JPS6042822A - 多層構造の電極形成方法 - Google Patents
多層構造の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS6042822A JPS6042822A JP58150266A JP15026683A JPS6042822A JP S6042822 A JPS6042822 A JP S6042822A JP 58150266 A JP58150266 A JP 58150266A JP 15026683 A JP15026683 A JP 15026683A JP S6042822 A JPS6042822 A JP S6042822A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- multilayer structure
- sih4
- sputtering
- silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体に、電極材料、特に金属並びにそのケ
イ化物を付着させて多層構造の電極な形成する方法に関
する。
イ化物を付着させて多層構造の電極な形成する方法に関
する。
従来、半導体装置、例えば、（↑ａＡ″Ｓ集積回路等に
おいて、スパッタ法により半導体にｉ属ケイ化物並びに
単体金属を順次付着させて多層構造の電極を形成する際
には、それぞれ独立のスパッタリング・ターゲットを用
いる方法が一般的であった。
おいて、スパッタ法により半導体にｉ属ケイ化物並びに
単体金属を順次付着させて多層構造の電極を形成する際
には、それぞれ独立のスパッタリング・ターゲットを用
いる方法が一般的であった。
しかし、この方法の場合、ケイ化物の組成比に応じた複
数の高価なスパッタリング・ターゲットを準備しなけれ
ばならないという欠点がある。１だ１、・ターゲットを
保持する手段が一箇所しがない装置を使用する場合は、
ターゲットを交換する手間がかかるばかりか、ターゲノ
ｌ−を交換する際に装置内に大気がはいってしまい、そ
の排気に時間かがかり、さらにそのとき不純物が装置内
の壁やターゲットに付着してしま）う不都合がある。
数の高価なスパッタリング・ターゲットを準備しなけれ
ばならないという欠点がある。１だ１、・ターゲットを
保持する手段が一箇所しがない装置を使用する場合は、
ターゲットを交換する手間がかかるばかりか、ターゲノ
ｌ−を交換する際に装置内に大気がはいってしまい、そ
の排気に時間かがかり、さらにそのとき不純物が装置内
の壁やターゲットに付着してしま）う不都合がある。
本発明は、この欠点を解決し、高価なスパッタリング・
ターゲットを複数準備することなく、単体金属のターゲ
ット１つのみ使用する多層構造Ｃ電極形成方法を提供す
ることを目的とする。
ターゲットを複数準備することなく、単体金属のターゲ
ット１つのみ使用する多層構造Ｃ電極形成方法を提供す
ることを目的とする。
要するに本発明は、単体金属のスパッタリング・ターゲ
ットを使用し、ケイ素を分子の構成元素として含む気体
をスパッタリング雰囲気内に導入可能とし、放電によっ
て分解したケイ素とスパッタされた金属を反応させて金
属ケイ化物の堆積も行ない、スパッタリング雰囲気中に
おける前記気体の分圧を制御することにより、単体金属
と所定の組成比の該金属のケイ化物とを連続的に半導体
に付着させて多層構造の電極を形成することを特徴とす
る。
ットを使用し、ケイ素を分子の構成元素として含む気体
をスパッタリング雰囲気内に導入可能とし、放電によっ
て分解したケイ素とスパッタされた金属を反応させて金
属ケイ化物の堆積も行ない、スパッタリング雰囲気中に
おける前記気体の分圧を制御することにより、単体金属
と所定の組成比の該金属のケイ化物とを連続的に半導体
に付着させて多層構造の電極を形成することを特徴とす
る。
第１図は、本発明の方法を実施する装置の一例を示す概
略図で、ここで示す本発明の実施例においては、スパッ
タリング・ターゲットをタングステ／、金属ケイ化物を
タングステンケイ化物、半導体をＧａＡｓ、ケイ素を分
子の構成元素として含む気体％ −’Ｓ ｉ １１４と
す先回において、１はタングステンのスパッタリング・
ターゲット、２はＧａＡｓウェハ、３．４はバリアプル
・リークバルブ２．５はチェンバである。
略図で、ここで示す本発明の実施例においては、スパッ
タリング・ターゲットをタングステ／、金属ケイ化物を
タングステンケイ化物、半導体をＧａＡｓ、ケイ素を分
子の構成元素として含む気体％ −’Ｓ ｉ １１４と
す先回において、１はタングステンのスパッタリング・
ターゲット、２はＧａＡｓウェハ、３．４はバリアプル
・リークバルブ２．５はチェンバである。
この場合、ｌＱ Ｔｏｒｒ台まで排気したチェンバ５内
に、バリアプル・リークバルブ６の操作によってＳ ｒ
１−１４ガスを例えば２ｍＴｏｒｒに々るように導入
し、つづいてＡ「ガスを全圧が６〜１ＱｍＴｏｒｒにな
るようにバリアプル・リークバルブ４によす尋人する。
に、バリアプル・リークバルブ６の操作によってＳ ｒ
１−１４ガスを例えば２ｍＴｏｒｒに々るように導入
し、つづいてＡ「ガスを全圧が６〜１ＱｍＴｏｒｒにな
るようにバリアプル・リークバルブ４によす尋人する。
