JPS6045024A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS6045024A JPS6045024A JP15377283A JP15377283A JPS6045024A JP S6045024 A JPS6045024 A JP S6045024A JP 15377283 A JP15377283 A JP 15377283A JP 15377283 A JP15377283 A JP 15377283A JP S6045024 A JPS6045024 A JP S6045024A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- dry etching
- electrodes
- electric field
- etching apparatus
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造等に用いられるドライエツ
チング装置に係１つり、待に永久磁石による磁場を利用
したドライエツチング装置に関する。
チング装置に係１つり、待に永久磁石による磁場を利用
したドライエツチング装置に関する。
〔発明の技ｌｆｊ的背稍とその問題点〕近年、半導体集
積回路は微細化の一途を辿り、最近では最少寸法が１〜
２［μｍ］の超ＬＳＩも試作間ｎされている。この微細
加工には、平行平板型電極を有する真空容器内にＣＦ４
やＣＣ＋４等の反応性ガスを導入し、試料載置の電極に
高周波電力を印加することによりグロー放雷を生じさせ
、この電極に生じる負の直流自己バイアス（陰極降下電
圧）によりプラス７中の正イオンを加速して試料に垂直
に照射して［ツ１ングを行う反応性イオンエツヂング（
ＲＩ Ｅ ： ＲｅａｃＨｖｅ ｌ ｏｎＥｔｃｈｉｎ
ｑ）か注目され−Ｃいる。
積回路は微細化の一途を辿り、最近では最少寸法が１〜
２［μｍ］の超ＬＳＩも試作間ｎされている。この微細
加工には、平行平板型電極を有する真空容器内にＣＦ４
やＣＣ＋４等の反応性ガスを導入し、試料載置の電極に
高周波電力を印加することによりグロー放雷を生じさせ
、この電極に生じる負の直流自己バイアス（陰極降下電
圧）によりプラス７中の正イオンを加速して試料に垂直
に照射して［ツ１ングを行う反応性イオンエツヂング（
ＲＩ Ｅ ： ＲｅａｃＨｖｅ ｌ ｏｎＥｔｃｈｉｎ
ｑ）か注目され−Ｃいる。
しかし、このＲＩＥでは、例えばＣＦ４ １Ｈ２ガスを
用いた５ｉＯｚのエツチングではそのエツチング速度は
高々３００へ４００［人”ｍ ｌ ＋１］に過ぎず、１
［μｍ］のＳｉＯ２をエツヂング覆るのに数１０分も掛
かる。また、△１やポリ３ｉに対してもエツチング速度
は遅く、量産性が悪いものであった。エツチング速度を
増大させるためには投入ミノＪを大きくづると幾分効果
があることか知られているが、この場合陰（よ降下型Ｄ
Ｅが人さくなりイオン損傷“Ｘ）エツヂングｉＵ択比が
スパッタリング比で決まる危険があり、またレジストが
高温になり変形する等の欠点があった。
用いた５ｉＯｚのエツチングではそのエツチング速度は
高々３００へ４００［人”ｍ ｌ ＋１］に過ぎず、１
［μｍ］のＳｉＯ２をエツヂング覆るのに数１０分も掛
かる。また、△１やポリ３ｉに対してもエツチング速度
は遅く、量産性が悪いものであった。エツチング速度を
増大させるためには投入ミノＪを大きくづると幾分効果
があることか知られているが、この場合陰（よ降下型Ｄ
Ｅが人さくなりイオン損傷“Ｘ）エツヂングｉＵ択比が
スパッタリング比で決まる危険があり、またレジストが
高温になり変形する等の欠点があった。
本発明の目的は、各種の半導体製造（イ判を高速にエツ
チングすることができ、かつイオン荊閂の光生をも未然
に防止し得るドライエツチング装置を提供するごとにあ
る。
チングすることができ、かつイオン荊閂の光生をも未然
