JPS6042819A - フオ−ム半導体ド−ピング剤担体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、開放気泡の発泡構造体に形成された、耐火結
合された不活性な無機材料から構成された新規な半導体
ドーピング剤担体に関する。＾１Ｓ記担体は、開放気泡
の発泡有機材料に耐火桐材を含南する流動性スラリーを
含浸でせ、その後前記金波された材料を十分な温度にお
いて十分な時間７Ｊ（１熱した構造体にすることによっ
て製造でれる。本発明に、前記担体を官有する拡散源を
製造する方法および拡散源、前記新規な担体含有拡散源
を用いる半導体の拡散ドーピング法および前記拡散源を
用いて形成された半導体に関する。

半導体素子は電子工業における多数の応用性および実用
性を有し、そして整流器、トランジスタ　。

−１光ダイオード、太陽電池、放射線検出器、帯電粒子
検出器、集積回路および種々の他の応用において使用”
される。それらは多年にわたって工業的に知られており
、そして半導体素子は一般にこの工業において受け入れ
られており、そしてこの応用において半導体装置および
それから形成され部品を包含し、それらはケイ素、ケ゛
ルマニウム、ケイ素／ケ゛ルマニウム、ヒ素化ガリウム
、リン化インジウムなどの九累、合金および金属間化合
物からなるホスト基体（ｈｏｓｔ　５ｕｂｓｔｒａｔｅ
　）から形成壊れている。このような半導体素子は任意
の便利な形状またｔま形態であることができるが、典型
的に４円形、長方形または三角形のウェーハまたにディ
スクの形状で使用されている。

多数の応用および実用に対ｌ−でそのように重要外積々
の電気的性質を達成するために、半導体素子に典型的に
はホスト基体の内部に混入された活性不純物を肩【−１
それらの活性率゛純物は製造中ｒｃあるいは後に拡散に
より混入され、そして半導体素子の電気整流特性に影響
を及はす。これらの−性不純物は通常供与体不純物また
は受容体不純物として分類され、供与体不純ｖＩＪはリ
ン、ヒ素、アンチモ／、ケイ素、テルル、スズ、などを
包含し、そして受容体不純物はホウ素、ガリウム、アル
ミニウム、スズ、カドミウムなど全包含する。

半導体素子は、過剰の供緯体不純物を含有し、こうして
過剰の遊離電子を生ずる領域を有することができる。こ
のような領域は不純物ドープト（ｄｏｐｅｄ　）　ｎ型
領域と呼ばれる。同様に、半導体素子は過剰の受容体不
純物を含有する領域を有する午とができ、この領域は電
子の欠乏を生じ、不純物ドープトル型領域と呼ばれる。

このようなｐ型領域とｎ型領域との間の境界にｎ−ｐ接
合またＬｒｉ　ｐ　−ｎ接合と呼ばれる。多くの応用に
おいて、ｐ型またはｎ型の領域内の不純物分布の均一性
、ならびにｐ−ｎ接合またＦｉｎ−ｐ接合の鋭さく　５
ｈａｒｐｎｅｓｓ　）は半導体素子の効能にとってきわ
めてｉ安である。

半導体素子中に柚々の活性不純物を混入する多数の手段
が庚楽されてきた。典型的には、種々の活性不純物を半
導体素子中にホスト基体の製造の間ｅζ緊密に混入する
ことができ、あるいＦｉ製造中にホスト基体上への析出
により混入することかで＠乙。

製造中のホスト基体の表面における活性不純物の析出は
、典型的には、蒸発したドーピング剤原子をホスト基体
の物体中に高温で拡散させることからなる。典型的には
、ホスト基体中へのドーピング物置の拡散は、ドーピン
グ剤原子が半導体本体中にすべての副面または選択した
側面から浸透するような方法で、前もって決定し友量の
ドーピング剤を閉じた容器内でホスト基体と一緒に加熱
゛することによって達成される。半導体素子の制限され
た表面上にドーピング剤を析出することを含む１つの方
法は、米国特許第３．２８７．１８７号に記載されてお
り、ここでポスト基体材料の酸化物ｉｔホスト基体上に
析出され、次いでホスト基体を加熱することによりドー
ピング物質Ｆｉ基体表面区域中に拡散する。

米国特許、＠　３．９２３．５６３号は、析出および拡
散の典型的な方法°を記載しており、ここで耐火酸化物
粉末を圧縮しかつ焼結することにより多孔質の剛性な寸
法的に安定なウェーハを形成１２ている。

次いでこのようにして形成されたウェーハをメタリン酸
アルミニウム、酸化ヒ素または酸化アンチモンのような
ドーピング剤の適当な有機または水性の溶媒中の溶液で
処理することにより前記ドーピング剤で誉浸する。これ
らのウェーハはドーピング剤源として機能し、そ１．て
適当な炉内においてポスト基体の付近に配置される。ド
ーピング剤のウェーハおよびホスト基体を約り５０℃〜
約物１ま炉を辿フ１４Ｌ、ホスト基体と接触する。蒸気
は熱いケイ素表曲と反応するように思われ、そして元素
状のリン、ヒ素および／またはアンチモンは連続的加熱
によりホスト基体中に拡散１．て半導体素子をつくる。

米国Ｉ＋！ｆ許第３７ｓ２ｏ、ｓｓｚ号に、ドーピング
剤成分を含浸された、多孔質不活性剛性寸法安定性耐火
支持体からなる、固体のドーピング剤源を開示している
。この多孔質支持体は、耐火酸化物たとえば安定化され
たジルコニア粉末、アルミナ粉末、ンリカ粉末、トリア
などを圧縮し、焼結することによって形成される。耐火
酸化物は圧縮され、焼結され、次いでドーピング剤成分
の溶液を含浸される。

米国特許笥３．０９０．０９４号および米国特許第３、
０９７．９３０号は、多孔質セラミック物品、たとえば
、開放気泡の有機ポリマーを含浸し、その後加熱して耐
火発泡材料を形成する方法により形成されたセラミック
７オームを１載している。１９８３年６月８日に出願さ
れた米国特許用ｍ第５０４２８５号及びそれの一部継続
出願でろシ、同じ日に出願された米国特許出願（Ｃａｓ
ｅ　６００７Ｐ）は有機ポリマーを含浸しかつ浸透させ
ることによ多形成された耐火複合フオームの製造を記賊
している。

本発明の１つの目的は、複数の相互に結合した孔を有す
４．る耐火開放気泡のフオーム（ｆｏａｍ　）からなる
、新規な固体フオームのドーピング剤担体を提供するこ
とである。

本発明の他の目的は、ドーピング剤を含有するフオーム
の耐火気泡担体からなる新規な固体ドーピング剤源を提
供することである。

本発明のそれ以上の目的は、フオーム耐火ドーピング剤
源を製造する方法を提供することである。

′　それ以上の目的は、フオーム耐火ドーピング剤源の
製造法を提供することでらる。

なおそれ以−ヒの目的に、フオーム耐火ドーぎ／グ剤源
ＶＣより半導体ホスト基体を蒸着ドーピング′する方法
およびそのように形成された半導体素子を提供すること
である。

