JPS6044542A - ポリマ−のｎ形ド−ピング法 - Google Patents
ポリマ−のｎ形ド−ピング法Info
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- JPS6044542A JPS6044542A JP59151131A JP15113184A JPS6044542A JP S6044542 A JPS6044542 A JP S6044542A JP 59151131 A JP59151131 A JP 59151131A JP 15113184 A JP15113184 A JP 15113184A JP S6044542 A JPS6044542 A JP S6044542A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
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- C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ポリマーにドーピング剤を添加して半導体を得ることは
既知である。その場合、ポリマーに正電荷を与える（ポ
リマーをＰ形にする）か、負電荷を与える（ポリマーを
Ｎ形にする）化合物が用いられる。
既知である。その場合、ポリマーに正電荷を与える（ポ
リマーをＰ形にする）か、負電荷を与える（ポリマーを
Ｎ形にする）化合物が用いられる。
数多くの特許や出版物に、万邦化ヨウ素又はヒ素（昭和
電工出願による日本特許第８１１４５９２９号）、強酸
（昭和電工の日本特許第８０１２９４２５号）、或いは
チタニウム塩（日本合成ゴムの米国特許第４．３４９，
６６４号）などの電子受容性化合物を用いてポリマーを
Ｐ形化することが記述されている。
電工出願による日本特許第８１１４５９２９号）、強酸
（昭和電工の日本特許第８０１２９４２５号）、或いは
チタニウム塩（日本合成ゴムの米国特許第４．３４９，
６６４号）などの電子受容性化合物を用いてポリマーを
Ｐ形化することが記述されている。
Ｎ形化については、広範囲の研究が行なわれていない。
二三の出版物に、電気化学的方法或いはポリマーに電子
供与性化合物を添加することによりＮ形化を行なうこと
が、述べられている。電子供与体としては、アルカリ金
属の単体、混合物又はアマルガム化したもの、並びにイ
オン基のアルカリ塩（ＢＡＳＦのヨーロッパ特許第５４
６８３号）が提案されている。
供与性化合物を添加することによりＮ形化を行なうこと
が、述べられている。電子供与体としては、アルカリ金
属の単体、混合物又はアマルガム化したもの、並びにイ
オン基のアルカリ塩（ＢＡＳＦのヨーロッパ特許第５４
６８３号）が提案されている。
アルカリ金属を使ってＮ形化を行なうには、コントロー
ルのむつかしい金属／固体反応が必要である。
ルのむつかしい金属／固体反応が必要である。
ナトリウムナフタリエ或いは芳香族ケトンのアルカリ金
属錯体などのイオン基のアルカリ塩を合成するには、極
性溶剤の存在が必要であ“る。使用金属がナトリウム又
はリチウムの場合は、溶剤もポリマー中に入り、ポリマ
ーの電導度に有害となる。ポリマーに溶剤が入ると、ポ
リマー重量が増加し、所望の目的の一部が達成されない
。
属錯体などのイオン基のアルカリ塩を合成するには、極
性溶剤の存在が必要であ“る。使用金属がナトリウム又
はリチウムの場合は、溶剤もポリマー中に入り、ポリマ
ーの電導度に有害となる。ポリマーに溶剤が入ると、ポ
リマー重量が増加し、所望の目的の一部が達成されない
。
本発明は、単純かつ効果的な工程によりポリアセチレン
又はポリフェニレンにドーピング処理を行なう方法を提
供する。この工程により、極性溶剤中或いは非極性溶剤
中で電導度の良好なポリマーを得ることができる。
