JPH03120357A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野Ｊ 本発明は金属薄膜の形成装置に関するもので。

特に半導体集積回路で用いられているバリア層の形成に
好適な装置に関するものである。

〔従来の技＃］ 第３１ＮＲ，従来のマルチチャンバ一方式のスパッタリ
ング装置の概略構成を示す図である。この装置は、ロー
ドロック室（２５）、第１反応室（６）、第２反応室（
１６）、アンロードロック室（２７）の４個の真空槽に
より構成されている。この場合、図示右側から左側方向
く処理が進むものである。なお、各真空槽間の搬送機構
は図示省略しであるが、例えば、アーム方式の搬送手段
が用いられる。

ロードロック室（２５）の内部には、カセットホルダー
（２）が設置され、底部に排気管（１３ａ）が接続され
、この部分より室内を排気するようＫなっている。

ロードロック室（２５）Ｋは、第１クエハカセツト（４
）を搬入口（２６）よυ入れ、この第１クエハカセツト
（４）に収納されているシリコンウェハ（１２）ｔ−、
第１反応室（６）へ受は渡す機構となっている。これＫ
よって、第１反応室（６）を大気にさらすことなく、処
理を行なうことができる。

第１反応室（６）の内部には、隘ｆｆｌ　（７）が上部
に、陽極（８）が下部に配置されており、互いに対向し
、かつ所定の間隔をおｈて設置されている。陰ｉ（カは
ターゲット（９）とそれを支持するターゲット支持台（
ｌＯ）よりなる。ターゲット（９）は、シリコンウェハ
（１２）に成膜すべき金属薄膜の原材料となるものであ
り、ここでは、チタン（Ｔ１）を使用している。陽ＦＭ
（８）は、基板ホルダー（１１）に被処理基板であるシ
リコンウニ、ハ（１２）を置き、固定する構造となって
いる。陰極（７）と陽！　（８）とはそれぞれ電源に接
続され（図示省略）、それら両電極間に所定の電圧が印
加されるようになっている。第１ｙ応室（６）の底部に
は排気管（１３ｂ）が接続されている。また、上部にス
パッタリングを起こさせるために必要な不活性ガス、例
えばアルゴン（以下、Ａｒと略す）ガスが、第１反応室
（６）の内部ＩＦ５人されるために、真空パルプ（１４
）が設置しである。ロードロック室（２５）と第１反応
室（６）との間に設けられる第１のゲートパルプ（１５
）は、通常閉じられており、処理時にロードロック室（
２５）と第１反応室（６）との間でシリコンウェハ（１
２）を受渡しするときに開かれる。

第１反応室（６）では、この場合、シリコンクエバ（１
２）上にチタン薄膜を形成する。

第２反応室（１６）は、基本的な構成については第１反
応室（６）と同じである。ただし、以下の点が第１反応
室（６）と異なる。すなわち、第２反応室（１６）の上
部には、反応性スパッタリングを起こすために必要な、
上記一方の不活性ガスである紅ガスと異なる他の反応性
ガス、例えば、窒素Ｃ以下、ｕ２と略す）ガスが第２反
応室（１６）の内部に導入されるための真空パルプ（１
７）が設置しである。これにより、第２反応室（１６）
内では、この場合、窒化チタン薄膜を形成する。

アンロードロック室（２７）の内部には、カセットホル
ダー己）が設置され底部に排気管（１３ｄ）が接続され
ている。アンロードロック室（２７）は、第２反応室（
１６）を大気にさらすことなく、膜形成を終えたＶす１
ンウエハ（２４）を搬出口（２８）よりヌバツタ装置外
に搬出させるものである。カセットホルダー（２）Ｋ設
置された第２カセツトケース（２２）は、膜形成を終え
たシリコンウェハ（２４〕を収容するものである。

本装置によれば、第１反応室（６）でチタン薄膜を形成
し、そのｖｋＫ第２反応室（１６）で窒化チタン薄膜を
形成するものである。

次に、本装置を用いて半導体装置を形成する例について
述べる。第４図は、半導体装置の要部の断面図である。

この場合のバリア層（２７）　Ｆｉ、半導体装置におい
て、例工ば、アルミニウム・シリコンよりなる配線層（
３０１から下地の基板（３２）へのアロイスパイクが生
ずるのを防止するためく形成されている。

ここで、上記要部の形成方法について説明する。

まず、基板（３２）上に層間絶縁膜（３１）が形成され
、これにコンタクトホール（３３）が形成される。この
コンタクトホール（３３）の表面部にバリア層（２７）
が形成される。

