JPS604537A - 陰イオン交換膜の製法 - Google Patents
陰イオン交換膜の製法Info
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- JPS604537A JPS604537A JP58111864A JP11186483A JPS604537A JP S604537 A JPS604537 A JP S604537A JP 58111864 A JP58111864 A JP 58111864A JP 11186483 A JP11186483 A JP 11186483A JP S604537 A JPS604537 A JP S604537A
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- quaternary ammonium
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- membrane
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主鎖がペルフルオロカーボン重合体からなる
非架橋型陰イオン交換膜の電気化学的性質の改良方法に
関するものである。
非架橋型陰イオン交換膜の電気化学的性質の改良方法に
関するものである。
更に詳しくは、主鎖がペルフルオロカーボン重合体から
なる非架橋型陰イオン交換膜に第四級アンモニウム基に
なり得る基と重合可能な基を同時に有する化合′吻を含
浸したのち、重合させ、続いて該重合体を第四級アンモ
ニウム基に転換することからなる電気化学的性質に優れ
た陰イオン交換膜を提供するものである。
なる非架橋型陰イオン交換膜に第四級アンモニウム基に
なり得る基と重合可能な基を同時に有する化合′吻を含
浸したのち、重合させ、続いて該重合体を第四級アンモ
ニウム基に転換することからなる電気化学的性質に優れ
た陰イオン交換膜を提供するものである。
本発明者の数人は、主鎖がペルフルオロカーボン重合体
からなる新規な陰イオン交換膜についてすでに出願した
。得られた陰イオン交換膜は、従来知られ、使用されて
きた炭化水素系陰イオン交換膜に比べて、■乾燥−湿潤
の繰り返しに対して安定であること、■封埋素性に没れ
ていること、■耐熱性、耐溶媒性に優れていること等、
種々の優れた特許が見い出されている。
からなる新規な陰イオン交換膜についてすでに出願した
。得られた陰イオン交換膜は、従来知られ、使用されて
きた炭化水素系陰イオン交換膜に比べて、■乾燥−湿潤
の繰り返しに対して安定であること、■封埋素性に没れ
ていること、■耐熱性、耐溶媒性に優れていること等、
種々の優れた特許が見い出されている。
一般に、カルボン酸基に転換できる官能基（例えば、エ
ステル基）、あるいはスルホン酸基に転換できる官能基
（例えば、スルホニルフロライド基）を有するフッ素単
量体は重合性が悪く、共重合体中に上記の官能基を一定
量（約１，０〜１．５ｍｅυ今・乾燥樹Ｊｌｉｉ ）以
上導入することができない。
ステル基）、あるいはスルホン酸基に転換できる官能基
（例えば、スルホニルフロライド基）を有するフッ素単
量体は重合性が悪く、共重合体中に上記の官能基を一定
量（約１，０〜１．５ｍｅυ今・乾燥樹Ｊｌｉｉ ）以
上導入することができない。
従って、このような共重合体から得られた膜を原料にし
て陰イオン交換膜な合成すると、必然的に得られる膜の
交侯答量は上記の値以上にはできない。その結果、膜の
電気抵抗の低減は難しく、このことは経済１１〕には好
