JPS6042831A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6042831A JPS6042831A JP15105683A JP15105683A JPS6042831A JP S6042831 A JPS6042831 A JP S6042831A JP 15105683 A JP15105683 A JP 15105683A JP 15105683 A JP15105683 A JP 15105683A JP S6042831 A JPS6042831 A JP S6042831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing chamber
- inert gas
- chamber
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造装置に関するもので、特に半導体基
板およびその酸化物、金）Ａ等のエツチング、あるいは
金属、酸化物等の半導体基板への堆積に使用されるもの
である。 〔発明の技術的背景および七〇）問題点〕添付図面の第
１゛図を参照して従来装置なａ明する。第１図は近年の
半導体製造工業にお℃・て使用１されているシリコン膜
、窒化シ１Ｊコン膜のエツチングのためのＣＩ）Ｅ （
Ｃｂｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｂｔｃｈｉｎｇ ）装置の
構成図である。ガス管１を介してアブ１ノケータ２に供
給されたＣＦ４ ＋０２ガスもｔｊｊｌ波管３を通って
きたマイクロ波によりプラズマ化され、ガス管４を通っ
てマニホールド 室６に馬えら第１る。半導体処理室６ｏ）下部σ）ホル
ダー７ ＶＣは半導体基板８が載置されており、例えば
半導体基板８がシリコンの場合％ｉ下自己の反応式でエ
ツチングされる。 ＣＦ４ ＋ ０２ ＋ Ｓ ４ →Ｓ， Ｆ番 ＋ （
シ０２このときの反応生成物（ ＳＩＦ４ １ Ｃ０２
）４工、杉ト出管９およびパルプ１（）を介して真空
ボ／プ１１により矢印の如く外部に排出される。 ところが、上記の反応生成物の排出は必ずしも理想的に
行なわれるとは限らず、Ｓｉの微粒子が半導体処理室６
の壁面等に付着することが多い。 ｉのため、クリーンルームの特に半導体処理室にの近傍
が、これら微粒子によって汚染されやすい（半導体製造
装置の近傍の汚染は、離れたところの数十倍にも及ぶ）
。なぜなら、半導体処理室６ｑ）蓋１２を開けて半導体
基板８を取り出す際に、壁面に句着していた微粒子がク
リーンルーム内ニ飛敗するからである。 上記の如き微粒子の飛散によるクリーンルームの汚染は
ＣＤＢ装置に限らず、例えばアルミニウムやモリブデン
シリサイド等の堆積装置、ＲＩＥ（ Ｒｅａｃｆｉｕｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｂｉｎｇ）装置等Ｖｃ オイテも見ら
れる。 このような微粒子の飛散によるクリーンルームの汚染は
、半導体処理室における半ｍ１体基版への微粒子の付着
とも相まって、エツチングの不均一、堆積膜の不均一等
をもたらし，製品の歩留りを低下させる賛因となってい
る。そして、この欠点な取り餘くために従来は、処理室
を定期的に拭（・たり、処理室をエツチングしたり（処
理室力１石英製のとぎはフッばと硝酸の根合液でエツチ
ング）しているが、いずれによっても十分で＆まなく，
また拭く回数なｊ・シ加させるとスルーフ゛ットカ１イ
氏下するといり欠点が新たに生じる。 〔発明の目的〕 本発明は上６１の問題点を克服するためになさｉｔだも
ので、半導体処理室に生じた微粒子を効率よく除去し、
微粒子の飛散によるり１ノーンルームの汚染を防止−ｒ
ると共に、製品ｔ／）歩留りを＋ｎ＋上させることので
きる半導体製造装置を提供することを目的とする。 〔発明の概振〕 一１ｈ己の目的を実現するため本発明レエ、半導体処理