又はポリフェニレンにドーピング処理を行なう方法を提
供する。この工程により、極性溶剤中或いは非極性溶剤
中で電導度の良好なポリマーを得ることができる。
本発明によれば、ポリアセチレン又はポリフェニレンと
ドーピング剤とを、該ドーピング剤用の溶剤中で接触さ
せることにより、Ｎ形にドーピングしたポリアセチレン
又はポリフェニレンが得られる。たソし、該ドーピング
剤は、式（１）、（ｎ）及びＲ１−Ｌｌ （１） （式中、Ｒ１はアリール基、飽和炭化水素基又は不飽和
炭化水素基であり、各基は炭素数最大約１００．０００
の重合鎖であり得る）、Ｒス ２ （式中、Ａｒは縮合していてもよい最大約６つの環を有
するアリール基、２−ピリジル基又は４−ピリジル基で
あり、Ｒ２及びＲ３は同じか異なるものであり、夫々、
水素、アリール基、飽和炭化水素基又は不飽和炭化水素
基であり、各基は炭素数最大約１００，０００の重合鎖
であり得、ＭはＮａ％Ｋ。
ドーピング剤とを、該ドーピング剤用の溶剤中で接触さ
せることにより、Ｎ形にドーピングしたポリアセチレン
又はポリフェニレンが得られる。たソし、該ドーピング
剤は、式（１）、（ｎ）及びＲ１−Ｌｌ （１） （式中、Ｒ１はアリール基、飽和炭化水素基又は不飽和
炭化水素基であり、各基は炭素数最大約１００．０００
の重合鎖であり得る）、Ｒス ２ （式中、Ａｒは縮合していてもよい最大約６つの環を有
するアリール基、２−ピリジル基又は４−ピリジル基で
あり、Ｒ２及びＲ３は同じか異なるものであり、夫々、
水素、アリール基、飽和炭化水素基又は不飽和炭化水素
基であり、各基は炭素数最大約１００，０００の重合鎖
であり得、ＭはＮａ％Ｋ。
Ｌｌ、０日及びＲ’ｂより選ばれるアルカリ金属である
）、Ａｒ Ａｒ （式中、Ａｒ及びＭは前述の定義と同じであり、拘及び
Ｒ５は夫々、水素、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基
、又は縮合していてもよい最大約３つの猿を有するアリ
ール基であり、Ｒ６は飽和又は不飽和の２価炭化水素基
であり、各基は炭素最大約１００．０００の重合鎖であ
り得る）、の化合物よりなる群から選ばれる少なくとも
１種の化合物である。
）、Ａｒ Ａｒ （式中、Ａｒ及びＭは前述の定義と同じであり、拘及び
Ｒ５は夫々、水素、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基
、又は縮合していてもよい最大約３つの猿を有するアリ
ール基であり、Ｒ６は飽和又は不飽和の２価炭化水素基
であり、各基は炭素最大約１００．０００の重合鎖であ
り得る）、の化合物よりなる群から選ばれる少なくとも
１種の化合物である。
式（１）の有機リチウム化合物はそのま＼、或いはＮ
Ｎ Ｎ’ Ｎ’−テトラメチレンジアミン（ＴＭＦｉＤ
Ａ）又は環式エーテルなどの錯生成剤の存在下で用いる
ことができる。ドーピングは、ヘキサン又はベンゼンな
どの非極性中性溶剤の存在下で行なうことができる。テ
トラヒドロフランなどの極性溶剤を使用してもよい。し
かし、有機リチウム化合物は極性溶剤中ではそんなに安
定でない。
Ｎ Ｎ’ Ｎ’−テトラメチレンジアミン（ＴＭＦｉＤ
Ａ）又は環式エーテルなどの錯生成剤の存在下で用いる
ことができる。ドーピングは、ヘキサン又はベンゼンな
どの非極性中性溶剤の存在下で行なうことができる。テ
トラヒドロフランなどの極性溶剤を使用してもよい。し
かし、有機リチウム化合物は極性溶剤中ではそんなに安
定でない。
式（１）の有機リチウム化合物としては、アルキル及び
アリールリチウム化合物が好ましく、第１級、第２級又
は第３級ブチルリチウム或いはフェニルリチウムが特に
適している。第２級ブチルリチウム及びそれとＴＭＢＤ
Ａとの錯体が特に有用である。
アリールリチウム化合物が好ましく、第１級、第２級又
は第３級ブチルリチウム或いはフェニルリチウムが特に
