JPS6043834A - 半導体ウエ−ハの洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハの洗浄装置

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Publication number
JPS6043834A
JPS6043834A JP58151939A JP15193983A JPS6043834A JP S6043834 A JPS6043834 A JP S6043834A JP 58151939 A JP58151939 A JP 58151939A JP 15193983 A JP15193983 A JP 15193983A JP S6043834 A JPS6043834 A JP S6043834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
cassette
semiconductor wafer
shelf
receiver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58151939A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Yamazaki
山崎 雅敏
Shigeji Kinoshita
木下 繁治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58151939A priority Critical patent/JPS6043834A/ja
Publication of JPS6043834A publication Critical patent/JPS6043834A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0416Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、カセットに収納された半導体ウェーハを洗
浄槽で洗浄する洗浄装置に関する0〔従来技術〕 半導体ウェーハ(以下「ウェーッ・」と称する)の製造
工程で、多数枚のウェーッ・をカセット内に立てて相互
の間隔をあけて収納し、エツチング処理をし、この処理
後、残留し付着しているエツチング液を除去するため、
カセットごと洗浄槽に浸漬し水洗などの洗浄処理をして
いる。
従来のこの種の洗浄装置は、第1図に縦断面図で示すよ
うになっていた。(1)はウェーッ飄で、カセット(2
)の両側部内面に設けられた立て方向の多数条の保持溝
(2a)に1枚□宛間隔をあけて多数枚が収納されてい
る。(3)は上記カセットを入れ洗浄する洗浄槽で、底
部(4)には供給口(4a)が設けられ、外部から純水
又はアルコールなどの洗浄液が供給される。(5)は洗
浄槽(3)内の下方に設けられカセット(2)を受ける
棚部で、複数の流通穴(5a)があけられである。
上記従来の洗浄装置によるウェー/、−t1+の洗浄は
、次のようにしていた。供給口(4a)から給入された
洗浄液は底部(4)と棚部(5)間を充満し、各流通穴
(5a)を通って上方に吹出し洗浄槽(3)内を満たし
、ウェーハ(11及びカセット2)を洗浄しながら上方
からあふれ出る。
上記従来の洗浄装置では、カセット(2)内のウェーハ
fl)の下部は、保持溝(2a)の対応する両側が内方
に狭められた下部Aに常に接触しており、かつ、溝幅が
狭いので、この部分に洗浄液が流動しに<<、洗浄効果
が悪く、エツチング液が完全に除去されなかった。この
ため、次の拡散工程でエツチング液の残留分子がウェー
ッ・(1)内に拡散されるなどにより、不良品が生じる
ことがあった。これに対処し、洗浄効果を上げるため、
長時間洗浄槽(3)に浸漬し洗浄液により流通洗浄する
と、生産性が悪く、かつ、洗浄液として高価な超純水、
又はアルコールなどを多量に使用す、ることになり、生
産費が高くなるなどの欠点があった。
また、洗浄効果を上げる別の手段として、浸漬したカセ
ット番上下に強く揺動させる方法もあるが、揺動装置を
必要とし設備費が高価4こなり、さらに、強過ぎる揺動
はウェーッ・を破損する才、・それがあり、また、揺動
か弱いとウェー7・(1)はカセット(2)の保持溝(
2a)のA部から離れず効果&まtlとんと上がらなか
った。
〔発明の概を〕
この発明は、洗浄槽のf羽部上方に突出受体を設け、種
部上にカセットを置くと、カセットの底の開口部から入
った突出受体に各ウェーッ・が下部で接して少し持上が
ることにより、保持溝の下部から浮上がり、洗浄効果を
向上する洗浄装置を提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
第2図はこの発明の一実施例による洗浄装置の縦断面図
であり、ill〜(5) 、 (2a)、 (4a)、
 (5a)は上記従来のものと同一のものである。洗浄
槽(3)の棚部(5)上の中央部に長手方向の突出受体
(11)が設けられ、この突出受体の上端はとがってい
る。
上記洗浄槽(3)の棚部(5)上にカセット(2)を置
くと、カセット(2)の底の開口部から入った突出受体
(II)の上端に、各ウェーッ・il)が下部で接して
少し持上がり、保持溝(2a)の下sAから浮上がる0
こうして、供給口(4a)から洗浄液を流入すると、洗
浄液は各ウェーッ・(1)及びカセット(2)を洗浄し
ながら上昇流通し、上部からあふれ出る。洗浄液はウェ
ーハ(1)と保持溝(2a)下部Aとの生じたすき間に
も流通上昇し、洗浄効果が大幅に向上する。
突出受体(11)の上端はとがっており、ウェーハ(」
)の下部とは点接触となシ洗浄に支障はない。
第3図はこの発明の他の実施例を示す洗浄装置1りの縦
断面図である。洗浄槽(3)の棚部(5)上の中央に長
手方向に管状の突出受体(+21を設けている。この突
出受体(12)には複数の噴出穴(12a)を設けてあ
り、突出受体(12)内に外部から洗浄液を供給し、噴
