JPS6046078A - 光起電力素子及びその製造方法 - Google Patents
光起電力素子及びその製造方法Info
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- JPS6046078A JPS6046078A JP58154446A JP15444683A JPS6046078A JP S6046078 A JPS6046078 A JP S6046078A JP 58154446 A JP58154446 A JP 58154446A JP 15444683 A JP15444683 A JP 15444683A JP S6046078 A JPS6046078 A JP S6046078A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type semiconductor
- type
- gas
- incident light
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｎ型半導体層を複数層積層して、入射光の放
射エネルギーを広範囲の波長にわたる入射光から吸収す
るようにした光起電力素子に関し、特に光電変換効率を
より高めて高出力を得るための光起電力素子及びその製
造方法に関するものである。
射エネルギーを広範囲の波長にわたる入射光から吸収す
るようにした光起電力素子に関し、特に光電変換効率を
より高めて高出力を得るための光起電力素子及びその製
造方法に関するものである。
最近、太陽電池の如き光起電力素子は光電変換効率を高
めるために、第１図に示したようにＰ型。
めるために、第１図に示したようにＰ型。
■型、Ｎ型の各半導体層Ｐ、Ｉ、Ｎを繰返し基板１上に
積層して多層構造とし、最外層には透明導電膜２及び電
極３を設けて、入射光の放射エネルギーを入射光の広範
囲の波長にわたり吸収するようにした素子が提案されて
いる。ところで、従来のこの種の光起電力素子は、Ｐ型
、Ｎ型、Ｎ型の各半導体層からなる下部層ＡのＮ型半導
体層Ｎ上に、Ｐ型、■型、Ｎ型の各半導体層からなる中
間部層ＢのＰ型半導体層Ｐが積層されている部分、及び
Ｐ型、■型、Ｎ型の各半導体層からなる中間部層ＢのＮ
型土導体層Ｎに、Ｐ型、Ｎ型、Ｎ型の各半導体層からな
る上部層ＣのＰ型土導体層Ｐが積層されている部分には
夫々接合層Ｊが存在し素子内部で電力損失が生じている
。また、この種の光起電力素子の従来の製造方法によれ
は、入射光の放射エネルギーを短波長から長波長にわた
る広い波長範囲で略一定量を吸収することができず、光
電変換効率の高い光起電力素子が得られながった。
積層して多層構造とし、最外層には透明導電膜２及び電
極３を設けて、入射光の放射エネルギーを入射光の広範
囲の波長にわたり吸収するようにした素子が提案されて
いる。ところで、従来のこの種の光起電力素子は、Ｐ型
、Ｎ型、Ｎ型の各半導体層からなる下部層ＡのＮ型半導
体層Ｎ上に、Ｐ型、■型、Ｎ型の各半導体層からなる中
間部層ＢのＰ型半導体層Ｐが積層されている部分、及び
Ｐ型、■型、Ｎ型の各半導体層からなる中間部層ＢのＮ
型土導体層Ｎに、Ｐ型、Ｎ型、Ｎ型の各半導体層からな
る上部層ＣのＰ型土導体層Ｐが積層されている部分には
夫々接合層Ｊが存在し素子内部で電力損失が生じている
。また、この種の光起電力素子の従来の製造方法によれ
は、入射光の放射エネルギーを短波長から長波長にわた
る広い波長範囲で略一定量を吸収することができず、光
電変換効率の高い光起電力素子が得られながった。
本発明は前記の問題に鑑み、Ｎ型半導体層とＰ型半導体
層との間に、短波長の入射光の放射エネルギーを吸収す
るＮ型半導体層、中波長の入射光の放射エネルギーを吸
収するＮ型半導体層、長波長の入射光の放射エネルギー
を吸収するＮ型半導体層を挾みこむことにより光電変換
効率を高め、またＮ型半導体層の形成過程では、形成さ
れる半導体層の厚さに関連して半導体層を形成させる混
合ガスの濃度比を平均的に増加又は減少させて広い波長
範囲の入射光の放射エネルギーを吸収させることにより
