JPS6046373A - 蒸着材料ガス化装置 - Google Patents
蒸着材料ガス化装置Info
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- JPS6046373A JPS6046373A JP15352483A JP15352483A JPS6046373A JP S6046373 A JPS6046373 A JP S6046373A JP 15352483 A JP15352483 A JP 15352483A JP 15352483 A JP15352483 A JP 15352483A JP S6046373 A JPS6046373 A JP S6046373A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は蒸着材料ガス化装置に関する。
半導体素子を気相成長法等により製造する際においては
、その品質管理のため安定した濃度の蒸着材料の蒸発ガ
ス（なお、この明細書において蒸発とは昇華も含むもの
である。）を得ることが必要である。また、半導体素子
の製造方法のａｔ究や開発を行なう際においても、反応
炉の蒸発ガス濃度測定器の感度設定を行なうため、標準
ガスとして濃度の安定した蒸発ガスを得ることが必要で
ある。
、その品質管理のため安定した濃度の蒸着材料の蒸発ガ
ス（なお、この明細書において蒸発とは昇華も含むもの
である。）を得ることが必要である。また、半導体素子
の製造方法のａｔ究や開発を行なう際においても、反応
炉の蒸発ガス濃度測定器の感度設定を行なうため、標準
ガスとして濃度の安定した蒸発ガスを得ることが必要で
ある。
この発明は、上記の目的を達成するためになされｔ二も
のである。以下にこの発明を図面に示す実施例に基づい
て説明する。
のである。以下にこの発明を図面に示す実施例に基づい
て説明する。
温度により蒸発圧力が一義的に定まる公知の蒸着材料Ｗ
を入れる密閉容器（υは一対の左右半休（２）。
を入れる密閉容器（υは一対の左右半休（２）。
！３）よりなり、両者はボルト・ナツト１４）等の公知
の連結手段により結合・分離１在となされている。
の連結手段により結合・分離１在となされている。
左半休（２）には環状の加熱器（５）が設けられている
。
。
右手体（３，には出口（６）が形成され、この出口（６
（にキャピラリー（７ンを有する導出管（８）が接続さ
れている。
（にキャピラリー（７ンを有する導出管（８）が接続さ
れている。
まｔコ、右半休（３）の上部には透孔（す）が形成され
、この透孔（９）には、可撓性陥膜００が張設されると
共に、圧力検出器［＋］）が接続管（２）を介して接続
されている。
、この透孔（９）には、可撓性陥膜００が張設されると
共に、圧力検出器［＋］）が接続管（２）を介して接続
されている。
このような構成により、密閉谷２３ ＋１１内の蒸発ガ
スを逃すことなく、密閉容器（１）内の圧力を＋Ｊ撓性
隔１１ｚｕＱを介して圧力検出器ａ時に伝えることが出
来る。
スを逃すことなく、密閉容器（１）内の圧力を＋Ｊ撓性
隔１１ｚｕＱを介して圧力検出器ａ時に伝えることが出
来る。
密閉容器（１）の右半休（３）の下部にも透孔（Ｉｆが
あけられ、この透孔０３に接続管０（を介して真空ポン
プ（１５）が接続されている。
あけられ、この透孔０３に接続管０（を介して真空ポン
プ（１５）が接続されている。
前記導出管（８）の、キャピラリー（７）より下流側に
、希釈用ガス輸送管ｏｎが接続され、この輸送管Ｑ時の
端には希釈用ガスボンベＱ７）が接続されると共に、そ
の途中には流量制御弁α橢が介在されている。この流量
制御弁（へ）及び加熱器（５）は、圧力検出器（ｌυか
らの圧力変化に対応した信号により自動制御されるよう
になされている。換言すれば、密閉容器（１）の圧力が
設定値を外れると、設定圧力になるように加熱器；５）
の温度を変更し、蒸発ガスが一定濃度となるように希釈
用ガスの流量を変更するようになされている。なお、こ
のような自動制御機（１°Ｉ■は必ずしも必要なもので
はない。
、希釈用ガス輸送管ｏｎが接続され、この輸送管Ｑ時の
端には希釈用ガスボンベＱ７）が接続されると共に、そ
の途中には流量制御弁α橢が介在されている。この流量
制御弁（へ）及び加熱器（５）は、圧力検出器（ｌυか
らの圧力変化に対応した信号により自動制御されるよう
になされている。換言すれば、密閉容器（１）の圧力が
設定値を外れると、設定圧力になるように加熱器；５）
の温度を変更し、蒸発ガスが一定濃度となるように希釈
用ガスの流量を変更するようになされている。なお、こ
のような自動制御機（１°Ｉ■は必ずしも必要なもので
はない。
次に上記装置の使用方法について説明する。
まず、この装置を蒸着装置の一部として使用するときは
、導出管（８）に蒸着対象物を収めた反応炉を接続し、
他方標準ガス発生装置として使用するときは、導出管（
８）に感度を設定するべき蒸発ガス濃度測定器を接続す
る。
、導出管（８）に蒸着対象物を収めた反応炉を接続し、
他方標準ガス発生装置として使用するときは、導出管（
８）に感度を設定するべき蒸発ガス濃度測定器を接続す
る。
このような準備の後、密閉容器（１）内に、蒸着材料（
例えば五塩化モリブデン）を入れて、密閉容器（］）内
を真空ポンプｃｌｒｊにより真空とした後、本装置の主
スィッチを入れれば、加熱器（５）により密閉容器（１
）が加熱され蒸着材料の蒸発が開始され、蒸発ガスは、
密閉容器（１）内の圧力を自ら高めるため、その上昇し
た一定の圧力により、即ち加熱温度に応じて定まる一定
の圧力により、密閉容器（υ内を出て導出管（８）内に
至る。導出管（８）内の蒸発ガスは流量制御弁Ｑ樽によ
り蒸発ガスの圧力に応じた流量に制御された希釈用ガス
により希釈され、一定濃度の蒸発ガスとなって反応炉又
は蒸発ガス濃度測定器内に入り込むことになる。
例えば五塩化モリブデン）を入れて、密閉容器（］）内
を真空ポンプｃｌｒｊにより真空とした後、本装置の主
スィッチを入れれば、加熱器（５）により密閉容器（１
）が加熱され蒸着材料の蒸発が開始され、蒸発ガスは、
密閉容器（１）内の圧力を自ら高めるため、その上昇し
た一定の圧力により、即ち加熱温度に応じて定まる一定
の圧力により、密閉容器（υ内を出て導出管（８）内に
至る。導出管（８）内の蒸発ガスは流量制御弁Ｑ樽によ
り蒸発ガスの圧力に応じた流量に制御された希釈用ガス
により希釈され、一定濃度の蒸発ガスとなって反応炉又
は蒸発ガス濃度測定器内に入り込むことになる。
なお、必要に応じて導出管（８）等を保温又は加熱する
ことが望ましい。
ことが望ましい。
以上の次第でこの発明によれば、密閉容器（１）を真空
