JPS6045404B2 - 半導体表示装置 - Google Patents
半導体表示装置Info
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- JPS6045404B2 JPS6045404B2 JP52159142A JP15914277A JPS6045404B2 JP S6045404 B2 JPS6045404 B2 JP S6045404B2 JP 52159142 A JP52159142 A JP 52159142A JP 15914277 A JP15914277 A JP 15914277A JP S6045404 B2 JPS6045404 B2 JP S6045404B2
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Links
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子時計等の携帯電子装置に用いられる低
消費電力の半導体表示装置に関する。
消費電力の半導体表示装置に関する。
従来、電子腕時計等の携帯電子装置の表示装置には、
主に発光ダイオード、液住ガラスパネル等が用いられて
いる。発光ダイオードによる表示は一素子当たり、数ｍ
Ａ〜１００ｎ１Ａの電流を消費し、数年の長期に渡つて
電池を交換せずに使用される電子腕時計等の携帯電子装
置を働かせるのは困難である。一方、液晶による表示は
自ら光を発生しない、いわゆる受光素子なので表示に要
する電力の消費は僅かであるが、表示体の材料である液
晶 は半液体状の有機物質てあり、非常に長期間の使用
では分解を起こすなど信頼性の点で問題がある。また、
液晶分子を配向させるに要する時間は、通常１〜２Ｖの
電圧で０．１秒以上を要する。この為、１秒以上の速さ
で変化する表示内容は明確に表示することが困難である
。 本発明は、上記のとおりの従来の欠点を除去するた
めになされたものであり、固定化されていて信頼性に優
れ、応答速度が速く、受光表示により消費電力も僅かで
ある表示装置を実現することを目的としたものである。
主に発光ダイオード、液住ガラスパネル等が用いられて
いる。発光ダイオードによる表示は一素子当たり、数ｍ
Ａ〜１００ｎ１Ａの電流を消費し、数年の長期に渡つて
電池を交換せずに使用される電子腕時計等の携帯電子装
置を働かせるのは困難である。一方、液晶による表示は
自ら光を発生しない、いわゆる受光素子なので表示に要
する電力の消費は僅かであるが、表示体の材料である液
晶 は半液体状の有機物質てあり、非常に長期間の使用
では分解を起こすなど信頼性の点で問題がある。また、
液晶分子を配向させるに要する時間は、通常１〜２Ｖの
電圧で０．１秒以上を要する。この為、１秒以上の速さ
で変化する表示内容は明確に表示することが困難である
。 本発明は、上記のとおりの従来の欠点を除去するた
めになされたものであり、固定化されていて信頼性に優
れ、応答速度が速く、受光表示により消費電力も僅かで
ある表示装置を実現することを目的としたものである。
以下図面に示す実施例によつて本発明を説明する。
第１図は、ガリウムアルミニウムヒソ等の半導体の光吸
収係数の電界による変化の様子を示したもので、吸収係
数は図の矢印で示された様に変化する。この変化の方向
は電界の正負には依存しない。第２図は、本発明の実施
例の基本構造を示したものであり、ｎ型の半導体（ガリ
ウムアルミニウムヒソ）の薄膜２とｐ型の半導体薄膜を
交互・に積層したものである。ｐ型層、ｎ型層は端部で
は接続されている。ｐ型層、ｎ型層にスイッチ３を通じ
て電源４からｐ層に負、ｎ層に負の電圧を加え、ｐｎ接
合部に空乏層を発生させる。空乏層は、数１０μｍ以下
なのでここには高い電界が発生・する。第１図の説明で
記した現象によつて多層のｐｎ接合を透過する光の波長
特性が変化する。表示としては、このとき色が変化する
ことを利用できる。第３図は本発明の表示装置の一実施
例て電圧を加えない状態で、または印加したときの吸収
端付近の波長の光のみを透過するフィルター９を表示表
面に設け、光を反射する金層膜の鏡１０を裏面に設ける
。フィルター９に、電圧を加えないときの吸収端付近の
みの光を通すものを用いれは、電源８のスイッチ７によ
つてｐ層６とｎ層の間に逆方向電圧を加えれば、吸収端
波長は変化して電界を印加した部分の表示面は暗くなる
。一方フィルターを電圧を印加したときの吸収端付近の
波長の光のみを透過するようにすれば、電圧印加前は暗
く印加後明るくなる。以上、本発明の実施例の基本的な
楊合について記したが、本発明の表示装置を駆動する方
法から明らかなように、発光ダイオード、液晶表示の場
合に用いられる７セグメント数字表示、５×７ドットマ
トリクス表示等の表示方法は本発明の表示装置に用いる
ことができる。
収係数の電界による変化の様子を示したもので、吸収係
数は図の矢印で示された様に変化する。この変化の方向
は電界の正負には依存しない。第２図は、本発明の実施
例の基本構造を示したものであり、ｎ型の半導体（ガリ
ウムアルミニウムヒソ）の薄膜２とｐ型の半導体薄膜を
交互・に積層したものである。ｐ型層、ｎ型層は端部で
は接続されている。ｐ型層、ｎ型層にスイッチ３を通じ
て電源４からｐ層に負、ｎ層に負の電圧を加え、ｐｎ接
合部に空乏層を発生させる。空乏層は、数１０μｍ以下
なのでここには高い電界が発生・する。第１図の説明で
記した現象によつて多層のｐｎ接合を透過する光の波長
特性が変化する。表示としては、このとき色が変化する