これらの目的および他の目的は、以下の本発明の詳細な
説明から明らかとなるであろう。

すぐれた３次元の結合性の気泡形状を有し、高められた
温度において含有する活性不純物を遊離することができ
、かつ実質的に変形しないと同時に耐熱側撃性を維持す
るように寸法的に安定な、尚度に多孔性の固体ドーピン
グ剤担体を提供できろことが発見された。すぐれた気泡
形状は軽量のドーピング剤担体の製造を可能とし、これ
によりドーピング剤の担体への含浸の効率が増大し、そ
してドーピング剤輸送媒質（たとえば、相体とドーピン
グすべき物質との間の気体または流体の媒質）との接触
表面積が増大し、それ―え遊離されたドーピング剤不純
Ｉノの流れを妨害せず（ドーピング剤の使用量を犬き（
することができると信じられる。直接の曲業的オＵ益は
、次のとおりであると信じられる。すなわち、本発明の
気泡構造で作られたドーピング剤担体は先行技術の担体
よりすぐれた効能を有することができ、こう１．て先行
技術よりも小さくおよび／まだは助〈作乙ことができ、
これにより処理するだめの半導体ホスト基体の使用１を
犬きくしおよび／またはドーピング剤源の交換の頻度を
少なくすることができる。

不発明の開放気泡のドーピング剤担体に、耐火材料を分
解４ａ気泡構造体へ熱結合することにより得られる。本
発明の担体を製造する方法の主工程ｉｔ、菖度な密度お
よび気泡大きさを有する適当なフオーム有機ポリマー基
体に、所望の耐火担体材料を汀浸させて、担体材料の密
着したコーティングを形成することを含む。次いでこの
ように金波されたフオーム材料を、？ｉｈ温の加熱に暴
露して、フオーム月料の気泡形状に担体材料を焼結し、
溶融Ｌ、鹸融泣透させあるいけ他の方法で固定し、かつ
有機支持体を分解することによって、熱結合される。こ
のようにして形成された耐火桐材は、フオーム支持体の
形状を取ると同時に、耐火生成物の剛性および寸法安定
性を獲得する。

／ 本発明の方法に従えは、いかなる珈当な有穢賓曾体フオ
ーム材料も、それがｊ９を望によりｌ＋、７．温す１１
熱前のプロ七ス処理に耐えるのに十分な物Ｌ！Ｌ！的イ
ｉ４（’Ｉ？Ｊを有するかき′す、使用することができ
る。この方合捧に！１セルロー刈〜、ポリエチレン類、
ポリエチレン類、ポリプロピレン９Ｊｊ１　ボ１月、−
化ビニル如、ラテックス類、アクリル類、］αリウレタ
ン―〈目、うｉｔυ４，１科、そｉｔらの混合物→が包
含される。±ｉ「１フオームは、釉々の藺１庭で矛少々
の程度び）間１注又°１よ来秋性を有することができる
。含反、乾り゛〈及びｄ透性耐火祠科Ｖこよる板積は、
フオームのＪツｒ望されない破ｉｊ４　（ｂｒｅａｋａ
（Ｈｒ　）、分ｇ７　（ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）又
は劣化がすυ１υｊの（Ｌ理工桿期ｌ１ｊｌ中起こらな
いことを俯央ｖｔ４−るす錦１１された澁駄ｍｌ！Ｈで
最短されるささである。約１０’Ｃ〜約１００　’Ｃ）
ｒＭ　ＩＪｔ　Ｉｌｉ［ｉ　ｋｔ＋　Ｔ　適当な来秋性
會有するフオームが好ましい。

有情フオームは好都合ないかなる寸法及び形状Ｖごおい
ても形成することができるが、一般には、喧゛ｔＬｔ、
ｔ　ｋ−よさ扛るべきに鮫製品と夾”Ｐｊ的に同じ寸浩
孜び）１ン状で形成される。半尋体Ｘ”１子土へのドー
ビ／ダ１１１１の無・げに期用するドーピング剤３１体
は通冨ドーピ“ング丁べき半尋体系子の犬ささおよび形
状［近似させて形成−４ｊＬゐので、１恢フオーム未刊
のｊｅ状ｉ［通水牛尋座系子のＪし状に近似する。ぞの
イ夾の処九二のｉｌを及び／父は処理の邦］同、フオー
ムｔま以恢にト１１示される（（理の方法のＡｎ（々の
選択に漬汁して司父口１に圧扁され、乾にさｆｌＳ膨む
等されるでるろうということは認識されるべきであり、
ぞしてｎ＝Ｖの目的に対してフオーム体の寸法を決シす
るとぎ１れ管冶獄す小べきである。本発明の１されてウ
ェーハ、ディスク崎にすることができる。

典型的には、有情とフオーム材料は、堅く詰まった小さ
な気泡４ふ造から大きい気泡ズｗ造′までの広い１１１
−囲の一へｆｉｇ寸法のものが入植可能である。同う、
ｒ、に気泡密展は太きく変わることができ、実情的には
ψ数の・ｄ度勾配でｈ業的に人手”Ｊ’ｈｔ’、である
。生気・ｔ＋、１ｌｉ＝　体上のドーピング剤のイ６気
柑析出に＋１＋二用すべきドーピング剤」０体を製造す
るとき、と゛］４〜約１９７個／ａｍの孔（直膨インチ
ａり約１０〜約５００個）′（ｒ−有する約４５００ミ
フロン〜約５０ミクロンの軸回の気泡寸法は好ましい結
果をｌＪ：、じたことが見出された。いくつかのｉｌＩ
に）？（うて、より望°ましい多孔層及びより厳慴々寸
法＋ｉ１７打□を達成するために）Ａ・−ム材料を圧縮
−「るのが；〜尚であることが見出された。

−”””　−一ノ　”　’−６１′ 半導体工業において高゛性能の製品を可能ならしめるた
めには、平面で且つ薄い、例えば約０．０４０±０．０
０２インチの厚さである拡散源を使用するのが望ましい
。市販されているポリマーフオームは現在所望の厚さで
入手できない。すべての必要な基準にあう典型的に最も
薄い市販されている有機ポリマーフオームは約８分の１
インチの厚さである。所望のゲージに薄いフオーム部分
をスライスする試みは成功していない。厚さがかなり非
均−なものが通常生ずる。

この問題に答えて、出願人はすべての必要な基準並びに
所望の薄さ及び厚さのバリエーションにあう有機ポリマ
ーフオームが以下の如く得られうろことを見出した。市
販の１インチ（リニアルインチ）あたり１００個の孔の
、１／８インチの厚さの網状ポリウレタンフォームシー
トを、２つの加熱した平らな定盤の間で圧縮する。定盤
を平行に保ちそれが所望の所定の量よりともに近づかな
いようにするために１又はそれ以上のシムを定盤の間に
置く。定盤は約３５０〜４５０’Ｆに加熱する。有機フ
オームを圧縮において、該有機フオームが永久圧縮固定
が起こる時間である約２〜約５分間加熱した定盤の間に
保つ、その後プレス機を開き、圧縮及び加熱固定（ヒー
トセット）有機フオームシートを取り除いて冷却させる
。プレス機から取り除（と有機フオームシートはいくら
が戻る（スプリングバックする）。従って、シムの厚さ
に相当するフオームの圧縮されたゲージは、加熱固定有
機フオームの厚さより薄０゜約０．０４２±０．００２
インチの厚さの有機フオームを製造するためには、１／
８インチの厚さで１インチ（リニアルインチ）あたり１
００個の孔のポリウレタンフォームを０．０４インチの
定盤間隔で圧縮及び加熱固定する。スプリングバックの
蟲及び必要なシムの厚さは経験的に決める。

