JPS6046556A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPS6046556A JPS6046556A JP58154644A JP15464483A JPS6046556A JP S6046556 A JPS6046556 A JP S6046556A JP 58154644 A JP58154644 A JP 58154644A JP 15464483 A JP15464483 A JP 15464483A JP S6046556 A JPS6046556 A JP S6046556A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造ゴー程において使用
されるフォト・マスクの製造方法、特にフォトマスクの
白欠陥部分の修正方法に関するものである。この白欠陥
とは、金属薄膜パターンが形成されるべき領域において
での金観薄膜が欠けていることであり、例えば第１図に
示すように、ガラス基板１上に「字状の金属薄膜パター
ン２が形成されている場合に、その金属薄膜パターン２
の存在すべき領域内において白欠陥部分３が存在してい
る。このような白欠陥部分３を有するフォトマスクは、
これを半導体集積回路の製造工程に使用した場合、集積
回路パターンに断線等を引き起こす原因になるため、そ
の白欠陥部分３を修正しなければならない。
されるフォト・マスクの製造方法、特にフォトマスクの
白欠陥部分の修正方法に関するものである。この白欠陥
とは、金属薄膜パターンが形成されるべき領域において
での金観薄膜が欠けていることであり、例えば第１図に
示すように、ガラス基板１上に「字状の金属薄膜パター
ン２が形成されている場合に、その金属薄膜パターン２
の存在すべき領域内において白欠陥部分３が存在してい
る。このような白欠陥部分３を有するフォトマスクは、
これを半導体集積回路の製造工程に使用した場合、集積
回路パターンに断線等を引き起こす原因になるため、そ
の白欠陥部分３を修正しなければならない。
このような白欠陥部分３を有するフォトマスクの修正方
法としては、第２図に示すような工程が提案されている
。すなわち、第２図（ａ＞において、金属薄膜パターン
２側のガラス基板１の主面」−と白欠陥部分３を含む金
ｍｌ膜パターン２上とにポジ型レジスト４を被覆し、同
図（ｂ）にお（Ｘて、ポジ型１ノジスト４側から露光機
（図示せず）のステージをセットし、露光マスク５のス
リットにＪ：つて、イのスリン１〜サイズを白欠陥部分
３の寸法よりも大ぎく、かつ金属薄膜パターン２の幅寸
法以下に開いて、例えば高圧水銀灯光で白欠陥部分３周
辺のレジスト部分８を部分的に露光する。
法としては、第２図に示すような工程が提案されている
。すなわち、第２図（ａ＞において、金属薄膜パターン
２側のガラス基板１の主面」−と白欠陥部分３を含む金
ｍｌ膜パターン２上とにポジ型レジスト４を被覆し、同
図（ｂ）にお（Ｘて、ポジ型１ノジスト４側から露光機
（図示せず）のステージをセットし、露光マスク５のス
リットにＪ：つて、イのスリン１〜サイズを白欠陥部分
３の寸法よりも大ぎく、かつ金属薄膜パターン２の幅寸
法以下に開いて、例えば高圧水銀灯光で白欠陥部分３周
辺のレジスト部分８を部分的に露光する。
次に、同図（Ｃ）において、現像液にＪ、り現像して、
前述したレジスト部分８を除去して、白欠陥部分３と１
ノジスト除去部分９を形成し、同図（ｄ ）において、
レジスト４側に金属薄膜１０を形成し、そして同図（０
）において、レジス］・剥離液によリレシスト４を剥Ｍ
？ｌることにより、レジスト４上の金ｆｆｌ ＃ ｌｓ
！ １０ Ｇ同時に剥離されて、前述した白欠陥部分３
とその周辺のレジスト除去部分９にそれぞれ金属薄膜部
分１１ど１２が付着しｔ、ｌ：：Ｉ：ま残る。
前述したレジスト部分８を除去して、白欠陥部分３と１
ノジスト除去部分９を形成し、同図（ｄ ）において、
レジスト４側に金属薄膜１０を形成し、そして同図（０
）において、レジス］・剥離液によリレシスト４を剥Ｍ
？ｌることにより、レジスト４上の金ｆｆｌ ＃ ｌｓ
！ １０ Ｇ同時に剥離されて、前述した白欠陥部分３
とその周辺のレジスト除去部分９にそれぞれ金属薄膜部
分１１ど１２が付着しｔ、ｌ：：Ｉ：ま残る。
ここで、金属薄膜部分１１は白欠陥部分３を修正したも
のであるが、金属ｎ膜部分１２は、白欠陥部分３周辺の
未欠陥部分である金属ｉｔｌ膜パターン２上に形成され
たーしのであることから、第２図（ｅ）に示づように断
面的に見て突出形状になっている。
のであるが、金属ｎ膜部分１２は、白欠陥部分３周辺の
未欠陥部分である金属ｉｔｌ膜パターン２上に形成され
たーしのであることから、第２図（ｅ）に示づように断
面的に見て突出形状になっている。
このような突出形成の金属薄膜部分１２は欠けや寸く、
再び白欠陥を起こすおそれがあり、欠けた金属薄膜はと