光電変換効率を一段と高め得る光起電力素子及びその製
造方法を提案するものである。
層との間に、短波長の入射光の放射エネルギーを吸収す
るＮ型半導体層、中波長の入射光の放射エネルギーを吸
収するＮ型半導体層、長波長の入射光の放射エネルギー
を吸収するＮ型半導体層を挾みこむことにより光電変換
効率を高め、またＮ型半導体層の形成過程では、形成さ
れる半導体層の厚さに関連して半導体層を形成させる混
合ガスの濃度比を平均的に増加又は減少させて広い波長
範囲の入射光の放射エネルギーを吸収させることにより
光電変換効率を一段と高め得る光起電力素子及びその製
造方法を提案するものである。
以下、図示の実施例を参照して本発明の詳細な説明する
。
。
第２図は本発明の光起電力素子（太陽電池）の描成図で
あって、１０はステンレススチールからなる基板、Ｐは
基板１０の表面に積層して形成したＰ型半導体層である
。このＰ型土導体層Ｐの表面には長波長の入射光の放射
エネルギーを吸収するＮ型半導体層Ｉ３が形成されてお
り、このＮ型半導体層１３の表面には中波長の入射光の
放射エネルギーを吸収するＮ型半導体層Ｉ２が形成され
ている。またＮ型半導体層Ｉ２の表面には短波長の入射
光の放射エネルギーを吸収するＮ型半導体層１１を形成
しており、更にこのＮ型半導体層１．の表面にはＮ型土
導体層Ｎが形成されている。更にまた、Ｎ型土導体層Ｎ
の表面には透明導電膜１１が形成されている。１２は透
明導電膜１１に電気的に接続した電極であって、これら
により光起電力素子が構成されて □いる。
あって、１０はステンレススチールからなる基板、Ｐは
基板１０の表面に積層して形成したＰ型半導体層である
。このＰ型土導体層Ｐの表面には長波長の入射光の放射
エネルギーを吸収するＮ型半導体層Ｉ３が形成されてお
り、このＮ型半導体層１３の表面には中波長の入射光の
放射エネルギーを吸収するＮ型半導体層Ｉ２が形成され
ている。またＮ型半導体層Ｉ２の表面には短波長の入射
光の放射エネルギーを吸収するＮ型半導体層１１を形成
しており、更にこのＮ型半導体層１．の表面にはＮ型土
導体層Ｎが形成されている。更にまた、Ｎ型土導体層Ｎ
の表面には透明導電膜１１が形成されている。１２は透
明導電膜１１に電気的に接続した電極であって、これら
により光起電力素子が構成されて □いる。
前述した機能を有するＮ型半導体層Ｎ、Ｉ型半導体層４
’＋ 、’２ 、’ｓ 及Ｕ Ｐ ’Ｍ 半導体Ｂ
Ｐ ハ、ＣＶＤ （ＣｈｃｎｕｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）グロー放電法により形成することが
できる。以下にその光起電力素子の製造方法を説明する
。
’＋ 、’２ 、’ｓ 及Ｕ Ｐ ’Ｍ 半導体Ｂ
Ｐ ハ、ＣＶＤ （ＣｈｃｎｕｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）グロー放電法により形成することが
できる。以下にその光起電力素子の製造方法を説明する
。
先ず、基板１０を図示しない真空容器内の対向する放電
電極の間に配置し、真空容器内にシランガス（Ｓｉｎ（
、）とジボランガス（Ｂ２ Ｈ６）との混合ガスを供給
して前記放電電極に高周波電圧を印加して混合ガスをグ
ロー放電させる。このグロー放電により基板１０上にＰ
型土導体層Ｐを形成させる。続いて今まで供給していた
混合ガスを排出し、新らたにシランガス（Ｓ ｒ Ｈ４
）とゲルマンガス（ＧｅＨ４）、又はシランガス（Ｓｉ
Ｈ４）とスタナーガス（Ｓ ｎＨ４）との混合ガスを供
給してグロー放電させて、Ｐ型この場合、混合ガスとし
てシランガス（ＳｉＩ（４）トゲルマンガス（ＧｅＨ４
）とを用いる場合には、横軸を混合ガス濃度比、縦軸を
半導体層の厚さで示した第３図（ａ）の如くＮ型半導体
層Ｉ３を形成する過程で、半導体層の厚さが７．０ＯＯ
Ａ に達するまで、シランガス（ＳｉＨ４）に対するゲ
ルマンガス（Ｇｃｌ−１４）の濃度比を９５％から０％
まで平均的に直線Ｉ！、の如く減少させてＮ型半導体層
Ｉ３を形成させる。このように混合ガスの濃度比を変化
させて形成したＮ型半導体層Ｉ３は、長波長の入射光と
、長波長に隣接した中波長一部を含む波長範囲の入射光