ましいことではない。
て陰イオン交換膜な合成すると、必然的に得られる膜の
交侯答量は上記の値以上にはできない。その結果、膜の
電気抵抗の低減は難しく、このことは経済１１〕には好
ましいことではない。
そこで本＠ Ｉ’ＪＪ者らは、この点を改良するために
鋭意検討を続けてきた結果、主鎖がペルフルオロカーボ
ン重合体からなる非架橋型陰イオン交換膜に第四級アン
モニウム基になり得る基と重合可能な基を同時に有する
化合物を含浸したのち、重合させ続いて該１ｙ合物を第
四級アンモニウム基に転換することで電気抵抗に優れた
陰イオン交換膜を得ることができると見い出し本発明を
達成するに至った。
鋭意検討を続けてきた結果、主鎖がペルフルオロカーボ
ン重合体からなる非架橋型陰イオン交換膜に第四級アン
モニウム基になり得る基と重合可能な基を同時に有する
化合物を含浸したのち、重合させ続いて該１ｙ合物を第
四級アンモニウム基に転換することで電気抵抗に優れた
陰イオン交換膜を得ることができると見い出し本発明を
達成するに至った。
本発明の中で使用できる陰イオン交換膜とじては、例え
ば下記一般式で表わされる繰り返し単位よりなる共重合
体膜を挙げることができる。
ば下記一般式で表わされる繰り返し単位よりなる共重合
体膜を挙げることができる。
小
ＯＦ。
蔭
なお、’＋”およびｎは同一主鎖においてもペンダント
鎖毎に異なる数をとることができる。さらに、ｐ／ｑの
値は共重合体中の平均値を意味し、個々の繰り返し単位
において異なる値をとる場合を含むことは当然である。
鎖毎に異なる数をとることができる。さらに、ｐ／ｑの
値は共重合体中の平均値を意味し、個々の繰り返し単位
において異なる値をとる場合を含むことは当然である。
具体的には、
１
Ｆ２
ＣＦ。
Ｈｓ
Ｆ２
０ 、ＣＨ。
■
Ｆ２
笠である。
本発明で使用される上記共重合体膜の厚さは１゜μｍな
いし５００μｍの範囲のものが用いられる。
いし５００μｍの範囲のものが用いられる。
一方、形状においても平膜あるいはチーープ状の形態で
使用することができる。
使用することができる。
上記のフッ素系陰イオン交換１饋に含浸９乗合。
第四級アンモニウム基に転換できる化合物としては、４
−ビニルピリジン、６−ビニルピリジンなどのビニルピ
リジン誘導体、ジメチルアミノスチレン、ジエチルアミ
ノスチレンなどのアルキルアミノスチレン訪導体、クロ
ルメチルスチレン、ブロムメチルスチレンなどのハロメ
チルスチレン誘導体、ブタジェン−１−ピリジンなどの
ジエン誘導体およびビニルイミダゾール等が使用できる
。
−ビニルピリジン、６−ビニルピリジンなどのビニルピ
リジン誘導体、ジメチルアミノスチレン、ジエチルアミ
ノスチレンなどのアルキルアミノスチレン訪導体、クロ
ルメチルスチレン、ブロムメチルスチレンなどのハロメ
チルスチレン誘導体、ブタジェン−１−ピリジンなどの
ジエン誘導体およびビニルイミダゾール等が使用できる
。
もちろん、得られた重合体が水あるいは有磯浴媒に可溶
なｉ合は、ジビニルベンゼンあるいはブタジェン等を使
用し、重合時に架橋化反応を行うこともできる。
なｉ合は、ジビニルベンゼンあるいはブタジェン等を使
用し、重合時に架橋化反応を行うこともできる。
上記した陰イオン交換膜に上記した化合物を含浸させる
方法は、化合物を直接含浸することも可能だし、又、化
合物が固体状である場合あるいは含浸速度が遅い場合に
は適当に溶媒を用いることもできる。
方法は、化合物を直接含浸することも可能だし、又、化
合物が固体状である場合あるいは含浸速度が遅い場合に
は適当に溶媒を用いることもできる。