次に、このバリア層（２７）の形成プロセスについて詳
ｍｒｔｃ説明する。膜形成すべきシリコンウェハ（１２
）を入れたウニ八カセット（４）をロードロック室（２
５）に入れ、ロードロック室（２５）内を１０″ＴＯπ
程度に排気する。これによって第１のゲートパルプ（１
５）が開いても、第１反応室（６）Ｋ大気を流入させず
、高信頼性の薄膜形成が可能となる。第１反応室（６）
は、あらかじめ排気され、Ａｒガス雰囲気で１０″〜１
０−”　Ｔｏｒｒ程度になるように調整される。ロード
ロック室（２５）内の排気が行なわれた後、シリコンウ
ェハ（１２）を第１反応室（６）へ搬入する。上記のＡ
ｒガス雰囲気中で、を極（７）、　（８）Ｋ電圧を印加
し、スパッタリングを行う。第１反応室（６）では、チ
タン（以下、Ｔ１と略す）薄膜（２８）を１００λの膜
厚で形成する。このＴ１薄膜（２８）は、シリコン（１
２）　トの膜密着性を向上させるためのものである。

第１反応室（６）で、シリコンウェハ（１２）上にＴ１
薄膜（２８）を所定の膜厚まで形成した後、第２反応室
（１６）へこのＴ１薄膜（２８）が形成されたシリコン
ウェハ（２３）を搬送する。第２反応室（１６）は、第
１反応室（６）同様Ｋ、１０−２〜１０″ＴｏｒｒＯＡ
ｒ雰囲気にしである。ただし、シリコンウェハ（２３）
を搬入させて第２のゲートパルプ（１８）を閉じた後、
真空パルプ（１７）を開けてＮ２ガスを第２ｙ応室（１
６）　Ｋ導入する。

このとき、真空度は常に一定に保ったまま、呵２ガスを
Ｍガスとの体積比で１０〜５０％程度に導入する。

このＮ２ガスは、反応性スパッタリングを行う際の反応
性ガス成分となるもので、Ｔ１と化学反応を生じ、窒化
チタンＣ以下、ＴｉＮと略す）を形成する。

この状態で電極（７）、　（８）に電圧を印加し、反応
性スパッタリングを行い、クリコンウェハ（２３）上に
Ｌ０００＾程度の薄膜を形成する。ここで、形成された
薄膜は、ＴｉＮとともにＴ１も含まれているため、Ｔｉ
Ｎｘ、Ｔ２９）で表す。成膜終了後、真空パルプ（１７
）を閉じ、再び第２反応室（１６）内をＡｒガス雰囲気
にする。これは、第２のゲートパルプ（１８）開閉時に
第１反応室（６）へＮ２ガスが流入することを防止する
ためである。以上の成膜過程を経たシリコンウェハ（２
４）は、アンロードロック室（２６）へ移送され、第２
クエハケース（２２）に収容される。アンロードロック
室（２６）は、あらかじめ第２クエ八ケース（２２）を
内部に設置した後、１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度に排気し、第
２反応室（１６）に大気を流入させないようＫなされる
。成膜を終えたシリコンクエバ（２４）を第２ウエハケ
ース（２２）　Ｋ収容した後、第３ゲートバルグ（２０
）を閉じ、アンロードロック室（２７）を大気圧に戻し
、成膜されたシリコンウェハ（２４）を搬出口（２８）
より搬出するっ 以上がマルチチャンバ方式のスパッタ装置ｔ−ｍいたバ
リア層（２７）の形成方法である。この処理方法により
、残りの未処理のシリコンウェハ（１２）の処理が、順
次行なわれる。

ここで、反応性スパッタリングにおける成膜機ＷＫつい
て説明する。第５図〜第７図は、反応性スパッタリング
の成膜機構を模式的に示した図である。まず、反応室内
を１０″Ｔｏｒｒ程度以下に排気した後、Ａｒガスが導
入され、反応室内を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に１Ｎ整する
。この状態で電極（力、（８）間に所定電圧を印加する
と、Ａｒ、　　Ｎ２が電離してプラズマ（３４）が発生
する（第５図）。このとき電気引力によってＡｒ＋（ア
ルゴンイオン）は陰極側に加速され、陰極、この場合、
ターゲット（９）に衝突する。