もすればガラス基板１上に乗り、黒欠陥部分（金属薄膜
パターンが形成されるべき領域以外に存在する金属ｎ膜
部分をいう。）を発生しがちであった。一方、この金属
薄膜部分１２を小さくづるには、前）！シた露光マスク
５のスリットサイズを限りなく白欠陥部分３の寸法に近
づ（づることが考えられるが、イのようなスリットサイ
ズの調整は煩雑であるばかりでなく、歩υ１り低下を招
きやすい。
再び白欠陥を起こすおそれがあり、欠けた金属薄膜はと
もすればガラス基板１上に乗り、黒欠陥部分（金属薄膜
パターンが形成されるべき領域以外に存在する金属ｎ膜
部分をいう。）を発生しがちであった。一方、この金属
薄膜部分１２を小さくづるには、前）！シた露光マスク
５のスリットサイズを限りなく白欠陥部分３の寸法に近
づ（づることが考えられるが、イのようなスリットサイ
ズの調整は煩雑であるばかりでなく、歩υ１り低下を招
きやすい。
本発明は、上記したような欠陥を除去ηるためになされ
たものであり、修正のための金ＲＦｙＪｌｉを形成済の
金属薄膜パターン−１−に残さず、白欠陥部分のみに形
成し、かつ容易に行うことができるフォトマスクの製造
方法を提供することを目的としている。
たものであり、修正のための金ＲＦｙＪｌｉを形成済の
金属薄膜パターン−１−に残さず、白欠陥部分のみに形
成し、かつ容易に行うことができるフォトマスクの製造
方法を提供することを目的としている。
このような目的を達成Ｊるため、本発明は、遮光性のガ
ラス基板の一方の主面上に遮光性の金属薄膜パターンを
所定形状に形成する１稈と、前記金属イ９膜パターンの
形成している以外の領域における前記ガラス基板の一方
の主面上と前記金属薄膜パターン上とにポジ型フォトレ
ジストを被覆する”ｒ稈と、前記ガラス基板の他方の主
面側から前記金属薄膜パターンに存在する白欠陥部分を
通して前記ポジ型−７４１−レジストの部分を露光する
Ｔ秤と、前記ポジ型フォトレジストの部分を現像しで除
去する工程と、前記ポジ型）Ａトレジストの被覆されて
いる面上と前記除去による前記ガラス４４板の露出部分
とに新たな遮光性の金属薄膜を形成（る１稈ど、前記ポ
ジ型）第１〜レジストを剥離するＴ稈とを必須構成とす
るフォトマスクの製造方法である。
ラス基板の一方の主面上に遮光性の金属薄膜パターンを
所定形状に形成する１稈と、前記金属イ９膜パターンの
形成している以外の領域における前記ガラス基板の一方
の主面上と前記金属薄膜パターン上とにポジ型フォトレ
ジストを被覆する”ｒ稈と、前記ガラス基板の他方の主
面側から前記金属薄膜パターンに存在する白欠陥部分を
通して前記ポジ型−７４１−レジストの部分を露光する
Ｔ秤と、前記ポジ型フォトレジストの部分を現像しで除
去する工程と、前記ポジ型）Ａトレジストの被覆されて
いる面上と前記除去による前記ガラス４４板の露出部分
とに新たな遮光性の金属薄膜を形成（る１稈ど、前記ポ
ジ型）第１〜レジストを剥離するＴ稈とを必須構成とす
るフォトマスクの製造方法である。
以下、本発明の一実施例について説明する。
第３図は、透光性のアルミノボロシリケートがラス（（
株）保谷硝子製：ｌ−［−３０）等から製作されたガラ
ス基板１の一生面上に、遮光性金属薄喚どしてクロｌｘ
（（Ｃｒ ） ＠の金属薄膜パターン２（膜厚：約７
．００人）を真空蒸着等により所定形状に形成した場合
に、その金屈曲膜パターン２に白欠陥Ｎ１分３（寸法＝
１０μｍ）を右する事例を示し、同図（ａ ）において
、ポジ型フォトレジスト４（例えば、米ｌＸｌ５ ｈｉ
ｐｌａｙ社のＡ Ｚ −１３５０等）を金属１１脱パタ
ーン２の形成側、すなわち金属薄膜パターン２の形成し
ている以外の領域にお【ＪるＭ１記ガラス基板の一方の
主面上（白欠陥部分３を有するガラス基板表面部分を含
む。）と金属薄ＩＱ膜パターンとに被覆する。このレジ
スト４の１！！厚（，１約７００ＯＡである。
株）保谷硝子製：ｌ−［−３０）等から製作されたガラ
ス基板１の一生面上に、遮光性金属薄喚どしてクロｌｘ
（（Ｃｒ ） ＠の金属薄膜パターン２（膜厚：約７
．００人）を真空蒸着等により所定形状に形成した場合
に、その金屈曲膜パターン２に白欠陥Ｎ１分３（寸法＝
１０μｍ）を右する事例を示し、同図（ａ ）において
、ポジ型フォトレジスト４（例えば、米ｌＸｌ５ ｈｉ
ｐｌａｙ社のＡ Ｚ −１３５０等）を金属１１脱パタ
ーン２の形成側、すなわち金属薄膜パターン２の形成し
ている以外の領域にお【ＪるＭ１記ガラス基板の一方の
主面上（白欠陥部分３を有するガラス基板表面部分を含
む。）と金属薄ＩＱ膜パターンとに被覆する。このレジ
スト４の１！！厚（，１約７００ＯＡである。
次に、同図（ｂ ）において、ガラス基板１の他方の主
面側から、露光マスク５のスリットと金属薄膜パターン
２に存在する白欠陥部分３どを通したレジスト部分８を
スポット露光機により露光する。この場合のスリットサ
イズは、白欠陥部分３の寸法（本例＋１０１１ｓ）に限