重合は含浸時に過酸化ベンゾイルあるいはアゾビスイソ
ブチロニトリル等のラジカル開始剤を同時に膜中に存在
させて加熱等でラジカル重合を行えばよい。さらに、必
要があれば、放射線、Ｘ線あるいは紫外線で重合するこ
ともできる。
ブチロニトリル等のラジカル開始剤を同時に膜中に存在
させて加熱等でラジカル重合を行えばよい。さらに、必
要があれば、放射線、Ｘ線あるいは紫外線で重合するこ
ともできる。
重合したのち、第四級アンモニウム基に転換する場合は
、次の方法を採用すればよい。
、次の方法を採用すればよい。
１、 第四級アンモニウム基に転換できる基として窒素
原子を含んでいる場合、 常法に従ってヨウ化メチル、ショートプロパン等のハロ
ゲン化アルキルで処理し、第四級アンモニウム基に転換
すればよい。
原子を含んでいる場合、 常法に従ってヨウ化メチル、ショートプロパン等のハロ
ゲン化アルキルで処理し、第四級アンモニウム基に転換
すればよい。
Ｚ 第四級アンモニウム基に転換できる基としてハロゲ
ン原子を含んでいる場合、 常法に従って、トリメチルアミン、トリエチルアミン等
の第三級アミノ基を含むアミンで処理し、第四級アンモ
ニウム基に転換すればよい。
ン原子を含んでいる場合、 常法に従って、トリメチルアミン、トリエチルアミン等
の第三級アミノ基を含むアミンで処理し、第四級アンモ
ニウム基に転換すればよい。
本発明の陰イオン交換膜は、拡散透析、ＪＥ気透析、有
機電解反応用の隔膜等従来公知の技術の中で使用できる
ことはもちろんであるが、陰イオン交換膜の基体がペル
フルオロカーボン７４（合体からなり立っているため、
酸化剤の発生する系、高温を必要とする系等においても
十分使用できる膜である。
機電解反応用の隔膜等従来公知の技術の中で使用できる
ことはもちろんであるが、陰イオン交換膜の基体がペル
フルオロカーボン７４（合体からなり立っているため、
酸化剤の発生する系、高温を必要とする系等においても
十分使用できる膜である。
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。以下
の実施例において膜のｊ肛気抵抗は０．５ Ｎ食塩水に
十分平衡させた後、０５Ｎ食塩水浴液中で交流ｔｏｏｏ
？イクル、温度２５℃で測定したものである。また、膜
の１能率は０．５Ｎ食塩水浴液と２．ＯＮ＊塩水浴液の
間で発生した膜電位からネルンストの式を用いて計算、
したものである。
の実施例において膜のｊ肛気抵抗は０．５ Ｎ食塩水に
十分平衡させた後、０５Ｎ食塩水浴液中で交流ｔｏｏｏ
？イクル、温度２５℃で測定したものである。また、膜
の１能率は０．５Ｎ食塩水浴液と２．ＯＮ＊塩水浴液の
間で発生した膜電位からネルンストの式を用いて計算、
したものである。
実施例１
ＣＦ２＝ＣＦ２とＣＦ、＝ＣＦＯＯＦ２０ＦＯＯＦ２０
Ｆ２ＳＯ，ＦＣ′ｌ！Ｉ。
Ｆ２ＳＯ，ＦＣ′ｌ！Ｉ。
との共■合により得もねた共重合体フィルムしデュポン
社製 ナフィオン１１４（商品名） 、ｊｌ＠厚１００
μ、スルホン酸換ＪＩ交換容賃ｏ、９１ミリ当＋’ｌｉ
：／ ？・乾燥膜〕を２規定塩酸で処理後、スルボニル
クロリド化、ついでヨウ化水素処理、アルカリ洗浄して
カルボン酸ナトリウム塩型とした。
社製 ナフィオン１１４（商品名） 、ｊｌ＠厚１００
μ、スルホン酸換ＪＩ交換容賃ｏ、９１ミリ当＋’ｌｉ
：／ ？・乾燥膜〕を２規定塩酸で処理後、スルボニル
クロリド化、ついでヨウ化水素処理、アルカリ洗浄して
カルボン酸ナトリウム塩型とした。
この膜状共重合体のペンダント鎖の構造は、−ＱＣ！Ｆ
２０ＦＯＣＦ２ＣＯ２Ｎａである。この膜を８規定塩Ｃ
Ｆ。