得られた圧縮固定有機フオームシートは、その平らな表
面の方向においてははじめに有していたのと同数の孔７
インチ（リニアルインチ）を含有する。厚さは減少され
るので、厚さの方向においては１インチ〈リニアルイン
チ）あたりの孔の数は逆に増加する。１／８インチの厚
さ、１リニアルインチあたり１００個の孔であるもとの
フオームにおいては、得られた０、０４２インチの厚さ
の製品は、その厚さの方向において１リニアルインチあ
たり約２７０個の孔を有する。

該圧縮固定有機フオームを次いで以下に記載する如く処
理し、続いてステンレス綱打抜型を利用して３〜４イン
チ直径のディスクに切る。以下に記載する第２すなわち
浸透する耐火材は、ディスクに打抜く前に粒状セラミッ
ク含浸した有機フオームに適用することができるが、こ
れは、該浸透する耐火材を保存するためにディスクに適
用することが好ましい。

与えられた有機ポリマーフオームの圧縮固定を達成する
のに必要な特定な時間及び温度は、圧縮加熱固定可能な
これらのフオームに対して経験的に決めることができる
。

フオームは含浸、乾燥又は浸透剤適用プロセスの前、期
間中又は後に種々の添加剤で処理することができる。典
型的には、かかる添加剤は、いずれかの粒状耐火材料の
均一な分布に影響を与え又Ｆｉ発γｗした船、ｆ逝の６
１５分を膨潤し父は齢ｉψ（しＣよりｂｉ妊なｒ、Ｑ　
、’ｎｉ　’ＩＩ−生じることにょグてフオーム材料へ
のｊヶ７，１１佳も−１，１め父は第二劇火拐科の改良
された浸Ｊ／ｆをｂＪ龍とすることができる。イくの例
Ｖこおいて、車台陣ａｖＩＬ体スラリーによる処理の＠
１ｆに予め膨１ゴさせて１ム収（ｉｍｂｉｂｉｔｉｏｎ
）の速度及びＪａＩＬを増加させることかできる。水自
体はセルロース型百合゛自＝　ＶＣＸ）する」１ｈ当な
膨イ；」酌でめり、そして他の例にふいては芳介１次ア
ルコール知、ケトン類父は同様な好歳な語媒が適切であ
ることがある。

本方法の含反工程勘間中、粒状耐火材料は気１’ｉ’１
状”ｈ　４，１．、フオーム上に析出されて、フオーム
の拗鹿１１：Ｊ、ｌｉ・１ユ五にＨｔ　？ｒ；　ｔｃ点
似するようにその構造幾素に付７ｔｊする。オン４ｃの
耐火桐利ケ見た長松末の形で１４用で８るがミ材別を匹
切性スラリーの形で適用し、その１ｖ、向鶴〃口鮎前に
処理された有恢フオームを少なくとも部分的にスクィー
ジンダｂ・よび／まタハ乾燥することが好育しい。乾燥
すると、有機フオーム４１色及びそのもろい−１ｊ件を
除いては鈍化しないように見λるが、より厳密に検Ｈ１
すると、粒状耐火ｔＡ料の薄い級咎が気泡状フ爾−ムの
次間に析出ざ九でいることに気付くこと′ができる。

典２１的ｖｃｈ、含没に使用されろ耐火材オ・４含有ス
ラリー１ｑｔ、約１０　’ｊｔ、（ｅｌｆｌｉ〜約９０
　’１１（肘Ｎ＋〕ＩＩＦＩ火’ｔｉＪ科′ｆｒ−官有
する水性忌濁勲でｈる。含浸された耐火材料対ξｉ燥ラ
フオーム材料１８を桁比は約１＋ｌ〜約２０１１である
。含浸）ｌ：’＋間中発泡：’ｈ　ｈ’体、ｉゐ遺体へ
の１耐火材料の分布の均−件をｉｆＩ＋ぬることかでき
、あるいは４・ルを遺体への耐火材料の＋＆を性を生じ
させることができる、ｒルｊ２成剤、増粘剤またｉｔ結
合創の如き他の化合物を存在させることができる。

乾燥にｒβ書し又は成る方法ｖ−・いて乾゛妖をＡ＋！
ｊ　Ｍｌ）するｈす又／ｆｉ＋社火材料のその伎の市硅
／Ｉｌｌ貼ｅど対して効朱を与えることができる剤の如
き他の拳加剤を存在３ぜることもで粘る。

軸副しｆｃ市甘せζ勿質の含浸ｔまいくつかの方法によ
り行なう仁とができる。一般に、珀＠捧フオームの気ｔ
１構造に析出した耐火物の鼠は、処理のために１ｉｉｉ
）Ｆｌ’ｇｒＬる浴数／　ＩＩＪ　ｉｉ液液中七の一度
に正比拶１している。典型的には、Ｊｉも谷易な方法は
、析出されるべき材料の娠紬δれた廊−液中に小合体・
　フオーム４勿仙”を浸漬することでめる。しＱａしな
がら、池の會陵の手段には、頃耕十段、ロールコーティ
ング＋段又は菫合体格殖が七のプロセス期間中：！ｔ　
Ｉ　Ｌ　＜ないように害されない１川様な方法が包含さ
れる。

イ（除）・ｊ−ムケ含υ１−るとくに鳴動な手段は、析
出′場べさｂｌ１４火材料の随一１−１．繍１−故で菊
偵フオームケ官ばするかあるいは噴嚇するどとである。

このような系において、水性懇陶液中の耐火材料を使用
するのが好１しく、そして析出過程に影響を与える仁と
ができる徨々の添加剤を存在させることができる。

流体酷渦液によるフオームの含浸を改良するために、含
浸されるフオーム材料は典型的にＦｉ過剰のＵハ〕体藺
濁液をそれから排出しながら釦火Ｉ料の含浸及び析出を
最大と□するようｒｔｃ　ｖｎ牌される。−ｆ４■に、
流体慰洟液のこの除去けｔら−な耐火Ｉ初品を侍るよう
にフオーム加工片全体に−わたりｉＫ密Ｉｆ（鯛、節さ
ｔ且つ均一に１４４ｉｉｉれる。含浸されたフオームか
らの前体懸濁液の除去においては、ｕｂａｘ空気を吹き
出ずこと、遠心分離及びローラ等の藺の通過を含む圧搾
を包含する広範な方法が知られている。一般に、手によ
る圧搾で十分であるが、変動するローラ圧力でローラｒ
ＨｒＪｋ＊６鍋させることはより均一な製品を与えるこ
とができる。