室に不活性カスを導入するガス導入口とガス排出「１を
設け、不活性ガスを尋人することによって微粒子を片害
９；処理冨中に斜（・上らせて＝ガスＶＦ出［１から不
活性ガスと共に微粒子をｔＪＰ ＬＨイる半導状１１１
．’ｉ Ａ恥１−・程供するものである。°＊ｆ．：、
不活ａガスの導入、排出の際に、半導体基板を半導体処
理室から隔離するための予備室を設けた半導体製造装置
をも提供するものである。 〔発明の実施例〕 以下、添付図面の誌２図乃至繞４図を参１（工して本発
明のい（つ°かの実施例を説明する。第２図をｉ一実施
例の構成図で、第１図と同一要素は同一符号で示しであ
る。半導体処理室６内ＶＣ−＋Ｍ数σ）ガス導入口１３
を有するガス管１４を配設し、ノ（ルブ１５を介して不
活性ガス（例えばＮ２ ）を与えることカーできるよう
にする。まｔこ、排出管９の一端にノくパルプ１６を設
け、これを介して半導体処理室６内σ）ガスを外部に排
出できるようにする。 次に、第２図に示ｊ装置の動作を説すＪする。ドライエ
ツチングが終了したときには、マニホールド５からのガ
スの供給は停゛止し、半導体処理室６は真空に保たれ、
ノ（ルプ１０ 、 １５ 、 １６は共に閉になってい
る。そこで、パルプ１５を開にし、ガス導，入口１３か
らＮ２ガ“スな半導体処理室６に導入すると、壁面等に
付層していた微粒子が舞い上Ｆ）、半導体処理室内の気
圧が除々に上昇する。そして、半導体処理室６内の気Ｌ
Ｅがバルブ１６の外側の気圧よりも同くなった後にバル
ブ１６を開くと、舞い上っていた微粒子はＮ２ガスと共
に外部に排出される。 その後、バルブ１６を閉に
板およびその酸化物、金）Ａ等のエツチング、あるいは
金属、酸化物等の半導体基板への堆積に使用されるもの
である。 〔発明の技術的背景および七〇）問題点〕添付図面の第
１゛図を参照して従来装置なａ明する。第１図は近年の
半導体製造工業にお℃・て使用１されているシリコン膜
、窒化シ１Ｊコン膜のエツチングのためのＣＩ）Ｅ （
Ｃｂｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｂｔｃｈｉｎｇ ）装置の
構成図である。ガス管１を介してアブ１ノケータ２に供
給されたＣＦ４ ＋０２ガスもｔｊｊｌ波管３を通って
きたマイクロ波によりプラズマ化され、ガス管４を通っ
てマニホールド 室６に馬えら第１る。半導体処理室６ｏ）下部σ）ホル
ダー７ ＶＣは半導体基板８が載置されており、例えば
半導体基板８がシリコンの場合％ｉ下自己の反応式でエ
ツチングされる。 ＣＦ４ ＋ ０２ ＋ Ｓ ４ →Ｓ， Ｆ番 ＋ （
シ０２このときの反応生成物（ ＳＩＦ４ １ Ｃ０２
）４工、杉ト出管９およびパルプ１（）を介して真空
ボ／プ１１により矢印の如く外部に排出される。 ところが、上記の反応生成物の排出は必ずしも理想的に
行なわれるとは限らず、Ｓｉの微粒子が半導体処理室６
の壁面等に付着することが多い。 ｉのため、クリーンルームの特に半導体処理室にの近傍
が、これら微粒子によって汚染されやすい（半導体製造
装置の近傍の汚染は、離れたところの数十倍にも及ぶ）
。なぜなら、半導体処理室６ｑ）蓋１２を開けて半導体
基板８を取り出す際に、壁面に句着していた微粒子がク
リーンルーム内ニ飛敗するからである。 上記の如き微粒子の飛散によるクリーンルームの汚染は
ＣＤＢ装置に限らず、例えばアルミニウムやモリブデン
シリサイド等の堆積装置、ＲＩＥ（ Ｒｅａｃｆｉｕｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｂｉｎｇ）装置等Ｖｃ オイテも見ら
れる。 このような微粒子の飛散によるクリーンルームの汚染は
、半導体処理室における半ｍ１体基版への微粒子の付着
とも相まって、エツチングの不均一、堆積膜の不均一等
をもたらし，製品の歩留りを低下させる賛因となってい
る。そして、この欠点な取り餘くために従来は、処理室
を定期的に拭（・たり、処理室をエツチングしたり（処
理室力１石英製のとぎはフッばと硝酸の根合液でエツチ