この状態でタン、ゲステン・ターゲット１のスパッタリ
ングを放電電力２００〜８００Ｗで行ない、８１１１４
が分解してできるケイ素とタングステンを反応させるこ
とにより、ＧａＡｓ基板上にタングステンケイ化物を付
着させる。つづいて、８ ｉ ｌ Ｉ４のバリアプル・
リークバルブ６を閉じ、チェンバ５内を再び排気した後
、Ａｒガス圧を６〜ｉ Ｑｃｌ］Ｔｉ＋汀に再調整する
ことにより、連続的に今度は単体のタングステンを付着
させる。これにより、タングステンケイ化物とタングス
テンの２層構造の電極を、スパッタリング・ターゲット
を交換することなく簡便かつ連続的に形成することがで
きる。
ングを放電電力２００〜８００Ｗで行ない、８１１１４
が分解してできるケイ素とタングステンを反応させるこ
とにより、ＧａＡｓ基板上にタングステンケイ化物を付
着させる。つづいて、８ ｉ ｌ Ｉ４のバリアプル・
リークバルブ６を閉じ、チェンバ５内を再び排気した後
、Ａｒガス圧を６〜ｉ Ｑｃｌ］Ｔｉ＋汀に再調整する
ことにより、連続的に今度は単体のタングステンを付着
させる。これにより、タングステンケイ化物とタングス
テンの２層構造の電極を、スパッタリング・ターゲット
を交換することなく簡便かつ連続的に形成することがで
きる。
さらに、上述の実施例では、堆積処理をタングステンケ
イ化物、タングステンの順としたが、逆に、タングステ
ン、タングステンケイ化物の順に堆積させる場合でも、
本発明は有効であることはいうまでもない。′また、こ
の操作を繰り返し交互に行なうことによって、３層構造
の電極を形成する場合も、本発明は有効であることはも
ちろんである。
イ化物、タングステンの順としたが、逆に、タングステ
ン、タングステンケイ化物の順に堆積させる場合でも、
本発明は有効であることはいうまでもない。′また、こ
の操作を繰り返し交互に行なうことによって、３層構造
の電極を形成する場合も、本発明は有効であることはも
ちろんである。
さらに、上述の実施例では、スパッタリング・ターゲッ
トをタングステンとしたが、これをタンタル等とした場
合でも、５ＩＩＩ４の導入によってタンタルケイ化物が
付着し、本発明は有効である。
トをタングステンとしたが、これをタンタル等とした場
合でも、５ＩＩＩ４の導入によってタンタルケイ化物が
付着し、本発明は有効である。
さらに、上述の実施例では、半導体としてＧａＡｓを用
いたが、それをＳｉ等にした場合でも本発明は有効であ
る。
いたが、それをＳｉ等にした場合でも本発明は有効であ
る。
さらに、上述の実施例では、ケイ素を分子の構成元素と
して含む気体として８＋ＩＩ４を用いたが、これを例え
ば５ＩＣ１４等のケイ素を含むガスとした場合でも、本
発明は有効である。
して含む気体として８＋ＩＩ４を用いたが、これを例え
ば５ＩＣ１４等のケイ素を含むガスとした場合でも、本
発明は有効である。
さらに、上述の実施例では、全圧を３〜１０ｍＴｏｒｒ
の条件の下テ５ＬＩ１４の分圧を２ｍ Ｔｏｒｒとし一
禿が、５ｉｌ−の分圧を０〜３ｍＴｏｒｒの範囲で連級
的に変化させることにより、堆積する膜の金属とケイ素
の組成比を連続的に制御でき、５ｕｌｆ４の分圧が２ｍ
Ｔｏｒｒ以外の場合も本発明は有効である。
の条件の下テ５ＬＩ１４の分圧を２ｍ Ｔｏｒｒとし一
禿が、５ｉｌ−の分圧を０〜３ｍＴｏｒｒの範囲で連級
的に変化させることにより、堆積する膜の金属とケイ素
の組成比を連続的に制御でき、５ｕｌｆ４の分圧が２ｍ
Ｔｏｒｒ以外の場合も本発明は有効である。
以上説明したように、本発明によれば、金属クイ化物の
組成制御を複数のターゲットによらず、導入ガスにより
行なうため、半導体へ、の電極形成に際して、金属ケイ
化物の組成比の制御が容易になり、多層構造の形成を簡
便に行なえるという効果がある。
組成制御を複数のターゲットによらず、導入ガスにより
行なうため、半導体へ、の電極形成に際して、金属ケイ
化物の組成比の制御が容易になり、多層構造の形成を簡
便に行なえるという効果がある。
第１図は、本発明の方法を実施するだめの装置の一例を
示す概略図である。 １・・・スパッタリング・ターゲット ２・・・Ｇａ Ａｓウェハ ３．４・・・バリアプル・リークバルブ５・・・チェン
バ 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助
示す概略図である。 １・・・スパッタリング・ターゲット ２・・・Ｇａ Ａｓウェハ ３．４・・・バリアプル・リークバルブ５・・・チェン
バ 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助
Claims (2)
- （１）単体金属のスパッタリング・ターゲットを使用し
、ケイ素を分子の構成元素として含む気体をスパッタ１
）ンダ雰囲気内に導入可能とし、スパッタ１ノ／グ雰囲
気中における前記気体の分圧を制画することにより、単
体金属と所定の組成比の該金属のケイ化物とを連続的に
半導体に刺着させてｌ多層構造の電極を形成することを
特徴とする多層構造の電極形成方法。 - （２） スパッタリング雰囲気中における前記気体の分
圧をθ〜３ｍＴｏｒｒとすることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の多層構造の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150266A JPS6042822A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 多層構造の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150266A JPS6042822A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 多層構造の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042822A true JPS6042822A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15493178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150266A Pending JPS6042822A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 多層構造の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042822A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165766A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Seiko Epson Corp | 反応性スパッタリング成膜法 |
| JPH01165768A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Seiko Epson Corp | 反応性スパッタリング成膜法 |
| JP2013074271A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Ulvac Japan Ltd | デバイスの製造方法および製造装置 |
| US8939278B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-01-27 | Aerojet Rocketdyne Of De, Inc. | Deconsolidation device for particulate material extrusion pump |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926462A (ja) * | 1972-07-04 | 1974-03-08 | ||
| JPS54115063A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming metal film |
| JPS5893265A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | キヤパシタの製造方法 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58150266A patent/JPS6042822A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926462A (ja) * | 1972-07-04 | 1974-03-08 | ||
| JPS54115063A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming metal film |
| JPS5893265A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | キヤパシタの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165766A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Seiko Epson Corp | 反応性スパッタリング成膜法 |
| JPH01165768A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Seiko Epson Corp | 反応性スパッタリング成膜法 |
| US8939278B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-01-27 | Aerojet Rocketdyne Of De, Inc. | Deconsolidation device for particulate material extrusion pump |
| JP2013074271A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Ulvac Japan Ltd | デバイスの製造方法および製造装置 |
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