の散剤エネルギーを良好に吸収させることができる。
電極の間に配置し、真空容器内にシランガス（Ｓｉｎ（
、）とジボランガス（Ｂ２ Ｈ６）との混合ガスを供給
して前記放電電極に高周波電圧を印加して混合ガスをグ
ロー放電させる。このグロー放電により基板１０上にＰ
型土導体層Ｐを形成させる。続いて今まで供給していた
混合ガスを排出し、新らたにシランガス（Ｓ ｒ Ｈ４
）とゲルマンガス（ＧｅＨ４）、又はシランガス（Ｓｉ
Ｈ４）とスタナーガス（Ｓ ｎＨ４）との混合ガスを供
給してグロー放電させて、Ｐ型この場合、混合ガスとし
てシランガス（ＳｉＩ（４）トゲルマンガス（ＧｅＨ４
）とを用いる場合には、横軸を混合ガス濃度比、縦軸を
半導体層の厚さで示した第３図（ａ）の如くＮ型半導体
層Ｉ３を形成する過程で、半導体層の厚さが７．０ＯＯ
Ａ に達するまで、シランガス（ＳｉＨ４）に対するゲ
ルマンガス（Ｇｃｌ−１４）の濃度比を９５％から０％
まで平均的に直線Ｉ！、の如く減少させてＮ型半導体層
Ｉ３を形成させる。このように混合ガスの濃度比を変化
させて形成したＮ型半導体層Ｉ３は、長波長の入射光と
、長波長に隣接した中波長一部を含む波長範囲の入射光
の散剤エネルギーを良好に吸収させることができる。
このＮ型半導体層■３を形成させた後、Ｎ型半導体層Ｉ
３を形成するために供給していた混合ガスを排出して、
シランガス（ＳｉＨ４）の単独ガスを供給して、このガ
スをグロー放電させることによりＮ型半導体層の表面に
中波長の入射光の放射エネルギーを良く吸収するＮ型半
導体層Ｉ２を形成させる。
３を形成するために供給していた混合ガスを排出して、
シランガス（ＳｉＨ４）の単独ガスを供給して、このガ
スをグロー放電させることによりＮ型半導体層の表面に
中波長の入射光の放射エネルギーを良く吸収するＮ型半
導体層Ｉ２を形成させる。
その後、今まで供給していた混合ガスを排出した後、シ
ランガス（ＳｉＩ（４）にメタンガス（ＣＨ４）、又は
シランガス（Ｓ ｉＨ＜ ）にアンモニアガス（Ｎｌ−
１３）を加えた混合ガスを供給してこれをグロー放電さ
せ、Ｎ型半導体層Ｉ２の表面に短波長の入射光の放射エ
ネルギーを良く吸収するＩ型半導体層■１を形成させる
。この場合、混合ガスとしてシランガス（Ｓｉ”’＜）
トメタンガス（ＣＩ−１４）とを用いる場合には、横軸
を混合ガス濃度比、縦軸を半導体の厚さて示した第３図
（ｂｌの如く■型半導体層■１を形成する過程で、半導
体層の厚さが７００人に達するまで、シランカス（Ｓｉ
ｌ−Ｉ４）に対するメタンガス（ＣＩ−Ｉ、）の濃度比
を０％から７５％まで平均的に直線１２に示す如く増加
させて■型半導体層■１を形成させる。このように混合
ガスの濃度比を増加させて形成したＩ型半導体層■３は
、短波長の入射光と短波長に隣接した中波長の一部を含
む波長範囲の入射光の放射エネルギーを良好に吸収させ
ることができる。更にこのｌ型半導体層１１を形成させ
た後、今まで供給していた混合ガスを排出して、シラン
ガス（ＳｉＩＩ４）とメタンガス（Ｃ１（４）とホスフ
ィンガス（１’１−Ｉ３）とを加えた混合ガスを供給し
てグロー放電させ、ｌ型半導体層１１の表面にＮ型半導
体層Ｎを形成させる。最後にこれらの半導体層が積層さ
れた基板１０を真空容器から取り出して図示しない別の
電子ビーム蒸着装置に収容し、そして電子ビームにより
インジュームと錫との混合物を、基板１０Ｊ二に積層し
た最外側のＮ型半導体層Ｎの表面に蒸着させて透明電極
１１を形成させる。その後に適宜手段で電極１２を設け
て本発明に係る光起電力素子を得る。
ランガス（ＳｉＩ（４）にメタンガス（ＣＨ４）、又は
シランガス（Ｓ ｉＨ＜ ）にアンモニアガス（Ｎｌ−
１３）を加えた混合ガスを供給してこれをグロー放電さ
せ、Ｎ型半導体層Ｉ２の表面に短波長の入射光の放射エ
ネルギーを良く吸収するＩ型半導体層■１を形成させる
。この場合、混合ガスとしてシランガス（Ｓｉ”’＜）
トメタンガス（ＣＩ−１４）とを用いる場合には、横軸
を混合ガス濃度比、縦軸を半導体の厚さて示した第３図
（ｂｌの如く■型半導体層■１を形成する過程で、半導
体層の厚さが７００人に達するまで、シランカス（Ｓｉ