にして加熱し、蒸発ガスの自己圧力により蒸発ガスを流
出させるものであるから、加熱器（５）の温度を制御す
ることにより、蒸発ガスの流出量を一定に保つことが出
来、且つ６釈用ガスの流１１Ｙも流量制御弁Ｏ榎により
制御し一定に保つことが出来るの、で、究極的に希釈さ
れた蒸発ガスを一定濃度にすることが出来る。従って蒸
着装置の蒸発ガス発生装置や標準ガス発生装置として有
効に利用し得るものである。
にして加熱し、蒸発ガスの自己圧力により蒸発ガスを流
出させるものであるから、加熱器（５）の温度を制御す
ることにより、蒸発ガスの流出量を一定に保つことが出
来、且つ６釈用ガスの流１１Ｙも流量制御弁Ｏ榎により
制御し一定に保つことが出来るの、で、究極的に希釈さ
れた蒸発ガスを一定濃度にすることが出来る。従って蒸
着装置の蒸発ガス発生装置や標準ガス発生装置として有
効に利用し得るものである。
第１図はこの発明の実施例を示す系統図である。
！ｊ）・密閉容器、（５）・・・加熱器、（６）・−・
出口、＋ｇｊ−・導出管、ＯＳ・・・真空ポンプ、Ｃ７
１・・・希釈用ガスボンベ、０８・・流量制御弁、Ｗ・
・・蒸着材料特許出願人 株式会社 ヤナコ計測 代理人弁理士大西哲夫 第１図
出口、＋ｇｊ−・導出管、ＯＳ・・・真空ポンプ、Ｃ７
１・・・希釈用ガスボンベ、０８・・流量制御弁、Ｗ・
・・蒸着材料特許出願人 株式会社 ヤナコ計測 代理人弁理士大西哲夫 第１図
Claims (1)
- 蒸着材料（Ｗ）を入れる密閉容器１１）と、この密閉容
器（］）を加熱する加熱器（５）と、前記密閉容器（旧
こ接続された真空ポンプ０！９と、密閉容器（１）の出
口（６）に接続された導出管（８）と、この導出管（８
）に接続された希釈用ガスボンベＱ７）と、この８釈用
ガスの流量を調節する流量制御弁側とを有する蒸着材料
ガス化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15352483A JPS6046373A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 蒸着材料ガス化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15352483A JPS6046373A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 蒸着材料ガス化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046373A true JPS6046373A (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15564409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15352483A Pending JPS6046373A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 蒸着材料ガス化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987001614A1 (en) * | 1985-09-16 | 1987-03-26 | J.C. Schumacher Company | Vacuum vapor transport control |
| JPS63256833A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-24 | ライボルト・アクチエンゲゼルシヤフト | 蒸気又は液体又はこれら両者を満たされる系の漏れ検査方法及び装置 |
| EP1967610A1 (de) * | 2007-03-08 | 2008-09-10 | Schott AG | Fördereinrichtung für Precursor |
| WO2010106410A1 (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-23 | Applied Materials, Inc. | Evaporator, coating installation, and method for use thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53120686A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-21 | Hitachi Ltd | Forming method for thin film by gas phase reaction |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP15352483A patent/JPS6046373A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53120686A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-21 | Hitachi Ltd | Forming method for thin film by gas phase reaction |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987001614A1 (en) * | 1985-09-16 | 1987-03-26 | J.C. Schumacher Company | Vacuum vapor transport control |
| JPS63256833A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-24 | ライボルト・アクチエンゲゼルシヤフト | 蒸気又は液体又はこれら両者を満たされる系の漏れ検査方法及び装置 |
| EP1967610A1 (de) * | 2007-03-08 | 2008-09-10 | Schott AG | Fördereinrichtung für Precursor |
| WO2010106410A1 (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-23 | Applied Materials, Inc. | Evaporator, coating installation, and method for use thereof |
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