JPS604229A - 半導体素子の搭載方法 - Google Patents

半導体素子の搭載方法

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Publication number
JPS604229A
JPS604229A JP58113145A JP11314583A JPS604229A JP S604229 A JPS604229 A JP S604229A JP 58113145 A JP58113145 A JP 58113145A JP 11314583 A JP11314583 A JP 11314583A JP S604229 A JPS604229 A JP S604229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
low melting
melting point
glass
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58113145A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Yamamichi
山道　信行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58113145A priority Critical patent/JPS604229A/ja
Publication of JPS604229A publication Critical patent/JPS604229A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、低融点ガラスを用いた半導体素子の搭載方法
に関するものである。
従来より、低融点ガラスを介して半導体素子（ペレット
）を搭載（マウント）する場合は、ペレットを直接低融
点ガラスにマウントする方法が取られていた。
しかしこの方法だとペレットとガラスの濡れ性が良くな
く寸法の大きいペレットの場合は熱膨張係数差による応
力集中が生じペレットの破壊を生じた。
これを改善する為に、金属被膜を形成する事が考えられ
たが、金属被膜がガラスと門れるのは、金属被膜上に酸
化膜が存在する為であって自然に出来た酸化膜だけでは
必ずしも充分とは言えなかりｆ−０ 上述した従来方法の欠点を解決し、大きいベレ、トに於
いても、十分な接着強度を得ることが出来るペレットの
マウント方法を、本発明は提供するものである。
すなわち本発明は、ベレット裏面に陽極酸化可能な金属
を被着し、再に該表面を陽極酸化し酸化膜を形成するも
のである。
この様にする事により金属膜上に充分厚い酸化膜が形成
されガラスとの語れ性が非常に改善された０ 以下本発明の実施例を図面と共に説明する。
第１図は、従来のペレットマウント方法を示す図である
。第１Ｎへ）に於いて、ｒ３面にアルミニウムｊ］バ１
をに、（崩又はスパックリング等で被着したペレット２
を」Ｎ止部Ｖこ封ＩＦ用の低融点ガラス３を有するガラ
ス封入パッケージのセラミック基板４上の・〜ヤビイテ
ィ一部に、ペレット搭載用の低融点ガラス５ヶ形成し１
．υ１１熱溶融した上にペレット２を加圧接着後、ωＥ
ｌｌ　ｌ、固ｙｔ’ｔ　’ｒるものである（哨１図０３
））。
金属が、ガラスと６．Ｉシるのいよ金Ａ３表面に酸化膜
が存在するｇ％に、Ｌっている。従ってアルミニウム被
Ｉｉへの表面に自然に出来た酸化膜り１、非常に薄い為
、ガラスとの濡れが充分いかない場合が生じる。
第２図は、本発明の一実施例を示すものであるが、ペレ
ット２の裏面にアルミニウム膜１を蒸着又はスパッタリ
ング等で１〜２μ程度被着し、陽極酸化法によりその表
面に陽極酸化膜６を、１ｏｏ。
〜２０００Ａ程反カ杉成したペレット２を封止部に封止
用の低融点ガラス３ｙｋ有するガラス封入パッケージの
セラミック基板４上のキャビィティ一部に、ベレット搭
載用の低融点ガラス５を形成しく第２図（Ａ））％加熱
溶融した土にペレット２を加圧接着後、冷却し固着する
ものである（第２図ｅ）　）　、）陽極酸化方法として
は、通常アルミニウムの陽極酸化に使用される、リン酸
、シーウ酸、クロム酸硫酸等の溶液による方法であれば
良い。
以上の様に本発明によるペレットの搭１１２方法を用い
れば、裏面金属層表面上に充分厚い酸化＋＋：ｑ　：・
ηが形成されているのでガラスとの閂れ具合は良くペレ
ットが破壊を起こ］７たりするＩ７　ｊは全＜　７’ｒ
　＜　：よる。
本実施例では、陽極酸化可能な金属としてアルミニウム
をあげたが、この他にタンタル、チタンタングステン、
スズ等の金属でもかまわない１゜
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のベレットマウント方法を示す図である
。 第２図は、本発明の実施例に、１：るペレット７・クン
ト方法を示す図である。 同、図において、１・・・・・・アルミニウム膜、２・
・・・・・ペレット、３・・・・・・封止用の低融点ガ
ラス、４・・・・・・セラミック基板、５゛・・・・・
・ベレット搭載用の低融点ガラス、６・・・・・・フル
ミニウノ・の「、”ｊ　Ｉｉｕ　ｆ１Ｐ化１「Ｓである
Ｏ 代理人　弁理士　内　原　皆

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を搭載するパッケージの半導体素子搭載面上
    に低融点ガラス膜を形成し、半導体素子の裏面に１り極
    酸化可能な金ハｊ換を設は再に該金属膜の表面を１〜り
    極酸化による酸化１１（へを形成した半導体素子を、該
    低融点ガラスを溶融し、搭載固着する事を特徴とする半
    導体素子の搭載方法。
JP58113145A 1983-06-23 1983-06-23 半導体素子の搭載方法 Pending JPS604229A (ja)

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JP58113145A JPS604229A (ja) 1983-06-23 1983-06-23 半導体素子の搭載方法

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JP58113145A JPS604229A (ja) 1983-06-23 1983-06-23 半導体素子の搭載方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS604229A true JPS604229A (ja) 1985-01-10

Family

ID=14604707

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58113145A Pending JPS604229A (ja) 1983-06-23 1983-06-23 半導体素子の搭載方法

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Country Link
JP (1) JPS604229A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01272268A (ja) * 1988-04-25 1989-10-31 Hitachi Ltd 拡大表示可能な映像信号処理回路
WO2008153245A3 (en) * 2007-06-11 2009-09-03 Wavenics, Inc. Semiconductor package module using anodized oxide layer and manufacturing method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01272268A (ja) * 1988-04-25 1989-10-31 Hitachi Ltd 拡大表示可能な映像信号処理回路
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