ただし、衝突直前Ｋ　Ａｒ＋はＡｒに戻るため、ターゲ
ット材料、この場合のＴ１と反応することはない。

このときの衝突の衝撃により、ターゲット（９）表面か
らＴ１原子（３５）が弾き飛ばされる。（第６図）。

この飛び出したＴ１原子（３５）の内、陽極、この場合
シリコンウェハ（２３）近傍で窒累イオン（Ｎ−）　、
！：　Ｋ応しく３６）、またはＣ２と衝突反応してＴｉ
Ｎとなり、シリコンウェハ（２３）上に付着する（第７
図）５これが繰り返され、シリコンウェハ（２３）上に
Ｔ１８×薄膜（２９）が形成されていく。ただし、ター
ゲット（９）面から飛び出したＴ１原子（３５）は、ク
リコンウェハ（２３）近傍で化学反応を起こさず、直接
クリコンウェハ（２３）へ付着するＴ１原子（３７）も
ある。このため、形成される＃ＩＩＩＩはＴ１も含まれ
ることになり、ここではＴｉＮｘと、４膜を表示してい
る。このようにして、基板（３２）上にバリア層（２７
）が形成された後フォトリングフフイ技術によるバター
ニングが行なわれ、所定パターンのバリア層（２７）が
形成される。この後、このパターン化されたバリア層（
２７）を被覆するように配線（３０）となる４膜が形成
され、パターン化されて所定配Ａｍ　（３０）が形成さ
れる。

（発明が解決しようとする課題Ｊ 従来のスパッタリング装置は以上のように構成され、こ
のマルチチャンバ方式のスパッタ装置によってバリア層
（２７）を形成する場合、第２反応室（１６）では、常
に反応性スパッタリングを行うととＫなる。ところが、
反応性スパッタリングを継続して行うと、累積処理枚数
が一定数Ｋｓした後、クリコンウェハ（２３）上に付着
する異物数が急激に増加する。第８図はこのときの様子
を示したものであり、横軸に累積処理枚数、縦軸に異物
数を表している。この例では累積処理枚数が５０枚程度
から急激に異物発生数が増加している。

この現象は、次のようにして起こる。第２反応室（１６
）内は、成膜処理毎ＫＮ２ガスを導入する。ところが、
ターゲット（９）の材質であるＴ１は、反応性の高い金
属であるため、ターゲット（９）表面で化学反応を生じ
、ＴｉＮを形成する。また、従来の技術で述べ友ように
％反応性スパッタリングでは、クリコンウェハ（２３）
面近傍でＴ１訂が形成され、クリコンウェハ（２３）面
上に付着するが、これと同様の現象が、少量ではあるが
、ターゲット（９）面上でも生じる。これらの反応は、
第２反応室（１６）の６２分圧が１０−２〜１０＝　Ｔ
ｏｒｒと低いため、比較的に短時間で大量に生じるもの
ではない。しかし、反応性スパッタリングの累積処理枚
数が増え、ターゲット（９）がＮ２ガスに長時間さらさ
れるようになると、次第にターゲット（９）表面をＴｉ
Ｎ化合物が広く覆うようになる。このため、Ｔ１とＴｉ
Ｎとの混合物が付着り、＆ターゲットをスパッタリング
することになり、その結果、シリコンウェハ（２３）面
上にターゲット（９）面で形成されたＴｉＨの異物が付
着することになる。

このような現象の下での処理は、ＴｉＮｘ　ｉｌｌ膜の
品質の低下を招くものとなり、半導体装置に形成し虎際
に信頼性の損なわれたものになってしまうという問題点
があった。

本発明は上記のような問題点を解決するため罠なされた
もので、マルチチャンバ方式を使用してバリア層を形成
する場合、反応性スパッタリングでの異物発生を抑止し
、良質なＴｉＮｘ薄膜の形成が行なわれて高信頼性が図
られる薄膜形成方法及びそれに用いる薄膜形成装置を得
ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 本発明に係る薄膜形成装置は、平行平板ＩＥ極を有し、
プラズマを発生させるべきガスと、被処理基板上に形成
されるべき膜形成反応に寄与する窒素ガスとを内部に導
入可能となされた第１の反応室と、第２の反応室とが隣
接配置され、これら第１の反応室、第２の反応室のそれ
ぞれの一方に排気可能で、上記基板の搬出入が行われる
予ｗｉ室が設けられており、上記基板が一方の予備室か
ら他方の予備室に双方向に移送可能であり、一方向ある
いはその逆方向から移送することにより膜形成が行われ
るものである。