に防止し得るドライエツチング装置を提供するごとにあ
る。
本発明の骨子は、磁石による磁界を通常のＲＩＥにおけ
る電界方向と直交する方向に印加し、エツチング室内の
イオン化効率を高めることにある。
る電界方向と直交する方向に印加し、エツチング室内の
イオン化効率を高めることにある。
づなわち本発明は、半導体装置の製造材料をエツチング
するドライエツチングＩＩにおいて、被エッグ〜ング試
料が配置される真空容器内に反応性ガスを導入する手段
と、上記容器の外部に該容器を挟んで対向配置され上記
試料配置の空間に高周波プラズマ放電を励起する一対の
ＷＨＩＭと、上記試料を挟んでＰａ間対向配置され試料
載置の空間に上記？１ｔｔＩｉによる電界方向と直交す
る方向に１場を印加する一対の永久磁石とを設けるよう
にしたものである。
するドライエツチングＩＩにおいて、被エッグ〜ング試
料が配置される真空容器内に反応性ガスを導入する手段
と、上記容器の外部に該容器を挟んで対向配置され上記
試料配置の空間に高周波プラズマ放電を励起する一対の
ＷＨＩＭと、上記試料を挟んでＰａ間対向配置され試料
載置の空間に上記？１ｔｔＩｉによる電界方向と直交す
る方向に１場を印加する一対の永久磁石とを設けるよう
にしたものである。
また本発明は、上記構成のドライエツチング装置におい
て、前記電ｉ糎（第１の電極）とは別に前記磁石による
ｆＩ ＨＡ印加方向と同方向に電界を印加する電極（第
２の電極）を設（）るようにしたものである。
て、前記電ｉ糎（第１の電極）とは別に前記磁石による
ｆＩ ＨＡ印加方向と同方向に電界を印加する電極（第
２の電極）を設（）るようにしたものである。
本発明によれば、第１の電極による電界と永久磁石によ
る磁界との作用により、電子をリーイクロイド運動させ
ることができ、て−の運動長の実７１的な延長により反
応性ガス分子との笥突ｆＪＲ度が大幅に増加する。この
ため、イオン１し効率が大幅に向上することとなり、従
ってエツチング速度の高速化をはかり得る。また、陰極
降下電圧を上げる必要がないので、イオン１１０の発生
を未然に防止することができる。従って、半轡体製造技
Ｈｊ分野における有用性は絶大である７ 〔発明の実施例〕 第１図及び第２図はそ１１１Ｎし本弁明の第１の実施例
に係わるドライエツチング装置の霞Ｐｌ＜ （Ｍ成を示
づもので第１図は縦断面図、第２０は横断面図である。
る磁界との作用により、電子をリーイクロイド運動させ
ることができ、て−の運動長の実７１的な延長により反
応性ガス分子との笥突ｆＪＲ度が大幅に増加する。この
ため、イオン１し効率が大幅に向上することとなり、従
ってエツチング速度の高速化をはかり得る。また、陰極
降下電圧を上げる必要がないので、イオン１１０の発生
を未然に防止することができる。従って、半轡体製造技
Ｈｊ分野における有用性は絶大である７ 〔発明の実施例〕 第１図及び第２図はそ１１１Ｎし本弁明の第１の実施例
に係わるドライエツチング装置の霞Ｐｌ＜ （Ｍ成を示
づもので第１図は縦断面図、第２０は横断面図である。
図中１は石英−１のベルジ１？ ｒ （真２容器）であ
る。このベルジｔ＋１内にけ水冷された試料台２が配置
されＣおり、試料台２上には被１ツヂンク試１”＋ ３
が載置されるものどなっている。ベルジｔ−ｉの外側に
はベルジャ１の外周面に治って（４状のＴｉ極４ａ、４
ｂが対向ｉｉ！置されている。そしＣ１これらの１ｆｌ
Ｉｉ４ａ、４ｂ間にはマツチング回路５を介し−Ｃ高周
波電源６から高周波電力が印加されるものとなっている
。
る。このベルジｔ＋１内にけ水冷された試料台２が配置
されＣおり、試料台２上には被１ツヂンク試１”＋ ３
が載置されるものどなっている。ベルジｔ−ｉの外側に
はベルジャ１の外周面に治って（４状のＴｉ極４ａ、４
ｂが対向ｉｉ！置されている。そしＣ１これらの１ｆｌ
Ｉｉ４ａ、４ｂ間にはマツチング回路５を介し−Ｃ高周
波電源６から高周波電力が印加されるものとなっている
。