ことを利用できる。第３図は本発明の表示装置の一実施
例て電圧を加えない状態で、または印加したときの吸収
端付近の波長の光のみを透過するフィルター９を表示表
面に設け、光を反射する金層膜の鏡１０を裏面に設ける
。フィルター９に、電圧を加えないときの吸収端付近の
みの光を通すものを用いれは、電源８のスイッチ７によ
つてｐ層６とｎ層の間に逆方向電圧を加えれば、吸収端
波長は変化して電界を印加した部分の表示面は暗くなる
。一方フィルターを電圧を印加したときの吸収端付近の
波長の光のみを透過するようにすれば、電圧印加前は暗
く印加後明るくなる。以上、本発明の実施例の基本的な
楊合について記したが、本発明の表示装置を駆動する方
法から明らかなように、発光ダイオード、液晶表示の場
合に用いられる７セグメント数字表示、５×７ドットマ
トリクス表示等の表示方法は本発明の表示装置に用いる
ことができる。
またＰｎ接合を形成する半導体の材料としては、ＧａＡ
ｌＡｓの他、，ＧａＰ，ＺｎＳｅ，ＺｕＴｅ，ＣｄＳｅ
，ＣｄＳ等の可視光に吸収端を有するものが使える。本
発明は上記のように半導体の禁止帯幅の電界による変化
で半導体の光吸収の変化することを利用しているので、
電子腕時計等の携帯電子装置の表示について、１長期間
の信頼性を極めて高くすることができる。
ｌＡｓの他、，ＧａＰ，ＺｎＳｅ，ＺｕＴｅ，ＣｄＳｅ
，ＣｄＳ等の可視光に吸収端を有するものが使える。本
発明は上記のように半導体の禁止帯幅の電界による変化
で半導体の光吸収の変化することを利用しているので、
電子腕時計等の携帯電子装置の表示について、１長期間
の信頼性を極めて高くすることができる。
２低消費電力で継続的に表示ができる。
３数１０ｎｓ以上の高速で表示の０ｎ−０ｆｆ状態を変
えられる。
えられる。
４ フィルターを用いて、０ｎ状態を明るくも暗くもで
きる。
きる。
等の顕著な効果がある。
第１図は半導体の光吸収の電圧による変化を示す図、第
２図、第３図は本発明による表示装置の実施例を示す図
。 １・・・・・・ｐ型半導体、２・・・・・・ｎ型半導体
、３・・・スイッチ、４・・・・・・電源、５・・・・
・・ｎ型半導体、６・・・・・・ｐ型半導体、７・・・
・・・スイッチ、８・・・・・・電源、９・・フィルタ
、１０・・・・・反射板。
２図、第３図は本発明による表示装置の実施例を示す図
。 １・・・・・・ｐ型半導体、２・・・・・・ｎ型半導体
、３・・・スイッチ、４・・・・・・電源、５・・・・
・・ｎ型半導体、６・・・・・・ｐ型半導体、７・・・
・・・スイッチ、８・・・・・・電源、９・・フィルタ
、１０・・・・・反射板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フィルターと、前記フィルターの下で複数個のｐ型
とｎ型の半導体が交互に重なり合つて構成される多層の
ｐｎ接合と、前記複数個のｐ型半導体の一端連結部分に
設けた第１の電極と、前記複数個のｎ型半導体の一端連
結部分に設けた第２の電極とから成り、前記各ｐｎ接合
に逆方向の電圧が印加されるように前記第１と第２の電
極間に電圧を加えることにより前記各ｐｎ接合に生じた
空乏層の光吸収端を電界によつて変化させて、前記各ｐ
ｎ接合をほぼ垂直に透過する光の強度を変調し表示を行
うことを特徴とする半導体表示装置。 ２ 多層のｐｎ接合の下に反射板を設けた特許請求の範
囲第１項記載の半導体表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52159142A JPS6045404B2 (ja) | 1977-12-26 | 1977-12-26 | 半導体表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52159142A JPS6045404B2 (ja) | 1977-12-26 | 1977-12-26 | 半導体表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5488786A JPS5488786A (en) | 1979-07-14 |
| JPS6045404B2 true JPS6045404B2 (ja) | 1985-10-09 |
Family
ID=15687159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52159142A Expired JPS6045404B2 (ja) | 1977-12-26 | 1977-12-26 | 半導体表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045404B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929064A (en) * | 1988-07-21 | 1990-05-29 | American Telephone And Telegraph Company | Optical communications modulator device |
-
1977
- 1977-12-26 JP JP52159142A patent/JPS6045404B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5488786A (en) | 1979-07-14 |
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