JPS6046162B2 - メツキ用横型連続鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置 - Google Patents
メツキ用横型連続鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS6046162B2 JPS6046162B2 JP52069178A JP6917877A JPS6046162B2 JP S6046162 B2 JPS6046162 B2 JP S6046162B2 JP 52069178 A JP52069178 A JP 52069178A JP 6917877 A JP6917877 A JP 6917877A JP S6046162 B2 JPS6046162 B2 JP S6046162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atmospheric gas
- zone
- furnace
- plating
- horizontal continuous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coating With Molten Metal (AREA)
- Heat Treatment Of Strip Materials And Filament Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属ストリップに溶融亜鉛やアルミ等のメッ
キを施す場合の前工程として設置する横型連続焼鈍炉の
雰囲気ガス供給方法およびその装置に関すものである。
キを施す場合の前工程として設置する横型連続焼鈍炉の
雰囲気ガス供給方法およびその装置に関すものである。
一般に、圧延された金属ストリップのメッキ前の熱処
理を行なう設備としては、例えば、第1図に示すように
、予熱帯1、加熱帯2、加熱均熱帯3、第1徐冷帯4、
第1急冷帯5、第2徐冷帯6および第2急冷帯7の順に
配置された横型連続焼鈍炉Tが用いられている。 そし
て、金属ストリップのメッキ層の密着性を向上させるた
めに、H2とN2とからなる雰囲気ガスをスナウト8お
よび必要帯域へ供給し、全体として材料の流れとは逆方
向に各帯域へ流し、金属ストリップWの表面を還元する
ようになつている。
理を行なう設備としては、例えば、第1図に示すように
、予熱帯1、加熱帯2、加熱均熱帯3、第1徐冷帯4、
第1急冷帯5、第2徐冷帯6および第2急冷帯7の順に
配置された横型連続焼鈍炉Tが用いられている。 そし
て、金属ストリップのメッキ層の密着性を向上させるた
めに、H2とN2とからなる雰囲気ガスをスナウト8お
よび必要帯域へ供給し、全体として材料の流れとは逆方
向に各帯域へ流し、金属ストリップWの表面を還元する
ようになつている。
ところで、従来、上記金属ストリップ表面を十分に還
元するために、1雰囲気中のH2濃度を増加したり、2
雰囲気ガス量を増加したり、3還元処理時間を長くする
方法が採用されている。
元するために、1雰囲気中のH2濃度を増加したり、2
雰囲気ガス量を増加したり、3還元処理時間を長くする
方法が採用されている。
しかしながら、1、2の方法では高価なルを多量に使
用するので経済的でなく、また、3の方法では炉長を長
くする必要があると云う欠点を有している。 また、特
に横型連続焼鈍炉においては、例えば1300Tnm巾
のストリップを処理する場合、雰囲気ガスの流量は、一
般に150〜300Nゴ/ hrの範囲内で増減させて
、処理を行つている。
用するので経済的でなく、また、3の方法では炉長を長
くする必要があると云う欠点を有している。 また、特
に横型連続焼鈍炉においては、例えば1300Tnm巾
のストリップを処理する場合、雰囲気ガスの流量は、一
般に150〜300Nゴ/ hrの範囲内で増減させて
、処理を行つている。
そして、こときの炉内雰囲気ガスの流速を求めてみると
、0.04〜0.08Nm/secとなつている。この
結果、横型連続焼鈍炉では、炉内ガスの流速が低いため
に、H2とN2とのガス密度の差により熱浮力の差が生
じ、Hoは炉内の上部へ、またNoは炉内の下部へと2
層分離される傾向にあり、ストリップの上・下面でのH
2による還元力に差がつくばかりでなく、炉内雰囲気ガ
スの攪拌効果が全くないために、ストリップの還元に消