ここまでの構成は従来装置と間係であり、本実施例では
新たに永久磁石７ａ、７ｂが前記ベルジャ１内に対向配
置されている。１なわち、前記試料台２の上方には永久
磁石７ａが配設され、試料台１の下面には永久磁石７ｂ
が取着されている。
新たに永久磁石７ａ、７ｂが前記ベルジャ１内に対向配
置されている。１なわち、前記試料台２の上方には永久
磁石７ａが配設され、試料台１の下面には永久磁石７ｂ
が取着されている。
また、磁石７ａ、７ｂの表面には磁石７ａ、７ｂからの
金属汚染を避けるため石英や弗素樹脂等の絶縁躾８ａ、
８ｂが被着されている。なお、図中９は水冷管を示して
いる。また、図には示さないが真空容器１内にはガス導
入口から反応性ガスが導入され、真空容器１内のガスは
ガス排気口から排気されるものとなっている。
金属汚染を避けるため石英や弗素樹脂等の絶縁躾８ａ、
８ｂが被着されている。なお、図中９は水冷管を示して
いる。また、図には示さないが真空容器１内にはガス導
入口から反応性ガスが導入され、真空容器１内のガスは
ガス排気口から排気されるものとなっている。
このような偶成であれば、Ｎ極４ａ、４ｂによる電界Ｅ
とこれに貴女する磁石７ａ、７ｂにょる磁界Ｂとの作用
により、試別３上の空間で電子ｅはドリフト運動（サイ
クロイ１こ運動）することになり、その運動長が実質的
に延長リ−る。このため、電子と反応性ガスとの衝突明
度が大幅に増大し、その結果イオン化効率が大幅に向上
りる。この時発生する高度プラズマ領域１０は磁石４ａ
。
とこれに貴女する磁石７ａ、７ｂにょる磁界Ｂとの作用
により、試別３上の空間で電子ｅはドリフト運動（サイ
クロイ１こ運動）することになり、その運動長が実質的
に延長リ−る。このため、電子と反応性ガスとの衝突明
度が大幅に増大し、その結果イオン化効率が大幅に向上
りる。この時発生する高度プラズマ領域１０は磁石４ａ
。
４ｂ間に閉込められる。従って、被エツチング試料３の
エツチング速度の高速化をはかりｆりる。しかも、陰極
降下電圧を高める必要もないので、イオン損傷の問題も
生じない。逆に占えば、従来と同一エツチング速度を１
ｑるにはイオンの加速電圧を低くすることができる。実
際、１１来装置に比してラジエーションダメージを１
、／ ’Ｉ Ｏに低減Ｃきることが確認された。
エツチング速度の高速化をはかりｆりる。しかも、陰極
降下電圧を高める必要もないので、イオン損傷の問題も
生じない。逆に占えば、従来と同一エツチング速度を１
ｑるにはイオンの加速電圧を低くすることができる。実
際、１１来装置に比してラジエーションダメージを１
、／ ’Ｉ Ｏに低減Ｃきることが確認された。
また、本発明溝等の実態によれば、反応１！ｌカスとし
てＣＦ４を用い５ｉ０２を１−ツヂンクしたところ、約
１６０［μＩｎ／ Ｉｎ Ｉ Ｉ＋ ］のエツチング速
麿が達成され、エツチング均一性ち試訃１３側の磁石８
ｂの径を十分大きくすることによって±１−２［％］と
言う極めて良々Ｙな（直が１７られＩこ。
てＣＦ４を用い５ｉ０２を１−ツヂンクしたところ、約
１６０［μＩｎ／ Ｉｎ Ｉ Ｉ＋ ］のエツチング速
麿が達成され、エツチング均一性ち試訃１３側の磁石８
ｂの径を十分大きくすることによって±１−２［％］と
言う極めて良々Ｙな（直が１７られＩこ。
第３図は第２の実施例の概略偶成を示す横断面図である
。なお、第１・図と同一部分には同一符号を付して、そ
の詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明した第
１の実施例と異なる点は、前記電極４ａ、４ｂ以外に電
子反則のための電極（電子反射板）を設けたことにある
。すなわち、前記ベルジャ１の外周には電ｔ１４ａ、４
ｂと直交する関係で霜子反６１仮２１ａ、２１ｂが対向
配置されている。そし”Ｃ１これらの電子反射板には直
流電源２２ａ、２２ｂから負の電圧が印加されている。
。なお、第１・図と同一部分には同一符号を付して、そ
の詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明した第
１の実施例と異なる点は、前記電極４ａ、４ｂ以外に電
子反則のための電極（電子反射板）を設けたことにある
。すなわち、前記ベルジャ１の外周には電ｔ１４ａ、４
ｂと直交する関係で霜子反６１仮２１ａ、２１ｂが対向
配置されている。そし”Ｃ１これらの電子反射板には直
流電源２２ａ、２２ｂから負の電圧が印加されている。
このような偶成であっても、先の実施例と間挿の効果が
あるのは勿論のことである。また、反射ｔＮ２１ａ、２
１ｂを設けたことにより、イオン化効率をより向上させ
ることができ、先の実施例以上にエツチング速度の高速
化をはがり１ｑる。すなわち、電子反射板２１ａ、２１
ｂがない場合には、ドリフＩ〜軌道中の電子はベルジャ
１の壁面との一１突によりプラズマから消失するが、反
射板２１ａ、２１ｂの存在により図中に示す如くその軌
道長は著しく延長され、その拮’Ｂ ｒオン化１ノ串の
大幅なｊｌ加がもたらされることになる。
あるのは勿論のことである。また、反射ｔＮ２１ａ、２
１ｂを設けたことにより、イオン化効率をより向上させ
ることができ、先の実施例以上にエツチング速度の高速
化をはがり１ｑる。すなわち、電子反射板２１ａ、２１
ｂがない場合には、ドリフＩ〜軌道中の電子はベルジャ
１の壁面との一１突によりプラズマから消失するが、反
射板２１ａ、２１ｂの存在により図中に示す如くその軌
道長は著しく延長され、その拮’Ｂ ｒオン化１ノ串の
大幅なｊｌ加がもたらされることになる。
第４図は第３の実施例のｌｆＷ Ｆｉ’ｉ Ｉｎ成を示
１組断面図である。なお、第１図と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は′ａＰ１３″ｆＪる。こ
の実施例が先に説明した第１の実施例と異なる貞は、前
記電極４ａ、４ｂ以外に該電倹４ａ、４ｂによる電界方
向と直交４る方向＜ＮＩＥ７ａ、７ｂにＪ、る１ｉｆｔ
場印加方向）に電界を印加する電１＝ （第２のＮ極）
を設けたことにある。１なわも、前記磁石７ａの下向に
は電（Ｕ３１ａが配置され、班５７Ｅ）の上面には電ｔ
！！ａｉｂが配置され、これらの電極３１ａ、３１ｂは
試Ｆ１３を挟ん’ＣＰ！を間対向配冒されている。ここ
で、電極３ ｌ ｂは前記試！３１台２０代りを果たす
ものとなってｉ３す、−テの１−に試１°＋１３が載置
される。そして、電４１３１ａ、３１ｂ間にはコイル３
２を介して直流電源３３により直流電圧が印加されるも
のとなっＣいる。また、図（、：、は示さないが水冷管
等により冷却されるものどなっている。
１組断面図である。なお、第１図と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は′ａＰ１３″ｆＪる。こ
の実施例が先に説明した第１の実施例と異なる貞は、前
記電極４ａ、４ｂ以外に該電倹４ａ、４ｂによる電界方
向と直交４る方向＜ＮＩＥ７ａ、７ｂにＪ、る１ｉｆｔ
場印加方向）に電界を印加する電１＝ （第２のＮ極）
を設けたことにある。１なわも、前記磁石７ａの下向に
は電（Ｕ３１ａが配置され、班５７Ｅ）の上面には電ｔ
！！ａｉｂが配置され、これらの電極３１ａ、３１ｂは
試Ｆ１３を挟ん’ＣＰ！を間対向配冒されている。ここ
で、電極３ ｌ ｂは前記試！３１台２０代りを果たす
ものとなってｉ３す、−テの１−に試１°＋１３が載置
される。そして、電４１３１ａ、３１ｂ間にはコイル３
２を介して直流電源３３により直流電圧が印加されるも
のとなっＣいる。また、図（、：、は示さないが水冷管
等により冷却されるものどなっている。
一方、ベルジャ１の内壁面には電極４ａ、４ｂとそれぞ
れ対向４°るよう一対の補助？（ｓｆｉ３４ａ。
れ対向４°るよう一対の補助？（ｓｆｉ３４ａ。
３／Ｉｂが取着されている。そして、高周波電力印加の
電極４ｂに対向する補助電極３４ｂは試料載置の電極３