〔作用］ 本発明では、同一反応室内のターゲットを使用して純粋
なＡｒガスのみを流してＴｉスパッタを、Ｎ２ガヌを混
入してＴｉＮスパッタを行なうことができる。これを交
互に行なうことでＴｉＮヌバッタ時にターゲット表面に
形成される窒化物をＴ１７バツタ時に飛ばし、ターゲッ
ト表面を常に清浄にすることができる。これによって高
信頼性のバリア層形成が可能となる。

〔実施例」 以下、本発明の実施例を図について説明する。

なお、従来の技術の説明と重複する部分については、適
宜その説明を省略する。

第１図は、本発明におけるマルチチャンバ方式のスパッ
タ装置の概略構成を示す図である。

本装置の構成が従来のマルチチャンバ方式のものと異な
る部分は以下の通りである。まず、第１反応室（６）の
上部ＫＮ２ガヌを導入する真空バルブ（１７）を設け、
第１反応室（６）と第２反応室（１６）とを同一構造と
したことである。また、従来の技術のアンロードロック
室（２７）に相当する部分を第２０−ドロツク室（１９
）にしたことである５本装置における各ロードロック室
は、従来の技術のロードロック室（２５）とアンロード
ロック室（２７）との機能を併せ持つものである。搬送
手段としては、図示省略しであるが、例えば、アーム方
式あるいはベルト方式を用いており、シリコンウェハ（
１２）の搬送を双方向に行なえる搬送機能を有するよう
に／ｊＱ　。

である。従って、上記のように構成させて、シリコンウ
ェハ（１２）が図示右側より左側方向、あるいは図示左
側より右側方向に処理可能である。

次Ｋ、例えば第４図に示す構造のものを形成する際のシ
リコンウェハ（１２）上へのバリア層（２７）形成工程
について説明する。まず、成膜すべきシリコンウェハ（
１２）を第１０−ドロツク室（１）より搬入し、第１反
応室（６）内でＴｉｅ膜を１００ｘ程度の膜厚に形成し
、次に、第２反応室（１６）内でＴｉＮＸ薄膜を１、０
００ｘ程度の膜厚に形成し、第２０−ドロツク室（１９
）Ｉｃより、バリア層（２７）を形成したシリコンウェ
ハ（２４）を取り出す。以上の処理け、従来の技術と同
様である。これをシリコンウェハ（１２）が、例えば、
２５枚処理されるまで続ける。以上、ここでは、図中右
側から左側方向に処理される場合をライトターンプロセ
スと呼ぶ。

次Ｋ、第２０−ドロツク室（１９）より、上記とは別の
成膜すべきシリコンウェハ（１２）を入れ、今度は上記
プロセスと逆方向、すなわち図中左側から右側方向へ、
シリコンウェハ（１２）を搬送し、バリア層（２７）を
形成する。これを、ここでは上記に対して、レフトター
ンプロセスと呼ぶ。レフトターンプロセスのバリア層（
２７）の形成は、次のようＫして行なう。

まず、膜形成すべきシリコンウェハ（１２）を入れた第
２ウエハカセツト（２２）を第２０−ドロツク室（１９
）　Ｋ入れ、第２０−ドロツク室（１９）内を１０−′
ｖｒｏｒｒ程度の真空圧に排気する。これによって、第
３のゲートバルブ（２０）が開いても、第２反応室（１
６）に大気を流入させず、高信頼性の薄膜の形成が可能
になる。第２反応室（１６）は、あらかじめ排気され、
紅ガヌ雰囲気で１Ｏ−２〜１０−”　Ｔｏｒｒ程度の真
空圧になるように調整される。第２０−ドロツク室（１
９）内の排気が充分性なわれた後、シリコンウェハ（１
２）を第２反応室（１６）へ搬入する。このとき、真空
バルブ（１７）を閉じたままにし、Ｎ２ガスを導入しな
い。