含浸後、処理された不徳材料を４１／、しして過剰のｔ
ｒｆＬ体を除去する。完全な乾燥は耐火材料の焼成前に
必櫓な工程ではないが、それは典型的には過剰の湿分か
ら生ずる複雑化を排除するために実施さする。乾燥はオ
ープン、プロワ−１空気乾燥等の如き便利な＋跣によっ
て達成され得る。しかしながら、スラリーの離体部分が
有機化合１商であるが又＋、１有（表化合物等を含不す
る場合には適当な安全予防手段を諮しるべきである。一
般に乾燥温度は冶機フオームが不利に変形するか、又は
それにより不才１］に督されることがないように十分低
くすべきで、ｂる。一般ｒＣ１水をペースとする懸濁液
に対し　テ？：ｉ約ｌθ℃〜約１２０℃の乾燥温度が好
捷しい。しかしながら、成る場合には、たとえば有機フ
オームの望捷しい変形を生ぜしめるため又は特定の４ｆ
’ｌ逍又に効果を達成するためにはより筒い温ｊ技が丘
ｊ′ましいことがあることに留意されるべきである。玲
乙燥工程中除去される流体の址は広く変えることかでき
る。一般に含陛された材料の約２５■駐係より少ない流
体含有率となるように」−７，燥するのが好−ましい。

含浸された有機フオームから過ヤｊのスラリーを除去し
、ぞして必要に応じて、それ全乾燥した後、耐火制科を
焼成して、焼結、浴融などにより面１火お°を子金熱合
して耐大作１ａ体才形成する。典塑的には、約６００℃
を超える温度が適当な生成物ｌを得るために必要であり
、そして溶融のために１２００℃を超える温度を必聾と
する耐火材料をｉ山川することが妊ましい。これより肯
い温度の材料は、次の理由で好ましい。すなわち、それ
から得られる生成物は不純物を放出する傾向が少なく、
あるいＣま約５００°Ｃ〜約１４００’Ｃの通常の析出
ドーピング’ｔＷ　ｉ　＠ｔ）囲においてドーピング剤
４１′Ｉ体として引き続いて使用するとき、イ′ｉｑ造
的変形をする四囲が少ないからで・ｂる。Ｍｕｄ々の圧
力をこの方法のいずれの工欅においても使用できるが、
一般に大気圧Ｊソ下の夫ＩＪｉｔｉが好舊しい。

ることか妊ま［７い。浸透性耐火材料は、含浸性耐火材
料よりも倣い融点をもち、これにより焼成温度において
含浸性耐火材料を浴鹸・しないで含浸性１１、＋１火口
にペシーして浸みしなくてはならない。

腹６燥され、含浸されたフオームに浸透性耐火材料（浸
＝ｉｈｕなｈ４すのは、流体スラリ系によることがＴき
２）が、−蛭′には含浸されたフオームに、凌Ｔ、ツ性
ＩＩσ」火、勿の粗い、乾燥粒状コーティングを施丁の
が好丑しい。ｉ＋ｈ　′！ｉν的には、フオームの表面
をε虻ｉ’＋ｐ　％ｌｌで破徊すｒ［は十分である。約
１０ミクロンより大きい＝ｅヶ有するより相い粒子は、
浸透過４４Ｉの間に望−ｆ［、＜ない削化相の影響を阻
止するよ・うに思われるので、容易に酸化する浸透性材
料を１史用するとき、好糧しい。一般に凝透性耐火材料
対早乙沫した含浸式れたフオームの噛墳比は約０．（１
５＋１〜約ａｌｌである。このようにして凌１左畑をコ
ーティングちれ、塩授さ７ｔだフオームＫ　Ｌｊ　Ｂｔ
　透性１ｉＩＩＩ火材料ケ浴融するのｖＣは十分である
が宮θされた１１ムス火材料全ｔｅ−ｉ融するのに必女
な温度よりは低い席、雇に加熱きれる。加熱すると、有
機重合体は分解しＸ浸透性＋１１１４火駒料ｒｉ浴１し
そして含浸ネれｆｃ耐火材料Ｖ（対する七の湿口昨用に
よって、浴融した反還性耐火材Ｈはｉ゛浸耐火制科の孔
にυＬれ込み、分解した相合本により空隙が残り、セし
て固化したとき、含浸さｎｆＣ相と共に理Ａｙｆｆｉ的
該合体より成るマトリックスを形成スる。

宮没及び浸透に１史用き７Ｌる耐火材料は材料のホスト
から選ぶことができるが、含凌材７Ｆ４に約１４００℃
を越えるト５１に点を冷し、そして浸透材料は約１２０
０℃を越え且つ約２３００’Ｃより低い融点を有するこ
とが一般に好ましい。選ばれた含茨耐人材料は選ばれた
浸透材料の融点より市い融点を持たなければならない。

然射過杵における望ましくない汚染物質の析出の可能性
が存在するため、耐火帳・化物をこのような１犯用の材
料として避けることが好着しい。

Ｗに、溶融した（液体）浸透耐火材料は約４５＠より手
延い接触角に含浸件耐火材料Ｃ円体）をぬらす舵力な・
有するべきである。接触角をま含浸材料のｈ体次山１と
、２つの表置１の接触点における浴融した浸透利科の液
体表ｒｉ＋ｉに対する接線との間の角にである。ｉｑ’
７　ｄ’“Ｊする能力の他に、使用式れる２つの材料ｌ
１１１に訃ける、１つの材料の他方の材料への剖解件に
刈する抵抗があるべきである。

浸透フｊ法Ｖｃふ゛いては、加熱゛は、耐火材料で含酸
され、白ｊ人材料の浸辺剤でコーティングされた有情フ
オームに対して、この有機フオームを分解するのＫ及び
浸透耐火材料を溶融するのに十分な跡度蒸び時間で・ち
るが、しがし含浸性耐火材料を浴融するよりは低い温朋
及び短い時間性われる。得られる破細複合構造体に発泡
した有機重合体と１質的に同じ４勿理的構造′ｆ有する
が、含浸された耐火材料及び呵透された耐火材料の■合
体から成る。

本発明に従って含浸材料と１．て使用ＴＩ１．ｌ°能な
典型的な耐火材料は、次のものを包含する：純粋な元素
、たとえば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニ
オブ、クロム、ジルコニウム、バナジウム、チタン、ホ
ウ素、炭素等；二成分糸や一合金、たとえば、タングス
テン／タンタル、タングステン／ニオブ、タングステン
／モリブデン、タングステン／クロム、モリブデン／ク
ロム、モリブデン／チタン、モリブデン／ジル；ニウム
等；ポウ化９勿、たとえばＡＩＢ、、、２°ｉ、　Ｈ，
’Ｉ”ｉ　ｌｉ＠　、Ｚ　ｒＢ、、ＺｒＢ、、、Ｈｆ　
Ｈ，、Ｎ　ｂ、Ｈ，、Ｎ　ｂ　Ｈ，Ｎｂ、Ｂ、、Ｎ　ｂ
　Ｂ、　、Ｔａ、Ｂ、ＴａＢ、ＴａＢ４、ＴａＢ２、Ｃ
ｒ、Ｈ，Ｕｒ、Ｈ，、ＣｒＥ、Ｃｒ、Ｂ、、ＣｒＨ，、
Ｃｒｐ　い　Ｍｏ＠Ｂ、ルｔｏ＠Ｂ、、　ｔｌｏＢ、′
Ａ４ｏ１１．　、　ｎノ　ｏ　Ｂ　ｌｌ　％　Ｍ　ｏ　
Ｂ　１１．　、Ｗ　！　Ｂ、１４１Ｂ。