適している。第２級ブチルリチウム及びそれとＴＭＢＤ
Ａとの錯体が特に有用である。
直鎖ブチルリチウムを用いると、少量使用で、ドーピン
グが均一に進行する。
グが均一に進行する。
式（［１）又は＠）のカルボアニオン塩又はジカルボア
ニオン塩は、その金属がリチウムの場合は非極性溶剤の
存在下に、その塩が其他のアルカリ金属で形成されてい
る場合は極性溶剤と共に、用いることができる。
ニオン塩は、その金属がリチウムの場合は非極性溶剤の
存在下に、その塩が其他のアルカリ金属で形成されてい
る場合は極性溶剤と共に、用いることができる。
式（ｎ）のカルボアニオン塩の中で好ましいのは、Ａｒ
がフェニル基であり、Ｒ２及びＲ３が夫々、水素、。
がフェニル基であり、Ｒ２及びＲ３が夫々、水素、。
炭素数１〜乙のアルキル基、又はフェニル基である化合
物である。ベンジルリチウム、１，１−ジフェニルヘキ
シルリチウム、１．１−ジフェニル−６，６−シメチル
ブチルリチウム、１，１−ジフェニル−３−メチルはメ
チルリチウム、１−フエニＡ／−１−メチルーエチルカ
リウム、或いは１−フェニルエチルカリウムをあげるこ
とができる。Ｒ２及びＲ５は夫々、スチレン又はα−メ
チルスチレン単位を最大約１０．０．００含有するポリ
スチレン又はポリ−α−メチルスチレンであってもよい
。
物である。ベンジルリチウム、１，１−ジフェニルヘキ
シルリチウム、１．１−ジフェニル−６，６−シメチル
ブチルリチウム、１，１−ジフェニル−３−メチルはメ
チルリチウム、１−フエニＡ／−１−メチルーエチルカ
リウム、或いは１−フェニルエチルカリウムをあげるこ
とができる。Ｒ２及びＲ５は夫々、スチレン又はα−メ
チルスチレン単位を最大約１０．０．００含有するポリ
スチレン又はポリ−α−メチルスチレンであってもよい
。
式＠）のジカルボン化合物の中では、スチ・し１ン又は
α−メチルスチレンのオリゴマー及びリビングポリマー
、並びに、リチウム、ナトリウム又はカリウムと結合し
たジフェニル−１，１−エチ°レン（テトラフェニル−
１，１，４，４−メチレン）のダイマーを用いるのが好
ましい。
α−メチルスチレンのオリゴマー及びリビングポリマー
、並びに、リチウム、ナトリウム又はカリウムと結合し
たジフェニル−１，１−エチ°レン（テトラフェニル−
１，１，４，４−メチレン）のダイマーを用いるのが好
ましい。
本発明方法によれば、フィルム又は粉末などの形に成形
した、ポリアセチレン又はポリフェニレンなどのポリマ
ーのドーピングを行なうことかできる。
した、ポリアセチレン又はポリフェニレンなどのポリマ
ーのドーピングを行なうことかできる。
ドーピング温度は、約−８０〜＋１５０℃、好ましくは
約０〜１００℃に亙ることかできる。温度が上昇すると
、ドーピングが加速される。ドーピング時間は、広範囲
に亘ることかでき、例えば約１分〜１週間に亘り得る。
約０〜１００℃に亙ることかできる。温度が上昇すると
、ドーピングが加速される。ドーピング時間は、広範囲
に亘ることかでき、例えば約１分〜１週間に亘り得る。
約１０分〜１時間で充分であることが多い。
本発明及びその主たる特徴は、以下の実施例を読むこと
により、よりよく理解できると思われる。
により、よりよく理解できると思われる。
たソし、以下の実施例は本発明に対し非制限的に示した
ものである。
ものである。
実施例
各種のドーピング剤を使ってポリアセチレンフイルムの
ドーピングを検討した。
ドーピングを検討した。
シラカワ法（ポリマー科学第１２巻、第１〜１頁、１９
７４年）により、チーグラー／ナツタ触媒（トリエチル
アルミニウムーチタニウムテトラブチレート〕の存在下
に、ポリアセチレンをフィルム状で直接得る。このフィ
ルムより約３Ｘ１Ｘ０．０２ｃｒｎの試料を複数個切り
出し、各々を、ブレークシール（ｂｒｅａｋ ｅｅａｌ
）で密閉したドーピング剤チューブを含むガラス装置中
で、銅あご間にはさむ。ついで、この装置を真空にし、