ング）しているが、いずれによっても十分で＆まなく，
また拭く回数なｊ・シ加させるとスルーフ゛ットカ１イ
氏下するといり欠点が新たに生じる。 〔発明の目的〕 本発明は上６１の問題点を克服するためになさｉｔだも
ので、半導体処理室に生じた微粒子を効率よく除去し、
微粒子の飛散によるり１ノーンルームの汚染を防止−ｒ
ると共に、製品ｔ／）歩留りを＋ｎ＋上させることので
きる半導体製造装置を提供することを目的とする。 〔発明の概振〕 一１ｈ己の目的を実現するため本発明レエ、半導体処理
室に不活性カスを導入するガス導入口とガス排出「１を
設け、不活性ガスを尋人することによって微粒子を片害
９；処理冨中に斜（・上らせて＝ガスＶＦ出［１から不
活性ガスと共に微粒子をｔＪＰ ＬＨイる半導状１１１
．’ｉ Ａ恥１−・程供するものである。°＊ｆ．：、
不活ａガスの導入、排出の際に、半導体基板を半導体処
理室から隔離するための予備室を設けた半導体製造装置
をも提供するものである。 〔発明の実施例〕 以下、添付図面の誌２図乃至繞４図を参１（工して本発
明のい（つ°かの実施例を説明する。第２図をｉ一実施
例の構成図で、第１図と同一要素は同一符号で示しであ
る。半導体処理室６内ＶＣ−＋Ｍ数σ）ガス導入口１３
を有するガス管１４を配設し、ノ（ルブ１５を介して不
活性ガス（例えばＮ２ ）を与えることカーできるよう
にする。まｔこ、排出管９の一端にノくパルプ１６を設
け、これを介して半導体処理室６内σ）ガスを外部に排
出できるようにする。 次に、第２図に示ｊ装置の動作を説すＪする。ドライエ
ツチングが終了したときには、マニホールド５からのガ
スの供給は停゛止し、半導体処理室６は真空に保たれ、
ノ（ルプ１０ 、 １５ 、 １６は共に閉になってい
る。そこで、パルプ１５を開にし、ガス導，入口１３か
らＮ２ガ“スな半導体処理室６に導入すると、壁面等に
付層していた微粒子が舞い上Ｆ）、半導体処理室内の気
圧が除々に上昇する。そして、半導体処理室６内の気Ｌ
Ｅがバルブ１６の外側の気圧よりも同くなった後にバル
ブ１６を開くと、舞い上っていた微粒子はＮ２ガスと共
に外部に排出される。 その後、バルブ１６を閉に
【２、バルブｌＯを開にして
真空ポンプ１１により半導体処理室６内に残ったＮ２カ
スおよび微粒子を外部に排出する。 次に、第３図を参照して第２図の実施例によるクリーン
ルームの汚染度を、第１図の従来装置によるクリーンル
ームの汚染度と比較して説明する。 第３図は、ＣＩ）Ｅ装置による繰り返しエツチング回数
とクリーンルームの微粒子数の関係を示すグラフである
。その際、ＣＩ＋１】は次のような茶汁で行った。すな
わち、１００市φのシリコンウェーハ上に形ｒｔされた
二献化シリコン膜上の厚さ５０００ Ａ の多結晶／リ
コン膜を、毎回１０枚づつエツチングする。 エツチングのに４ミの処理室内の気圧はＱ、４ ｔｏｒ
ｒ、ＣＦ４．ｏ２のガス流量は共に１２９ｃｃ／ｍｉｎ
、エツチング速度は２３００λ／ｍｉｎで、第２図の装
置における微粒子排出のための時間は１回あたり５分で
ある。また、クリーンルーム内の微粒子の測定は、７６
ｘ＋ｚφのシリフンウェーハをＣＩ） Ｅ ％ Ｉｌ：
＃、 カラ２ｍ離れたところにｉ４に置し、各最終エツ
チング回数から１時間内に付属゛シた微才」“１．子を
測定することによって行う。 このよ５にＬ、て微粒子数をｄＩＩｊ定した結果、第１
図に示′１″従来装置と第２図に示す木・発明の冥施回
の間には、第３図に示１−ような顕著なＡｅ違が見られ
た。すなわち、従来装置を用いろと微粒子数はゝゝד
印で示￥ｊ：うにエツチング回数の増加に伴って急、速
に増加１−ろ。これに対し、本発明の装置を用いるとイ
、改粒子パ孜は、′○”で示すようにゅるやかに増加す
るにとどまる。 なお、ガス導入口１３は互、いに異った方向を同くよう
にした力が、乱流を起こして微粒イを舞い士けるのに都
会がよい。また、ガス尋人口１３の方向を可動にしても
よい。 第４図は本発明の他の実施列の４〜成図で、第１図およ