費されたHoを補充する作用がないので、雰囲気ガスの
還元力が大巾に低下し、充分な還元を得ることができな
い。さらに悪いことには横型連続焼鈍炉には、ストリッ
プを搬送するためのハースロールが1500T!Rm〜
250―ピッチで配置されているので、ストリップ下面
での雰囲気ガスの流れが阻害され、ストリップと雰囲気
ガスとの接触をより悪くするため、ストリップの下面と
上面の還元差を助長させる結果となり、メッキの際に良
好なメッキの密着性が保持出来なくなる。このために実
炉の横型連続焼鈍炉では堅型連続焼鈍炉におけるH2濃
度(5〜8%)の2倍以上の濃度(15〜20%)を有
する雰囲気ガスを使用しているのが現状である。また、
種5々の実験の結果、横型連続焼鈍炉においても、炉内
雰囲気ガスの流速を0.2Nm/Sec以上に維持すれ
ば、堅型連続焼鈍炉と同一のH2濃度(5〜8%)でス
トリップの上・下面の還元差が解消し、良好なメッキの
密着性が得られた。しかしながら、雰囲気ガスの流速を
0.04〜0.08Nm/Secから0.2Nm/Se
c以上に増速することは炉内の雰囲気ガス供給流量を、
約3〜5倍にしなければならないので、経済的でない。
本発明は上記従来の欠点を除去するためになされたもの
である。
、0.04〜0.08Nm/secとなつている。この
結果、横型連続焼鈍炉では、炉内ガスの流速が低いため
に、H2とN2とのガス密度の差により熱浮力の差が生
じ、Hoは炉内の上部へ、またNoは炉内の下部へと2
層分離される傾向にあり、ストリップの上・下面でのH
2による還元力に差がつくばかりでなく、炉内雰囲気ガ
スの攪拌効果が全くないために、ストリップの還元に消
費されたHoを補充する作用がないので、雰囲気ガスの
還元力が大巾に低下し、充分な還元を得ることができな
い。さらに悪いことには横型連続焼鈍炉には、ストリッ
プを搬送するためのハースロールが1500T!Rm〜
250―ピッチで配置されているので、ストリップ下面
での雰囲気ガスの流れが阻害され、ストリップと雰囲気
ガスとの接触をより悪くするため、ストリップの下面と
上面の還元差を助長させる結果となり、メッキの際に良
好なメッキの密着性が保持出来なくなる。このために実
炉の横型連続焼鈍炉では堅型連続焼鈍炉におけるH2濃
度(5〜8%)の2倍以上の濃度(15〜20%)を有
する雰囲気ガスを使用しているのが現状である。また、
種5々の実験の結果、横型連続焼鈍炉においても、炉内
雰囲気ガスの流速を0.2Nm/Sec以上に維持すれ
ば、堅型連続焼鈍炉と同一のH2濃度(5〜8%)でス
トリップの上・下面の還元差が解消し、良好なメッキの
密着性が得られた。しかしながら、雰囲気ガスの流速を
0.04〜0.08Nm/Secから0.2Nm/Se
c以上に増速することは炉内の雰囲気ガス供給流量を、
約3〜5倍にしなければならないので、経済的でない。
本発明は上記従来の欠点を除去するためになされたもの
である。
すなわち、上記横型連続焼鈍炉の所定帯域の雰囲気ガス
通路にバイパス通路を設け、通過した雰囲気ガスの一部
を強制還流させて、炉内に供給する雰囲気ガスを増加さ
せることなく所定帯域の通過雰囲気ガスの流速を増加さ
せるとともに、循環作用によつて雰囲気ガスを攪拌して
均一濃度とするため、H2濃度の低い雰囲気.ガスでし
かも、供給雰囲気ガスを増加させることなく金属ストリ
ップを十分に還元させることのできるメッキ用横型連続
焼鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置を提
供するものである。つぎに、本発明方法を添付図面にし
たがつて説.明する。第2図は横型連続焼鈍炉における
第2徐冷帯6にバイパス通路を設けたものの装入側断面
図である。
通路にバイパス通路を設け、通過した雰囲気ガスの一部
を強制還流させて、炉内に供給する雰囲気ガスを増加さ
せることなく所定帯域の通過雰囲気ガスの流速を増加さ
せるとともに、循環作用によつて雰囲気ガスを攪拌して
均一濃度とするため、H2濃度の低い雰囲気.ガスでし
かも、供給雰囲気ガスを増加させることなく金属ストリ
ップを十分に還元させることのできるメッキ用横型連続
焼鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置を提
供するものである。つぎに、本発明方法を添付図面にし
たがつて説.明する。第2図は横型連続焼鈍炉における
第2徐冷帯6にバイパス通路を設けたものの装入側断面