これＫより、上記のＡｒガス雰囲気中で、電極（７）。

（８）Ｋ電圧を印加し、スパッタを行ない、第２反応室
（１６）では、ＴｉＮ膜（３０）を形成する。このとき
のＴ１薄膜（３０）の膜厚は、ライトターンプロセスに
よる成膜同様、１００１程度の膜厚とする。第２反応室
（１６）で、シリコンウェハ（１２）上にＴ１薄膜（３
０）を所定の膜厚まで形成した後、第１反応室（６）ヘ
シリコンウエハ（２３）を搬送する。第１反応室（６）
は、第２反応室（１６）同様に、１０”　〜１０′Ｔｏ
ｒｒ程度の真空圧のＡｒガス雰囲気にしである。ここで
は、第１反応室（６）において、真空パルプ（１７）を
開くことにより、Ｎ２ガスを導入できる構造になってい
る。すなわち、Ｔ１薄膜（３０）付きのシリコンウェハ
％　（２３）を搬入させて、第２のゲートバルブ（１８
）を閉じた後、真空パルプ（１７）を開けてＮ２ガスを
第１反応室（６）Ｋ導入する。このとき、真空度は常に
一定に保ったまま、Ｎ２ガスをＡｒガスとの体積比で１
０〜５０％程度に導入し、電極（７）、　（８）に電圧
を印加し、反応性スパッタリングを行う。この第１反応
室（６）の反応機構は、ライトターンプロセスにおける
第２反応室（１６）内の反応機構と同様である０また、
このときのＴｉＮｘ　Ｎ膜（３１）の膜厚も、ライトタ
ーンプロセスによる成膜時間様シリコンウェハ（２３）
上Ｋ　ｘ、ｏｏｏＸ程度の膜厚に形成する。成膜終了後
、真空パルプ（１７）を閉じ、再び、第１反応室（１６
）内をＡｒガス雰囲気にする。これは、＠２のゲートバ
ルブ（１Ｂ＞の開閉時に第２反応室（１６）へ８２ガス
が流入することを防止するためである。以上の成膜過程
を経たシリコンウェハ（２４）は、第１０−ドロツク室
（１）へ搬出され、第１ウエハケーヌ（４）Ｋ収容され
る。第１０−ドロツク室（１）は、あらかじめ第１ウニ
ハケ−７（４）を設置した後、１０′Ｔｏｒｒ程度の真
空圧に排気し、第１反応室（１６）　Ｋ大気を流入させ
ないようにしておく。成膜を終えたシリコンウェハ（２
４）を第１ウエハケース（４）に収容した後、第１のゲ
ートバルブ（１５）を閉じ、第１０−ドロツク室（２５
）を大気圧に戻し、成膜されたシリコンウェハ（２４）
を搬出入口（５）を開けて装置より搬出する。以上がレ
フトターンプロセスでのバリア層（２７）形成工程であ
る。

これをフィトターンプロセス同様、例えば２５枚処理す
るまで続けて行う。

レフトターンプロセヌ終了後、再びフィトターンプロセ
スによって処理されるべきシリコンクエバ（ｘｚ）ｔｌ
ｔｌＪｒｆｌｌｘｆル。以後、レフトターンプロセスラ
イトターンプロセスを交互に行なっていく。

以上のようなライトターンプロセス５及びレフトターン
プロセスを交互に行なうことにより、第１反応室（６）
と第２反応室（１６）とは共く、Ｔ１スパッタリングと
ＴｉＮスパッタリングを所定の枚数毎に繰り返すことに
なる。

以上のように処理することにより、第２反応室（１６）
についてみると次の効果が得られる。すなわち、第２叉
応室（１６）では、フィトターンプロセスによる成膜処
理を続けることＫよってターゲット（９）表面にＴｉＨ
の異物が成形されるようになる。ところが、次に、レフ
トターンプロセスを行なうことによって第２反応室（１
６）ではＴ１スパッタリングを行なうので、ターゲット
（９）表面に形成されたＴＩＮがＴ１と共に飛ばされ、
シリコンウェハ（１２）　表面に形成されるＴ１膜中に
取り込まれてしまう。これをＴ１スパッタリングによる
クリーニング効果と呼ぶ。また、第１反応室（６）にお
いても同様にクリーニング効果が起きる。第２図は、　
Ｔｉスバッタリングによるクリーニング効果を示した例
である。図１７１−いて、横軸Ｋ　ＴｉＮ反応性スパッ
タリング、Ｔ１スパッタリング、ＴｉＮ反応性スパッタ
リングの順に同一反応室内で成膜したときの：Ａ槓処理
枚数を示し、縦軸忙シリコンウェハ上の異物発生数の推
移を示している。このように、ＴｉＮ反応性スパッタリ
ングによって増加した異物数を、Ｔｉスパッタリングに
よるクリーニング効果で減少させることが出来る。また
、とのクリーニング効果実施後ＫＴｉＮ反応性スパッタ
リングを行っても、一定処理枚数までは効果が持続し、
異物数が増加しない。