前もって装置中に入れである磁石を外部磁石で動かして
ドーピング剤チューブを開ける。ドーピング時間の函数
として電導度を測定する。ポリアセチレンフィルムの多
孔性並びに製造方法による該フィルムの見掛密度のばら
つきを考慮して、実寸法に関係する真の電導度（ｎｅｔ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ、ＣＢ ）をまず測定し、つ
ぎに、同じ圧縮フィルムの電導度に相当し次式で与えら
れる正規比電導度（ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｉｔｙ、ＣＢ ）を測定する。
７４年）により、チーグラー／ナツタ触媒（トリエチル
アルミニウムーチタニウムテトラブチレート〕の存在下
に、ポリアセチレンをフィルム状で直接得る。このフィ
ルムより約３Ｘ１Ｘ０．０２ｃｒｎの試料を複数個切り
出し、各々を、ブレークシール（ｂｒｅａｋ ｅｅａｌ
）で密閉したドーピング剤チューブを含むガラス装置中
で、銅あご間にはさむ。ついで、この装置を真空にし、
前もって装置中に入れである磁石を外部磁石で動かして
ドーピング剤チューブを開ける。ドーピング時間の函数
として電導度を測定する。ポリアセチレンフィルムの多
孔性並びに製造方法による該フィルムの見掛密度のばら
つきを考慮して、実寸法に関係する真の電導度（ｎｅｔ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ、ＣＢ ）をまず測定し、つ
ぎに、同じ圧縮フィルムの電導度に相当し次式で与えら
れる正規比電導度（ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｉｔｙ、ＣＢ ）を測定する。
ＣＢ ｘ １．１６
（式中、ｄはドーピング前のフィルムの見掛密度に相当
し、１．１６は塊状ポリアセチレンの密度である。） 表１は、非プロトン性非極性溶剤の存在下に式（１）の
有機リチウム化合物を用いて得た結果を示す。
し、１．１６は塊状ポリアセチレンの密度である。） 表１は、非プロトン性非極性溶剤の存在下に式（１）の
有機リチウム化合物を用いて得た結果を示す。
検討した化合物すべてが、該溶剤中で重要なドーピング
速度を示す。第２級ブチルリチウムは、直鎖ブチルリチ
ウムよりずっと反応性が高い。反応速度は、錯生成剤Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチレンジアミン（ＴＭＩ！
！ＤＡ）の添加、並びに、温度の上昇により、加速され
る。
速度を示す。第２級ブチルリチウムは、直鎖ブチルリチ
ウムよりずっと反応性が高い。反応速度は、錯生成剤Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチレンジアミン（ＴＭＩ！
！ＤＡ）の添加、並びに、温度の上昇により、加速され
る。
表２は、カルボアニオン塩及びジカルボアニオン塩を用
いて、得られた結果を示す。ジフェニルヘキシルリチウ
ムは、シクロヘキサンのような非極性溶剤中とジエチル
エーテルのような４ｉ４ （４ｆＥの低い溶剤中とで、
類似の結果を示す。一方、リチウムと結合した１、１−
ジフェニルエチレンのジカルボアニオンダイマーをテト
ラヒドロフラン？容剤中で用いる場合は、溶剤もポリア
セチレン中に入り込むので、ポリアセチレンの電導塵は
低い値となる。
いて、得られた結果を示す。ジフェニルヘキシルリチウ
ムは、シクロヘキサンのような非極性溶剤中とジエチル
エーテルのような４ｉ４ （４ｆＥの低い溶剤中とで、
類似の結果を示す。一方、リチウムと結合した１、１−
ジフェニルエチレンのジカルボアニオンダイマーをテト
ラヒドロフラン？容剤中で用いる場合は、溶剤もポリア
セチレン中に入り込むので、ポリアセチレンの電導塵は
低い値となる。