び第２図と同−璧索ヲ了同−符号で示しである。予価室
１７はケートバルカ８を介して半導体処理室６と互いに
連通ずるように設けてあり、また半導体基板８を半導体
処理室６から予備室１７に搬送する搬送手段が設けられ
ている。なお、）・備室１７は真空ポンプ１９によって
バルブ２０を介して真空にされる。 次に、々ル４図に示′１′夾施゛例の動作を説明イる。 ドライエツチングが終了したときは、バルブ１０゜１５
、１６ 、２０およびゲートバルブ１８は全て閉にな
っており、ず導体処理室６」６よび予備室１７は真空に
保たれている。そこで、ゲートパルプ１８を開にして図
示しない搬送手段により半導体基板８な予備に？１７に
搬送する。次に、ゲートパルプ１８を閉にして、バルブ
１５を開に【７てＮ２ガスを半導体処理室６に導入する
。半導体処理室６の気圧がバルブ１６の夕１側の気圧よ
り置くなった時点でバルブ１６を開にし、Ｉ〜２ カス
と共に微粒子を排出する。 このように半導体処理室６から半導体基板８を隔離する
ための予（１ｍ１７を設けると、Ｎ２ガスによって微粒
子を舞い上げる際の半導体基板８への微粒子の付着を防
止できるので、製品の歩留りなより向上することかでき
る。 なお、アルミニウム、モリブデンシリサ・イドク、ｑの
堆積装置や、ＲＩＥ装置の如く外気と遮断された半導体
処理室を有する半導体製造装置Ｕこおいても、本発明を
適用できることはいうまでもない。 〔発明の効果〕 上記の如く本発明によれば、半導体処理室にカス尋人口
を設け、ここから不活性ガスを導入することによって壁
面婢に０旭している微粒子を舞い上け、ガス排出口から
不活性ガスと共に微粒子を排出できるようにしたので、
半導体処理室に生じた微粒子を効率よく除去し、クリー
ンルームの汚染を防止できるだけでな（、製品の歩留り
の向上をも笑現することができる。また、不活性ガスの
尋人・排出の際に、半導体基板を半導体処理室から隔離
１−る予備室を設けると、微粒子を半導体処理室から排
出する際の半導体基板への付着を防止でき、製品の歩留
りを史に向」ニさせることができる。
真空ポンプ１１により半導体処理室６内に残ったＮ２カ
スおよび微粒子を外部に排出する。 次に、第３図を参照して第２図の実施例によるクリーン
ルームの汚染度を、第１図の従来装置によるクリーンル
ームの汚染度と比較して説明する。 第３図は、ＣＩ）Ｅ装置による繰り返しエツチング回数
とクリーンルームの微粒子数の関係を示すグラフである
。その際、ＣＩ＋１】は次のような茶汁で行った。すな
わち、１００市φのシリコンウェーハ上に形ｒｔされた
二献化シリコン膜上の厚さ５０００ Ａ の多結晶／リ
コン膜を、毎回１０枚づつエツチングする。 エツチングのに４ミの処理室内の気圧はＱ、４ ｔｏｒ
ｒ、ＣＦ４．ｏ２のガス流量は共に１２９ｃｃ／ｍｉｎ
、エツチング速度は２３００λ／ｍｉｎで、第２図の装
置における微粒子排出のための時間は１回あたり５分で
ある。また、クリーンルーム内の微粒子の測定は、７６
ｘ＋ｚφのシリフンウェーハをＣＩ） Ｅ ％ Ｉｌ：
＃、 カラ２ｍ離れたところにｉ４に置し、各最終エツ
チング回数から１時間内に付属゛シた微才」“１．子を
測定することによって行う。 このよ５にＬ、て微粒子数をｄＩＩｊ定した結果、第１
図に示′１″従来装置と第２図に示す木・発明の冥施回
の間には、第３図に示１−ような顕著なＡｅ違が見られ
た。すなわち、従来装置を用いろと微粒子数はゝゝד
印で示￥ｊ：うにエツチング回数の増加に伴って急、速
に増加１−ろ。これに対し、本発明の装置を用いるとイ
、改粒子パ孜は、′○”で示すようにゅるやかに増加す
るにとどまる。 なお、ガス導入口１３は互、いに異った方向を同くよう
にした力が、乱流を起こして微粒イを舞い士けるのに都
会がよい。また、ガス尋人口１３の方向を可動にしても
よい。 第４図は本発明の他の実施列の４〜成図で、第１図およ
び第２図と同−璧索ヲ了同−符号で示しである。予価室