図である。
すなわち、ハースロール9の下方に耐熱性仕切・壁10
を設けて金属ストリップ搬送路(雰囲気ガス通路)11
と雰囲気ガスバイパス通路12とに区画し、このバイパ
ス通路12の装入側には循環手段として例えばモータ1
3により駆動される吸引ファン14が設置されている。
を設けて金属ストリップ搬送路(雰囲気ガス通路)11
と雰囲気ガスバイパス通路12とに区画し、このバイパ
ス通路12の装入側には循環手段として例えばモータ1
3により駆動される吸引ファン14が設置されている。
そして、この吸引ファン14により仕切壁10に設けた
吸引口15から雰囲気ガス通路11を流れる雰囲気ガス
の一部を吸引してバイパス通路12に送り込み、上記吸
引口15と同様、仕切壁10の炉抽出側に設けた吐出口
16から強制的に雰囲気ガス通路11内に吐出するもの
である。このように、雰囲気ガス通路11には、スナウ
ト8から供給される新しい雰囲気ガスと、一旦通”過し
た雰囲気ガスの一部とが混合して流れるため、雰囲気ガ
ス供給量を増加したのと同一効果を奏する。
吸引口15から雰囲気ガス通路11を流れる雰囲気ガス
の一部を吸引してバイパス通路12に送り込み、上記吸
引口15と同様、仕切壁10の炉抽出側に設けた吐出口
16から強制的に雰囲気ガス通路11内に吐出するもの
である。このように、雰囲気ガス通路11には、スナウ
ト8から供給される新しい雰囲気ガスと、一旦通”過し
た雰囲気ガスの一部とが混合して流れるため、雰囲気ガ
ス供給量を増加したのと同一効果を奏する。
いま、仮に607ポ/Min×1.5KWモータのファ
ンを設置して、炉内の雰囲気ガスを炉長方向に再循環さ
せると、炉内温度が600゛Cの場合1200Nd/H
rの雰囲気ガス流量となり、炉内雰囲気ガスの流速は、
一挙に5〜9倍に増加することになる。しかも循環ガス
はバイパス通路12の吐出口16から雰囲気ガス通路1
1に吐出するため、ここで攪拌効果が生じ、炉内におい
てのH2濃度は均一化される。したがつて、従来の横型
連続焼鈍炉において使用していた雰囲気ガスよりH2濃
度が低くても実質的に雰囲気ガス通路11には従来のガ
ス量より多量の雰囲気ガスが供給させるため雰囲気ガス
の供給量を増加せることなく、しかも低水素濃度にて金
属ストリップWを十分に還元することができる。雰囲気
ガスの循環方法は上記のものに限ることなく、仕切壁1
0をハースロール9の上方に設けてバイパス通路12を
炉上部に設けたり、仕切壁10で炉内にバイパス通路1
2を形成することなく、ダクトで形成してもよいことは
勿論である。
ンを設置して、炉内の雰囲気ガスを炉長方向に再循環さ
せると、炉内温度が600゛Cの場合1200Nd/H
rの雰囲気ガス流量となり、炉内雰囲気ガスの流速は、
一挙に5〜9倍に増加することになる。しかも循環ガス
はバイパス通路12の吐出口16から雰囲気ガス通路1
1に吐出するため、ここで攪拌効果が生じ、炉内におい
てのH2濃度は均一化される。したがつて、従来の横型
連続焼鈍炉において使用していた雰囲気ガスよりH2濃
度が低くても実質的に雰囲気ガス通路11には従来のガ
ス量より多量の雰囲気ガスが供給させるため雰囲気ガス
の供給量を増加せることなく、しかも低水素濃度にて金
属ストリップWを十分に還元することができる。雰囲気
ガスの循環方法は上記のものに限ることなく、仕切壁1
0をハースロール9の上方に設けてバイパス通路12を
炉上部に設けたり、仕切壁10で炉内にバイパス通路1
2を形成することなく、ダクトで形成してもよいことは
勿論である。
また、循環雰囲気ガスの吐出による攪拌効果を十分に上
げるために、バイパス通路12の途中から循環雰囲気ガ
スの一部を炉内に吐出させてもよい。さらに、炉形式に
より炉内が非常に広い場合に循環ファンを炉巾方向に並
列に、また、炉長が非常に長い場合には、循環ファンを
炉長方向の適位置に配置してもよい。
げるために、バイパス通路12の途中から循環雰囲気ガ
スの一部を炉内に吐出させてもよい。さらに、炉形式に
より炉内が非常に広い場合に循環ファンを炉巾方向に並
列に、また、炉長が非常に長い場合には、循環ファンを
炉長方向の適位置に配置してもよい。
なお、上記説明ではバイパス通路12を第2徐冷帯6に
設けた場合について述べたが、加熱均熱帯3に設けても
よく、さらには両者に設けてもよいものである。以上の
説明で明らかなように、本発明によれば、金属ストリッ
プの還元を十分に行なう必要のある帯域にバイパス通路