この低い電導塵は、高真空中で２４時間乾燥後、２０倍
に増加する。
に増加する。
（１） ： ＤＤ”’（ｈｉ”）２ ：リチウムと結合
した１、１−ジフェニルエチレンのジカルボアニオンダ
イ （２）：高真空下で２４時間乾燥後は、４２０Ω−１Ｃ
ｒｎ−１になるＣＮ：正規化電尋度Ω″′１ｃｒｎ−１
表３は、モノカルボアニオン及びジカルボアニオンのナ
トリウム及びカリウム塩を極性溶剤テトラヒドロフラン
中で用いた場合の結果を示す。ナトリウム塩はこの溶剤
の存在に非常に敏感である。
した１、１−ジフェニルエチレンのジカルボアニオンダ
イ （２）：高真空下で２４時間乾燥後は、４２０Ω−１Ｃ
ｒｎ−１になるＣＮ：正規化電尋度Ω″′１ｃｒｎ−１
表３は、モノカルボアニオン及びジカルボアニオンのナ
トリウム及びカリウム塩を極性溶剤テトラヒドロフラン
中で用いた場合の結果を示す。ナトリウム塩はこの溶剤
の存在に非常に敏感である。
電導塵は、真空下で乾燥することにより極めて太１１］
に増加する。一方、カルボアニオンのカリウム塩は、溶
剤の存在下でも電導塵を増加させる。
に増加する。一方、カルボアニオンのカリウム塩は、溶
剤の存在下でも電導塵を増加させる。
手続補正書
ＩＪａ和５和洋９年月Ｃ日
特許庁長官 殿
１ 事イ１１の表示
昭和５９年特許願第１５１１３１＠
２ 発明の名称
ポリマーのＮ形ドーピング法
３ 補正をする者
事件との関係 特許出頽人
名 称 ソシエテ・ナシＡナル・エル７・アキテーヌ４
代理人 住 所 東京都千代田区永田町１丁目１１番２８号同
所 氏名 （８８２１）弁理士生田哲装置、Ｊｊ、’、’１
−１６ 補正の対象 明ｍｌ出のタイプ浄書 ７ 補正の内容 別紙のとおり（内容に変更なし） ＝３２５−
代理人 住 所 東京都千代田区永田町１丁目１１番２８号同
所 氏名 （８８２１）弁理士生田哲装置、Ｊｊ、’、’１
−１６ 補正の対象 明ｍｌ出のタイプ浄書 ７ 補正の内容 別紙のとおり（内容に変更なし） ＝３２５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｎ形にドーピングしたポリアセチレン又はポリフ
ェニレンの製造方法において、ポリアセチレン又はポリ
フェニレンとドーピング剤とを該ドーピング剤用の溶剤
中で接融させることを含み、該ドーピング剤は、式（１
）、（Ｉｔ）及び佃）Ｒ１−Ｌｉ （１） （式中、Ｒ１はアリール基、飽和炭化水素基、又は不飽
和炭化水素基であり、各基は炭素数最大的１００．００
０の重合鎖である）、 ３ Ａｒ−ＣｏＭ■ （ＩＩ） ２ （式中、Ａｒは縮合していてもよい最大約６つの環を有
するアリール基、２−ピリジル基又は４−ピリジル基で
あり、Ｒ２及びＲ３は同−又は異なるものであり、夫々
、水素、アリール基、飽和炭化水素基又は不飽和炭化水
素基であり、各基は炭素数最大的１００，０００の重合
鎖であり得、ＭはＮａ％に、 Ｌｉ％Ｃ’ｓ及びＲｂよ
り選ばれるアルカリ金属原子である〕、及び Ａｒ Ａｒ （式中、Ａｒ及びＭは前述の定義と同じであり、Ｒ４及
びＲ５は夫々、水素、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素
基、又は縮合していてもよい最大約３つの環を有するア
リール基であり、Ｒ６は飽和又は不飽和の２価炭化水素
基であり、各基は炭素数最大的１００，０００の重合鎖
であり得る）、の化合物よりなる群から選ばれる方法。 （２、特許請求の範囲第（１）項に記載の製造方法にお
いて、ドーピング剤が、Ｒ１が炭素数１〜１２のアルキ
ル基又はフェニル基である式（１）の化合物である方法
。 （３） 特許請求の範囲第（２）項に記載の製造方法に
おいて、ドーピング剤が、第１級、第２級及び第３級ブ
チルリチウムよりなる群から選ばれる化合物１種を少な
く°とも含む方法。 （４）特許請求の範囲第（１）項に記載の製造方法にお