２０ＦＯＣＦ２ＣＯ２Ｎａである。この膜を８規定塩Ｃ
Ｆ。
醒／メタノール（容量比１：１）で処理して加水分解、
エステル化ののち、五塩化リン／オキシ塩化リン（重量
比１：１．６）中で１２０℃、２４時間加熱した。その
後、四ｊ盆化炭素中で洗浄したのち乾燥した。得られた
膜は赤外吸収スペクトルにおいて１８００ ｃｍ−’
に強いカルボニル吸収を示す。
エステル化ののち、五塩化リン／オキシ塩化リン（重量
比１：１．６）中で１２０℃、２４時間加熱した。その
後、四ｊ盆化炭素中で洗浄したのち乾燥した。得られた
膜は赤外吸収スペクトルにおいて１８００ ｃｍ−’
に強いカルボニル吸収を示す。
乾燥ジエチルエーテル中に得られた１莫を浸漬し、水冷
下にジメチルアミンガスを通じ（１，３モル濃度）冷却
下に６時間、室温にて１８時ｌＦ］反応させた。６％重
曹水−メタノール混＠訂故（容量比１：１）で８０℃、
５時間洗浄し、減圧下、−夜乾、０ 操すると無色透明のアミド４］〜（末端鮎−６ＮＭｅ２
）ＩＮが得られた。
下にジメチルアミンガスを通じ（１，３モル濃度）冷却
下に６時間、室温にて１８時ｌＦ］反応させた。６％重
曹水−メタノール混＠訂故（容量比１：１）で８０℃、
５時間洗浄し、減圧下、−夜乾、０ 操すると無色透明のアミド４］〜（末端鮎−６ＮＭｅ２
）ＩＮが得られた。
アルゴン雰囲気下、乾燥ジエチレングリコールジメチル
エーテルに水素化ホウ素ナトリウムを溶解（０，５３モ
ル濃度）してから、実施例１で得られた１換を浸漬した
。この中に三フフ化ホウ素エーテル錯体（水素化ホウ素
ナトリウムに対しα６２当量）の乾燥ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル浴液を水冷上滴下した。冷却下に
５時間、さらに１００℃で１８時間反応させることによ
り、赤外吸収スペクトルにおける１ ７００ Ｃ１１−
１の吸収は消失し、アミン型（末端基−ＣＨ２ＮＭｅ２
）膜への還元が完全に進行していた。
エーテルに水素化ホウ素ナトリウムを溶解（０，５３モ
ル濃度）してから、実施例１で得られた１換を浸漬した
。この中に三フフ化ホウ素エーテル錯体（水素化ホウ素
ナトリウムに対しα６２当量）の乾燥ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル浴液を水冷上滴下した。冷却下に
５時間、さらに１００℃で１８時間反応させることによ
り、赤外吸収スペクトルにおける１ ７００ Ｃ１１−
１の吸収は消失し、アミン型（末端基−ＣＨ２ＮＭｅ２
）膜への還元が完全に進行していた。
得られた膜をメタノールで洗浄し、さらに乾燥してアミ
ン型ｊ摸を得た。この膜をヨウ化メチルのメタノール浴
ｇ（容量比１ ：４）に入れ、６０℃で４８時間反応さ
せた。得られた膜をメタノールで洗浄後、塩化リチウム
のメタノール溶液（１，２８モルσ、゛ｔｉ）中、６０
℃で２４時間反応させた。
ン型ｊ摸を得た。この膜をヨウ化メチルのメタノール浴
ｇ（容量比１ ：４）に入れ、６０℃で４８時間反応さ
せた。得られた膜をメタノールで洗浄後、塩化リチウム
のメタノール溶液（１，２８モルσ、゛ｔｉ）中、６０
℃で２４時間反応させた。
この１ｐｌＪ ７メタノール中で６０℃に加熱し目的の
アンモニウムクロリド型膜を得た。
アンモニウムクロリド型膜を得た。
得られた膜は染色テストにおいてクリスタルバイオレッ
トでは染色されず、ブロモクレゾールパープルで赤（塩
基性水中では青紫）、クレゾールレッドで黄橙（塩基性
水中では赤紫）に酒色し、陰イオン交（姿基の存在が確
認された。
トでは染色されず、ブロモクレゾールパープルで赤（塩