ｌ−Ｉ４）に対するメタンガス（ＣＩ−Ｉ、）の濃度比
を０％から７５％まで平均的に直線１２に示す如く増加
させて■型半導体層■１を形成させる。このように混合
ガスの濃度比を増加させて形成したＩ型半導体層■３は
、短波長の入射光と短波長に隣接した中波長の一部を含
む波長範囲の入射光の放射エネルギーを良好に吸収させ
ることができる。更にこのｌ型半導体層１１を形成させ
た後、今まで供給していた混合ガスを排出して、シラン
ガス（ＳｉＩＩ４）とメタンガス（Ｃ１（４）とホスフ
ィンガス（１’１−Ｉ３）とを加えた混合ガスを供給し
てグロー放電させ、ｌ型半導体層１１の表面にＮ型半導
体層Ｎを形成させる。最後にこれらの半導体層が積層さ
れた基板１０を真空容器から取り出して図示しない別の
電子ビーム蒸着装置に収容し、そして電子ビームにより
インジュームと錫との混合物を、基板１０Ｊ二に積層し
た最外側のＮ型半導体層Ｎの表面に蒸着させて透明電極
１１を形成させる。その後に適宜手段で電極１２を設け
て本発明に係る光起電力素子を得る。
このように構成された光起電力素子は、透明導電膜１１
側から太陽光線等の光を入射させることにに到達する。
側から太陽光線等の光を入射させることにに到達する。
この光線の通過時にＩ型半導体層■１は短波長と短波長
に隣接した中波長の一部を含む波長範囲の入射光の放射
エネルギーを最も良く吸収し、ｌ型半導体層１２は中波
長の入射光の放射エネルギーを最も良く吸収する。また
ｌ型半導体層１３は長波長と長波長に隣接した中波長の
一部を含む波長範囲の入射光の放射エネルギーを最も良
く吸収する。そのため第４図に示すように、■型半導体
農工□と１２とて得られる放射エネルギー吸収量 １性
曲線ＩＡとＩＢにより形成される谷部Ｖ、の減衰特性は
、前記混合ガスの濃度比を変化させたことにより放射エ
ネルギーの吸収量が高められて、谷部■１は点線て示す
曲線Ｘの如くレベルアップされる。
に隣接した中波長の一部を含む波長範囲の入射光の放射
エネルギーを最も良く吸収し、ｌ型半導体層１２は中波
長の入射光の放射エネルギーを最も良く吸収する。また
ｌ型半導体層１３は長波長と長波長に隣接した中波長の
一部を含む波長範囲の入射光の放射エネルギーを最も良
く吸収する。そのため第４図に示すように、■型半導体
農工□と１２とて得られる放射エネルギー吸収量 １性
曲線ＩＡとＩＢにより形成される谷部Ｖ、の減衰特性は
、前記混合ガスの濃度比を変化させたことにより放射エ
ネルギーの吸収量が高められて、谷部■１は点線て示す
曲線Ｘの如くレベルアップされる。
またＩ型半導体層Ｉ２と工。とで得られる放射エネルギ
ーの吸収特性曲線１１３とＩＧとにより形成される谷部
■２の減衰特性は、前記混合ガスの濃度比を変化させた
ことにより放射エネルギーの吸収量か高められて谷部■
２は点線で示す曲線Ｙの如くレベルアップされる。それ
故、入射光は短波長の範囲から長波長の範囲にわたり第
５図に示すような略一定した放射エネルギー吸収特性と
なる。従って、入射光から多量の放射エネルギーを無駄
な（吸収して光電変換効率の高い光起電力素子か得られ
る。
ーの吸収特性曲線１１３とＩＧとにより形成される谷部
■２の減衰特性は、前記混合ガスの濃度比を変化させた
ことにより放射エネルギーの吸収量か高められて谷部■
２は点線で示す曲線Ｙの如くレベルアップされる。それ
故、入射光は短波長の範囲から長波長の範囲にわたり第
５図に示すような略一定した放射エネルギー吸収特性と
なる。従って、入射光から多量の放射エネルギーを無駄
な（吸収して光電変換効率の高い光起電力素子か得られ
る。
また、本発明の光起電力素子は、Ｐ型半導体層ＰとＮ型
半導体層Ｎとの接合部Ｊが存在しないので、それらの半
導体層の接合部による素子内部での電力損失は生じない
。また入射光は積層された■型半導体層■Ｉ＋Ｉ２．■
３により、入射光の短波長から長波長にわたる広い波長
範囲を略一定した放射エネルギー量を得て光電変換効率
を一段と上昇させることができる。
半導体層Ｎとの接合部Ｊが存在しないので、それらの半
導体層の接合部による素子内部での電力損失は生じない