りなく近づける必要はなく、その寸法より大きくして金
属薄膜パターン２の幅寸法（本例：１００μｍ）より小
さい寸法（本例：３０ＩＩＩ１１）の霞光径であればよ
い。本例のスポット露光機は、説明上、露光マスク５と
ぞの＃後の光６．７しか図示していないが、詳しくは、
水銀灯等の光源と、ぞの光源から光を遮蔽す゛るシャッ
タと、イの光源からの光の照射範囲を調整するスリット
（−Ｊき露光マスクと、その光の照射範囲を縮小してレ
ジスト部分８に露光する縮小レンズ等からＩＭ成されて
いる。
面側から、露光マスク５のスリットと金属薄膜パターン
２に存在する白欠陥部分３どを通したレジスト部分８を
スポット露光機により露光する。この場合のスリットサ
イズは、白欠陥部分３の寸法（本例＋１０１１ｓ）に限
りなく近づける必要はなく、その寸法より大きくして金
属薄膜パターン２の幅寸法（本例：１００μｍ）より小
さい寸法（本例：３０ＩＩＩ１１）の霞光径であればよ
い。本例のスポット露光機は、説明上、露光マスク５と
ぞの＃後の光６．７しか図示していないが、詳しくは、
水銀灯等の光源と、ぞの光源から光を遮蔽す゛るシャッ
タと、イの光源からの光の照射範囲を調整するスリット
（−Ｊき露光マスクと、その光の照射範囲を縮小してレ
ジスト部分８に露光する縮小レンズ等からＩＭ成されて
いる。
（：、 １７） ＪうくＴ露光］ニ稈において、金ｆｔ
１ｉｔｌｌ膜パターン２に有１−る白欠陥部分３は、露
光マスクのスリマ１−どして作用Ｉノていることがら、
感光したレタス１一部分８は、イの形状寸法が白欠陥部
分３のそれど同一になり、次の同図＜Ｃ＞において、ポ
ジ型フＡ１−レジスト４に応じた現ｆＩ＆液（本例：Ａ
Ｚ−１３５０用デベロツパ）により現像処即することに
より除去され、露出部分９を形成する。
１ｉｔｌｌ膜パターン２に有１−る白欠陥部分３は、露
光マスクのスリマ１−どして作用Ｉノていることがら、
感光したレタス１一部分８は、イの形状寸法が白欠陥部
分３のそれど同一になり、次の同図＜Ｃ＞において、ポ
ジ型フＡ１−レジスト４に応じた現ｆＩ＆液（本例：Ａ
Ｚ−１３５０用デベロツパ）により現像処即することに
より除去され、露出部分９を形成する。
次に、同図（ｄ ）において、前述した金属薄膜２と同
様にクロム（Ｃｒ’）膜等の金属薄ＩＩ＃１０，１１（
膜Ｖ：約７００人）をレジスト４上ど露出部分９にに形
成（）、同図（ｅ）において、ポジ型レジスト４に応じ
たレジスト剥頗液（本例：過酸化水素水と熱１１Ｊｌ硫
酸の混合液）によりレジスト４を剥離でることにより、
そのレジスト４上の金属薄膜１−０膜１１をｊ！Ｉ！設
形成首形成 以ヒのとおり、本発明によれば、再欠陥の発生原因とな
る金属薄膜パターン上の断面的突出部分を除去し、修即
すべき金属薄膜を白欠陥部分にのみ形成し、かつ露光１
稈における露光径の調整作業を容易に１にとができる。
様にクロム（Ｃｒ’）膜等の金属薄ＩＩ＃１０，１１（
膜Ｖ：約７００人）をレジスト４上ど露出部分９にに形
成（）、同図（ｅ）において、ポジ型レジスト４に応じ
たレジスト剥頗液（本例：過酸化水素水と熱１１Ｊｌ硫
酸の混合液）によりレジスト４を剥離でることにより、
そのレジスト４上の金属薄膜１−０膜１１をｊ！Ｉ！設
形成首形成 以ヒのとおり、本発明によれば、再欠陥の発生原因とな
る金属薄膜パターン上の断面的突出部分を除去し、修即
すべき金属薄膜を白欠陥部分にのみ形成し、かつ露光１
稈における露光径の調整作業を容易に１にとができる。
なお、本発明における材質は前述（）た実施例に限定さ
れず、例えばガラス基板についてソーダライムガラス、
合成石英等、金属薄、膜について醇化クロム、モリブデ
ン、タングステン、チタン等の１ｄｌ１９、及び成膜法
としてスパッタリング、イオンブレーティング等を使用
してもよい。
れず、例えばガラス基板についてソーダライムガラス、
合成石英等、金属薄、膜について醇化クロム、モリブデ
ン、タングステン、チタン等の１ｄｌ１９、及び成膜法
としてスパッタリング、イオンブレーティング等を使用
してもよい。
第１図は白欠陥部分を有り−る金属薄膜パターンを形成
したフォトマスクを示し、同図（ａ）はｉｒ而面及び同
図（ｂ）は断面図である。第２図は従来の白欠陥部分の
修正に係るフォトマスクの製造工程を示づ断面図である
。第３図は本発明による一実施例であるフォトマスクの
製造工程を示す断面図である。 １・・・ガラスＶ板、２・・・金属薄膜パターン、３・
・・白欠陥部分、４・・・ポジ型フォ１〜レジスト１８
・・・感光したレジスト部分、９・・・露出部ブ）、１
０・・・修正のためにレジスト４上に形成した金属ＨＤ
説、１１・・・修正のために露出部分９（白欠陥部分３
）に埋設形成した金ｔａＵ股°°゛ 町 第２図 図 （ｂ） ゛ 第３図
したフォトマスクを示し、同図（ａ）はｉｒ而面及び同
図（ｂ）は断面図である。第２図は従来の白欠陥部分の
修正に係るフォトマスクの製造工程を示づ断面図である