を設けて、当該帯域を通過した雰囲気ガスの一部を循環
させるため、その帯域を通過する雰囲気ガス量を実質的
に増大することができる。
設けた場合について述べたが、加熱均熱帯3に設けても
よく、さらには両者に設けてもよいものである。以上の
説明で明らかなように、本発明によれば、金属ストリッ
プの還元を十分に行なう必要のある帯域にバイパス通路
を設けて、当該帯域を通過した雰囲気ガスの一部を循環
させるため、その帯域を通過する雰囲気ガス量を実質的
に増大することができる。
Lかも循環ガスはバイパス通路から雰囲気ガス通路に噴
出して新しい雰囲気ガスを攪拌して炉内H2濃度を均一
にするため、縦型連続焼鈍炉に使用するのと同−H2濃
度を有する雰囲気ガスであつても十分に金属ストリップ
を還元することができる。
出して新しい雰囲気ガスを攪拌して炉内H2濃度を均一
にするため、縦型連続焼鈍炉に使用するのと同−H2濃
度を有する雰囲気ガスであつても十分に金属ストリップ
を還元することができる。
第1図は本発明に使用する横型連続焼鈍炉の説明図て、
第2図は本発明を実施するための要部に関する断面図で
、第3図は雰囲気ガスの流れ状態を示す説明図である。
第2図は本発明を実施するための要部に関する断面図で
、第3図は雰囲気ガスの流れ状態を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 加熱帯、加熱均熱帯おび冷却帯を備え、炉内に還元
性雰囲気ガスを供給するメッキ用横型連続焼鈍炉におい
て、所定帯域の下流側から該帯域を通過した雰囲気ガス
の一部を循環手段を有するバイパス通路により前記所定
帯域の上流側に強制還流させて、当該帯域に流入する雰
囲気流れと合流させることを特徴とするメッキ用横型連
続焼鈍炉における雰囲気ガス供給方法。 2 加熱帯、加熱均熱帯および冷却帯を備え、炉内に還
元性雰囲気ガスを供給するメッキ用横型連続焼鈍炉にお
いて、所定帯域を炉長方向に仕切壁によつて区画し、下
流側と上流側とで材料搬送路に連通するバイパス通路を
形成し、該バイパス通路に循環手段を設けたことを特徴
とするメッキ用横型連続焼鈍炉における雰囲気ガス供給
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52069178A JPS6046162B2 (ja) | 1977-06-11 | 1977-06-11 | メツキ用横型連続鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52069178A JPS6046162B2 (ja) | 1977-06-11 | 1977-06-11 | メツキ用横型連続鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS544211A JPS544211A (en) | 1979-01-12 |
| JPS6046162B2 true JPS6046162B2 (ja) | 1985-10-15 |
Family
ID=13395196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52069178A Expired JPS6046162B2 (ja) | 1977-06-11 | 1977-06-11 | メツキ用横型連続鈍炉における雰囲気ガス供給方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046162B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511418Y2 (ja) * | 1971-02-01 | 1976-01-16 | ||
| JPS5198634A (en) * | 1975-02-27 | 1976-08-31 | Kohanno renzokuyojuaenmetsukini okeru maeshoryokangengasuno shoho |
-
1977
- 1977-06-11 JP JP52069178A patent/JPS6046162B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS544211A (en) | 1979-01-12 |
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