。また入射光は積層された■型半導体層■Ｉ＋Ｉ２．■
３により、入射光の短波長から長波長にわたる広い波長
範囲を略一定した放射エネルギー量を得て光電変換効率
を一段と上昇させることができる。
なお本実施例では基板１０にステンレススチールを用い
たが、第６図に示すようにガラス板Ｇを使用することも
できる。ガラス板Ｇを基板１０とした場合には積層した
Ｉ型半導体層Ｉ、 、 Ｉ２． Ｉ３の光入射側にガラ
ス板Ｇ、透明導電膜１１及びＰ型半導体層Ｐを形成して
光入射側と反対側にＮ型半導体層Ｎ及び金属（電極）Ｍ
を設けれはよい。一方、混合ガスの濃度比は直線状で増
加又は減少させても良く、あるいは階段状で増加又は減
少させてもよい。更には直線状又は階段状で増加又は減
少させる途中で一時的に停滞する状態があってもよく、
これらのような平均的増加又は減少の場合はいずれも同
様の効果を得ることができる。
たが、第６図に示すようにガラス板Ｇを使用することも
できる。ガラス板Ｇを基板１０とした場合には積層した
Ｉ型半導体層Ｉ、 、 Ｉ２． Ｉ３の光入射側にガラ
ス板Ｇ、透明導電膜１１及びＰ型半導体層Ｐを形成して
光入射側と反対側にＮ型半導体層Ｎ及び金属（電極）Ｍ
を設けれはよい。一方、混合ガスの濃度比は直線状で増
加又は減少させても良く、あるいは階段状で増加又は減
少させてもよい。更には直線状又は階段状で増加又は減
少させる途中で一時的に停滞する状態があってもよく、
これらのような平均的増加又は減少の場合はいずれも同
様の効果を得ることができる。
以上詳述したように、本発明の光起電力素子には、Ｐ型
半導体層とＮ型半導体層の接合部か存在しないので、そ
の接合部による素子内部での電力損失は生じない。また
■型半導体層は、夫々か異なる波長の入射光の放射エネ
ルギーを吸収する複数のＩ型半導体層が積層されたもの
からなっているので、短波長から長波長にわたる広い波
長範囲の入射光の放射エネルギーを略一定して吸収する
ことができ、光電変換効率が高い高出力の光起電力素子
を提供できる。また本発明の光起電力素子の製造方法に
よれば、Ｉ型半導体層を形成する過程で、形成される半
導体層の厚さに追随して混合ガスの濃度比を平均的に増
加又は減少させることにより、放射エネルギーの吸収量
を大幅に増加させることができ、製造設備に大きな変更
を加えず、且つ簡単なガス量の操作により達成が可能と
なり、経済的に光起電力素子の光電変換効率を向上させ
ることができる等、産業上の利益は大きい。
半導体層とＮ型半導体層の接合部か存在しないので、そ
の接合部による素子内部での電力損失は生じない。また
■型半導体層は、夫々か異なる波長の入射光の放射エネ
ルギーを吸収する複数のＩ型半導体層が積層されたもの
からなっているので、短波長から長波長にわたる広い波
長範囲の入射光の放射エネルギーを略一定して吸収する
ことができ、光電変換効率が高い高出力の光起電力素子
を提供できる。また本発明の光起電力素子の製造方法に
よれば、Ｉ型半導体層を形成する過程で、形成される半
導体層の厚さに追随して混合ガスの濃度比を平均的に増
加又は減少させることにより、放射エネルギーの吸収量
を大幅に増加させることができ、製造設備に大きな変更
を加えず、且つ簡単なガス量の操作により達成が可能と
なり、経済的に光起電力素子の光電変換効率を向上させ
ることができる等、産業上の利益は大きい。
第１図は従来の光起電力素子の断面構造図、第２図は本
発明に係る光起電力素子の断面構造図、第３図はＩ型半
導体層形成時の半導体層厚さと混合ガスの濃度比の関係
を示す特性図、第４図は本発明の光起電力素子の各Ｉ型
半導体層の放射エネルギー吸収特性曲線図、第５図はＩ
型半導体層の放射エネルギー総合吸収特性図、第６図は
本発明に係る光起電力素子の他の実施例を示した断面構
造図である。 １０・・・基板（ステンレス反チール）１１・・・透明
導電膜 １２・・・電極 Ｐ・・・Ｐ型半導体層 ｉ、
・・・短波長の入射光の放射エネルギーを吸収するＩｙ
！１半容体層、■２・・中波長の入射光の放射エネルギ
ーを吸収する■型半導体層 ■、・・・長波長の入射光の放射エネルギーを吸収する