Ｗ、Ｉ：ｉ、　、ＷＢ、、、Ｍｎ４Ｂ％ＡＩｎ＠Ｂ、Ｍ
ｎＢ。

Ａｉ　ｎ、Ｈ，、ＡｆｎＢ、、　Ａ４　ｎＢ４　、　Ｎ
　ｉ４に、、Ｎｉｐ、等；炭化物１、たとえばＮ　６　
Ｇ、　、Ｎ　ｂ、Ｃ。

１’　ｉＣ，ＺｎＣ，ＨｆＣ％　Ｖ２Ｃ，ＶＣ，Ｔａ１
ｃ。

１’　ａ　Ｃ，ＣｒＨＣ＠　、Ｃ１”ｙＣｓ　、ＣｒＢ
ｃ＠、Ａｉ　ｏ、Ｃ，Ｍ　ｏＣ，Ｗ、Ｃ，ＷＣ，Ｆｇ、
Ｃ，Ｂ４Ｃ。

Ｂ、ｓＣ！、Ｓ　ｉｃ、等１窒化物、たとえばＴｉＮ。

ＨｆＮＸ　Ｖ）Ｊ、ＮｂＮ％　ＴａＮ、Ａ　ＩＮ、ＢＮ
Ｎｉリン化Ｈ勿、たとえはＮｂＰ、Ｔｉ＠Ｐ、１°６Ｐ
１Ｃｒ、Ｐ、ＢＰ、ＣｏＰ＠　、ｊ％＋ケイ化１勿、た
とえば１’１ｌｌＳｉ、“％　Ｔｉ、Ｓｉ４、ＴｉＳｉ
％ＴｉＳ　ｉ、　、Ｚｒ４Ｓ　ｉ、Ｚｒ、Ｓ　ｉ、Ｚｒ
、Ｓ　ｉ＠、Ｚｒ４　Ｓｉｌ　、　Ｚｒ＠ｊｉ＠　、　
Ｚｒ５ｔ、ｊｌｒｓｉ、ＺｒＳ　＜、　１．Ｅ　ｆ、Ｓ
　ｉ、　Ｈｆ、Ｓ　ｉ、　、Ｈｆ、Ｓ　ｉ、、ＨｆＳｉ
、ＨｆＳｉｌ、Ｖ、Ｓｉ、Ｖ、Ｓｉｌ、Ｖ、Ｓｉ４、Ｖ
Ｓｔｆｆｉ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｓｔ、、ＮｂＳｉ、、
７ａ。

Ｓｉ、、ＴａｔＳら、Ｔａ、Ｓ　ｔ、　７ａ！；、ｉ、
、等蕩炭素、ホウ素、ケイ素、窒素、又はそれらの組合
せを有する三・成分系遷移金属、系、たとえばＴｉ−；
１ｒ−Ｃ，Ｔｉ−Ｈｆ−Ｃ，Ｔｉ−Ｖ−Ｃ，Ｔｉ−Ｎｂ
−Ｃ，Ｔｉ−’７’ａ−Ｃ，Ｔｉ−Ｎｏ−Ｂ、Ｚｒ−Ｅ
　ｆ−Ｂ、　Ｚｒ−Ｔａ−Ｂ、　Ｅ　ｆ−Ｔａ−ＢＸＶ
−Ｎｂ−Ｂ、　Ｎｂ−Ｔａ−５ｉ、　Ｎｂ　−Ｎｏ−５
ｉ、　Ｎｂ　−Ｆ−５ｉ、Ｔｎ−Ｎｏ−５ｉ、Ｔａ−Ｗ
−５ｉ、等。

トーヒングプロセスの間に望ましくない不純物が移動す
る可能性があるため、本発明のドーピング剤担体の形成
に耐火酸化物又は耐火材料を使用することは一般に望ま
しくないけれども、成る場合には酸化物の使用が是認さ
れ得る。たとえば、時には、ドーピング剤酸化物担体の
加熱が制御可能な量のドーピング剤不純物を放出するよ
うな、１９８３年６月８日に出願された同時係属米国特
許出願第５０４２６２号の材料を使用して、ドーピング
剤不純物自体の酸化物から担体を形成することが望−ま
しいことがある。上記した同時係属出願の酸化ヒ素含有
化合物はかかる場合に特に適している。

浸透された複合系の利用において、約１．２００℃〜約
２．７００℃の範囲内の融点を持つ前記含浸材料の何れ
も、犬れらがよシ高い融点を有する含浸桐材との組合せ
において使用されるかぎり浸透材料として使用すること
もできる。しかしながら前記のものの他に、浸透材料は
ケイ系、コバルト、マンガン、ニッケル、等の化合物、
イ′４合Ｉ勿又は細枠な元素であることができる。

固体ドーピング剤担体の形成後、それを１種または２種
以上のドーピング剤および／またはそれと一緒に利用す
る他の添加剤で含浸しなくてにならない。含浸の適当な
手段、たとえば、溶融したドーピング剤、粉末状ドーピ
ング剤、ドーピング剤の浴液、懸濁液、ス・ゼンター、
分子線、蒸気などを適用する手段を、本発明の担体とと
もに利用できる。

好ましい手段は、有機または水性の溶媒中のドーピング
剤材料の耐液また＃−ｔＭ濁液と一緒に担体を加熱する
ことを包言する。一般に、浴液または懸濁液の濃度に、
担体上に少なくとも約ｌＯ重量％の濃度を生じるように
選択される。ドーピング剤で担体を処理した後、担体を
典型的に付加熱により乾燥する。

多数のドーピング剤を本発明の固体担体と一緒に使用で
きる。典型的起ドーピング剤は、リン、ヒ素、アンチ七
ン、ホウ素、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、インジジ
ウムなどの元素を含有する化合物を包含する。

このようにして形成されたドーピング剤諒は、それ以上
の処理工程を必要としないで、蒸着法において典型的に
はそのまま使用される。典型的には、ドーピング剤源の
ウェーハをドーピングすべき半導体のホスト基体のウェ
ーハと一緒にトレー内に配置し、そして約り００℃〜約
１４　（１１１″Ｇの温度に、適当量の活性ドーピング
剤不純物が半纏体のホスト物質表面上に析出されてしま
う１で、加熱する。

以下の実施例により、本発明をきらに説明する。

実施例　１ １インチにつき約１００個の孔を有する４０ミルの厚さ
、３インチの直径のクエファーＶＣつくられた網状ポリ
ウレタンフィルターフオーム材を、６５４′サブミクロ
／ｓｉｃ、ａｓ＊ｔｏｏｏダ°リツ）ＳｉＣを含む耐火
含有物を有する３０優水性アルフアＳｉＣスリンプで含
浸させた。含浸は、ポリウレタンフォームウェファ−を
水性組成物中に浸漬１、そして過剰の流体を手で絞って
（ハンドスクウィージングにより）除去することにより
行なわれた。このように（２て含浸されたウェファ−を
約１０％以下の水分含量になるまで室温で一夜乾燥させ
た。

このようにして含浸及び乾燥したフオームウェファ−の
上表面を乾燥粉末（５００ミクロン）金、躯ケイ素で、
ケイ素対含浸フオーム材のｉｎ比０、７５　：　１．０
０に被覆した。被覆含浸したウエアアーは、真空炉で１
５５０℃のピークまで１５００℃で１５分間加熱するこ
とにより、分解されケイ表が浸透（、た。冷却した結果
物は、多孔性及び形において実質的に綿状ポリウレタン
フォームに相当する、ケイ素マトリックス中にＳｉＣ粒
子の複合物を含んでいた。ポリウレタンに分解された。