いて、ドーピング剤が錯生成剤と混合している方法。 （５）特許請求の範囲第（４）項に記載の製造方法にお
いて、錯生成剤がテトジメチレンジアミンである方法。 （６）特許請求の範囲第（１）項に記載の製造方法にお
いて、ドーピング剤が、Ａｒがフェニル基であり、Ｒ１
及びＲ２が夫々、水素、炭素数１〜約６のアルキル基又
はフェニル基である式（ｎ）の化合物である方法、 （７）特許請求の範囲第（６）項に記載の製造方法にお
いて、ドーピング剤が、ベンジルリチウム、１，１−ジ
フェニルヘキシルリチウム、１，１−ジフェニル−３，
３−ジメチルブチルリチウム、１，１−ジフェニル−３
−メチルはンチルリチウム及びポリスチリルリチウムよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物である方
法。 （８）特許請求の範囲第（６）項に記載の製造方法にお
いて、ドーピング剤が１−フェニルエチルカリウム又は
セシウム、１−フェニル−１−メチルエチルカリウム又
はセシウム、ポリスチリルカリウム及びポリスチリルセ
シウムよりなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物
である方法。 （９）特許請求の範囲第（１）項に記載の製造方法にお
いて、ドーピング剤が、スチレン又はα−メチルスゲ°
レンのα、ω−ジカルボアニオンオリゴマ−１１，１−
ジフェニルエチレンのジカルボアニオンダイマー、並び
にスチレン又はα−メチルスチレンのα、ω−ジカルポ
アニオンポリマーよりなる群から選ばれる少な（とも１
種の化合物を含む方法。 （１０非極性溶剤を用いる特許請求の範囲第（３）項又
は第（７）項に記載の方法。 Ｏｐ 極性溶剤を用いる、特許請求の範囲第（１）項に
記載の方法。 α力 極性溶剤を用いる、特許請求の範囲第（６）項〜
第（９）項のいづれかに記載の方法。 （至）特許請求の範囲第（１）項〜第０擬項のいずれか
に記載の製造方法において、ドーピングを約−８０〜＋
１５０℃の温度で行なう方法。 θ→ 特許請求の範囲第（１）項〜第（１３項のいずれ
かに記載の製造方法において、ドーピングを約１分〜約
１週間行１．ｉ：う方法。 ０→ 特許請求の範囲第０に１項に記載の製造方法にお
いて、非極性溶剤が、ヘキサン、シクロヘキサン及びベ
ン（ンよりなる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を
含む方法。 （１Ｇ 極性溶剤がテトラヒドロフランである、特許請
求の範囲第００項に記載の方法。 α力 ポリアセチレン又はポリフェニレンとＮ形変換有
効景のドーピング剤とを含む、Ｎ形にドーピングしたポ
リマーにおいて、該ドーピング剤は、式（＋）、（ＩＩ
）及び（［［ｌ）Ｒ＋−Ｌｉ （１） （式中、Ｒ１はアリール基、飽和炭化水素基又は不飽和
炭化水素基であり、各基は炭素数最大約１００．０００
の重合鎖であり得る）、２ （式中、Ａｒは縮合していてもよい最大約３つの環を有
するアリール基、２−ピリジル基又は４−ピリジル基で
あり、Ｒ２及びＲ５は同じか異なるものであり、夫々、
水素、アリール基、飽和炭化水素基又は不飽和炭化水素
基であり、各基は炭素数最大約１．Ｄｏ、０００の重合
建であり得、ＭはＮａ、 Ｋ、 Ｌｉ、Ｃｓ及びＲｂよ
り選ばれるアルカリ金属原子である）、 １ Ａｒ Ａｒ （式中、Ａｒ及びｈｉは＾ｉＪ述の定義と同じであり、
Ｒ４及びＲ５は夫々、水素、飽和炭化水素基、不飽和炭
化水素基又は縮合していてもよい最大約３つの環を有す
るアリール基であり、Ｒ６は飽和又は不飽和の２価炭化
水素基であり、各基は炭素数最大約１００，０００の重
合鎖であり得る）、の化合物よりなる群より選ばれる少
なくとも１種の化合物を含む、Ｎ形にドーピングしたポ
リマー。 Ｑｅ 特許請求の範囲第αの項に記載のＮ形にドーピン
グしたポリマーにおいて、ドーピング剤が、第１級、第
