JPS6045012A - 短時間熱処理装置 - Google Patents
短時間熱処理装置Info
- Publication number
- JPS6045012A JPS6045012A JP58153767A JP15376783A JPS6045012A JP S6045012 A JPS6045012 A JP S6045012A JP 58153767 A JP58153767 A JP 58153767A JP 15376783 A JP15376783 A JP 15376783A JP S6045012 A JPS6045012 A JP S6045012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat treatment
- gas
- treated
- short
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、短時間熱処理装置に関する。
近年、半導体装置の製造に用いられるシリコン基板は大
口径になり、しかも、半導体素子の方は微細化されてい
る。このため、半導体装置の製造に使用される熱処理炉
中での工程である例えば、燐化ガラス等の溶融工程や気
相成長法で形成した８ｉ０．膜の緻密（デンシファイ）
化等のための熱処理工程を短時間熱処理法にて行うこと
が試みられている。これは、半導体素子が微細化される
に従って素子を構成する拡散層の深さが浅くなり、熱処
理温度、時間に制限が加えられたためである。而して、
このような短時間の熱処理を行う熱処理装置は、基板を
赤外線ランプやヒータで急速に加熱し、熱処理時間を１
０〜６０秒の範囲に短縮している。
口径になり、しかも、半導体素子の方は微細化されてい
る。このため、半導体装置の製造に使用される熱処理炉
中での工程である例えば、燐化ガラス等の溶融工程や気
相成長法で形成した８ｉ０．膜の緻密（デンシファイ）
化等のための熱処理工程を短時間熱処理法にて行うこと
が試みられている。これは、半導体素子が微細化される
に従って素子を構成する拡散層の深さが浅くなり、熱処
理温度、時間に制限が加えられたためである。而して、
このような短時間の熱処理を行う熱処理装置は、基板を
赤外線ランプやヒータで急速に加熱し、熱処理時間を１
０〜６０秒の範囲に短縮している。
第１図は、従来の熱処理装置の概略構成を示す説明図で
ある。図中１は、基台２に対向して設けられたヒータで
ある。被処理体である基板３は、基台２の表面上に形成
された凸起部４に載置されるようになっている。これは
、基板３の裏面と基台２とが全面的に接触していると。
ある。図中１は、基台２に対向して設けられたヒータで
ある。被処理体である基板３は、基台２の表面上に形成
された凸起部４に載置されるようになっている。これは
、基板３の裏面と基台２とが全面的に接触していると。
ヒータｌからの熱が基板３の裏面を通して基台２に逃げ
てしまい、効果内力加熱ができなくなるのを防止するた
めである。また、基台２側から基板３に向って汚染が起
きるのを防止するためである。
てしまい、効果内力加熱ができなくなるのを防止するた
めである。また、基台２側から基板３に向って汚染が起
きるのを防止するためである。
上述の如き熱処理装置１０では、加熱の際の基板３の温
度が凸起部３と接触している個所で低くなり、基板面内
の温度を均一に上昇させることができない。その結果、
基板３に均一な溶融処理や緻密処理を施すことができず
、熱歪が起きる問題があった。更に、基板３と基台２が
凸起部４を介して接触しているため、依然、基板３の汚
染を十分に防ぐことができなかった。
度が凸起部３と接触している個所で低くなり、基板面内
の温度を均一に上昇させることができない。その結果、
基板３に均一な溶融処理や緻密処理を施すことができず
、熱歪が起きる問題があった。更に、基板３と基台２が
凸起部４を介して接触しているため、依然、基板３の汚
染を十分に防ぐことができなかった。
本発明は、基板を均一に、かつ、効率よく加熱すると共
に、基板の汚染防止を達成した短時間熱処理装置を提供
することをその目的とするものである。
に、基板の汚染防止を達成した短時間熱処理装置を提供
することをその目的とするものである。
本発明は被処理体である基板を浮遊した状態で加熱する
ようにして、基板を均一に、かつ。
ようにして、基板を均一に、かつ。
効率よく加熱すると共に、基板の汚染防止を達成した短
時間熱処理装置を提供することをその目的とするもので
ある。
時間熱処理装置を提供することをその目的とするもので
ある。
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は１本発明の一実施例の概略構成を示す断面図で
ある。図中２０は、基台２１の被処理体載置領域２２に
対向して設けられた加熱器である。加熱器２０は、例え
ば面状ヒータで形成されている。加熱器２０と基台２ノ
の間には。
ある。図中２０は、基台２１の被処理体載置領域２２に
対向して設けられた加熱器である。加熱器２０は、例え
ば面状ヒータで形成されている。加熱器２０と基台２ノ
の間には。
シャッター２３が設けられている。被処理体載置領域２
２は、加熱器２０に対向した基台２ノの一生面に形成し
た凹部の底面になっている。
２は、加熱器２０に対向した基台２ノの一生面に形成し
た凹部の底面になっている。
被処理体載置領域２２の直下の水含２１の内部には、ガ
ス溜部２４が形成されている。ガス溜部２４は、ガス供
給通路２５を介して図示しないガス源に接続されている
。ガス溜部２４は。
ス溜部２４が形成されている。ガス溜部２４は、ガス供
給通路２５を介して図示しないガス源に接続されている
。ガス溜部２４は。
一端が被処理体載置領域２２に開口した多数個のガス噴
出孔２６と連通している。ガス溜部２４は、ガス源から
供給されたガスをガス噴出孔２６から均一に噴出させる
だめのものである。
出孔２６と連通している。ガス溜部２４は、ガス源から
供給されたガスをガス噴出孔２６から均一に噴出させる
だめのものである。
ガスとしては、Ａ ｒ 、 Ｈｅ等の不活性ガスを使用
するのが望ましい。また、被処理体載置領域２２を凹部
の底面としたのは、後述するように被処理体である基板
２１が、ガスによって浮遊した際に凹部の内壁面によっ
て、基板２２が基台２１から飛び出すのを防止するため
である。
するのが望ましい。また、被処理体載置領域２２を凹部
の底面としたのは、後述するように被処理体である基板
２１が、ガスによって浮遊した際に凹部の内壁面によっ