１７はケートバルカ８を介して半導体処理室６と互いに
連通ずるように設けてあり、また半導体基板８を半導体
処理室６から予備室１７に搬送する搬送手段が設けられ
ている。なお、）・備室１７は真空ポンプ１９によって
バルブ２０を介して真空にされる。 次に、々ル４図に示′１′夾施゛例の動作を説明イる。 ドライエツチングが終了したときは、バルブ１０゜１５
、１６ 、２０およびゲートバルブ１８は全て閉にな
っており、ず導体処理室６」６よび予備室１７は真空に
保たれている。そこで、ゲートパルプ１８を開にして図
示しない搬送手段により半導体基板８な予備に？１７に
搬送する。次に、ゲートパルプ１８を閉にして、バルブ
１５を開に【７てＮ２ガスを半導体処理室６に導入する
。半導体処理室６の気圧がバルブ１６の夕１側の気圧よ
り置くなった時点でバルブ１６を開にし、Ｉ〜２ カス
と共に微粒子を排出する。 このように半導体処理室６から半導体基板８を隔離する
ための予（１ｍ１７を設けると、Ｎ２ガスによって微粒
子を舞い上げる際の半導体基板８への微粒子の付着を防
止できるので、製品の歩留りなより向上することかでき
る。 なお、アルミニウム、モリブデンシリサ・イドク、ｑの
堆積装置や、ＲＩＥ装置の如く外気と遮断された半導体
処理室を有する半導体製造装置Ｕこおいても、本発明を
適用できることはいうまでもない。 〔発明の効果〕 上記の如く本発明によれば、半導体処理室にカス尋人口
を設け、ここから不活性ガスを導入することによって壁
面婢に０旭している微粒子を舞い上け、ガス排出口から
不活性ガスと共に微粒子を排出できるようにしたので、
半導体処理室に生じた微粒子を効率よく除去し、クリー
ンルームの汚染を防止できるだけでな（、製品の歩留り
の向上をも笑現することができる。また、不活性ガスの
尋人・排出の際に、半導体基板を半導体処理室から隔離
１−る予備室を設けると、微粒子を半導体処理室から排
出する際の半導体基板への付着を防止でき、製品の歩留
りを史に向」ニさせることができる。
第１図は往来装置の一構成例の構成図、第２図は本発明
の一実施例の構成図、第３図は第１図および第２図に示
す装置によって繰り返し工、ツチングしたときのクリー
ンルームの微粒子数の変化を示″１〜グラフ、褐４図は
本発明の他の実施例の構成図である。 １．４．１４・・・ガス曾、２・・・アプリケータ、３
・・・尋波官、５・・マニホールド、６・・・半畳体処
理室、７・・・ホルダー、８・・・半導体基板、９・・
・排出管、１０ 、１５ 、１６ 、２０・・・パルプ
、１１ 、１９・・・Ｘ全ポンプ、１２・・・藝、１３
・・・ガス導入口、１７・・・予備室、１８・・・ゲー
トバルブ。 出願入代押入 猪 股 清
の一実施例の構成図、第３図は第１図および第２図に示
す装置によって繰り返し工、ツチングしたときのクリー
ンルームの微粒子数の変化を示″１〜グラフ、褐４図は
本発明の他の実施例の構成図である。 １．４．１４・・・ガス曾、２・・・アプリケータ、３
・・・尋波官、５・・マニホールド、６・・・半畳体処
理室、７・・・ホルダー、８・・・半導体基板、９・・
・排出管、１０ 、１５ 、１６ 、２０・・・パルプ
、１１ 、１９・・・Ｘ全ポンプ、１２・・・藝、１３
・・・ガス導入口、１７・・・予備室、１８・・・ゲー
トバルブ。 出願入代押入 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １千尋体基板、はよびこれに堆積された酸化物、金ｋＡ
等をエツチングし、あるいは金属、酸化物等を半導体基
板に堆積させるための半導体処理室と、 この半導体処理室に不活性ガスを導入する不活性ガス導
入手段と、 ｂ１１記不活住ガスの４人により前記半導体処理室内に
拡散された微粒子を、この不活性ガスと共に外＠ｖｃ
４Ｊｌ−出する微粒子排出手段とを備える半導体製造装
置。 ２不活性ガス導人手段（工、半導体処理室内で不を６性
ガスが＾１．流をおこすように互いに向きの異なった１
反数のガ・ス導入口を有する特許請求の範囲第１項記載