基性水中では青紫）、クレゾールレッドで黄橙（塩基性
水中では赤紫）に酒色し、陰イオン交（姿基の存在が確
認された。
また、この陰イオン交換１ｐｈの交換容量は０．８２ミ
リ当量／２・乾燥膜、電気抵抗は６６Ω・ｃｍ”。
リ当量／２・乾燥膜、電気抵抗は６６Ω・ｃｍ”。
輸率はα８７であった。
載脱をクロルメチルスチレン８０部、ジビニルベンゼン
（純度５５％）２０部、過１：り化ベンゾイル２部、メ
タノール２０部からなる含浸浴液に２５℃で２４時間浸
漬後、取り出し、載脱をガラス板。
（純度５５％）２０部、過１：り化ベンゾイル２部、メ
タノール２０部からなる含浸浴液に２５℃で２４時間浸
漬後、取り出し、載脱をガラス板。
クロロプレンゴムおよびポリエステルシートの間にはさ
み７５℃〜８０℃の温度で１６時間窒素気流下で加熱重
合させた。次にトリメチルアミン（５０％）１０部、メ
タノール６部からなるアミノ化浴中１０時間反応せしめ
、膜中のクロルメチル基な第四級アンモニウムクロリド
に転化した。
み７５℃〜８０℃の温度で１６時間窒素気流下で加熱重
合させた。次にトリメチルアミン（５０％）１０部、メ
タノール６部からなるアミノ化浴中１０時間反応せしめ
、膜中のクロルメチル基な第四級アンモニウムクロリド
に転化した。
得られた陰イオン交換膜の電気抵抗は２．１Ω・ｃｍ”
。
。
輸率は０．８８であった。
実施例２
実／ｆｌｕ例１で用いたと同様のＩＩＱをジメチルアミ
ノスチレンａｏ部、ジビニルベンゼン（純度５５％）２
０部、過酸化ベンゾイル２部、メタノール２０部からな
る含浸浴液に２５℃で２４１１．（、間浸漬後取り出し
、載脱をガラス板、クロロプレンゴムおよびポリエステ
ルシートの間にはさみ７５℃〜８０℃の温度で１６時間
窒素気流下で加熱重合させた。
ノスチレンａｏ部、ジビニルベンゼン（純度５５％）２
０部、過酸化ベンゾイル２部、メタノール２０部からな
る含浸浴液に２５℃で２４１１．（、間浸漬後取り出し
、載脱をガラス板、クロロプレンゴムおよびポリエステ
ルシートの間にはさみ７５℃〜８０℃の温度で１６時間
窒素気流下で加熱重合させた。
次にヨウ化メチル１０部、メタノール３部の浴中に１０
時間浸漬し、ジメチルアミン基を第四級７７モニウムヨ
ウジドに転化した。
時間浸漬し、ジメチルアミン基を第四級７７モニウムヨ
ウジドに転化した。
得られた陰イオン交換膜の電気抵抗は２．０Ω・ｃｍ２
゜輸率ば０．８９であった。
゜輸率ば０．８９であった。
実施例５
Ｃ！Ｆ２＝Ｃ！Ｆ２とＯＦ、 −ＣＦＯＣＦ、 ＣＦＯ
Ｃ！Ｔｌ’２０Ｆ２Ｃｏ２０Ｈ３ＣＦ。
Ｃ！Ｔｌ’２０Ｆ２Ｃｏ２０Ｈ３ＣＦ。
との共重合により得られた共１１【合体をフィルム化（
ｊ膜厚１１０μ、 Ｃ０２Ｉ（換算ズ」奥容貴１．４ミ
リ当量／２・乾燥膜）した陵、加水分角γ（−／こ。２
ＮＨＯｚ処理し、Ｉｊａをカルボン酸化した。
ｊ膜厚１１０μ、 Ｃ０２Ｉ（換算ズ」奥容貴１．４ミ
リ当量／２・乾燥膜）した陵、加水分角γ（−／こ。２
ＮＨＯｚ処理し、Ｉｊａをカルボン酸化した。
このようにして得られたｉＪ’４およびジメチルアミン
を用いて、実倫例１で行ったと同様の方法により１」的
の第四級アンモニウムクロリド基を有する陰イオン父換
ｊ函を得た。
を用いて、実倫例１で行ったと同様の方法により１」的
の第四級アンモニウムクロリド基を有する陰イオン父換
ｊ函を得た。
該膜の電気抵抗ば６０ΩＣ１ｌ＋２．輸率は０．８４で
あっブこ。
あっブこ。
該ｊ模を実施１９す１と同様の方法で処理した。＋−１
られた膜の電気抵抗は１．８Ω・ｃｍ２．憔率は０８７
であった。
られた膜の電気抵抗は１．８Ω・ｃｍ２．憔率は０８７