て、基板２２が基台２１から飛び出すのを防止するため
である。
このように構成された短時間熱処理装置−３０−によれ
ば、ガス噴出孔２６から噴出するガスによって浮遊した
状態で被処理体である基板２７を保持させる。次いで、
シャッター２３を開け、加熱器２０により急速に基板温
度を上昇させて。
ば、ガス噴出孔２６から噴出するガスによって浮遊した
状態で被処理体である基板２７を保持させる。次いで、
シャッター２３を開け、加熱器２０により急速に基板温
度を上昇させて。
短時間処理を行う。熱処理後、シャッター２３を閉じ、
ガスの供給を断って基板２７を被処理体載置領域２２に
載置し、基台２１から基板２７を取り出して加熱処理を
完了する。
ガスの供給を断って基板２７を被処理体載置領域２２に
載置し、基台２１から基板２７を取り出して加熱処理を
完了する。
このように基板２７は基台２１と離間して浮遊した状態
で加熱されるので、放熱を抑えて極めて効率よく短時間
に所定温度まで均一に加熱される。しかも、加熱処理中
は、基板２７がガスによって浮遊した状態になっている
ので、基板２１が汚染するのを阻止することができる。
で加熱されるので、放熱を抑えて極めて効率よく短時間
に所定温度まで均一に加熱される。しかも、加熱処理中
は、基板２７がガスによって浮遊した状態になっている
ので、基板２１が汚染するのを阻止することができる。
以上説明した如く１本発明に係る短時間熱処理装置によ
れば、基板を均一に、かつ、効率よく加熱すると共に、
基板の汚染を防止できる等顕著な効果を奏するものであ
る。
れば、基板を均一に、かつ、効率よく加熱すると共に、
基板の汚染を防止できる等顕著な効果を奏するものであ
る。
第１図は、従来の熱処理装置の概略構成を示す断面図、
第２図は１本発明の一実施例の概略構成を示す１′￥１
ｊｌｌｉ′１図である。 ２０・・・加熱器、２１・・・基台％２２・・・被処理
体載置領域、２３・・・シャッター、２４・・・ガス溜
部。 ２５・・・ガス供給通路、２６・・・ガス噴出孔、２７
・・・基板、３０・・・短時間加熱処理装置。
第２図は１本発明の一実施例の概略構成を示す１′￥１
ｊｌｌｉ′１図である。 ２０・・・加熱器、２１・・・基台％２２・・・被処理
体載置領域、２３・・・シャッター、２４・・・ガス溜
部。 ２５・・・ガス供給通路、２６・・・ガス噴出孔、２７
・・・基板、３０・・・短時間加熱処理装置。
Claims (1)
- ガス供給通路に連通したガス溜部を内部に形成した基台
と、該基台の一主面に設けられた被処理体載置領域と、
一端が該被処理体載置領域で開口し、かつ、他端が前記
ガス溜部に連通した多数個のガス噴出孔と、前記被処理
体載置領域に対向して設けられた加熱器とを具備するこ
とを特徴とする短時間熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153767A JPS6045012A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 短時間熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153767A JPS6045012A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 短時間熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045012A true JPS6045012A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15569682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153767A Pending JPS6045012A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 短時間熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999041777A1 (en) * | 1998-02-13 | 1999-08-19 | Seiko Epson Corporation | Method of producing semiconductor device and heat treating apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147237A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Sony Corp | Heat treatment device |
| JPS59215718A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の赤外線熱処理装置 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58153767A patent/JPS6045012A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147237A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Sony Corp | Heat treatment device |
| JPS59215718A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の赤外線熱処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999041777A1 (en) * | 1998-02-13 | 1999-08-19 | Seiko Epson Corporation | Method of producing semiconductor device and heat treating apparatus |
| US6187616B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-02-13 | Seiko Epson Corporation | Method for fabricating semiconductor device and heat treatment apparatus |
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