実施例　２ ３インチの直径５ｏミルの厚さの、網状ポリウレタンフ
ォームウェファ−を、実施例１に従い、アルファＳｉＣ
スリップで含浸させそして空気乾燥させた。得られた乾
燥ウェファ−の上表面を乾燥粉末（１００ミクｏン）Ｍ
ｏＳｉ、で、ＭｏＳｉ２対含浸材の重量比１．５０　：
　１．００ＶＣ被櫟した。このようにして被覆含浸した
ウェファ−は、アルゴン′１１囲気で２２００’Ｃで３
０分間加熱することにより分解されＭｏＳｉ２が浸透し
た。冷却した結果物は、多孔性及び形において実質的に
網状ポリウレタンフォームに相当するＭｏ５ｉ１のマト
リックス中に、ＳｉＣ粒子の複合物を含んでい九〇ポリ
ウレタンフォームは分解シタ。

実施例３ その平坦な表面の何れかの方向において１インチにつき
約１００個の孔の多孔度を有する網状の、。

３インチの直径５０ミルの厚さの、圧縮ヒートセットさ
れたポリウレタンフォームウェファ−を、実施例１の方
法に従い、１０００グリッド粒状グラファイトの４０％
水性懸濁液で含浸させそして乾燥させる。

このようにして含浸乾燥させたフオームウェファ−の上
表面を乾燥粉末（ｓｏｏミクロン）金属ケイ素で、ケイ
素対含浸材の重量比２！５：１．００に被覆する。被覆
、含浸されたウェファ−は、真空炉で１５２５℃で１５
分間加熱することによシ、分解され、ケイ素が浸透する
。得られたものは、多孔性及び形において網状ポリウレ
タンフォームに実質的に相当する連続ＳｉＣ相及び微少
の不連続Ｓｉ相の複合物を含む。ポリウレタンフォーム
は分解した。

実施例　４ １インチにつき約１００孔の多孔性を有する網状ポリウ
レタンフォームを、実施例１に従い、１０００グリツ）
＃、（’粉末の４０４水性懸濁液で含浸、乾燥そして加
熱する。

得られたものに、多孔性及び形において実質的に網状ポ
リウレタンフォームに相当するケイ素マトリックスに粒
状Ｂ、Ｃの複合物を含む。ポリウレタンは分解した。

実施例　５ １インチにつきほぼ６０個の孔を含有する網状ポリウレ
タンフォームウェファ−を、実施例１の方法に従い、１
０００グリッド粒状グラファイトの５０幅水性Ｓｔ濁液
で含浸し、手で絞りそして空気乾燥する。フオームを＋
１１）０メツシュ／−６０メンンユホウ累でホウ素対含
浸フオームの重量比ｔ　ｏ　：　１．０に被覆する。こ
のようにして含浸被覆したフオームは、アルゴン雰囲気
中で２４００°Ｃで３０分間加熱することにより、分解
されホウ素が浸透する。

得られたものに、多孔性及び形において網状ポリウレタ
ンフォームに実質的に相当する炭化ホウ素及びホウ素の
複合物を含む。ポリウレタンは分解した。

実施例　６ １イ／チにつきほぼ６０個の孔を含有する網状ポリウレ
タンフォームウェファ−を、実施例１の方法に従い、１
１１００グリッド粒状グラファイトの５０係水性懸濁液
で含浸し、手で絞りそして空気乾珠する。フオームを一
１００メンシュのチタンでチタン対含浸フオームめ重量
比３．０　：　１．０に被覆する。このよう産して含浸
被覆したフオームは、アルゴン雰囲気中で１８５０℃で
３０分間加熱することにより、分解されチタンが浸透す
る。

得られたものは、多孔性及び形において網状ポリウレタ
ンフォームに実質的に相当する、ＴｉＣ及びチタンの複
合物を含む。ポリウレタンは分解した。

実施例　７ １インチにつきほぼ１００個の孔を含有する網状ポリウ
レタンフォームウェファ−を実施例１の方法に従い、１
０００グリント粒状ホウ素の６゜媛水性懸濁液で含浸し
、手で絞りそして空気乾燥する。フオームを一６０メソ
シュの金属ケイ素でケイ素対宮浸フオームの重量比１．
０：１．ＯＫ偵榎−ｔ−ａ。このようＶＣｌ、て含浸被
覆Ｉ５たフオームを次いで真空炉で１６５℃で３０分間
加熱する。

得られたものは、多孔性及び形において網状ポリウレタ
ンフォームに実質的に相当する、ケイ化ホウ素＋１ｉｏ
ｓｉ）及びケイ素の複合物を含む。ポリウレタンは分解
した。

実施例　８ ３インチの直径及び０．１インチの厚さの発泡ポリウレ
タ／を、６０２の金属ケイ素、３９ｆの脱イオ／水、０
５りのアルギン酸アンモニウム、０、３　ｆのスチレン
無水マレイン酸共重合体及び０．２２のカルボン酸アン
モニウムを含有するケイ素スリンプ中に浸漬させること
にエリ含浸した。

含浸したウェファ−を手で絞って過剰の流体を除去し、
測定すると、３．２インチの直径及び０．１０６イ／チ
の岸さを示した。このようにして処理したウェファ−を
アルミナ板の上に置き、４インチのムル石炉で１４００
℃の温度に１．５時間、次いで、気体窒素雰囲気の流れ
（２１／分）の存在下１４５０℃で１２時間加熱するこ
とにより窒化した。このようにして作られたウェファ−
１’ｊ：　Ｓ　＠　ｓ　Ａ’４を含むことが見出され、
ポリウレタンが事実上分解したにも拘らず、発泡ポリウ
レタンの構造上の多孔性を実質的に保持していた。ウェ
ファ−の寸法を測り、平均３２インチの直径及び０゜１
２３イ／チの厚さであることが見出された。ウェファ−
は曲げやそりのような変形は示さず、多孔性表面を有し
た。

実施列　９ 直径３イ／チ、厚さ〆インチ及び１インチｅＣつき約１
１）　０個の孔を含有する網状ポリウレタンフォームウ
ニ７アーを、実施例１に従い７０ｔｌＤ水性アルフアＳ
ｉＣスリツグに含浸］−た。含浸したフオームウェファ
−９を手で絞り、過剰のスラリーを除去し、そして訪導
電気炉で２１５０℃でアルゴン雰囲気中で１．０時間加
熱した。得られたウェファ−は、焼結したＳｉＣを含み
、そしてポリウレタン／が分解しても、原型の網状ポリ
ウレタ／フォ−ムの構造上の多孔性及び形を実質的に保
持することが見出された。

実施例　ｌＯ 直径３インチ、厚さ騒インチ及び１インチにつき約６０
個の孔を含有する網状プリウレタンフオームウェファ−
を、実施例１に従い、１０００グリッド粒状７’　ｉ　
Ｂ、の６０係水性懸濁液で含浸、手で絞りそして空気乾
燥する。乾燥、含浸したウェファーヲ次いで帥４電気炉
で１９’００’Ｃでアルゴン雰囲気中で３０分間加熱し
た。得られたウェファ−は、焼結したＴｉＢ、を含み、
そしてポリウレタ／が分解しても、原型の４リウレタン
フオームの構造上の多孔性及び形を実質的に保持するこ
とが見出された。