２級及び第３級ブチルリチウムよりなる群から選ばれる
少なくとも１種の化合物を含む、Ｎ形にドーピングした
ポリマー。 ◇燵 特許請求の範囲第０４項に記載のＮ形にドーピン
グしたポリマーにおいて、ドーピング剤が、Ａｒがフェ
ニル基であり、Ｒ１及びＲ２が夫々、水素、炭素数最大
約６のアルキル基又はフェニル基である式（ｎ）の化合
物をＮ形変換有効量含む、Ｎ形にドーピングしたポリマ
ー。 翰 特許請求の範囲第０４項に記載のＮ形にドーピング
したポリマーにおいて、ドーピング剤が、ベンジルリチ
ウム、１，１−ジフェニルヘキシルリチウム、１，１−
ジフェニル−３，３−ジメチルブチルリチウム、１．１
−ジフェニル−３−メチルはンチルリチウム及びポリス
チリルリチウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種
の化合物をＮ形変換有効量含む、Ｎ形にドーピングした
ポリマー。 （ハ）特許請求の範囲第αカ項に記載のＮ形にドーピン
グしたポリマーにおいて、ドーピング剤が、１−フェニ
ルエチルカリウム及びセシウム、１−フェニル−１、−
メチルエチルセシウム及びカリウム、並びにポリスチリ
ルカリウム及びセシウムよりなる群から選ばれる少なく
とも１種の化合物をＮ形変換有効量含む、Ｎ形にドーピ
ングしたポリマー。 （イ）特許請求の範囲第α乃項に記載のＮ形にドーピン
グしたポリマーにおいて、ドーピング剤が、 ′スチレ
ン又はα−メチルスチレンのα、ω−ジカルボンアニオ
ンオリコマ−１１，１−ジフェニルエチレンのジカルボ
ン′アニオンダイマー、並びにスチレン又はα−メチル
スチレンのα、ω−ジカルボンアニオンポリマーからな
る群より選ばれる少なくとも１種の化合物をＮ形変換有
効量含む、Ｎ形にドーピングしたポリマー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151131A JPS6044542A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | ポリマ−のｎ形ド−ピング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151131A JPS6044542A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | ポリマ−のｎ形ド−ピング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044542A true JPS6044542A (ja) | 1985-03-09 |
Family
ID=15512041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151131A Pending JPS6044542A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | ポリマ−のｎ形ド−ピング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0381474U (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-20 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59151131A patent/JPS6044542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0381474U (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-20 |
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