第２図では　クリーニング効果を明らかにする丸め、異
物数が極端に増加するまでＴｉｅ　ｉ応性スパッタリン
グを行なっているが、異物数が極端に増加する前にクリ
ーニング効果を実施すれば、シリコンウェハ上の異物数
を常に一定レベル以下に抑止することが出来る。

ただし、クリーニング効果を実施しても、’Ｉ’ｉ薄膜
（３０）にＴｉＮが取り込まれることＫよる膜質の信頼
性への影＃はほとんどない。その理由は次の通りである
。まず、ライトターンプロセスとレフトターンプロセス
とを短期間に繰り返すため、ターゲット（９）表面に形
成されているＴｉＮが比較的少ないうちにクリーニング
効果によって飛ばされるため、ＴｉＨの絶対量を少なく
できるためである。また、Ｔ１スパッタリングは、Ｔｉ
Ｎ反応性スパッタリングに比べ成膜効率が良く、短時間
に膜形成が行なわれるため、Ｖリコンウエハ１枚当りの
ＴＩＩ付着も少ないためである。

以上のように、ＴｉＮ反応性スパッタリングによって汚
染されたターゲット（９）は、Ｔ１スパッタリングを行
なうことＫより常に清浄化されている。このため、Ｔｉ
ｅ　ｆｆ応性スパッタリングによる異物発生数は、常に
一定数以下に抑制され、良質のバリア層（２７）の形成
を行うことが可能となる。従ってこのようなバリア層（
２７）を形成し、半導体装置を形成した場合、特性的に
優れ、信頼性の高いものとなる効果がある。

なお、ここでは、処理枚数をフィトターンプロセスとレ
フトターンプロセスとの各ターンヲ２５枚としたが、そ
れ以下に設定しても良い。また、ここでは、ライトター
ンプロセス、レフトターンプロセスの双方を交互に行な
っているが、異物を大量に発生させない程度に薄膜形成
を行う場合、必ずしも交互に行なわなくても良く、適宜
処理方向を制御して処理されるものであっても良く、上
記と同様の効果をもたらす。

〔発明の効果Ｊ 以上のように本発Ｆ！ＡＫよれば、マルチチャンバ方式
スパッタリング装置を使用してバリア層を形成する場合
、Ｔｉｅ反応性スパッタリング実施時の異物発生数を常
に一定数以下に抑止することが可能とな抄、高信頼性の
バリア層を容易に得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるマルチチャンバ方式の
スパッタリング装置の概略構成図、ｔ／ｇ２図はＴ１ス
パッタリングによるクリーニング効果を説明する因、第
３図は従来のマルチチャンバ方式のスパッタリング装置
を示す図、第４図はＴ１薄膜ＴｉＮｘ　Ｎ　Ｍｌとの２
Ｍ構造からなるバリア層を適用した半導体装置の要部の
構造を示す図、第５図〜第７図はＴｉＮ反応性スパッタ
リングの反応機構を模式的に示した図、第８図はＴｉＮ
反応性スパッタリングによる膜形成の際にシリコンウェ
ハ上の異物発生数の状態を示す図である。 図において、α）は第１０−ドロツク室、（６）は第１
反応室、（７）は陰極、（８）は陽極、（１２）はＶリ
コンウエハ％（１４）はＡｒガス導入用真空バルブ、（
１６）は第２反応性、（１７）は町ガス導入用真空バル
ブ、（１９）は第２０−ドロツク室、（２３）はＴ１膜
付シリコンウェハ、（２４）はＴ　ｉ　ＮＸ／　Ｔｉ付
シリコンウェハ、（２７）はバリア層、（２８）はＴ１
薄膜、（２９）はＴｉＮｘ１膜（３２）は基板である。 なお、各図中同一符号は、同一、または相当部分を示す
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）平行平板電極を有し、プラズマを発生させるべき
   ガスと被処理基板上に形成されるべき膜形成反応に寄与
   する窒素ガスとを内部に導入可能となされた第１の反応
   室と、第２の反応室とが隣接配置され、これら第１の反
   応室、第２の反応室のそれぞれの一方に排気可能で、上
   記基板の搬出入が行われる予備室が設けられており、上
   記基板が一方の予備室から他方の予備室に双方向に移送
   可能であり、一方向あるいはその逆方向から移送するこ
   とにより膜形成が行われる薄膜形成装置。