出穴(12a)からカセット2)の内面に洗浄水を噴出
し、洗浄効果をいっそう高めるようにしている0この突
出受体(121の外径は大径のウェーッ・+11より大
部小径であり、ウェーハ(11を点接触で受ける。
第4図はこの発明の他の異なる実施例を示す洗浄装置の
縦断面図である。洗浄槽(13)の底部(14)側の側
部には洗浄液の供給口(1,4a)が設けられ、外部□
から洗浄液が供給される。(15)は洗浄槽03)内の
下方に設けられカセット(2)を受ける棚部で、複数の
流通穴(15a)があけられである。(+6)は棚部(
15)上の中央に長手方向に設けられた突出受体である
(+7)はカセット(2)を挾持し運搬する挾み具で、
手動又は揺動製筒により、洗浄中のカセット2)を弱く
上下に揺動する。これにより、各ウェーハ(1)は揺動
され突出受体(16jからも接触が断続し、又カセット
(2)の保持1fI′i (2a)との接触点が移動し
、洗浄はいっそう促進される。
上記第4図の実施例ではカセット(2)を上下に揺動さ
せたか、カセット(2)は固定し、突出受体(n) 。
又は(16)を上下動可能に棚部(う)又は(1う)上
に支持し、外部から揺動手段により上下に弱く間欠揺動
するようにしてもよい。
なお、上記突出受体の材質は、而h it=耗性のもの
、例えば、テフロンなど合成樹脂材を用い、棚部上に接
兄剤、あるいはねじ止めにより固定する。突出受体の材
質か洗浄槽の材質と同じであれは、一体に形成してもよ
い。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、洗浄槽の棚部上に、
置かれたカセットの各ウェーハが下部で受けて持上がる
突出受体を設けたので、各ウェーハが保持溝の下部から
浮上が9、洗浄効果が向上し、所要洗浄時間が短縮し、
洗浄液の使用部を減少することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体ウェーハの洗6を装置の縦断面図
、第2図はこの発明の一実施例による半導体ウェーハの
洗浄装置の縦断面図、第3図及び第4図はこの発明の他
のそれぞれ異なる実施例による洗浄装置の縦断面図であ
る。 図において、1・・・半導体ウェーッ・、2・・・カセ
ット、3・・・洗浄槽、4・・・底部、4a・・・供給
口、5・・・棚部、5a・・・流遍穴、禁巨→l叫宍1
1,12・・・突出受体、12a・・・流通穴、13・
・・洗浄槽、14・・・底部、14a・・・供給口、1
5・・・棚部、15a・・・流通穴、16・・・突出受
体、17・・・挾み具。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第:31′A。 第、4図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)底部から間隔をあけて棚部が設けられ、この棚部
    には複数の流通穴があけられた洗浄槽を備えており、複
    数枚の半導体ウェーハを収納したカセットを上記洗浄槽
    内の棚部上にItZき、上記底部側から洗浄液を供給し
    上部から流出させて洗浄する装置において、上記棚部上
    方に、上記カセット内の半導体ウェーハ群の下部に対応
    する位置に突出受体を設け、この突出受体により上記各
    半導体ウェーハが下部で接して持上がるようにしたこと
    を特徴とする半導体ウェーハの洗浄装置。
  2. (2)突出受体は上端がとがった山形状をなしているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体ウェ
    ーハの洗浄装置。
  3. (3)突出受体は管状をなしており、外周、に複数の噴
    出穴が設けられてあり、外部から上記管状内に洗浄液が
    供給され、上記噴出穴から洗浄液を唱出しカセット内を
    流通上昇するようにしたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の半導体ウェーハの洗浄装置。
  4. (4)突出受体は上下の揺動可能に支持され、外部揺動
    手段により上下に弱く揺動するようにしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の半導体ウェ
    ーハの洗浄装置。
  5. (5)棚部上に置かれたカセットを−L下から挾み具で
    挟持し、揺動手段により上下に弱く揺動するようにした
    ことを特徴とする特許請求のflii)間第1項ないし
    第3項のいづれかの項記載の半導体ウェーハの洗浄装置
JP58151939A 1983-08-20 1983-08-20 半導体ウエ−ハの洗浄装置 Pending JPS6043834A (ja)

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JP58151939A Pending JPS6043834A (ja) 1983-08-20 1983-08-20 半導体ウエ−ハの洗浄装置

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5151162A (ja) * 1974-10-30 1976-05-06 Hitachi Ltd Itajobutsusenjojigu
JPS5316277U (ja) * 1976-07-23 1978-02-10
JPS5494274A (en) * 1978-01-10 1979-07-25 Toshiba Corp Liquid terating device of semiconductor wafers
JPS5529579A (en) * 1979-08-16 1980-03-01 Denki Kagaku Kogyo Kk Polymerization of vinyl chloride

Patent Citations (4)

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