JPS6043017B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6043017B2 JPS6043017B2 JP54110353A JP11035379A JPS6043017B2 JP S6043017 B2 JPS6043017 B2 JP S6043017B2 JP 54110353 A JP54110353 A JP 54110353A JP 11035379 A JP11035379 A JP 11035379A JP S6043017 B2 JPS6043017 B2 JP S6043017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- annular
- groove
- electrode
- sealed
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置にかゝり、特に大電力用の整流
素子、同トランジスタ等の耐力向上を目的とする。
素子、同トランジスタ等の耐力向上を目的とする。
一般に大電力用整流素子や大電力用トランジスタ等の
半導体装置は種々の原因により過剰電流が流れることが
ある。
半導体装置は種々の原因により過剰電流が流れることが
ある。
上記は一例として逆方向耐圧が劣化した場合などであり
、過剰電流は整流素子の一個所に集中して流れる。か）
る過剰電流を防止するために回路の一部にフェーズ等が
設けられているが、フェーズは作動してもその特性上過
剰電流の瞬時通電を許すことがある。次に半導体整流素
子を示した第１図により説明する。図において１はセラ
ミックスでなる筒体、２、２は前記筒体の両端面に対向
して封着されコバール（商品名）でなる一対の環状蓋体
、３、３は前記筒体と同軸かつ環状蓋体の開孔に挿通し
封着された一対の電極体て、前記筒体、環状蓋体および
電極体とで気密の外囲器が形成され、この内部に電極体
の対向面間に下部電極とは鑞層５にて固着されて挟持さ
れた半導体素子構造体４と、過剰電流による半導体素子
構造体の溶解にともなつてプラズマ状に飛散する溶融金
属による蓋体の破を防護するための遮蔽体６、６’が設
けられている。この遮蔽体はシリコンゴム、テフロン、
ダイフロン（商品名）等の耐熱性にすぐれた合成樹脂板
にて形成され、封止前に密着させておくものである。
上記従来の構造によれば、過剰電流（例えば数１ＯＫＡ
）が集中することにより半導体素子構造体が溶解しプラ
ズマ状に飛散する。
、過剰電流は整流素子の一個所に集中して流れる。か）
る過剰電流を防止するために回路の一部にフェーズ等が
設けられているが、フェーズは作動してもその特性上過
剰電流の瞬時通電を許すことがある。次に半導体整流素
子を示した第１図により説明する。図において１はセラ
ミックスでなる筒体、２、２は前記筒体の両端面に対向
して封着されコバール（商品名）でなる一対の環状蓋体
、３、３は前記筒体と同軸かつ環状蓋体の開孔に挿通し
封着された一対の電極体て、前記筒体、環状蓋体および
電極体とで気密の外囲器が形成され、この内部に電極体
の対向面間に下部電極とは鑞層５にて固着されて挟持さ
れた半導体素子構造体４と、過剰電流による半導体素子
構造体の溶解にともなつてプラズマ状に飛散する溶融金
属による蓋体の破を防護するための遮蔽体６、６’が設
けられている。この遮蔽体はシリコンゴム、テフロン、
ダイフロン（商品名）等の耐熱性にすぐれた合成樹脂板
にて形成され、封止前に密着させておくものである。
上記従来の構造によれば、過剰電流（例えば数１ＯＫＡ
）が集中することにより半導体素子構造体が溶解しプラ
ズマ状に飛散する。
そして遮蔽体６、６’によつて外囲器構造中最も弱い環
状蓋体は相当防護されるが、絶縁性筒体１は飛散部に近
接、対向しているため破損する欠点がある。さらに外囲
器の破損は爆発を伴なうため、回路配線においてこの半
導体装置に隣接して設けられた他の部品まで破損するに
至る。 この発明は上記従来の欠点に対しこれを改良す
るための半導体装置の改良構造を提供するものである。
状蓋体は相当防護されるが、絶縁性筒体１は飛散部に近
接、対向しているため破損する欠点がある。さらに外囲
器の破損は爆発を伴なうため、回路配線においてこの半
導体装置に隣接して設けられた他の部品まで破損するに
至る。 この発明は上記従来の欠点に対しこれを改良す
るための半導体装置の改良構造を提供するものである。
この発明は圧接型の半導体装置において、対向する電
極体の間に可滑動に挟持された半導体素子構造体に外囲