であった。
実ｂ［６例４
実施例１で使用したと同様のカルボンｒｌＲＩ漠を同様
に五ｊ盆化リン処理した。イ）ｆられた膜をＮ−メチル
ピペラジンの乾燥エーテル浴液（１，０モルｏ寝度）に
浸漬し、室温で６４時間放置した。真空乾燥（５０℃）
後、やや褐色のＪ換が得もね、載脱はクリスタルバイオ
レットより染色されず、赤外スペクトルにおいて１８０
０ ｃｍ−１の１吸収は消失し、新たに１６９０ｃｍ−
’ にカルボン酸アミドのカルボニルに由来すると考え
られる吸収が強く観測された。
に五ｊ盆化リン処理した。イ）ｆられた膜をＮ−メチル
ピペラジンの乾燥エーテル浴液（１，０モルｏ寝度）に
浸漬し、室温で６４時間放置した。真空乾燥（５０℃）
後、やや褐色のＪ換が得もね、載脱はクリスタルバイオ
レットより染色されず、赤外スペクトルにおいて１８０
０ ｃｍ−１の１吸収は消失し、新たに１６９０ｃｍ−
’ にカルボン酸アミドのカルボニルに由来すると考え
られる吸収が強く観測された。
得られた膜を次いで水素化ホウ素ナトリウムの乾燥ジグ
ラム浴液（０，５モル濃度）に浸漬し、アルゴン雰囲気
下、氷冷しながら三フッ化ホウ素エーテル諾体（水素化
ホウ素ナトリウムに対し０．６２当市）の乾燥ジグライ
ム浴液を滴下した。冷却下に５時間、さらに１００℃で
１８時間反応させることにより還元は完全に進行した。
ラム浴液（０，５モル濃度）に浸漬し、アルゴン雰囲気
下、氷冷しながら三フッ化ホウ素エーテル諾体（水素化
ホウ素ナトリウムに対し０．６２当市）の乾燥ジグライ
ム浴液を滴下した。冷却下に５時間、さらに１００℃で
１８時間反応させることにより還元は完全に進行した。
得られたジアミン膜をメタノールで洗浄後、メタノール
中ヨウ化メチルを６０℃、２日間作用させた。さらにメ
タノール洗浄ののち、塩化リチウムのメタノール溶液中
で６０℃、２日間反応させ、再度メタノールで加熱上洗
浄することにより目的の第四級アンモニウムクロリド基
を有する陰イオン交換膜を得た。
中ヨウ化メチルを６０℃、２日間作用させた。さらにメ
タノール洗浄ののち、塩化リチウムのメタノール溶液中
で６０℃、２日間反応させ、再度メタノールで加熱上洗
浄することにより目的の第四級アンモニウムクロリド基
を有する陰イオン交換膜を得た。
載脱の電気抵抗は乙９Ω・ｃｍ２．輸率は０．８４であ
っブこ。
っブこ。
ａ ｉＩｓ ？４−ビニルピリジン８０部、ジビニルベ
ンゼン２０部、スチレン１０部、過［旨化ベンゾイル２
部、メタノール２０部からなる含浸溶成に２５℃で２４
時間浸漬後取り出し、載脱をガラス板。
ンゼン２０部、スチレン１０部、過［旨化ベンゾイル２
部、メタノール２０部からなる含浸溶成に２５℃で２４
時間浸漬後取り出し、載脱をガラス板。
クロロプレンゴムおよびポリエステルシートの間にはさ
み７５℃〜８０℃の温度で１６時間窒素気流下で加熱重
合させた。
み７５℃〜８０℃の温度で１６時間窒素気流下で加熱重
合させた。
次にヨウ化メチル１０部、メタノール６部の浴中に１０
時間浸直置、ピリジン環中の鼠素ｋ ”Ｎ四級アンモニ
ウムヨウシトに転換した。
時間浸直置、ピリジン環中の鼠素ｋ ”Ｎ四級アンモニ
ウムヨウシトに転換した。
得ろわだ膜の電気抵抗は２．８Ω・ｃｍ２．・輸率は［
Ｌ８８であった。
Ｌ８８であった。
実施例５
Ｎ、 Ｎ、 Ｎ’−トリメチルエチレンジアミンの乾繰
エーテに＃’ｌｆｉ （（Ｌ８ モ＃／Ａ度） Ｋ、’
ｆｌｉｆｌで用いたと同様のメチルエステル膜を浸漬し
、室温で２００時間反応せた。エーテルｖ′ａΦ後、減
圧下乾燥すると無色の膜が得られ、赤外吸収スペクトル