１ｂに電気的に接続されている。
電極４ｂに対向する補助電極３４ｂは試料載置の電極３
１ｂに電気的に接続されている。
このような構成であれば、先の第１の実施例と同様に電
極／Ｉａ、／Ｉｂによる電界とこれに直交する川石７ａ
、７ｂによる磁界との作用によりイオン１ヒ効率を高め
ることができるので、第１の実施例と同様な効果は勿論
のこと、電ｔｌｉ３’１ａ、３１１、）の作用により次
のような効果が１９られる。ずなわち、補助１ｆ！１ｉ
３４ｂ上にはベルジャ１の壁容量＜Ｃｗ）を介して高周
波電圧が誘起されることになり、可変な直流電源３３の
電圧を適当に選ぶことにより電極３１１）及び試ＩＩ
３表面には交流電圧に４＃Ｊ乗した直流電圧が印加され
ることになる。
極／Ｉａ、／Ｉｂによる電界とこれに直交する川石７ａ
、７ｂによる磁界との作用によりイオン１ヒ効率を高め
ることができるので、第１の実施例と同様な効果は勿論
のこと、電ｔｌｉ３’１ａ、３１１、）の作用により次
のような効果が１９られる。ずなわち、補助１ｆ！１ｉ
３４ｂ上にはベルジャ１の壁容量＜Ｃｗ）を介して高周
波電圧が誘起されることになり、可変な直流電源３３の
電圧を適当に選ぶことにより電極３１１）及び試ＩＩ
３表面には交流電圧に４＃Ｊ乗した直流電圧が印加され
ることになる。
ここで、コイル３２のインピーダンスは容量インピーダ
ンスより十分大きい必要がある。従って、帯電電荷と反
対符号の電荷が交ＦＡ電圧の特定の位相角の時に試料３
表面へと流れ込むことになり、帯電現象によると考えら
れるｎ兜なエツチングプロファイルは発生しない。その
桔里、アンクーカットのないエツチングが達成される。
ンスより十分大きい必要がある。従って、帯電電荷と反
対符号の電荷が交ＦＡ電圧の特定の位相角の時に試料３
表面へと流れ込むことになり、帯電現象によると考えら
れるｎ兜なエツチングプロファイルは発生しない。その
桔里、アンクーカットのないエツチングが達成される。
なお、ここで示したエツヂング特性は、電極３１ｂがプ
ラズマ中に入ってい”（も或いはプラズマから離れたア
フターグローの所におい”Ｃも１りられ、また該電極３
１ｂに対向ｉＮｖ！３１ａを設（Ｊ、これを浮遊状態若
しくは接地状態にしても略同じ結果が得られる。また、
直流電圧を交流電圧に相乗する方法としては、第５図に
承り如く交流電源発生源３７を新たに設け、基本的には
コンデンサ３６及びコイル３２により直流電圧を相乗り
るようにしてもよい。さらに、試１’ｉ＋ ３と電？Ｍ
３１１）との間に誘電体物質、例えば弗Ｍ樹Ｕｎ等を
敷い１１＋この直流電圧が交流電圧に相乗されているＩ
ｉに、前記作用効果としては同じである。
ラズマ中に入ってい”（も或いはプラズマから離れたア
フターグローの所におい”Ｃも１りられ、また該電極３
１ｂに対向ｉＮｖ！３１ａを設（Ｊ、これを浮遊状態若
しくは接地状態にしても略同じ結果が得られる。また、
直流電圧を交流電圧に相乗する方法としては、第５図に
承り如く交流電源発生源３７を新たに設け、基本的には
コンデンサ３６及びコイル３２により直流電圧を相乗り
るようにしてもよい。さらに、試１’ｉ＋ ３と電？Ｍ
３１１）との間に誘電体物質、例えば弗Ｍ樹Ｕｎ等を
敷い１１＋この直流電圧が交流電圧に相乗されているＩ
ｉに、前記作用効果としては同じである。
なお、本発明は上述した８実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記永久Ｖ４ｉ石の配回ＩＱ買は必ずし
もベルジャ内に限るものではなくベルジャの外側に配置
されたちのＣあってもよい。但し、前記試料の配置空間
においで前記第１の電！勇による電界と直交する方向に
…月を印加する必要がある。また、試料配置の空間に印
加覆る電界及び磁界の強さ等の条件は、仕様に応じ°（
適宜定めればよい。さらに、真空容器の大きさや形状等
も適宜変更可能である。また、Ｓ＋０２の１ツヂングに
限らず、各種の半導体装置製造材料のエツチングに適用