■型半導体層 Ｎ・・・Ｎ型半導体層 Ｊ・・・Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合部代理人
弁理士 中 井 宏 第２図 第１図 第８図 第８図 六佑倣１皮カー〆り！ｘ噌ＯＯ シラン力λ令メタ）吠Ｃ入 第４図 一抵長Ｎ杭り液長 上疫長− １（
発明に係る光起電力素子の断面構造図、第３図はＩ型半
導体層形成時の半導体層厚さと混合ガスの濃度比の関係
を示す特性図、第４図は本発明の光起電力素子の各Ｉ型
半導体層の放射エネルギー吸収特性曲線図、第５図はＩ
型半導体層の放射エネルギー総合吸収特性図、第６図は
本発明に係る光起電力素子の他の実施例を示した断面構
造図である。 １０・・・基板（ステンレス反チール）１１・・・透明
導電膜 １２・・・電極 Ｐ・・・Ｐ型半導体層 ｉ、
・・・短波長の入射光の放射エネルギーを吸収するＩｙ
！１半容体層、■２・・中波長の入射光の放射エネルギ
ーを吸収する■型半導体層 ■、・・・長波長の入射光の放射エネルギーを吸収する
■型半導体層 Ｎ・・・Ｎ型半導体層 Ｊ・・・Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合部代理人
弁理士 中 井 宏 第２図 第１図 第８図 第８図 六佑倣１皮カー〆り！ｘ噌ＯＯ シラン力λ令メタ）吠Ｃ入 第４図 一抵長Ｎ杭り液長 上疫長− １（
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｎ型又はＰ型層の第１の半導体層上に異なる波長の
光を吸収する複数のＮ型半導体層を順次に積層し、さら
に積層した最終Ｎ型半導体層上に、前記第１の半導体層
と異なるＰ型又はＮ型層の第２の半導体層を積層した光
起電力素子。 ２、 プラズマＣＶＤ法により形成されて、Ｎ型半導体
層とＰ型半導体層との間に夫々が異なる波長の光を吸収
する複数のＮ型半導体層を積層させてなる光起電力素子
の製造方法において、前記Ｎ型半導体層は該半導体層を
形成する過程で、シランガスとゲルマンガスとを用いる
場合は形成される半導体層の厚さが７００ＯＡ までゲ
ルマンガスの濃度比を９５％から０％まで平均的に減少
させ、またシランガスとメタンガスとからなる混合ガス
を用いる場合は、形成される半導体層の厚さが７０ｏ久
まてメタンガスの濃度比を０％から７５％まで平均的に
増加させる光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154446A JPS6046078A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154446A JPS6046078A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046078A true JPS6046078A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15584383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154446A Pending JPS6046078A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195770U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100486A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58154446A patent/JPS6046078A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100486A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195770U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 |
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