しこれを電極体の間に封止する軟質筒状の弾性を有する
絶縁耐熱性封止体が、電極体に接する端面に形成された
少なくとも１の環状の突堤または溝を備えるとともに、
この突堤が接する電極体の表面に突堤または溝と嵌合す
る溝または突堤を備えた構造上の特徴がある。
極体の間に可滑動に挟持された半導体素子構造体に外囲
しこれを電極体の間に封止する軟質筒状の弾性を有する
絶縁耐熱性封止体が、電極体に接する端面に形成された
少なくとも１の環状の突堤または溝を備えるとともに、
この突堤が接する電極体の表面に突堤または溝と嵌合す
る溝または突堤を備えた構造上の特徴がある。
次にこの発明を一実施例により図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図に断面図によつて圧接型の半導体整流素子を示す
。図において、１はセラミックスの筒体、２，２″は筒
体の両端面に対向して封着されたコバール（商品名）で
一対に形成された環状蓋体、３，１３″は筒体と同軸で
環状蓋体の開孔に挿通封着された一対の電極体で、筒体
、環状蓋体および電極体とで気密の外囲器が形成され、
この内部に電極体の対向面間に半導体素子構造体±（力
何滑動に挟持される。次に±ｕは軟質にて弾性を有する
絶縁耐熱材で形成された封止体で、筒状の軸方向の一部
断面がコ字形で、その内周面１６ａを半導体素子構造体
の周面に接してこれを定位せしめ、また筒端にフランジ
状に内方へ拡張した端面１６ｂ，１６ｂ″を夫々が対応
する電極体３，３″に接着して封止する。さらにこの封
止体は封着側電極体１３″の外囲器内表面の一部と互い
に溝１６ｃと突堤１３ａにて対接嵌合する。なお、第３
図には封止体又見に突堤２６Ｃ１電極体２３″に溝２３
ａを設けた構造を例示する。さらに第４図に第２図にて
示した封止体±１の一部切欠斜視図を示す。この発明に
よれは半導体素子構造体を電極間に圧接のみによつて定
位する圧接型半導体装置の組立工程中の取扱い、組立後
における振動、さらには温度変化（履歴）等にもとづく
半導体素子構造体が軟質弾性を有する封止体の作用によ
り変位せず、したがつてこの変位により生ずる過剰電流
発生、電極間の漏洩ないし短絡等が防止される。
。図において、１はセラミックスの筒体、２，２″は筒
体の両端面に対向して封着されたコバール（商品名）で
一対に形成された環状蓋体、３，１３″は筒体と同軸で
環状蓋体の開孔に挿通封着された一対の電極体で、筒体
、環状蓋体および電極体とで気密の外囲器が形成され、
この内部に電極体の対向面間に半導体素子構造体±（力
何滑動に挟持される。次に±ｕは軟質にて弾性を有する
絶縁耐熱材で形成された封止体で、筒状の軸方向の一部
断面がコ字形で、その内周面１６ａを半導体素子構造体
の周面に接してこれを定位せしめ、また筒端にフランジ
状に内方へ拡張した端面１６ｂ，１６ｂ″を夫々が対応
する電極体３，３″に接着して封止する。さらにこの封
止体は封着側電極体１３″の外囲器内表面の一部と互い
に溝１６ｃと突堤１３ａにて対接嵌合する。なお、第３
図には封止体又見に突堤２６Ｃ１電極体２３″に溝２３
ａを設けた構造を例示する。さらに第４図に第２図にて
示した封止体±１の一部切欠斜視図を示す。この発明に
よれは半導体素子構造体を電極間に圧接のみによつて定
位する圧接型半導体装置の組立工程中の取扱い、組立後
における振動、さらには温度変化（履歴）等にもとづく
半導体素子構造体が軟質弾性を有する封止体の作用によ
り変位せず、したがつてこの変位により生ずる過剰電流
発生、電極間の漏洩ないし短絡等が防止される。
このため、製品の品質、信頼性の向上が達成されるとと
もに組立が容易となり、製造工程の能率と保留を大幅に
向上する利点がある。次には組立部が封止されるととも
にこの封止体が軟質にして弾性を有し環状突堤との嵌合
により極めて良好な密着度にて電極体との密着が達成さ
れ、環状蓋体が充分保護されるので、きわめて強力なプ
ラズマ状の飛散を生じても環状蓋体やセラミックスの筒
体等の外囲器の耐量が向上する。実際には半導体ペレッ
トの中央部で発生したアークの耐量の方が端縁での発生
より大きい傾向がある。さらには外部からの加圧により
電極体と半導体ペレットを電気的、熱的に接触させてい
るが、この力により封止体と電極間の空隙を閉塞するた
め一層の耐量向上が見込まれる。また、この発明は実施
にあたり半導体装置部品、組立装置、製造工程等の変更
が不要であるとともに封止体も廉価であるなど量産上の
利点もある。なお、この発明は上記実施例に限定される
ものでなく、サイリスタ、大電力用トランジスタ（キヤ
ン封止）など類似の構造体に広く適用できることはいう