できるのは勿論のことである。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、ｌ々変形し−【実施することができ
る。
ない。例えば、前記永久Ｖ４ｉ石の配回ＩＱ買は必ずし
もベルジャ内に限るものではなくベルジャの外側に配置
されたちのＣあってもよい。但し、前記試料の配置空間
においで前記第１の電！勇による電界と直交する方向に
…月を印加する必要がある。また、試料配置の空間に印
加覆る電界及び磁界の強さ等の条件は、仕様に応じ°（
適宜定めればよい。さらに、真空容器の大きさや形状等
も適宜変更可能である。また、Ｓ＋０２の１ツヂングに
限らず、各種の半導体装置製造材料のエツチングに適用
できるのは勿論のことである。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、ｌ々変形し−【実施することができ
る。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例に係わるドラ
イエツチング装置の慨Ｐ８１ｆｌｔ成を示づもので第１
図は縦断面図、第２図は慣断面図、第３図は第２の実施
例の概略慴成゛を示す１ＦｔｌｆＩｉ面図、第４図及び
第５図はそれぞれ第３の実施例の曹Ｐ８徊成を示す縦断
面図である。 １・・・ベルジＶ、 ２・・・試料台、 ３・・・被１
ツチング試料、 ４ａ、４ｂ−ｆ４’ｌＩ）’Ｆｉｔ＠
、５−・・マツチング回路、 ６・・・高周波７１￥源
、 ７ａ。 ７ｂ・・・永久川石、 １ｏ・・・高密前プラス７．２
１８．２１ｂ・−・電子層ｆｌＪ （Ｉｉ、 ２２ａ、
２２１）−直流電源、 ３１ａ、３１１）・・・第２の
電１・π。 出願人代理人 弁理士 鈴江代彦 第１ 図 第２ Ｖ′Ｌ３ 第３図 第４図 第５図
イエツチング装置の慨Ｐ８１ｆｌｔ成を示づもので第１
図は縦断面図、第２図は慣断面図、第３図は第２の実施
例の概略慴成゛を示す１ＦｔｌｆＩｉ面図、第４図及び
第５図はそれぞれ第３の実施例の曹Ｐ８徊成を示す縦断
面図である。 １・・・ベルジＶ、 ２・・・試料台、 ３・・・被１
ツチング試料、 ４ａ、４ｂ−ｆ４’ｌＩ）’Ｆｉｔ＠
、５−・・マツチング回路、 ６・・・高周波７１￥源
、 ７ａ。 ７ｂ・・・永久川石、 １ｏ・・・高密前プラス７．２
１８．２１ｂ・−・電子層ｆｌＪ （Ｉｉ、 ２２ａ、
２２１）−直流電源、 ３１ａ、３１１）・・・第２の
電１・π。 出願人代理人 弁理士 鈴江代彦 第１ 図 第２ Ｖ′Ｌ３ 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）被エツチング試料−が配置される真空容器内に反
応性ガスを導入する手段と、上記容器の外部に該容器を
挟んで対向配置され上記試料配置の空間に高周波プラズ
マ放電を励起づる一対の電極と、上記試料を挟んで離間
対向配置され試料載置の空間に上記電極による電界方向
と直交する方向に磁場を印加づる一対の永久磁石とを具
備してなることを特徴とでるドライエツチング装置。 〈２）前記試料は、前記真空容器内に配設された試ｕ台
上に載置されたもので、この試オ゛］台は水）りされて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１１ｎ記載のト
ライエツチング装置。 （３）前記真空容器は、その外側に前記電極と共に電子
反６１仮が設けられているものであることを特に′［請
求の範囲第１項記載のトライエツチング装置。 （４）被エツチング試料が配置される真空容器内に反応
性ガスを導入する手Ｒと、上記容器の外部に該容器を挟
んで対向配置され上記試料配置の空（６）に高周波プラ
ズマ放電を励起する一対σ）第１の電極と、上記試料を
挟んでＰＩＩｔ間対向配冒され試料載置の空間に上記？
！極による電界方向と直交覆る方向に電界を印加する一
対の第２の電極と、前記試料を挟んで離間対向配置され