ニオイて３０００，２９２５．２８５０ｃｍ−’にＣ！
−Ｊ（。
エーテに＃’ｌｆｉ （（Ｌ８ モ＃／Ａ度） Ｋ、’
ｆｌｉｆｌで用いたと同様のメチルエステル膜を浸漬し
、室温で２００時間反応せた。エーテルｖ′ａΦ後、減
圧下乾燥すると無色の膜が得られ、赤外吸収スペクトル
ニオイて３０００，２９２５．２８５０ｃｍ−’にＣ！
−Ｊ（。
１７００ｃｍ−１にカルボニルの吸収が見られた。この
膜はクリスタルバイオレットで染色されブよかっに０該
膜について実施例４と同様の操作（還元、アルキル化、
対イオン交換）を行うことにより、第四級アンモニウム
クロリド基を有する陰イオン交換膜を得た。
膜はクリスタルバイオレットで染色されブよかっに０該
膜について実施例４と同様の操作（還元、アルキル化、
対イオン交換）を行うことにより、第四級アンモニウム
クロリド基を有する陰イオン交換膜を得た。
該）漠の電気抵抗は５．５Ω・Ｃｍ２．輸率はａ８６で
あった。該ｊ摸を実施例４と同様の方法で処理しｔ（よ
イオン交換膜を得た。得られた陰イオン交換膜の電気抵
抗は２．９Ωｍｃｍ２． 輸率０．８９ テあった。
あった。該ｊ摸を実施例４と同様の方法で処理しｔ（よ
イオン交換膜を得た。得られた陰イオン交換膜の電気抵
抗は２．９Ωｍｃｍ２． 輸率０．８９ テあった。
実施例６
０Ｆ２＝Ｃ！Ｆ２とＣ！Ｆ２＝ＯＦＯＣｊＦ２Ｃ！Ｆ
ＯＣＦ、 ＣＦ２５Ｏ２ＦＣＦ３ との共重合から得られた共重合体フィルム化（膜厚１０
０μ、 Ｓｏ、Ｈ換算交換容量０９ミリ当量／２ ・
乾燥膜） しブこ。
ＯＣＦ、 ＣＦ２５Ｏ２ＦＣＦ３ との共重合から得られた共重合体フィルム化（膜厚１０
０μ、 Ｓｏ、Ｈ換算交換容量０９ミリ当量／２ ・
乾燥膜） しブこ。
得られたスルホニルフルオリド膜を乾燥エーテル中、Ｎ
、Ｎ、Ｎ’−）リメテルエチレンジアミン（α８モル濃
度）と室温で一晩、さらに５０℃で５時間反応させた。
、Ｎ、Ｎ’−）リメテルエチレンジアミン（α８モル濃
度）と室温で一晩、さらに５０℃で５時間反応させた。
ついでメタノールで洗浄したのち、飽和重げ水中５０℃
で８時間処理した。その後、温水洗浄し乾燥した。得ら
れたスルホンアミドｊ換をメタノール中、５０℃でヨウ
化メチルと４８時間反応させた。その後メタノール中で
洗浄し、塩化リチウムのメタノール１容液で２４時間処
理した。さらにメタノール中５０℃で８時間洗浄した。
で８時間処理した。その後、温水洗浄し乾燥した。得ら
れたスルホンアミドｊ換をメタノール中、５０℃でヨウ
化メチルと４８時間反応させた。その後メタノール中で
洗浄し、塩化リチウムのメタノール１容液で２４時間処
理した。さらにメタノール中５０℃で８時間洗浄した。
載脱の電気抵抗は５．２０・Ｃｍ”ｒ Ｍ’ｆｔＷ率は
０．８６であった。
０．８６であった。
載脱を実施例４と同様の方法で処理し陰イオン交換膜を
得た。得られた陰イオン交換膜の電気抵抗は２．５Ωｅ
ｃｍ’ ｌ 輸率は０．８９ テｔｖ ツタ。
得た。得られた陰イオン交換膜の電気抵抗は２．５Ωｅ
ｃｍ’ ｌ 輸率は０．８９ テｔｖ ツタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 】） 主鎖がペルフルオロカーボン重合体からなる非架
橋型陰イオン交換膜に第四級アンモニウム基になり得る
基と重合可能な是を同時に有する化合物を含浸したのち
、度合させ、続いて該Ｊ【合体を第四級アンモニウム基
に法挨することからなる陰イオン交換膜の製法２）使用
される陰イオン交換膜が下記一般式％式％） で表わされる繰り返し単位よりなる特許請求の範囲第１
項に記載の方法。 ３）第四級アンモニウム基を含む基が下記一般式 で表わされる特許請求の１１幀ｔ１１第１項又は第２項
記載の方法。 ４）第四級アンモニウム基を含む基が下記一般式 で表わされる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方
法。 ５） 第四級アンモニウム基を含む基が下記一般式 ％式％） で表わされる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111864A JPS604537A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 陰イオン交換膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111864A JPS604537A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 陰イオン交換膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604537A true JPS604537A (ja) | 1985-01-11 |
| JPH0319863B2 JPH0319863B2 (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=14572075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111864A Granted JPS604537A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 陰イオン交換膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604537A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110704A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-21 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | フツ素系陰イオン交換膜を用いた酸・金属塩混合液からの酸の回収方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7260241B2 (ja) | 2020-04-13 | 2023-04-18 | アルプスアルパイン株式会社 | 取付物取付状態の管理システム |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58111864A patent/JPS604537A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110704A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-21 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | フツ素系陰イオン交換膜を用いた酸・金属塩混合液からの酸の回収方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319863B2 (ja) | 1991-03-18 |
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