実施例　１１ 直径３インチ、厚さ鳩インチ及び１インチにつき約６０
個の孔を含有する網状ポリウレタンフォームウェファ−
を、７０部のＴｉＢ２及び３０部のＡＩＮを含むｉ　ｏ
ｏｏグリント粒状組成物の６０４＊＊Ｍ濁液で含浸する
。含浸したフオームウェファ−を実施例１に従い手で絞
って空気乾燥し、そして次いで訪導電気炉で１１３．０
℃でアルゴン雰囲気中で３０分間加熱する。得られたウ
ェファ−は、焼結したＴｉｅ、／ＡＩＭを含み、・そし
てポリウレタンが分解しても、原型のポリウレタンフォ
ームの構造上の多孔性及び形を実質的に保持することが
見出きれた。

実施例　１２ 実施例１の方法に従い製造された複合ＳｉＣウ−１−７
７−Ａ−Ｄに、６ｏ電蓋部ノＳ　％　ＰｚＯｔ　、１重
蓋部のコロイドシリカ、１重量部のスルホン化脂肪族ポ
リエステル及び３８重量部の脱イオン水ヲ含ｉｒ水性ド
ーピング剤懸濁液でスプレーｌ−だ。

スプレーしたドーピング懸濁液の量は、１００’ｃで１
時間乾燥した後に計算して２００４重量含浸けをもたら
すのに充分な量であった。乾燥したドーピング剤ウェフ
ァ−を次いで空気中で３０分間１０００℃で加熱して、
表面ウェファ−を含有するト２−ピング剤を焼結した。

前述の製造されたドーピング剤源ウニ７アーを拡散炉中
で生結晶ケイ素ホスト物質半導体元素とともに窒素雰囲
気で徨々り温度で４５分間加熱した。得られた隣ドープ
トだ半導体元素をフン化水索酸１１１４水溶液で腐蝕し
、ＡＳＴＭ　Ｆ−４３−７８に従い試験Ｉ２てシート抵
抗率を決めた。

ＡＳＴＭ　Ｆ−４３−７８は、物質中の電流に平行な電
位傾度の電流密度に対する比を明らかにする゛ための門
戸、プローブ法を規定する。元素は一様なｎ−タイプ領
域を有することが確かめられ、第■−表に示される如き
平均シート抵抗率を有することがわかった。使用したド
ーピング剤ウェファ−は変形を見せなかった。

第　■　衣 Ａ　１，０００　４５　４．７ ／）　９５０　４５　７．７ ’Ｃ９００４５１８，２ Ｄ　８５０　４５　４８．０ 実施例　１３ 実施例１の方法に従い製造された複合ＳｉＣウェファ−
Ａ’　−７７に、室温で、１’０１１重量部のＡＩＡａ
Ｏい　１２２重量部の脱イオン水、１．５重蓋部のアル
ギン酸アンモニウム、１．０重蓋部のスチレン無水マレ
イ／酸共重合体、及び０７７重蓋のカルｘ／ｗｉ、アン
モニワムを含む水性ドーピング剤懸濁液を用いて、１（
１０℃で１時間の乾燥後に計算してｌ　００９６の乾燥
型１含浸址にスプレーした。乾燥した、ウェファ−を含
有するドーピング剤をその後空気中で１時間１１００℃
で加熱した。

琲結晶ケイ素ホスト物質半導体元素を、ドーピング剤ウ
ェファ−とともに楕々の温度で柚々の時間加熱し、１０
％フン化水素酸で腐蝕し、そして。

ｙｌｓＴＡｆ　／’−４３−７，８に従い試験して第１
！表に示′され乙如き平均シート抵抗率を有すること力
（わかった。

第ｎ光 スフウェア） Ｂ　１，００（１２窒素　７８２ Ｆ　１，００４１　６　望素：９９．９５係　２３９６
酸素：　０．（１５係 Ｇ　１，０２５　６　、窒　素　７．０ｋｌ　１．０２
５　１　窒素　３７．８実施例　１４ ５０ミクロンの平均粒度を有する、１１）ＯｆのＡｌＡ
ｓ０い　１２２条リリすトルの脱イオン水、１．５２の
アルギン酸アンモニウム、１．０９のスチレ／無水マレ
イン酸共重合体及び０．７２のカルが７酸アンモニウム
を充分に混合１７、室温で実験室用ボールミルで２時間
粉砕Ｉ−で、充分に混合されたスラリーをつくつた。３
インチ直径の炭化ケイ素フオームウェアを、直径３イン
チ厚ざ６０ミル＠濁液で言浸してつくり、乾燥し粉末（
ｓ　ｏ　ｏ　ミクロ／）金属ケイ素で浸透し、その後実
施例１に従い１５５０℃で１５分間燃焼させ、該ウェフ
ァ′−を前述Ωスラリーで、浸漬及びウェファ−を通ｌ
、て真空濾過することにより含浸させた。このようにし
て含浸させたウェファ−をキルン中で酸巣へ背囲気で９
５０℃で３時間燃焼させた。酸素雰囲気はバインダー成
分の分解を確実にした。前述の製造されたドーピング剤
源を拡散炉中で単結晶ケイ素ホスト物實≠導体元素とと
もに６時間１　ｏ　ｏ　。

’ＴＨで窒素胛囲気中で加熱した。得られたヒ素ドープ
した半導体元素をフン化水素敢Ｉ　Ｉ）係水溶液でＪｆ
ｊＧ　６：ｈさせ、４ＳＴｋＩ　Ｆ−４３−７８に従い
試験してシート抵抗率を決めた。　パ　４ 嚢集日目冊元素に一様なｎ−タイプ領域を有することが
確かめられ、４０オーム／ヌクウエアのシへ 一ト抵抗率を有することがわかった。使用したドービ／
グ剤ウェファ−を含有するヒ酸塩は、曲げ父をま増大の
如き変形は示さず、平滑な多孔性表面を保持した。