試■載阿の空間に上記第２の電極によるＮ昇方向と平行
な方向【こ磁場を印加する一対の永久磁石とを具備して
なることを特徴とづるトライエツチング装置。 （５）前記第２の電極、は前記真空容器内に配設され、
その一方に前記試料が配設されるもの（゛あることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載のドライエツチング
装＠。 （６）前記真空容器は、その外側に前記電極と共に電子
反射板が設けられているものであることを特徴とする特
許請求の範囲第４項記載のトライエツチング装置。 （７）前記第２のＷｉ極は、交流電圧に直流電圧を重畳
して印加され、エツチング条件に応じてそのバイアスが
調整されるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載のドライエツチング装置。 （８）前記バイアスを調整−４る手段は、直流電圧を変
えて行うものであることを特徴とする特許請求の範囲第
７項記載のドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15377283A JPS6045024A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15377283A JPS6045024A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045024A true JPS6045024A (ja) | 1985-03-11 |
| JPH0566724B2 JPH0566724B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=15569796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15377283A Granted JPS6045024A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164219U (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-26 | ||
| US5099790A (en) * | 1988-07-01 | 1992-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US5695597A (en) * | 1992-11-11 | 1997-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reaction apparatus |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15377283A patent/JPS6045024A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164219U (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-26 | ||
| US5099790A (en) * | 1988-07-01 | 1992-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US5695597A (en) * | 1992-11-11 | 1997-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reaction apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566724B2 (ja) | 1993-09-22 |
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