。第３図は本発明による一実施例であるフォトマスクの
製造工程を示す断面図である。 １・・・ガラスＶ板、２・・・金属薄膜パターン、３・
・・白欠陥部分、４・・・ポジ型フォ１〜レジスト１８
・・・感光したレジスト部分、９・・・露出部ブ）、１
０・・・修正のためにレジスト４上に形成した金属ＨＤ
説、１１・・・修正のために露出部分９（白欠陥部分３
）に埋設形成した金ｔａＵ股°°゛ 町 第２図 図 （ｂ） ゛ 第３図
Claims (1)
- （１） 透光↑１１のガラス基板の一方の主面上に遮光
Ｈの金属薄膜パターンを所定形状に形成する工程と、Ｉ
ｙｊ記金属油膜パターンの形成している以外の領域にお
ける前記ガラス基板の一方の主面上と前記金属薄膜パタ
ーン上とにポジ型７４１〜レジス［・を被覆する工程と
、前記ガラス基板の他方の主面側から前記金属薄膜パタ
ーンに存在でる白欠陥部分を通して前記ポジ型フォトレ
ジストの部分を露光する工程と、前記ポジ型）Ａトレジ
ストの部分を現噸して除去する工程と、前記ポジ型フォ
トレジストの被覆されている面上と前記除去による前記
ガラス基板の露出部分とに新たな遮光性の金属薄膜を形
成づる工程と、前記ポジ型フォトレジストを剥＃Ｉづる
工程どを含むことを特徴とするフォトマスクのｖＪ造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154644A JPS6046556A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154644A JPS6046556A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046556A true JPS6046556A (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15588722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154644A Pending JPS6046556A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046556A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269269A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスク |
| JPH0779030A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-03-20 | Man Roland Druckmas Ag | Ｐｚｔ層の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320863A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Hitachi Ltd | Defect correcting method of photo masks and reticles |
| JPS57124437A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Correction of pattern defect |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP58154644A patent/JPS6046556A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320863A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Hitachi Ltd | Defect correcting method of photo masks and reticles |
| JPS57124437A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Correction of pattern defect |
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| JPS6269269A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスク |
| JPH0779030A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-03-20 | Man Roland Druckmas Ag | Ｐｚｔ層の製造方法 |
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