換したものや主成分がＱｅ−’ｐｅ−８ｅ系材料
の記縁材料摸なども１吏用可能である。
Ｈｆ＊Ｔｅ５ｌ−の膜厚は、光反射および吸収の効果を
発揮するために５０ｍ以上が必要であり、熱伝導による
感度低下を小さくするために３００　ｎ　ｍ以下である
必要がある。その池の層の好ましい膜厚は、実施例１の
対応するノーと同じである。
Ｂｉ２Ｔｅ３の代りに、Ｂ’ｒ　Ｔｅ＋　８０＋　Ｓｂ
＋Ａｚ、Ａｕｌ　Ｐｄなど、多くの半導体、半金属、軸
間やそれらの混合物、化合物が使用可能でおる。
実施例　４ 直径約３５．５−のアルミ合軸ディスク上に厚さ約４μ
ｍのポリスチレン層をスピン塗布法によって形成した。
次に、この上に実施例１と同様にしてＧｅ０２Ｓ　Ｄ　
Ｉ＋ＩＴ　ｅｓｓ　Ｓ　ｅｚｓ　ＧｅＯ２績層膜全層膜
し、さらにその上に弗累系のプラズマ重合膜を約２００
μｍの厚さに形成した。このディスクでは記録、再生、
消去光はアルミ合金板とは反対の側から入射させる。
各元素の好ましい含有量範囲は実施例１と同様である。
Ｓｎの一部゛または全部をＩｎなどの他の元素のうちの
少なくとも一者で＋ｔ？Ａしてもよいこと、ＧｅＯ２の
代シにＣｅＯ２等を用いてもよいことは実施例１と同様
である。また、実施列３で述べたような反射層を基板側
のＧｅｍ５層とｆ３ｎ−Ｔ　ｅ　−Ｓｅ　膜との間に形
成してもよい。この場合は反射層と記録ノーとの間に実
施例３で述べたような中間ノーを設けるのがよｐ好まし
い。
各７−の好ましい；膜厚は冥泥例１と同一でるる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、製造プロセスが
簡単で、再現性がよく、かつ長期間安定な情報の記録用
部材を得ることができる。自己縁の書換えを行なうこと
も可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の記録用部材の作製に用いる真望蒸着装
置の内部響造・を示す図、第２図、渠３図はそれぞれ本
発明の実施例における記録用部材の構造を示す断面図で
ある。 １．２，３，４・・・ポー）、６，７，８．９・・・扇
形スリットを待ったマスク、１０，１１，１２゜１３・
・・シャッター、１４・・・基板、１５，１６゜１７．
１８・・・水晶振動子式膜厚モニター、１９゜１９′・
・・基板、２０．２０’　、２２．２２’・・・Ｇ　ｅ
　Ｏａ層、２１　、２１　’　−Ｓ　ｎ＋ｉＴ　ｅ７５
ｓ　ｅｌＱ記録模、２３．２３′・・・ポリスチレン層
、２４・・・有機接層剤層、２５．２５’・・・基板、
２６．２６’。 ２８１　２８’　、　３０．　３０’　・・・１Ｊｅ０
２１Ｌ　２７ｒ２７　’　・・・記録膜、２９　、２９
　’　−Ｂｊ２Ｔｅ＋　ｔｍ、３１．３１’・・・紫外
源硬化樹脂＋７．３２・・・有礪接’ｆ、＋　口 第２　図 ；；。 ノ２ ３ρ ｇ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　基板上に直接もしくは無機物またはＭ機樹脂から
    なる保護層を介して形成された記録用ビームの照射を受
    けて原子配列変化を生ずる情報記録用薄膜を有する情報
    の記録用部材において、上記情報記録用薄膜はそのノ漠
    厚方向の平均組成が一般式ＭＸＴｅＹＳｅｚＯａ（ｆｃ
    だし、Ｘ、Ｙ、Ｚおよびαは、それぞれ、２≦Ｘ≦４０
    ．３０≦Ｙ＜９５．．３＜Ｚ＜４５．Ｏ，＜αく２０の
    範囲の１直であり、ＭはＡｓ、ｓｂ、　Ｂｔ、ｓ、Ｓ’
    ＋Ｑ　ｅ　、　Ｓｎ　、　Ｐ　ｂ　、ＮＺ＋　Ｇａｌ　
    Ｉｌｌ、Ｔｔ。 Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ。 Ｒ，ｈ、Ｃｒ、ｚ’ｖｌｏ、ＷおよびＴａからなる群か
    ら選ばれた少なくとも一種の元素を衣わす）で表わされ
    るものであシ、かつ上記Ｍで表わされる元素のうちでＳ
    ｎを必須の成分とすることを特徴とする情報の記録用部
    材。 ２、特許請求の範囲第１項記載の情報の記録用部材にお
    いて、上記αが０でめることを特徴とする情報の記録用
    部材。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、上記
    αが０でない場合、上記一般式ＭＸ’ｌ”ｅＹＳｅＺ□
    ａで示される情報記録用薄ｊ莫中のば素は該ＭｘＴｅＹ
    Ｓｅｚなる式で示される薄膜を形成鎌、該ＭＸＴｅＹＳ
    ｅＺなる式で示される薄膜を酸化処理することによって
    導入されたものであることを特許とする情報の記録用部
    材。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
    情報の記録用部洞において、上記Ｍで表わされる元素と
    ３ｅのうちの少なくとも一方の含有量が上記情報記録用
    薄膜のいずれか一方の表面例近においてその内側よシも
    増加していることを特徴とする情報の記録用部材。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
    項記載の情報の記録用部材において、上記情報記録用薄
    膜の少なくとも一方の側に存在する保護膜はｏｅｏｔ＋
    またはＡ４０３に近い組成をもつものであることを特徴
    とする情報の記縁用部材。 ６８時特許の軛囲第１項、第２項、第３項、第４項また
    は８５項記載の情報の記録用部材において、上記情報記
    録用薄膜の少なくとも一方の側に隣接して無機物からな
    る保護層を有し、該保護層の該情報記録用薄膜に隣接し
    ない側の面に隣接して有機物層を有することを特徴とす
    る情報の記録用部材。 ７、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、
    第５項またはｇ６項記載の情報の記録用部材において、
    上記情報記録用薄膜のいずれか一方の側に安定な無機物
    からなる中間層を介して光反射層または光吸収層を有し
    、該中間層の膜厚が１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であるこ
    とを特徴とする情報の記録用部材。 ８、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、
    第５項、第６項または第７項記載の情報の記録用部材に
    おいて、上記基板表向に設けられたアドレスを表わすピ
    ットは、最隣接するビット間の間隙の長さが消去光スポ
    ットのトラツタ方向の長さの１／２以上であることを特
    徴とする情報の記録用部材。
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