の半導体製造装置。 ３半導体基板およびこれに堆積された酸化物、金属等を
エツチングし、あるいは金属、酸化物等を半導体基板に
堆積させるための半導体処理室と、 この半導体処理室に不活性ガスを導入する不活性ガス導
入手段と、 前す己不活性ガスの尋人により前記半導体処理室内に拡
散された微粒子を、この不活性ガスと共に外部に排出す
る微粒子排出手段と、ゲートパルプを介して前記半導体
処理室に連通し、前記微粒子の拡散時に半導体基板を移
送させる予備室とを備える半導体製造装置。 ４不活性ガス導入手段は、半導体処理室内で不活性ガス
が乱流をおこすように互いに向きの異なった枚数のガス
尋入口を有する特許請求の範囲第３項記載の半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15105683A JPS6042831A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15105683A JPS6042831A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042831A true JPS6042831A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15510329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15105683A Pending JPS6042831A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042831A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196538A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPS6411684A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Hitachi Ltd | Method and device for cleaning sample carrying-in chamber |
| JPH0250423A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| JPH0684853A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-03-25 | Applied Materials Inc | 半導体デバイス処理における微粒子汚染の低減 |
| US5622595A (en) * | 1992-06-16 | 1997-04-22 | Applied Materials, Inc | Reducing particulate contamination during semiconductor device processing |
| US5902494A (en) * | 1996-02-09 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike |
| US6139923A (en) * | 1996-02-09 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle contamination in a substrate processing chamber |
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-
1983
- 1983-08-19 JP JP15105683A patent/JPS6042831A/ja active Pending
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