同様の方法で、拡散炉でドーグ半導体元素に利用された
ときに曲げ又は増大の如き変形を示さなイＹ’Ａ　８１
　Ｑ　４ドーピング剤ウェファ−が製造される。

％許出願人　クネコント・コー＋ｌ？レーショノ第１頁
の続き 優先権主張　＠１９澗年２月２７日［相］米国（ＵＳ）
Φｏ発　明　者　リチャード・アーネス　アメ１ト・ト
レスラー　ルデ・ ）１５８４２７５ Ｊ力合衆国ペンシルベニア州１６８４４ジュリアン・ア
ーｆ　ナンバー１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、連続気泡のフオームに相互に結合して配置された、
   熱結合された粒状耐火材からなることを特徴とする有機
   重合体材料を含まないドーピング剤担体。 ２　粒状耐火材はＳｉＣ，Ｂ、Ｃ，ホウ素、ＭｏＳｉ、
   、モリブデン、炭素およびＴｉＢ、からなる群の少なく
   とも１種から選ばれる特許請求の範囲筒１項記載のドー
   ピング剤担体。 ３　粒状耐火材は反応焼結されたＳｉ、Ｎ４からなる％
   許請求の範囲第１項記載のドーピング剤担体。 ４　第１粒状材料の粒子の少なくとも一部分の間に溶融
   浸透した第１耐火材より低い溶融温度を有する第２耐火
   材を有する、連続気泡的に相互に結合して配置された第
   １粒状耐火材からなる特許請求の範囲第１項記載の複合
   ドーピング剤担体。 Ｓ　第１粒状耐火材は、ＳｉＣ，Ｂ、Ｃ、ホウ素、Ｍｏ
   Ｓｉ、、モリブデン、炭′素およびＴｉＢ２からなる肝
   の少なくともｌ柚から選ばれる特ｉｆｆ請求の範囲第４
   項記載のドーピング剤担体。 ど、第２耐火材はケイ累およびＡＩｏＳｉ、からなる群
   の少なくとも１−から選ばれる特許請求の範囲筒４項記
   載のドーピング剤担体。 ７、　第２耐火材は約１．２００℃〜約２．３００　”
   Ｇの間の俗離温度を有する特許請求の範囲第４項記載の
   ドーピング剤担体。 ？、　第２耐火科が液体でありかつ第１耐火材が固体で
   ある温度においで、液体の耐火材ｔま固体の耐火材を４
   ５°より小さい接触角にぬらす特許錆求の範囲第４項記
   載のドーピング剤担体。 ９．　前記第１粒状耐火材は炭化ケイ素であり、そ１−
   で前記第２耐火材はケイ素である特許請求の範囲第４項
   のドーピング剤担体。 １０、前記第１粒状耐火材は炭化ケイ素でおり、そ、（
   ２て前記第２耐火材はＭｏＳｉ、である％許―青求の帷
   囲妃４項記載のドーピング剤担体。 １１、特許請求の範囲第１項記載のドーピング剤担体と
   少なくとも１棟のドーピング剤化合物とからなることを
   特徴とするドーピング剤源。 １２、特許請求の範囲第４項記載のドーピング剤担体と
   少なくともｌ［のドーピング剤化合物とからなることを
   特徴とするドーピング剤源。 １３、ドーピング剤化合物にリン、ヒ素、アンチモノ、
   ホウ素、ガリウム、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、テル
   ル、スズおよびカドミウムから成る群より選ばれる少な
   くともｌａｉの元素を含有する特許請求の範囲第１１項
   記載のドーピング剤源。 １４、）’−ヒンク剤化合物はリン、ヒ素、アンチモン
   、ホウ素、ガリウム、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、テ
   ルル、錫及びカドミウムから成る群よシ選ばれる少なく
   とも１種の元素を含有する特許請求の範囲第１く項記載
   のドーピング剤源。 １５　耐火材カＡ　Ｉ　Ａ　ｓ　Ｏａ　、）’Ａ　ｓ　
   ０４　％　Ｊ／　ｇ６　Ａｓ　ｔＯｌｌ、Ｍｇ、ＡＳ＠
   ０Ｂ、Ｃａ、Ａｓ、０，１、ｃａ、Ａｓ、Ｏ，、Ｂａ６
   Ａｓ！０．、、Ｂａ、Ａｓ晶、Ｓ　ｒ＠　Ａ　ａｏ、ｏ
   、１および５ｒｓＡｓ！０．の少なくとも１種から選ば
   れる特許請求の範囲第１項記載のドーピング剤担体を含
   有することを特徴とするドーピング剤源。 １６、連続気泡の有機フオーム材料を粒状耐火材の流動
   性スラリーで含浸し、その後含浸された有機フオーム材
   料を、前記有機７オームを分解しかつ前記粒状耐火材の
   少なくとも一部分を前記有機フオームの前記連続気泡の
   物理的形状に熱結合するに十分な温度に加熱することを
   特徴とする耐火フオーム担体の製造法。 １７、前記連続気泡の有機フオーム材料が流動性スラリ
   による含浸に先立ち圧縮ヒートセットされる特許請求の
   範囲第１６項記載の方法。 １８　含浸された７オーム材料を加熱前に乾燥する特許
   請求の範囲第１６項記載の方法。 １９、前記粒状耐火材はケイ素でるり、そして加熱は窒
   素雰囲気中で前記粒状ケイ素の少なくとも一部分を、前
   記有機フオームの前記連続気泡の物理的形状に形成され
   た、反応焼結されたＳらＮ４に転化するに十分な温度で
   るる特許請求の範囲第１６項記載の方法。 ２０、前記粒状耐火材はＳｉＣである特許請求の範囲第
   １６項記載の方法。 ２１、有機フオーム材料を含浸前に圧縮する特許請求の
   範囲第１６項記載の方法。 ２２　有機フオーム材料を含浸後にスフイージングする
   特許請求の範囲第１６項記載の方法。 ２３、有機フオーム材料を第１耐火材料の流動性スラリ
   ーで含浸し、乾燥し、それに第１耐火材よりも低い融点
   をもつ第２耐火材を適用し、このように処理されたフオ
   ーム材料を該有核フオームを分解するのに十分な時間及
   び温度に加熱し、該加熱は第２耐火材の少なくとも融点
   にしかし第１耐火材の融点よりは低くなるように行ない
   、そして前記第１耐火材に前記第２耐火材を浸透させる
   ことからなる特許請求の範囲第１６項記載の耐火フオー
   ム担体の製造法。 ２４　有機１合体フオーム材料のシートを２つの加熱さ
   れたプラテンの間に置き、該７オーム材料を所定の時間
   前記加熱されたプラテンの間で所定量圧縮し、そして流
   動性スラリによる含浸の前に、プラテンに隣接していた
   その表面の何れかのの方向におけるよシはその厚さの方
   向においてインチ（１ｉｎｅａｌ　１ｎｃｈ　）当り細
   孔の数がより大きい、圧縮ヒービセット有機重合体フオ
   ーム材料を回収することよ構成る特許請求の範囲第２３
   項記載の方法。 一１百匹４１拍に剤Ｉ　〜と　−４１″　」Ｈ宅行 ２５、第２１Ｉｌｌｊ火材が液体でありかつ泥１１制人
   材が固体である温ＩＷにおいて、液体の耐火材に固体の
   耐火材を約４５°より小づい接触角にぬらす待ｔ’Ｆ請
   求の範囲第２３項記載の方法。 ２６　せ反された有機フオーム材料を乾燥前に処理して
   流体を追出す％ｄ口〜求の範囲第２３項記載の方法。 ２７・　前ｎピ材料をスクイージ／ダ筐たにローリング
   により処理して流体を追出す特、請求の範囲第２６項記
   載の方法。 ２？、　前記加熱は約１，２００’Ｃ〜約２ａｃ＋ｏ℃
   の間の温度までなはれる特許請求の範囲第２３項記載の
   方法。 ２’ｌ・　特許請求の範囲第１６項記載の方法にょつて
   作られた物品。 ３０　特許請求の範囲第２２項記載の方法によって作ら
   れた物品。 ３１　特許請求の範囲第１１項記載のドーピング剤諒を
   半導体元素のホスト物質の存在下に加熱することを特徴
   とする半導体元素をドーピングする方法。 ３２、特許請求の範囲第１２項記載のドーピング剤諒を
   半導体元素のホスト物質の存在下に加熱することを特徴
   とする半導体元素をドーピングする方法。 ３３　前記加熱は約５００〜約１．４００℃の間の温度
   までなされる特許請求の範囲第３１項記載の方法。 ３４　前記加熱は約５００〜約１４００℃の間の温度ま
   でなされる特許請求の範囲第３２項記載の方法。