までもない。
もに組立が容易となり、製造工程の能率と保留を大幅に
向上する利点がある。次には組立部が封止されるととも
にこの封止体が軟質にして弾性を有し環状突堤との嵌合
により極めて良好な密着度にて電極体との密着が達成さ
れ、環状蓋体が充分保護されるので、きわめて強力なプ
ラズマ状の飛散を生じても環状蓋体やセラミックスの筒
体等の外囲器の耐量が向上する。実際には半導体ペレッ
トの中央部で発生したアークの耐量の方が端縁での発生
より大きい傾向がある。さらには外部からの加圧により
電極体と半導体ペレットを電気的、熱的に接触させてい
るが、この力により封止体と電極間の空隙を閉塞するた
め一層の耐量向上が見込まれる。また、この発明は実施
にあたり半導体装置部品、組立装置、製造工程等の変更
が不要であるとともに封止体も廉価であるなど量産上の
利点もある。なお、この発明は上記実施例に限定される
ものでなく、サイリスタ、大電力用トランジスタ（キヤ
ン封止）など類似の構造体に広く適用できることはいう
までもない。
図面の簡単な説明第１図は従来の半導体整流素子の断面
図、第２図はこの発明の一実施例の半導体整流素子の断
面図、第３図は別の一実施例を示す断面図、第４図は第
２図における封止体の一部を切欠して示す斜視図である
。
図、第２図はこの発明の一実施例の半導体整流素子の断
面図、第３図は別の一実施例を示す断面図、第４図は第
２図における封止体の一部を切欠して示す斜視図である
。
なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。
のとする。
１・・・・・・絶縁性筒体、２，２・・・・環状蓋体、
３，１３″，２３″・・・・電極体、±１・・・・・・
半導体素子構造体、±Ｕ，ＩＵ゜゜゜゜゜゜封止体、１
６ａ，２６ａ・・・・・・封止体の内周面、１６ｂ，１
６ｂ″，２６ｂ，２６ｂ″・・・・・・封止体の端面、
１６ｃ・・・・・・封止体の環状溝、２６ｃ・・・・・
・封止体の環状突堤、１３ａ・・・・・・電極体の環状
突堤、２３ａ・・・電極体の環状溝。
３，１３″，２３″・・・・電極体、±１・・・・・・
半導体素子構造体、±Ｕ，ＩＵ゜゜゜゜゜゜封止体、１
６ａ，２６ａ・・・・・・封止体の内周面、１６ｂ，１
６ｂ″，２６ｂ，２６ｂ″・・・・・・封止体の端面、
１６ｃ・・・・・・封止体の環状溝、２６ｃ・・・・・
・封止体の環状突堤、１３ａ・・・・・・電極体の環状
突堤、２３ａ・・・電極体の環状溝。
Claims (1)
- １ 絶縁性筒体と、前記筒体の両面の両端面に対向して
封着された一対の環状蓋体と、前記筒体と同軸に前記環
状蓋体の開孔に押入し封着され表面に環状の溝または突
堤をする一対の電極体よりなる気密の外囲器内にて電極
体の対向面の間に可滑動に挟持された半導体素子溝造体
と、軟質にして弾性を有する絶縁耐熱材にて筒状になり
内周面を前記半導体素子構造体の周面部に接してこれら
を定位するとともに端面部に電極体の前記環状の溝また
は突堤と嵌する突堤または溝を有する封止体とを具備し
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54110353A JPS6043017B2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54110353A JPS6043017B2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5635442A JPS5635442A (en) | 1981-04-08 |
| JPS6043017B2 true JPS6043017B2 (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=14533607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54110353A Expired JPS6043017B2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043017B2 (ja) |
-
1979
- 1979-08-31 JP JP54110353A patent/JPS6043017B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5635442A (en) | 1981-04-08 |
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